JPS6235281B2 - - Google Patents
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- JPS6235281B2 JPS6235281B2 JP5102181A JP5102181A JPS6235281B2 JP S6235281 B2 JPS6235281 B2 JP S6235281B2 JP 5102181 A JP5102181 A JP 5102181A JP 5102181 A JP5102181 A JP 5102181A JP S6235281 B2 JPS6235281 B2 JP S6235281B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/16—Dielectric waveguides, i.e. without a longitudinal conductor
- H01P3/165—Non-radiating dielectric waveguides
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ミリ波帯の集積回路用線路として好
適な誘電体線路、特に、曲がりや不連続部分での
放射を生じない非放射性誘電体線路に関するもの
である。
適な誘電体線路、特に、曲がりや不連続部分での
放射を生じない非放射性誘電体線路に関するもの
である。
ミリ波帯の集積回路では、金属線路としてマイ
クロストリツプ線路が、また誘電体線路としてイ
メージ線路やインシユラ線路といつたものが一般
に使用されてきている。しかし、金属線路はミリ
波帯で導体損失が非常に大きい欠点があり、誘電
体線路は直線部分での伝送損失は小さいが、曲が
りや不連続部分において放射が起こり、損失の異
常な増加のみならず、近接線路への漏話が生じる
という欠点がある。
クロストリツプ線路が、また誘電体線路としてイ
メージ線路やインシユラ線路といつたものが一般
に使用されてきている。しかし、金属線路はミリ
波帯で導体損失が非常に大きい欠点があり、誘電
体線路は直線部分での伝送損失は小さいが、曲が
りや不連続部分において放射が起こり、損失の異
常な増加のみならず、近接線路への漏話が生じる
という欠点がある。
一方、２枚の平行な金属平板の間に誘電体スト
リツプを挿入した誘電体線路が提案されている。
この線路は一般にＨガイドと呼ばれているもの
で、伝送損失の低減を目的として金属平板間隔を
半波長以上にとつており、曲がり部分で発生する
放射波を抑制することができない。従つて、複雑
な回路パターンを必要とする集積回路に適した線
路とはいいがたい。
リツプを挿入した誘電体線路が提案されている。
この線路は一般にＨガイドと呼ばれているもの
で、伝送損失の低減を目的として金属平板間隔を
半波長以上にとつており、曲がり部分で発生する
放射波を抑制することができない。従つて、複雑
な回路パターンを必要とする集積回路に適した線
路とはいいがたい。
本発明は、上記に基づいてなされたものであ
り、曲がりや不連続部分での放射がなく、しか
も、伝搬波が基本モード単一となる非放射性の誘
電体線路の提供を目的とするものである。
り、曲がりや不連続部分での放射がなく、しか
も、伝搬波が基本モード単一となる非放射性の誘
電体線路の提供を目的とするものである。
本発明の誘電体線路は、２枚の金属平板を間隔
ａでもつて平行配置し、該金属平板間存在する誘
電体媒質（誘電率ε１）よりも大なる誘電率ε２
を有する幅ｔの誘電体ストリツプを２枚の金属平
板間に挿入してなり、誘電体媒質内の電磁波の伝
搬波長をλ０、誘電体ストリツプに沿つて伝搬す
る電磁波の基本波TM0モードおよび第１高次波
TM1モードの伝搬波長をそれぞれλg0，λg1とし
たとき、 （εr−１）1/2（ｔ／λ０）＜0.5では λ０／２＞ａ＞λg0／２を、 （εr−１）1/2（ｔ／λ０）＞0.5では λg1／２＞ａ＞λg0／２を それぞれ満足するように構成したことを特徴とす
るものである（εr＝ε２／ε１）。
ａでもつて平行配置し、該金属平板間存在する誘
電体媒質（誘電率ε１）よりも大なる誘電率ε２
を有する幅ｔの誘電体ストリツプを２枚の金属平
板間に挿入してなり、誘電体媒質内の電磁波の伝
搬波長をλ０、誘電体ストリツプに沿つて伝搬す
る電磁波の基本波TM0モードおよび第１高次波
TM1モードの伝搬波長をそれぞれλg0，λg1とし
たとき、 （εr−１）1/2（ｔ／λ０）＜0.5では λ０／２＞ａ＞λg0／２を、 （εr−１）1/2（ｔ／λ０）＞0.5では λg1／２＞ａ＞λg0／２を それぞれ満足するように構成したことを特徴とす
るものである（εr＝ε２／ε１）。
以下、添付図面を参照しながら本発明について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図に示すように、２枚の金属平板１，２を
間隔ａでもつて平行配置し、この間を誘電体媒質
（誘電率ε１）３で満たし、金属平板１，２に平
行に偏波した電磁波の伝搬を考える。このときの
伝搬基本波の伝搬定数β０は次式によつて与えら
れる。
間隔ａでもつて平行配置し、この間を誘電体媒質
（誘電率ε１）３で満たし、金属平板１，２に平
行に偏波した電磁波の伝搬を考える。このときの
伝搬基本波の伝搬定数β０は次式によつて与えら
れる。
β２ ０（２π／λ０）２−（π／ａ）２ …(1)
ここで、物質はすべて無損失と仮定している。
λ０は、誘電体媒質３内の平面電磁波の伝搬波長
であり、（２π／λ０）はその伝搬定数である。
換言すれば、（２π／λ０）はａ→∞の場合の伝
搬定数を意味する。(1)式において、電磁波が遮断
される条件は、 β２ ０＜０ 即ち ａ＜λ０／２ …(2) である。すなわち、金属平板１，２の間隔を誘電
体媒質３内の伝搬波長の1/2以下にすれば、金属
平板１，２に平行に偏波した電磁波は遮断されて
伝搬しない。
λ０は、誘電体媒質３内の平面電磁波の伝搬波長
であり、（２π／λ０）はその伝搬定数である。
換言すれば、（２π／λ０）はａ→∞の場合の伝
搬定数を意味する。(1)式において、電磁波が遮断
される条件は、 β２ ０＜０ 即ち ａ＜λ０／２ …(2) である。すなわち、金属平板１，２の間隔を誘電
体媒質３内の伝搬波長の1/2以下にすれば、金属
平板１，２に平行に偏波した電磁波は遮断されて
伝搬しない。
次に、第２図に示すように、金属平板１，２間
に厚さｔ、誘電率ε２（ε２＞ε１）なる誘電体
ストリツプ４が存在するときを考える。この誘電
体ストリツプ４中では伝搬波長が短縮されるた
め、遮断状態が解消され、誘電体ストリツプ４に
沿つて電磁波が伝搬する。この場合、誘電体スト
リツプ４が曲がつていても、金属平板の遮断効果
により放射波は伝搬せず、伝搬エネルギーは殆ど
誘電体ストリツプ４内に閉じ込められて放射損失
はもとより、周囲への影響を生じない。誘電体ス
トリツプ４に沿う伝搬モードは、誘電体ストリツ
プ４の厚さｔが小さいときは基本モードのみで、
このモードの存在する条件が金属平板１，２の間
隔ａの下限を定める。誘電体ストリツプ４の厚さ
ｔが大きくなると、高次の伝搬モードが発生す
る。集積回路などでは、線路の曲がりや不連続部
分が避けられないので、高次モードの発生は望ま
しくない。
に厚さｔ、誘電率ε２（ε２＞ε１）なる誘電体
ストリツプ４が存在するときを考える。この誘電
体ストリツプ４中では伝搬波長が短縮されるた
め、遮断状態が解消され、誘電体ストリツプ４に
沿つて電磁波が伝搬する。この場合、誘電体スト
リツプ４が曲がつていても、金属平板の遮断効果
により放射波は伝搬せず、伝搬エネルギーは殆ど
誘電体ストリツプ４内に閉じ込められて放射損失
はもとより、周囲への影響を生じない。誘電体ス
トリツプ４に沿う伝搬モードは、誘電体ストリツ
プ４の厚さｔが小さいときは基本モードのみで、
このモードの存在する条件が金属平板１，２の間
隔ａの下限を定める。誘電体ストリツプ４の厚さ
ｔが大きくなると、高次の伝搬モードが発生す
る。集積回路などでは、線路の曲がりや不連続部
分が避けられないので、高次モードの発生は望ま
しくない。
ここで、誘電体ストリツプ４に沿つて伝搬する
ｘ方向偏波を考える。このときの伝搬モードの伝
搬定数βrは、(1)式と同様に、 β２ ｒ＝（２π／λgo）２−（π／ａ）２ …(3) で与えられる。λgoは誘電体ストリツプ４を伝搬
するTMo表面波モードの伝搬波長である。この
λgoは次式によつて与えられることが知られてい
る。
ｘ方向偏波を考える。このときの伝搬モードの伝
搬定数βrは、(1)式と同様に、 β２ ｒ＝（２π／λgo）２−（π／ａ）２ …(3) で与えられる。λgoは誘電体ストリツプ４を伝搬
するTMo表面波モードの伝搬波長である。この
λgoは次式によつて与えられることが知られてい
る。
λgo＝２π／［（２π／λ０）２＋p2］1/2 …(4)
λ０は(1)式のものと同じであり、ｐは次のよう
にして求められる。
にして求められる。
第２図に示す座標系において、電磁界方程式の
解にはｘ方向磁界成分が存在しないモードがある
ことは明らかである。界方程式を変形すると、こ
のモードは次式によつて表わされる。
解にはｘ方向磁界成分が存在しないモードがある
ことは明らかである。界方程式を変形すると、こ
のモードは次式によつて表わされる。
Ｈ＝x0 k2φ＋〓（∂φ／∂ｘ） …(5)
Ｅ＝ｊωε〓φ×x0 …(6)
x0 はｘ方向単位ベクトル、k2＝ω２εμ（μ：
透磁率）、εは場所によりε０またはε１を表わ
す。φは次式を満足する。
透磁率）、εは場所によりε０またはε１を表わ
す。φは次式を満足する。
〓２φ＋k2φ＝０ …(7)
(7)式の解は、完全導体板の境界条件を満足する
次式で与えられる。
次式で与えられる。
φ＝ｆ（ｘ）ｅ-j〓zsinsy …(8)
ｓ＝ｎπ／ａ（ｎ＝１，２，３，…）であり、
ｆ（ｘ）には偶モードと奇モードの２組の解があ
る。偶モードに対しては、 で表わされ、奇モードに対しては、 で表わされる。ｐ，ｑは固有値であり、 β２＋s2−p2＝ｋ２ ０ …(11) β２＋s2＋q2＝ｋ２ １ …(12) を満足するものである。ｋ２ ０＝（２π／λ０）２、
ｋ２ １＝εrｋ２ ０であることから、(11)式および(12)
式か
ら次式が得られる。
ｆ（ｘ）には偶モードと奇モードの２組の解があ
る。偶モードに対しては、 で表わされ、奇モードに対しては、 で表わされる。ｐ，ｑは固有値であり、 β２＋s2−p2＝ｋ２ ０ …(11) β２＋s2＋q2＝ｋ２ １ …(12) を満足するものである。ｋ２ ０＝（２π／λ０）２、
ｋ２ １＝εrｋ２ ０であることから、(11)式および(12)
式か
ら次式が得られる。
p2＋q2＝（εr−１）（２π／λ０）２ …(13)
また、(8)式のｘ＝±ｔ／２での連続条件より、
偶モードに対しては、 ｐ＝（ｑ／εr）tan（qt／２） …(14) 奇モードに対しては、 ｐ＝−（ｑ／εr）cot（qt／２） …(15) の関係が得られる。
偶モードに対しては、 ｐ＝（ｑ／εr）tan（qt／２） …(14) 奇モードに対しては、 ｐ＝−（ｑ／εr）cot（qt／２） …(15) の関係が得られる。
(13)〜(15)式は次のように書くことができる。
（pt）2＋（qt）2
＝（εr−１）（２πｔ／λ０）２ …(16)
pt＝（qt／εr）tan（qt／２） …(17)
pt＝−（qt／εr）cot（qt／２） …(18)
(16)式は、pt−qt面における半径（εr−１）1/
２（２πｔ／λ０）の円を表わし、(17)式、(18)式
もpt−qt面にプロツトすることが可能である。こ
れらの曲線から厚さｔに対して有限個の固有値
ｐ，ｑを得ることができる。
２（２πｔ／λ０）の円を表わし、(17)式、(18)式
もpt−qt面にプロツトすることが可能である。こ
れらの曲線から厚さｔに対して有限個の固有値
ｐ，ｑを得ることができる。
ここで、第１高次モードが存在するのは、(16)
式および(17)式から、 （εr−１）1/2（ｔ／λ０）＞1/2 …(19) のときである。このとき、(3)式によれば、基本モ
ードが伝搬する条件はａ＞λg0／２であり、第１
高次モードが伝搬しない条件はａ＜λg1／２であ
ることから、基本モード単一の伝搬条件は、 λg1／２＞ａ＞λg0／２ …(20) となる。
式および(17)式から、 （εr−１）1/2（ｔ／λ０）＞1/2 …(19) のときである。このとき、(3)式によれば、基本モ
ードが伝搬する条件はａ＞λg0／２であり、第１
高次モードが伝搬しない条件はａ＜λg1／２であ
ることから、基本モード単一の伝搬条件は、 λg1／２＞ａ＞λg0／２ …(20) となる。
また、
（εr−１）1/2（ｔ／λ０）＜1/2 …(21)
のときは、高次モードは存在せず基本モードのみ
となるが、この場合は、 λ０／２＞ａ＞λg0／２ …(22) となる。
となるが、この場合は、 λ０／２＞ａ＞λg0／２ …(22) となる。
第４図は、周囲の誘電体媒質３を空気とし、誘
電体ストリツプ４としてアルミナ（εr＝9.6）、
石英ガラス（εr＝3.8）、ポリスチレン（εr＝
2.56）を用いた場合における(20)，(22)式をグラ
フ化したものである。曲線Ａは、関係式ａ＝λg
０／２を表わし、伝搬波基本モードの遮断条件を
示す。曲線Ｂはａ＝λg1／２を表わし、第１高次
モードの遮断条件を示す。直線Ｃはａ＝λ０／２
を表わし、誘電体媒質３内伝搬波の遮断条件を示
す。(20)，(22)式は、これら曲線Ａ，Ｂおよび直
線Ｃで囲まれた領域を意味する。
電体ストリツプ４としてアルミナ（εr＝9.6）、
石英ガラス（εr＝3.8）、ポリスチレン（εr＝
2.56）を用いた場合における(20)，(22)式をグラ
フ化したものである。曲線Ａは、関係式ａ＝λg
０／２を表わし、伝搬波基本モードの遮断条件を
示す。曲線Ｂはａ＝λg1／２を表わし、第１高次
モードの遮断条件を示す。直線Ｃはａ＝λ０／２
を表わし、誘電体媒質３内伝搬波の遮断条件を示
す。(20)，(22)式は、これら曲線Ａ，Ｂおよび直
線Ｃで囲まれた領域を意味する。
なお、第４図の上部横軸には周囲の誘電体媒質
３内での電磁波の１波長当りの減衰量が附記して
ある。これは、誘電体ストリツプで作られる回路
間の干渉の程度を推定するのに役立つ。例えば、
ａ／λ０＝0.45とすれば、α０λ０＝30dBとな
り、誘電体ストリツプを１波長程度の間隔で多数
並べても、それらの間の干渉は殆ど問題にならな
いことを意味している。
３内での電磁波の１波長当りの減衰量が附記して
ある。これは、誘電体ストリツプで作られる回路
間の干渉の程度を推定するのに役立つ。例えば、
ａ／λ０＝0.45とすれば、α０λ０＝30dBとな
り、誘電体ストリツプを１波長程度の間隔で多数
並べても、それらの間の干渉は殆ど問題にならな
いことを意味している。
第３図は、非放射性誘電体線路の断面図の基本
モード電磁界分布の略図である。誘電体ストリツ
プ中の電磁界は、ほぼ金属導波管中の電磁界に等
しく、わずかに減衰性の界が周囲の誘電体媒質中
に漏れているにすぎない。
モード電磁界分布の略図である。誘電体ストリツ
プ中の電磁界は、ほぼ金属導波管中の電磁界に等
しく、わずかに減衰性の界が周囲の誘電体媒質中
に漏れているにすぎない。
非放射性誘電体線路の伝送損失α１は主として
金属平板の導体損αcと誘電体ストリツプの誘電
体損αdの和で与えられる。第５図は、金属平板
に銅（σ＝5.8×107／ｍ）を、誘電体ストリツ
プにポリエチレン（εr＝2.56、tanδ＝10-4）を用
いた場合の周波数50GHzにおける伝送損失を示し
たものである。この線路の損失はインシユラ線路
と同程度あるいは若干小さい。
金属平板の導体損αcと誘電体ストリツプの誘電
体損αdの和で与えられる。第５図は、金属平板
に銅（σ＝5.8×107／ｍ）を、誘電体ストリツ
プにポリエチレン（εr＝2.56、tanδ＝10-4）を用
いた場合の周波数50GHzにおける伝送損失を示し
たものである。この線路の損失はインシユラ線路
と同程度あるいは若干小さい。
第６図は、本発明の他の実施例を示したもので
ある。本実施例は、誘電体ストリツプ４の長手方
向の中央部に沿つて金属薄膜５を挿入することに
より分割型としたものである。このような構成に
より、所要の伝送波である基本モードに何ら影響
を与えずに第１，３，…なる奇の高次モードを抑
制する。また、金属平板に垂直な偏波のTE基本
モードに対して（２枚の金属平板の中央の平面に
対して幾何学的対象な構造に作れるから、実際に
は発生しないが）、その伝搬を抑制する。
ある。本実施例は、誘電体ストリツプ４の長手方
向の中央部に沿つて金属薄膜５を挿入することに
より分割型としたものである。このような構成に
より、所要の伝送波である基本モードに何ら影響
を与えずに第１，３，…なる奇の高次モードを抑
制する。また、金属平板に垂直な偏波のTE基本
モードに対して（２枚の金属平板の中央の平面に
対して幾何学的対象な構造に作れるから、実際に
は発生しないが）、その伝搬を抑制する。
本発明において使用される誘電体ストリツプの
断面形状としては、これまでに述べてきた長方形
状に限定されるものではなく、第７図イ〜ニに示
すような種々の形状のものが利用できる。要は、
金属平板１と２の中央の面に対して幾何学的に対
称な形状とすれば、金属平板１，２に直角な偏波
のモードは抑制され、平行な偏波のモードのみが
伝搬される。
断面形状としては、これまでに述べてきた長方形
状に限定されるものではなく、第７図イ〜ニに示
すような種々の形状のものが利用できる。要は、
金属平板１と２の中央の面に対して幾何学的に対
称な形状とすれば、金属平板１，２に直角な偏波
のモードは抑制され、平行な偏波のモードのみが
伝搬される。
本発明の誘電体線路は、その特性上金属導波管
回路素子と同じような回路素子を実現できる。第
８図イ〜ヲはその代表的な例の平面図を示すもの
であり、イはベンド、ロは直角曲がり、ハはＴ分
岐、ニはＹ分岐、ホはクロス分岐、ヘはリングブ
リツジ、トは方向性結合器、チは誘電体共振器、
リはフイルタ、ヌは無反射終端、ルはアイソレー
タ、ヲはサーキユレータへの適用例をそれぞれ示
し、各図において１は金属平板を、４は誘電体ス
トリツプを示している。なお、リにおいて、誘電
体ストリツプ４は所定間隔毎に異なる高さあるい
は厚さの誘電体４１，４２，４３が挿入されて構
成されており、ヌにおいて６は吸収体出あり、ル
において７は直流磁界印加フエライト、８は吸収
体であり、ヲにおいて９は直流磁界印加フエライ
トである。
回路素子と同じような回路素子を実現できる。第
８図イ〜ヲはその代表的な例の平面図を示すもの
であり、イはベンド、ロは直角曲がり、ハはＴ分
岐、ニはＹ分岐、ホはクロス分岐、ヘはリングブ
リツジ、トは方向性結合器、チは誘電体共振器、
リはフイルタ、ヌは無反射終端、ルはアイソレー
タ、ヲはサーキユレータへの適用例をそれぞれ示
し、各図において１は金属平板を、４は誘電体ス
トリツプを示している。なお、リにおいて、誘電
体ストリツプ４は所定間隔毎に異なる高さあるい
は厚さの誘電体４１，４２，４３が挿入されて構
成されており、ヌにおいて６は吸収体出あり、ル
において７は直流磁界印加フエライト、８は吸収
体であり、ヲにおいて９は直流磁界印加フエライ
トである。
以上説明してきた通り、本発明の誘電体線路
は、平行配置された導体平板の間に誘電体ストリ
ツプを設け、導体平板の間隔を特定することによ
り電磁波の電界が主として導体平板に平行である
モードを形成するように構成したものであり、電
磁波エネルギーの殆どは誘電体ストリツプ内を伝
搬することになり、曲がりや不連続部での放射を
抑制することが可能になる。
は、平行配置された導体平板の間に誘電体ストリ
ツプを設け、導体平板の間隔を特定することによ
り電磁波の電界が主として導体平板に平行である
モードを形成するように構成したものであり、電
磁波エネルギーの殆どは誘電体ストリツプ内を伝
搬することになり、曲がりや不連続部での放射を
抑制することが可能になる。
第１図は金属平板間に誘電体媒質を満たした伝
送線路の説明図、第２図は本発明の誘電体線路の
一実施例の説明図、第３図は本発明の誘電体線路
の断面内での基本モードの電磁界分布の説明図、
第４図は本発明の誘電体線路における基本モード
のみが存在する領域の説明図、第５図は本発明の
誘電体線路における伝送損失の説明図、第６図は
本発明の他の実施例の説明図、第７図は本発明の
誘電体線路における誘電体ストリツプの断面形状
の説明図、第８図は本発明誘電体線路の回路素子
への適用例の説明図である。 １，２…金属平板、３…誘電体媒質、４…誘電
体ストリツプ。
送線路の説明図、第２図は本発明の誘電体線路の
一実施例の説明図、第３図は本発明の誘電体線路
の断面内での基本モードの電磁界分布の説明図、
第４図は本発明の誘電体線路における基本モード
のみが存在する領域の説明図、第５図は本発明の
誘電体線路における伝送損失の説明図、第６図は
本発明の他の実施例の説明図、第７図は本発明の
誘電体線路における誘電体ストリツプの断面形状
の説明図、第８図は本発明誘電体線路の回路素子
への適用例の説明図である。 １，２…金属平板、３…誘電体媒質、４…誘電
体ストリツプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ２枚の金属平板を間隔ａでもつて平行配置
し、該金属平板間に存在する誘電体媒質（誘電率
ε１）よりも大なる誘電率ε２を有する厚さｔの
誘電体ストリツプを２枚の金属平板間に挿入して
なり、誘電体媒質内の電磁波の伝搬波長をλ０、
誘電体ストリツプに沿つて伝搬する電磁波の基本
波TM0モードおよび第１高次波TM1モードの伝
搬波長をそれぞれλg0，λg1としたとき、 （εr−１）1/2（ｔ／λ０）＜0.5では λ０／２＞ａ＞λg0／２を、 （εr−１）1/2（ｔ／λ０）＞0.5では λg1／２＞ａ＞λg0／２を それぞれ満足するように構成したことを特徴とす
る誘電体線路（εr＝ε２／ε１）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5102181A JPS57166701A (en) | 1981-04-03 | 1981-04-03 | Dielectric line |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5102181A JPS57166701A (en) | 1981-04-03 | 1981-04-03 | Dielectric line |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57166701A JPS57166701A (en) | 1982-10-14 |
| JPS6235281B2 true JPS6235281B2 (ja) | 1987-07-31 |
Family
ID=12875133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5102181A Granted JPS57166701A (en) | 1981-04-03 | 1981-04-03 | Dielectric line |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57166701A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0709912A1 (en) | 1994-10-25 | 1996-05-01 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | NRD guide circuit, radar module and radar apparatus |
| WO2006059491A1 (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-08 | Tdk Corporation | 伝送線路 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59183002U (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-06 | ソニー株式会社 | 誘電体線路 |
| JPH08181510A (ja) * | 1994-10-25 | 1996-07-12 | Honda Motor Co Ltd | Ｎｒｄガイド回路の組立方法およびｎｒｄガイド回路 |
| JP3475858B2 (ja) | 1999-06-03 | 2003-12-10 | 株式会社村田製作所 | アンテナ共用器及び通信機装置 |
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| US6882253B2 (en) | 2000-11-27 | 2005-04-19 | Kyocera Corporation | Non-radiative dielectric waveguide and millimeter wave transmitting/receiving apparatus |
| JP2003188611A (ja) | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波用伝送線路 |
| JP3862633B2 (ja) * | 2002-08-14 | 2006-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 非放射性誘電体線路の製造方法 |
| JP3886459B2 (ja) * | 2003-01-28 | 2007-02-28 | 株式会社神戸製鋼所 | 誘電体線路の製造方法 |
| JP4615486B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2011-01-19 | 京セラ株式会社 | 誘電体導波路デバイスならびにこれを備える高周波送信器、高周波受信器、高周波送受信器、レーダ装置、移相器、高周波スイッチおよび減衰器 |
-
1981
- 1981-04-03 JP JP5102181A patent/JPS57166701A/ja active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0709912A1 (en) | 1994-10-25 | 1996-05-01 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | NRD guide circuit, radar module and radar apparatus |
| WO2006059491A1 (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-08 | Tdk Corporation | 伝送線路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57166701A (en) | 1982-10-14 |
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