JPS6235233B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6235233B2 JPS6235233B2 JP56160563A JP16056381A JPS6235233B2 JP S6235233 B2 JPS6235233 B2 JP S6235233B2 JP 56160563 A JP56160563 A JP 56160563A JP 16056381 A JP16056381 A JP 16056381A JP S6235233 B2 JPS6235233 B2 JP S6235233B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radio wave
- wave attenuation
- heating chamber
- attenuation mechanism
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 28
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波加熱装置の電波減衰機構に関す
るものであり、その目的とするところはチヨーク
キヤビテイを有さないコンパクトな電波減衰機構
を提供するところにある。
るものであり、その目的とするところはチヨーク
キヤビテイを有さないコンパクトな電波減衰機構
を提供するところにある。
従来加熱室開口周辺からの電波漏洩を抑止せん
とする構造としては、加熱室開口周辺に電波減衰
溝、たとえばλg/4長(λgは漏洩電波の実効
波長)を有するチヨークキヤビテイを設けたチヨ
ークシール方式や加熱室開口周辺と加熱室出入れ
扉とを導電性ゴムからなるガスケツトを仲介とし
て金属接触させた接触シール方式などが用いられ
ている。
とする構造としては、加熱室開口周辺に電波減衰
溝、たとえばλg/4長(λgは漏洩電波の実効
波長)を有するチヨークキヤビテイを設けたチヨ
ークシール方式や加熱室開口周辺と加熱室出入れ
扉とを導電性ゴムからなるガスケツトを仲介とし
て金属接触させた接触シール方式などが用いられ
ている。
ところで前者は加熱室開口周辺と加熱室出入れ
扉との間に3mm程度の隙間が生じても電波減衰効
果は十分に生じる長所がある反面、漏洩電波の実
効波長λgにより特徴付けられる所定寸法を有す
る空間が必要となり機構が複雑でコンパクト化が
難しい欠点を有する。一方後者は機構的には簡単
で機構占有空間も少ない反面接触を生ぜしめるベ
く対向面の平面度が必要あるいは弾性耐熱性の強
いガスケツトを用いなければならない欠点を有し
接触面に絶縁体が付着すれば電波減衰特性は劣下
する。
扉との間に3mm程度の隙間が生じても電波減衰効
果は十分に生じる長所がある反面、漏洩電波の実
効波長λgにより特徴付けられる所定寸法を有す
る空間が必要となり機構が複雑でコンパクト化が
難しい欠点を有する。一方後者は機構的には簡単
で機構占有空間も少ない反面接触を生ぜしめるベ
く対向面の平面度が必要あるいは弾性耐熱性の強
いガスケツトを用いなければならない欠点を有し
接触面に絶縁体が付着すれば電波減衰特性は劣下
する。
本発明はこのような観点に鑑み、加熱室開口周
辺と加熱室出入れ扉との間に隙間を生じても電波
減衰特性は充分に確保されるとともにチヨークキ
ヤビテイのような空間を要さないコンパクトな電
波減衰機構を提供するものである。
辺と加熱室出入れ扉との間に隙間を生じても電波
減衰特性は充分に確保されるとともにチヨークキ
ヤビテイのような空間を要さないコンパクトな電
波減衰機構を提供するものである。
以下図面を参照して説明する。
第1図は本発明一実施例を示す高周波加熱装置
の電波減衰機構構成図である。
の電波減衰機構構成図である。
図は電波減衰機構を有する出入れ扉1と加熱室
開口周辺に張られた加熱室フランジ2との取付構
成断面図である。加熱室フランジ2に対向した出
入れ扉1は誘電率εrなる誘電体基板3と、その
両面に張られた導体4,5と、加熱室フランジ2
と対向する導体4を被覆する誘電率εr′なる樹脂
コーテイング部6と加熱室7の内部を透視する透
視ガラス8を基本部材として構成されている。加
熱室フランジ2と樹脂コーテイング部6のなす隙
間dが電波漏洩通路であるが、この隙間dの入り
口Aより隙間部を見た等価インピーダンスが零ま
たは零に極力近い値となる様に導体4,5のパタ
ーンを構成し電波減衰効果を生ぜしめるものであ
る。9は電波減衰機構および透視ガラスの固定ビ
ス、10はボデイである。
開口周辺に張られた加熱室フランジ2との取付構
成断面図である。加熱室フランジ2に対向した出
入れ扉1は誘電率εrなる誘電体基板3と、その
両面に張られた導体4,5と、加熱室フランジ2
と対向する導体4を被覆する誘電率εr′なる樹脂
コーテイング部6と加熱室7の内部を透視する透
視ガラス8を基本部材として構成されている。加
熱室フランジ2と樹脂コーテイング部6のなす隙
間dが電波漏洩通路であるが、この隙間dの入り
口Aより隙間部を見た等価インピーダンスが零ま
たは零に極力近い値となる様に導体4,5のパタ
ーンを構成し電波減衰効果を生ぜしめるものであ
る。9は電波減衰機構および透視ガラスの固定ビ
ス、10はボデイである。
第2図は本発明一実施例を示す電波減衰機構を
有する出入れ扉の構成図である。
有する出入れ扉の構成図である。
誘電体基板上に張られた導体4は図に示すよう
に加熱室開口周辺に対し平行方向に漏洩電波波長
λgに対しλg/4なる長さを有して配されてい
る。8は加熱室内を透視する透視ガラス、11は
出入れ扉ラツチピンである。
に加熱室開口周辺に対し平行方向に漏洩電波波長
λgに対しλg/4なる長さを有して配されてい
る。8は加熱室内を透視する透視ガラス、11は
出入れ扉ラツチピンである。
第3図は第2図のX−X′断面矢視図である。
誘電体基板3の片面に長さλg/4、幅aなる
導体列4が配され、夫々の導体の一端は誘電体基
板の側面を介して誘電体基板3のもう一方の面に
張られた導体5と第4図に示すような構造で接続
されているまた導体5は、透視ガラス8および誘
電体基板3を支える金属板で構成されたドアーB
12と面接触して組立てられている。導体4を図
のように切れ目を設けて配することにより漏洩電
波のY方向伝播を抑制している。一方Z方向の伝
播を考えるとポイントAより伝播方向を見たイン
ピーダンスが零または極力零に近い値となる様に
λg/4なる導体長が選定されているためZ方向
への伝播が生じない構成がとられている。ところ
で装置使用時予期せぬ付着物により導体4の切れ
目が被われた場合Y方向への伝播が生じることに
なるため、導体4はテフロンなどの低誘電損失の
樹脂でもつて全面コーテイング6をし導体4の切
れ目を保持して電波減衰機構の信頼性を維持させ
ている。
導体列4が配され、夫々の導体の一端は誘電体基
板の側面を介して誘電体基板3のもう一方の面に
張られた導体5と第4図に示すような構造で接続
されているまた導体5は、透視ガラス8および誘
電体基板3を支える金属板で構成されたドアーB
12と面接触して組立てられている。導体4を図
のように切れ目を設けて配することにより漏洩電
波のY方向伝播を抑制している。一方Z方向の伝
播を考えるとポイントAより伝播方向を見たイン
ピーダンスが零または極力零に近い値となる様に
λg/4なる導体長が選定されているためZ方向
への伝播が生じない構成がとられている。ところ
で装置使用時予期せぬ付着物により導体4の切れ
目が被われた場合Y方向への伝播が生じることに
なるため、導体4はテフロンなどの低誘電損失の
樹脂でもつて全面コーテイング6をし導体4の切
れ目を保持して電波減衰機構の信頼性を維持させ
ている。
以上のように本発明の高周波加熱装置は加熱室
開口周辺に配設された電波減衰機構を有し、この
電波減衰機構は、誘電体基板と、前記誘電体基板
の片面に前記加熱室開口に対して外側方向に延在
する所定の寸法長を有して周期的に配設された導
体と、前記電波減衰機構の表面部にコーテイング
された低誘電損失の樹脂とを有し、前記導体の寸
法長を前記電波減衰機構を伝搬する伝搬波長の1/
4にしたものであるから、従来の電波減衰機構が
必然的に備えていたチヨークキヤビテイを有さな
い全く新規な概念の電波減衰機構を提供するもの
であり電波減衰機構を平面的でコンパクトに構成
することができ装置の小形・軽量化もはかれる等
の工業的価値大なるものを提供できる効果を奏す
る。
開口周辺に配設された電波減衰機構を有し、この
電波減衰機構は、誘電体基板と、前記誘電体基板
の片面に前記加熱室開口に対して外側方向に延在
する所定の寸法長を有して周期的に配設された導
体と、前記電波減衰機構の表面部にコーテイング
された低誘電損失の樹脂とを有し、前記導体の寸
法長を前記電波減衰機構を伝搬する伝搬波長の1/
4にしたものであるから、従来の電波減衰機構が
必然的に備えていたチヨークキヤビテイを有さな
い全く新規な概念の電波減衰機構を提供するもの
であり電波減衰機構を平面的でコンパクトに構成
することができ装置の小形・軽量化もはかれる等
の工業的価値大なるものを提供できる効果を奏す
る。
第1図は本発明一実施例を示す高周波加熱装置
の電波減衰機構構成図、第2図は本発明一実施例
を示す電波減衰機構を有する出入れ扉の構成図、
第3図は第2図のX−X′断面矢視図、第4図は
第3図のコーテイング樹脂と誘電体基板とを除去
した時の構成図である。 2……加熱室フランジ(加熱室開口周辺の1
つ)、3……誘電体基板、4……切れ目を有する
導体、5……導体、6……樹脂コーテイング部。
の電波減衰機構構成図、第2図は本発明一実施例
を示す電波減衰機構を有する出入れ扉の構成図、
第3図は第2図のX−X′断面矢視図、第4図は
第3図のコーテイング樹脂と誘電体基板とを除去
した時の構成図である。 2……加熱室フランジ(加熱室開口周辺の1
つ)、3……誘電体基板、4……切れ目を有する
導体、5……導体、6……樹脂コーテイング部。
Claims (1)
- 1 加熱室開口周辺に配設された電波減衰機構を
有し、この電波減衰機構は、誘電体基板と、前記
誘電体基板の片面に前記加熱室開口に対して外側
方向へ周期的に延在する所定の寸法長を有する導
体と、前記電波減衰機構の表面部にコーテイング
された低誘電損失の樹脂とを有し、前記導体の寸
法長を前記電波減衰機構を伝搬する伝搬波長の1/
4の長さとした高周波加熱装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16056381A JPS5861595A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 高周波加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16056381A JPS5861595A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 高周波加熱装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5861595A JPS5861595A (ja) | 1983-04-12 |
JPS6235233B2 true JPS6235233B2 (ja) | 1987-07-31 |
Family
ID=15717684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16056381A Granted JPS5861595A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 高周波加熱装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5861595A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5091842A (ja) * | 1973-12-19 | 1975-07-22 | ||
JPS51137152A (en) * | 1975-05-20 | 1976-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | High frequency cooking apparatus |
-
1981
- 1981-10-07 JP JP16056381A patent/JPS5861595A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5091842A (ja) * | 1973-12-19 | 1975-07-22 | ||
JPS51137152A (en) * | 1975-05-20 | 1976-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | High frequency cooking apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5861595A (ja) | 1983-04-12 |
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