JPS6237352Y2 - - Google Patents
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- JPS6237352Y2 JPS6237352Y2 JP13194182U JP13194182U JPS6237352Y2 JP S6237352 Y2 JPS6237352 Y2 JP S6237352Y2 JP 13194182 U JP13194182 U JP 13194182U JP 13194182 U JP13194182 U JP 13194182U JP S6237352 Y2 JPS6237352 Y2 JP S6237352Y2
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- thin film
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- Expired
Links
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
技術分野
本発明は基板として、ポリイミド又はポリアミ
ドのフイルムを使用した薄膜EL素子に関するも
のである。
ドのフイルムを使用した薄膜EL素子に関するも
のである。
背景技術
薄膜EL素子は一般に第1図に示すような二重
絶縁構造を有しており、これはガラス基板1に、
酸化インジウム等よりなる透明電極2、酸化イツ
トリウム等よりなる第1の絶縁層3、硫化亜鉛及
びマンガンを主成分として含む発光層4、酸化イ
ツトリウム等よりなる第2の絶縁層5、アルミニ
ウム等の裏面電極6を、順に薄膜にて積層して製
造されている。
絶縁構造を有しており、これはガラス基板1に、
酸化インジウム等よりなる透明電極2、酸化イツ
トリウム等よりなる第1の絶縁層3、硫化亜鉛及
びマンガンを主成分として含む発光層4、酸化イ
ツトリウム等よりなる第2の絶縁層5、アルミニ
ウム等の裏面電極6を、順に薄膜にて積層して製
造されている。
しかしながら、この従来の薄膜EL素子7は、
ガラス基板1を使用しているため、次の欠点があ
つた。
ガラス基板1を使用しているため、次の欠点があ
つた。
第1の欠点はガラス基板1が剛体であるがた
め、破損しないように取扱いに注意を要し、一板
のガラス基板1を単位として製造の処理をしなけ
ればならず、量産化に不向きなことである。
め、破損しないように取扱いに注意を要し、一板
のガラス基板1を単位として製造の処理をしなけ
ればならず、量産化に不向きなことである。
第2の欠点はガラス基板1には鉛、鉄等の金属
イオンが含まれており、薄膜EL素子7の発光層
4を劣化させる原因となることである。すなわち
発光層4の発光率が製造後の期間経過と共に劣化
したり、またガラス基板1への上記各薄膜形成を
蒸着法によつて行うと、その熱によつて発光層4
が劣化してしまうのである。
イオンが含まれており、薄膜EL素子7の発光層
4を劣化させる原因となることである。すなわち
発光層4の発光率が製造後の期間経過と共に劣化
したり、またガラス基板1への上記各薄膜形成を
蒸着法によつて行うと、その熱によつて発光層4
が劣化してしまうのである。
第3の欠点はガラス基板1が透明であるため、
明るい所で、薄膜ELデイスプレイ7を見ると、
発光層4の発光している部分と非発光部分との明
るさの差が少なくなり、充分なコントラストが得
られないことである。
明るい所で、薄膜ELデイスプレイ7を見ると、
発光層4の発光している部分と非発光部分との明
るさの差が少なくなり、充分なコントラストが得
られないことである。
考案の開示
そこで本考案は、上記欠点に鑑みこれを改良し
たもので量産化に好適し、発光層の劣化が少な
く、かつコントラストが良好な薄膜EL素子の新
規な構造を提供することを目的とする。
たもので量産化に好適し、発光層の劣化が少な
く、かつコントラストが良好な薄膜EL素子の新
規な構造を提供することを目的とする。
すなわち本考案は、薄膜EL素子の基板とし
て、フレキシブルな性質を有し、耐熱性に優れ、
かつ金属イオン等の不純物を殆んど含まないポリ
イミド(商品名カプトン)又はポリアミドのフイ
ルムを使用するようにしたものである。さらにポ
リイミド又はポリアミドの透光スペクトルは薄膜
EL素子の発光層として、最も高い発光効率を有
する硫化亜鉛・マンガンの発光スペクトル(黄燈
色)とほぼ一致している。従つて上記目的が容易
に達成される。
て、フレキシブルな性質を有し、耐熱性に優れ、
かつ金属イオン等の不純物を殆んど含まないポリ
イミド(商品名カプトン)又はポリアミドのフイ
ルムを使用するようにしたものである。さらにポ
リイミド又はポリアミドの透光スペクトルは薄膜
EL素子の発光層として、最も高い発光効率を有
する硫化亜鉛・マンガンの発光スペクトル(黄燈
色)とほぼ一致している。従つて上記目的が容易
に達成される。
考案を実施する最良の形態
本考案の一実施例を第2図に示すと、8はポリ
イミド又はポリアミドのフイルム、2は酸化イン
ジウム等よりなる透明電極、3は酸化イツトリウ
ム等よりなる第1の絶縁層、4は硫化亜鉛・マン
ガンを主成分として含む発光層、5は酸化イツト
リウム等よりなる第2の絶縁層、6はアルミニウ
ム等の裏面電極である。
イミド又はポリアミドのフイルム、2は酸化イン
ジウム等よりなる透明電極、3は酸化イツトリウ
ム等よりなる第1の絶縁層、4は硫化亜鉛・マン
ガンを主成分として含む発光層、5は酸化イツト
リウム等よりなる第2の絶縁層、6はアルミニウ
ム等の裏面電極である。
上記本考案の薄膜EL素子9は、基板となるポ
リイミド又はポリアミドのフイルム8が、フレキ
シブルな性質を有し、300℃もの高温に耐えられ
ることを利用し、発光層4等の各薄膜を連続的に
真空蒸着して形成する。例えば発光層4を被着形
成する場合、第3図に示すような装置10を使用
する。これは真空容器11内に、ポリイミド又は
ポリアミドの長尺のフイルム18を自動送りする
フイルム送り機構12、硫化亜鉛・マンガンを主
成分とする発光層形成物質13に電子ビームを投
射して蒸発させる電子ビーム発生装置14、ポリ
イミド又はポリアミドの長尺のフイルム18を
200℃程度に加熱するヒータ15を設けたもので
ある。この装置10により連続送りされる長尺の
フイルム18の表面には発光層4が結晶成長しな
がら生成される。
リイミド又はポリアミドのフイルム8が、フレキ
シブルな性質を有し、300℃もの高温に耐えられ
ることを利用し、発光層4等の各薄膜を連続的に
真空蒸着して形成する。例えば発光層4を被着形
成する場合、第3図に示すような装置10を使用
する。これは真空容器11内に、ポリイミド又は
ポリアミドの長尺のフイルム18を自動送りする
フイルム送り機構12、硫化亜鉛・マンガンを主
成分とする発光層形成物質13に電子ビームを投
射して蒸発させる電子ビーム発生装置14、ポリ
イミド又はポリアミドの長尺のフイルム18を
200℃程度に加熱するヒータ15を設けたもので
ある。この装置10により連続送りされる長尺の
フイルム18の表面には発光層4が結晶成長しな
がら生成される。
また、酸化イツトリウム等よりなる第1及び第
2の絶縁層3,5も、上記同様の装置で形成でき
る。
2の絶縁層3,5も、上記同様の装置で形成でき
る。
なお透明電極2及び背面電極6は必要箇所に選
択的に形成する必要があり、このためには上記装
置10に、選択的に蒸着させるためのマスク(図
示せず)を設け、長尺のフイルム18を薄膜EL
デイスプレイの一単位ごとに間欠送りすればよ
い。
択的に形成する必要があり、このためには上記装
置10に、選択的に蒸着させるためのマスク(図
示せず)を設け、長尺のフイルム18を薄膜EL
デイスプレイの一単位ごとに間欠送りすればよ
い。
また、上記フイルム18には、予め駆動回路を
銅箔等により形成しておくことができる。そして
上述要領で各薄膜を被着形成すると、透明電極2
と背面電極6はこの銅箔の所定部分に接続された
ものとして形成できる。つまり、従来薄膜ELデ
イスプレイの製造コストのウエイトの高い要素で
あつた結線作業を簡略化できる。
銅箔等により形成しておくことができる。そして
上述要領で各薄膜を被着形成すると、透明電極2
と背面電極6はこの銅箔の所定部分に接続された
ものとして形成できる。つまり、従来薄膜ELデ
イスプレイの製造コストのウエイトの高い要素で
あつた結線作業を簡略化できる。
上記手順で長尺のフイルム18に各薄膜が被着
形成されれば、このフイルム18を薄膜ELデイ
スプレイ9の一単位ごとに切断分離すればよい。
形成されれば、このフイルム18を薄膜ELデイ
スプレイ9の一単位ごとに切断分離すればよい。
以上説明したように本考案によれば、基板とし
て用いるポリイミド又はポリアミドのフイルムの
フレキシブルな性質及び耐熱性により、多数の薄
膜ELデイスプレイを、連続的な蒸着工程により
形成でき量産化が容易となり、大幅なコスト低減
が可能になる。
て用いるポリイミド又はポリアミドのフイルムの
フレキシブルな性質及び耐熱性により、多数の薄
膜ELデイスプレイを、連続的な蒸着工程により
形成でき量産化が容易となり、大幅なコスト低減
が可能になる。
またポリイミド又はポリアミドは高純度で、金
属イオンを含まないから発光層の劣化を少なくで
き、長期間に亘つて安定した発光特性が得られ
る。またポリイミド又はポリアミドは硫化亜鉛・
マンガンを主成分とする発光層の発光する黄燈色
の光しか透過させないから、外来光が投射したと
き発光部と非発光部とのコントラスト低下を少く
することができる。
属イオンを含まないから発光層の劣化を少なくで
き、長期間に亘つて安定した発光特性が得られ
る。またポリイミド又はポリアミドは硫化亜鉛・
マンガンを主成分とする発光層の発光する黄燈色
の光しか透過させないから、外来光が投射したと
き発光部と非発光部とのコントラスト低下を少く
することができる。
第1図は従来の薄膜EL素子の断面図、第2図
は本考案の一実施例の薄膜EL素子の断面図、第
3図はフイルム上に薄膜を被着形成するための連
続蒸着装置の一例を示す断面図である。 2……透明電極、3……第1の絶縁層、4……
発光層、5……第2の絶縁層、6……背面電極、
8……ポリイミド又はポリアミドのフイルム、9
……薄膜EL素子。
は本考案の一実施例の薄膜EL素子の断面図、第
3図はフイルム上に薄膜を被着形成するための連
続蒸着装置の一例を示す断面図である。 2……透明電極、3……第1の絶縁層、4……
発光層、5……第2の絶縁層、6……背面電極、
8……ポリイミド又はポリアミドのフイルム、9
……薄膜EL素子。
Claims (1)
- ポリイミド又はポリアミドのフイルム上に、少
なくとも透明電極、硫化亜鉛及びマンガンを含む
発光層、絶縁層、背面電極を薄膜にて、順次積
層・形成したことを特徴とする薄膜EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13194182U JPS5936198U (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 薄膜el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13194182U JPS5936198U (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 薄膜el素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5936198U JPS5936198U (ja) | 1984-03-07 |
JPS6237352Y2 true JPS6237352Y2 (ja) | 1987-09-24 |
Family
ID=30298127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13194182U Granted JPS5936198U (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 薄膜el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5936198U (ja) |
-
1982
- 1982-08-30 JP JP13194182U patent/JPS5936198U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5936198U (ja) | 1984-03-07 |
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