JPS6235495A - 薄膜elパネル - Google Patents

薄膜elパネル

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Publication number
JPS6235495A
JPS6235495A JP60175300A JP17530085A JPS6235495A JP S6235495 A JPS6235495 A JP S6235495A JP 60175300 A JP60175300 A JP 60175300A JP 17530085 A JP17530085 A JP 17530085A JP S6235495 A JPS6235495 A JP S6235495A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
glass substrate
cover glass
panel
envelope
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60175300A
Other languages
English (en)
Inventor
小西 庸雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
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Publication of JPS6235495A publication Critical patent/JPS6235495A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産l上夏机且分立 この発明は、各種の↑1報ディスプレイをEL(電界発
光)で行う薄膜ELパネル、詳しくは薄膜ELマトリク
ス型ディスプレイパネルに関するものである。
従」0プ鼓」社 薄膜ELマトリクス型ディスプレイパネルの一般的構造
を、第4図を参照して説明する。尚、第4図の左半分は
X方向の断面図、右半分はY方向の断面図を示す。図に
於いて、(1)は透明なガラス基板、(2)はガラス基
板(1)上に形成されたマトリクス型の薄膜EL素子で
ある。EL素子(2)に於ける(3)はガラス基板(1
)上に1.T、Oを蒸着法やスパッタ法でX方向に所定
のピッチで形成したストライブ状の透明電極、(4)は
透明電極(3)上を覆うY2O3等の透明な第1絶縁層
、(5)は第1絶縁層(4)上に形成したZnS:Mn
等の発光層、(6)は発光層(5)上を覆うy2 o3
等の透明な第2絶と象眉、(7)は第2絶縁層(6)上
にY方向に所定のピッチで形成したストライプ状のAt
蒸着膜による背面電極である。
EL素子(2)の各電極(3)、(4)の一端部(3゛
)、(7゛)は外部引出しリード(図示せず)との接続
の為のガラス基板(1)の周辺部上に延長させて形成し
ている。
また、(8)はガラス基板(1)上でEL素子(2)を
気密封止する逆皿状のカバーガラスで、電極(3)、(
7)の端部(3°)、(7°)の一部を横切る位置にエ
ポキシ樹脂等の接着剤(9)でもって気密に固着され、
ガラス基板(1)とでEL素子(2)を封入する外囲器
(10)を構成する。(11)は外囲”a <’、o)
の内部空間に充填されたシリコンオイル等の絶縁性保護
流体で、外囲器(10)の内部空間を真空引きした後、
カバーガラス(8)の一部に形成された注入穴(12)
から注入され、注入後注大穴(12)を蓋板(13)で
密封して封入される。この保護流体(1工)は外囲器(
10)内に於けるEL素子(2)の外部湿気に対する防
湿作用、EL素子(2)から作動時に発熱する熱を放出
する冷却作用、E Lr fi子(2)の絶縁保護作用
等を効果的に発揮する品質のものが使用される。
B <  しよ゛と るtftr点 上記薄I!!ELパネルの製造時、外囲器(10)の内
部空間に絶縁性保護流体(11)を注入した後、注入穴
(12)を密閉して外囲! (10)を封止することは
容易なことでない。即ち、カバーガラス(8)の注入穴
(12)に保護流体(11)を満さないで蓋体(13)
でもって密閉封止すると、外囲器(10)内の保護流体
(11)に気泡が混入し、特性劣化の原因となる。そこ
で、気泡の混入を防止する為に、注入穴(12)に保護
流体(11)を表面張力により外囲器(10)の内部空
間の容積より少し多めに満たして蓋板(13)でもって
密閉封止すると、保護流体(11)に気泡は混入されな
いが、注入穴(12)から保護流体(11)が漏洩し、
封止が困難になるという問題点があった。
四 占を “ るための 且 この発明は上記問題点に鑑み提案されたもので、ガラス
基板とカバーガラスを接着してなる外囲器内に薄膜EL
素子並びに薄膜EL素子に対する絶縁性保護流体を封入
した薄膜ELパネルに於いて、前記カバーガラスの裏面
端部に、外囲器の薄膜EL素子並びに絶縁性保護流体を
封入する内部空間を囲繞して流体貯溜部を穿設し、かつ
、流体貯溜部の内外周部に0リングシールを配設したも
のである。
作■ 上記手段によれば、薄膜EL素子並びに絶縁性保護流体
を外囲器の内部空間に封入する時、ガラス基板とカバー
ガラスを真空槽内で真空状態のまま接着すると、内部空
間からあふれ出た絶縁性保護流体は流体貯溜部に流入し
てここに貯溜されると共に、その後で真空槽内を大気圧
に戻すと、流体貯溜部の残った空間が負圧状態となり、
この負圧によりガラス基板とカバーガラスを吸着保持す
る。
、実−万■ この発明を第4図と同一タイプの薄11fliELマト
リクス型ディスプレイパネルに適用した一実施例を第1
図及び第2圀に基づき説明する。尚、第1図の左半分は
X方向の断面図、右半分はY方向の断面図を示す。
第1図及び第2図に於いて、(21)は透明なガラス基
板、(22)はガラス基板(21)上に形成されたマト
リクス型の薄膜EL素子である。
EL棄子(22)に於ける(23)は1.T、0を蒸着
法やスパッタ法でX方向に所定のピンチで形成したスト
ライブ状の透明電極、(24)は透明電極(23)上を
覆うY2O3等の透明な第1絶縁層、(25)は第1絶
縁M (24)上に形成したZnS:Mn等の発光層、
(26)は発光N (25)上を覆うY2O3の透明な
第2絶縁層、(27)は第2絶縁Ka (26)上にY
方向に所定のピッチで形成したストライプ状のA5蒸着
膜による背面電極である。EL素子(22)の各電極(
23)、(27)の一端部(23’)、(27’)は外
部引出しリード(図示せず)との接続の為ガラス基板(
21)の周辺部上に延長させて形成している。
以上構成は第4図の従来例と同様であり、従来例と相違
する点はガラス基板(21)上のEL素子(22)を、
次のカバーガラス(28)とシリコンゴム製等の第1及
び第2の0リングシール(29)、(30)で気密封止
したことである。
カバーガラス(28)は、第3図に示すように、裏面中
央部にEL素子(22)を収納する凹部(31)を形成
し、この凹部(31)の外側に該凹部(31)を囲繞し
て第1のOリングシール溝(32)を形成し、そして、
この第1の0リングシール溝(32)の外側に、該第1
の0リングンール溝(32)を囲繞して、流体貯溜部(
33)を形成し、更に、この流体貯溜部(33)の外側
に、該流体貯溜部(33)を囲繞して、第2の0リンク
シール溝(34)を形成してなり、各Oリングシール溝
(32)、(34)にOリングシール(29)、(30
)を各々装着して、端部をEL素子(22)の電極、(
23)、(27)の端部(23’)、(27“)の一部
を横切る位置にエポキシ樹脂等の接着剤(35)でもっ
て気密に固着されて、ガラス基板(21)とでEL素子
(22)を封入する外囲器(36)を構成する。(37
)は外囲器(36)のEL素子(22)を封入する内部
空間に充瞑されたシリコンオイル等の絶縁性保護流体で
、外囲器 (36)内に於けるEL素子(22)の外部
湿気に対する防湿作用、EL素子(22)が作動時に発
熱する熱を放出する冷却作用、EL素子(22)の絶縁
保護作用等を有する。
以上がこの発明のN膜P、!、パネルの構成で、この3
1i5i!ELパネルは、次のようにして製造される。
先ず、ガラス基板(21)上に、透明電慟(23)、第
1絶縁層(24) 、発光層(25) 、第2箱縁層(
26)及び背面電極(27)を順次債層してなる薄MI
AELfi子(22)を形成する。その後、薄膜EL素
子(22)を形成した面を下向きにしたガラス基板(2
1)と、内面を上向きにし、かつ、各0リングシール溝
(32)、(34’)(ZOリングシール(29)、(
30)を各々装着したカバーガラス(28)とを、真空
槽内にガラス基板(21)を上IIIに、カバーガラ;
ζ(28)を下側にして対向配置する。そして、真空槽
内に設けた保護流体(37)の液槽からカバーガラス(
28)の凹部(31)内へ絶縁性保護流体(37)を、
表面張力により該凹部(31)の容積より少し多めに満
されるように注入する。次に、真空槽に設けられた排気
口から真空引きにより真空槽内を減圧し、ガラス基板(
21)上に形成した薄膜EL素子(22)及びカバーガ
ラス(28)の凹部(31)内の絶縁性保護流体(37
)のガス出しを行う。この真空状態を保持したまま、ガ
ラス基板(21)とカバーガラス(28)の対向する面
同志をOリングシール(29)、(30)を介して吸着
する。
この時、カバーガラス(28)の凹部(31)から余剰
の絶縁性保護流体(37)が若干量あふれ出るのみで、
絶縁性保護流体(37)中に気泡が入ることはない。そ
して、あふれ出た絶縁性保護流体(37)は、流体貯溜
部(33)内に流入してここに貯溜され、外部に漏洩す
ることはない。
この後、真空槽内にN2ガス等の不活性ガスを大気圧ま
で充垣させると、カバーガラス(28)の流体貯溜部(
33)の残った空間が負圧状態となり、この負圧により
ガラス基板(21)とカバーガラス(28)とは吸着さ
れ仮固定される。この後、更にカバーガラス(28)と
ガラス基板(21)の周縁部同士を接着剤(35)を介
して本固着させ、ガラス基板(21)及びカバーガラス
(28)からなる外囲器(36)を形成する。従って、
ガラス基板(21)とカバーガラス(28)の固着は完
全気密に行われ、EL素子(22)は高信頼度で気密封
止される。
光ユ■立来 この発明によれば、従来のように絶縁性保護流体の注入
穴の封止が不要となるので、外囲器内への封入作業が容
易になる。また、絶縁性保護流体に気泡が入らず、しか
も周辺部をOリングシールでも密封するようになしたか
ら、EL素子を高信頼度で気密封止することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例の薄1pJELパネルを示
す断面図、第2図はこの発明の要部拡大断面図、第3図
はこの発明のカバーガラスの内面側からの平面図、第4
図は従来の薄膜ELパネルを示す断面図である。 (21) −ガラス基板、(22)・−薄膜EL素子、
(28) −・カバーガラス、 (29)  (30)
・−・0す手続補正書 昭和60年11月2V日 1、事件の表示 昭和60年 特許!扮 第175300号2、発明の名
称 薄膜ELパネル 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 関西日本電気株式会社 4、代理人 住 所  大阪府大阪市西区江戸堀1丁目15番26号
昭和60年10月 9日 (発送日昭和60年10月29日) 6.1!正の対象 図 面 7、?i正の内容 図面企図を別紙の通り補正する。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  (1)ガラス基板とカバーガラスを接着してなる外囲
    器内に薄膜EL素子並びに絶縁性保護流体を封入した薄
    膜ELパネルに於いて、  前記カバーガラスの裏面端部に、外囲器の薄膜EL素
    子並びに絶縁性保護流体を封入する内部空間を囲繞して
    流体貯溜部を穿設し、かつ、流体貯溜部の内外周部にO
    リングシールを配設したことを特徴とする薄膜ELパネ
    ル。
JP60175300A 1985-08-08 1985-08-08 薄膜elパネル Pending JPS6235495A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60175300A JPS6235495A (ja) 1985-08-08 1985-08-08 薄膜elパネル

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60175300A JPS6235495A (ja) 1985-08-08 1985-08-08 薄膜elパネル

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6235495A true JPS6235495A (ja) 1987-02-16

Family

ID=15993684

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60175300A Pending JPS6235495A (ja) 1985-08-08 1985-08-08 薄膜elパネル

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JP (1) JPS6235495A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006147266A (ja) * 2004-11-18 2006-06-08 Pentax Corp 有機el素子および有機el素子の製造方法

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