JPH0652986A - 電波シール装置 - Google Patents
電波シール装置Info
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- JPH0652986A JPH0652986A JP20216992A JP20216992A JPH0652986A JP H0652986 A JPH0652986 A JP H0652986A JP 20216992 A JP20216992 A JP 20216992A JP 20216992 A JP20216992 A JP 20216992A JP H0652986 A JPH0652986 A JP H0652986A
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- conductor
- radio wave
- concave groove
- opening
- sealing device
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/76—Prevention of microwave leakage, e.g. door sealings
- H05B6/763—Microwave radiation seals for doors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子レンジなどの高周波機器に用いられる電
波を遮蔽する電波シール装置を簡単な構成で小型にする
ことを目的とする。 【構成】 電波が内部に供給され、かつ開口部を有する
導体材からなる本体１と、前記開口部を開閉自在に覆う
導体材からなるドア２からなる電子レンジにおいて、前
記本体１と前記ドア２とが対向する部分のすくなくとも
一方に凹状溝３を設けた。この凹状溝３の開口部に導電
体４を設けた。さらに、前記導電体４もしくは前記凹状
溝３の少なくとも１つの壁面に複数のスリット部６を設
け、かつ導電体４と凹状溝３との間を電気的に非接触と
する構成とする。この簡単な構成で電波を遮蔽すること
ができ、製造工程を簡略することができた。
波を遮蔽する電波シール装置を簡単な構成で小型にする
ことを目的とする。 【構成】 電波が内部に供給され、かつ開口部を有する
導体材からなる本体１と、前記開口部を開閉自在に覆う
導体材からなるドア２からなる電子レンジにおいて、前
記本体１と前記ドア２とが対向する部分のすくなくとも
一方に凹状溝３を設けた。この凹状溝３の開口部に導電
体４を設けた。さらに、前記導電体４もしくは前記凹状
溝３の少なくとも１つの壁面に複数のスリット部６を設
け、かつ導電体４と凹状溝３との間を電気的に非接触と
する構成とする。この簡単な構成で電波を遮蔽すること
ができ、製造工程を簡略することができた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波電波を遮蔽する
電波シール装置に関し、特に電子レンジのように開閉自
在のドアを有する高周波機器の電波シール装置に関す
る。
電波シール装置に関し、特に電子レンジのように開閉自
在のドアを有する高周波機器の電波シール装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の電波シール装置（たとえ
ば、米国特許第３，１８２，１６４号明細書）は図４に
示すような構成であった。以下、その構成について説明
する。
ば、米国特許第３，１８２，１６４号明細書）は図４に
示すような構成であった。以下、その構成について説明
する。
【０００３】図４において、８は電子レンジの本体であ
り、この本体８の開口部９を開閉自在に覆い、取手１０
を有するドア１１が設けられている。このドア１１の周
縁部には本体８側に対向して開口した隙間部１２を有す
る空洞のチョーク部１３が形成されている。このチョー
ク部１３の奥行Ｌ1は、使用される高周波の波長の実質
的に４分の１波長に設計されている。この場合、ドア１
１のチョーク部１３の幅は４分の１波長以上必要であ
る。すなわち、従来電子レンジで使用されている電磁波
の周波数は、２４５０ＭＨｚであるので４分の１波長は
約３０ｍｍとなる。この長さのチョーク部１３と対向さ
せるために、本体８の開口部９に形成した周縁部１４の
厚さＬ2は４分の１波長より大きい値となる。したがっ
て、本体８の開口部９の有効大きさは周縁部１４の分だ
け小さくなる。
り、この本体８の開口部９を開閉自在に覆い、取手１０
を有するドア１１が設けられている。このドア１１の周
縁部には本体８側に対向して開口した隙間部１２を有す
る空洞のチョーク部１３が形成されている。このチョー
ク部１３の奥行Ｌ1は、使用される高周波の波長の実質
的に４分の１波長に設計されている。この場合、ドア１
１のチョーク部１３の幅は４分の１波長以上必要であ
る。すなわち、従来電子レンジで使用されている電磁波
の周波数は、２４５０ＭＨｚであるので４分の１波長は
約３０ｍｍとなる。この長さのチョーク部１３と対向さ
せるために、本体８の開口部９に形成した周縁部１４の
厚さＬ2は４分の１波長より大きい値となる。したがっ
て、本体８の開口部９の有効大きさは周縁部１４の分だ
け小さくなる。
【０００４】上述のとおり従来のチョーク部１３は４分
の１波長の深さとして高周波を減衰させるという技術思
想に基づいている。すなわち、チョーク部１３の特性イ
ンピーダンスをＺ0 、深さをＬとし、終端部を短絡した
ときにチョーク部１３の開口部でのインピーダンスＺIN
は、式（１）に示されるようになる。
の１波長の深さとして高周波を減衰させるという技術思
想に基づいている。すなわち、チョーク部１３の特性イ
ンピーダンスをＺ0 、深さをＬとし、終端部を短絡した
ときにチョーク部１３の開口部でのインピーダンスＺIN
は、式（１）に示されるようになる。
【０００５】 ＺIN＝ｊＺ0 ｔａｎ（２πＬ／λ0 ） ・・・・・・・・・・（１） （λ0 は自由空間波長） チョーク方式の電波減衰手段は、チョーク部１３の深さ
Ｌを４分の１波長に選定することにより、式（２）に示
すように、インピーダンスＺINを無限大にして達成する
という原理に基づいている。
Ｌを４分の１波長に選定することにより、式（２）に示
すように、インピーダンスＺINを無限大にして達成する
という原理に基づいている。
【０００６】 ｜ＺIN｜＝Ｚ0 ｔａｎ（π／２）＝∞ ・・・・・・・・・・（２） 以下、図５を用いて理論的に説明する。ここで説明の都
合上、図５のように凹状溝１５の深さ方向をＺ軸、本体
内から本体８とドア１１の隙間を通って本体外へ向かう
方向をＹ軸、凹状溝１５の長手方向にＸ軸を取ることと
する。
合上、図５のように凹状溝１５の深さ方向をＺ軸、本体
内から本体８とドア１１の隙間を通って本体外へ向かう
方向をＹ軸、凹状溝１５の長手方向にＸ軸を取ることと
する。
【０００７】チョーク方式は周知の４分の１波長インピ
ーダンス変換原理に基づくものである。すなわち、凹状
溝１５の特性インピーダンスをＺ0C、凹状溝１５の深さ
をｌC とし本体８から凹状溝１５に至る漏波路１６の特
性インピーダンスをＺ0P、漏波路１６の長さをｌP 、使
用波長をλとしたときに、図５のように凹状溝１５の底
Ｃの短絡インピーダンスＺC は零であるので凹状溝１５
の開口部Ｂから底Ｃを見たインピーダンスＺB は、式
（３）に示すようになる。
ーダンス変換原理に基づくものである。すなわち、凹状
溝１５の特性インピーダンスをＺ0C、凹状溝１５の深さ
をｌC とし本体８から凹状溝１５に至る漏波路１６の特
性インピーダンスをＺ0P、漏波路１６の長さをｌP 、使
用波長をλとしたときに、図５のように凹状溝１５の底
Ｃの短絡インピーダンスＺC は零であるので凹状溝１５
の開口部Ｂから底Ｃを見たインピーダンスＺB は、式
（３）に示すようになる。
【０００８】 ＺB ＝ｊＺ0Cｔａｎ（２πｌC ／λ） ・・・・・・・・・・(3) ここで、 ｌC ＝λ／４ と選ぶことにより、 ｜ＺB ｜＝∞ と変換できる。
【０００９】この開口部ＢのインピーダンスＺB を線路
始点Ａ部でみたときのインピ−ダンスＺA は式（４）と
なる。
始点Ａ部でみたときのインピ−ダンスＺA は式（４）と
なる。
【００１０】 ＺA ＝−ｊＺ0P／ｔａｎ（２πｌP ／λ） ・・・・・・(4) ここで、 ｌP ＝λ／４ と選ぶことにより ｜ＺA ｜＝０ と変換できる。
【００１１】凹状溝１５の底部Ｃでの短絡状態が４分の
１波長インピーダンス変換原理をたくみに利用すること
で線路始点に現出することにより電波シール装置として
実用化しているものである。
１波長インピーダンス変換原理をたくみに利用すること
で線路始点に現出することにより電波シール装置として
実用化しているものである。
【００１２】漏波路１６や凹状溝１５に誘電率εr の誘
電体を装荷することにより誘電体内での波長λ’は自由
空間波長λの（εr ）1/2 倍になり、誘電率εr 、透磁
率μr の磁性体を装荷することにより磁性体内での波長
λ’は自由空間波長λの（εr ×μr ）1/2 倍になるが
４分の１波長（λ’／４）インピーダンス原理を用いる
ことにより同様の効果を得られる。図５で説明すると、
Ｚ軸方向に凹状溝１５の深さを４分の１波長にするとＹ
軸方向への電波漏洩が抑えられるというものである。ま
た、従来、凹状溝１５の壁面にスリットを設け、Ｘ方向
の電波伝搬成分を低減する方法もあった。
電体を装荷することにより誘電体内での波長λ’は自由
空間波長λの（εr ）1/2 倍になり、誘電率εr 、透磁
率μr の磁性体を装荷することにより磁性体内での波長
λ’は自由空間波長λの（εr ×μr ）1/2 倍になるが
４分の１波長（λ’／４）インピーダンス原理を用いる
ことにより同様の効果を得られる。図５で説明すると、
Ｚ軸方向に凹状溝１５の深さを４分の１波長にするとＹ
軸方向への電波漏洩が抑えられるというものである。ま
た、従来、凹状溝１５の壁面にスリットを設け、Ｘ方向
の電波伝搬成分を低減する方法もあった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の電波
シール装置では、チョーク部の大きさには電波の４分の
１波長の空間が必要となる。たとえば、２４５０ＭＨｚ
の場合には、約３０．６ｍｍとなる。さらに、図４に示
したように従来のチョーク部を板金で達成するには、複
雑な折曲げやスポット溶接などが必要であるという課題
があった。
シール装置では、チョーク部の大きさには電波の４分の
１波長の空間が必要となる。たとえば、２４５０ＭＨｚ
の場合には、約３０．６ｍｍとなる。さらに、図４に示
したように従来のチョーク部を板金で達成するには、複
雑な折曲げやスポット溶接などが必要であるという課題
があった。
【００１４】本発明は上記課題を解決するもので、従来
より簡単で小型の電波シール装置を提供することを目的
としている。
より簡単で小型の電波シール装置を提供することを目的
としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の電波シール装置は、本体とドアとが対向す
る部分のすくなくとも一方に凹状溝を設け、前記凹状溝
の開口部に導電体を設け、前記導電体もしくは前記凹状
溝の少なくとも１つの壁面に複数のスリット部を設け、
前記導電体と前記凹状溝との間を電気的に非接触とする
構成とする。
に、本発明の電波シール装置は、本体とドアとが対向す
る部分のすくなくとも一方に凹状溝を設け、前記凹状溝
の開口部に導電体を設け、前記導電体もしくは前記凹状
溝の少なくとも１つの壁面に複数のスリット部を設け、
前記導電体と前記凹状溝との間を電気的に非接触とする
構成とする。
【００１６】また、導電体層を有する誘電体を前記凹上
溝に設ける構成とした。
溝に設ける構成とした。
【００１７】
【作用】本発明は上記した構成によって、従来のように
複雑な折り曲げやスポット溶接の必要のない簡単な構造
で、より小型の電波シール装置を提供することができ
る。
複雑な折り曲げやスポット溶接の必要のない簡単な構造
で、より小型の電波シール装置を提供することができ
る。
【００１８】電磁界の強さが導体表面の１／ｅ＝０．３
６８、すなわち３６．８％に減衰する距離を表皮深さと
言う。表皮深さをδ［ｍｍ］、比抵抗をρ［Ω・ｍ］、
透磁率をμ0＝４π×１０-7［Ｈ／ｍ］、比透磁率を
μr、周波数をｆ＝２４５０ＭＨｚとすると、式（５）
で表される。
６８、すなわち３６．８％に減衰する距離を表皮深さと
言う。表皮深さをδ［ｍｍ］、比抵抗をρ［Ω・ｍ］、
透磁率をμ0＝４π×１０-7［Ｈ／ｍ］、比透磁率を
μr、周波数をｆ＝２４５０ＭＨｚとすると、式（５）
で表される。
【００１９】 δ ＝｛ρ／（π×ｆ×μ0×μr）｝1/2 ・・・・・・・・・・(5) 例えば、導電体が銅であるとき周波数２４５０ＭＨｚの
電波に対して、表皮深さは１．３μｍである。これより
深いところでは電磁界の強さは指数関数的に減少し、電
磁波にとってみれば、導電体の表皮深さより少し厚いも
のと無限に厚いものとはあまり差がない。従って、導電
体の表面部分にしか電波は浸透せず、表面における電力
消費も少ない。言い換えると、表皮深さより厚い導電体
は、金属と同じく電波をほぼ完全に反射する。このよう
な導電体と凹状溝との間を電気的に非接触とすることに
より、凹状溝の深さを導電体のない場合より小さくする
ことができる。
電波に対して、表皮深さは１．３μｍである。これより
深いところでは電磁界の強さは指数関数的に減少し、電
磁波にとってみれば、導電体の表皮深さより少し厚いも
のと無限に厚いものとはあまり差がない。従って、導電
体の表面部分にしか電波は浸透せず、表面における電力
消費も少ない。言い換えると、表皮深さより厚い導電体
は、金属と同じく電波をほぼ完全に反射する。このよう
な導電体と凹状溝との間を電気的に非接触とすることに
より、凹状溝の深さを導電体のない場合より小さくする
ことができる。
【００２０】導電体のない場合には、凹状溝の深さがλ
／４の時に凹状溝の開口部でのインピーダンスが無限大
になり電波シールが達成される。本発明の場合は、導電
体と凹状溝の内側の側壁、外側の側壁、底面との間でキ
ャパシタンスが発生し凹状溝のインダクタンスとの間で
共振が起こり凹状溝の深さがλ／４より小さい条件でも
凹状溝の開口部でのインピーダンスが無限大となり電波
シールが達成されるものである。
／４の時に凹状溝の開口部でのインピーダンスが無限大
になり電波シールが達成される。本発明の場合は、導電
体と凹状溝の内側の側壁、外側の側壁、底面との間でキ
ャパシタンスが発生し凹状溝のインダクタンスとの間で
共振が起こり凹状溝の深さがλ／４より小さい条件でも
凹状溝の開口部でのインピーダンスが無限大となり電波
シールが達成されるものである。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１および図２に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００２２】これらの図に示すように、電子レンジ本体
１は内部に電波が供給されるもので、ドア２を開閉自在
に設け、ドア２に凹状溝３を設けている。凹状溝の開口
部には導電体４が開口部の誘電体カバー５の表面に設け
られている。導電体４の幅はＷで間隔ａのスリット部６
がピッチＰで設けられている。導電体４と凹状溝３の内
側壁面との間に距離ｄ1 の隙間を設け導電体４と凹状溝
３の外側壁面との間に距離ｄ2 の隙間を設けてある。
１は内部に電波が供給されるもので、ドア２を開閉自在
に設け、ドア２に凹状溝３を設けている。凹状溝の開口
部には導電体４が開口部の誘電体カバー５の表面に設け
られている。導電体４の幅はＷで間隔ａのスリット部６
がピッチＰで設けられている。導電体４と凹状溝３の内
側壁面との間に距離ｄ1 の隙間を設け導電体４と凹状溝
３の外側壁面との間に距離ｄ2 の隙間を設けてある。
【００２３】（表１）の条件は、導電体に銅を用い、本
体とドアとのギャップＧを１．０ｍｍとし、間隔ａ＝５
ｍｍ、導電体幅Ｗ＝２５ｍｍ、ピッチＰ＝３０ｍｍとし
ている。（表１）においてｄ1 ＝ｄ2 ＝０は、電波シー
ル装置がない状態で本体１とドア２の間にギャップ１．
０ｍｍの隙間のみがある場合に相当する。（表１）に示
すように、導電体と凹状溝を電気的に非接触にすること
によって電波シールが達成できるが、特に、表１の範囲
では導電体の厚みが薄いほどｄ1、ｄ2が小さくて電波漏
洩値が小さくなる。ｄ1、ｄ2が大きくなると溝の深さＬ
が大きくなり、導電体が無い場合に近づいて行くので小
型でなくなり、効果が小さくなる。
体とドアとのギャップＧを１．０ｍｍとし、間隔ａ＝５
ｍｍ、導電体幅Ｗ＝２５ｍｍ、ピッチＰ＝３０ｍｍとし
ている。（表１）においてｄ1 ＝ｄ2 ＝０は、電波シー
ル装置がない状態で本体１とドア２の間にギャップ１．
０ｍｍの隙間のみがある場合に相当する。（表１）に示
すように、導電体と凹状溝を電気的に非接触にすること
によって電波シールが達成できるが、特に、表１の範囲
では導電体の厚みが薄いほどｄ1、ｄ2が小さくて電波漏
洩値が小さくなる。ｄ1、ｄ2が大きくなると溝の深さＬ
が大きくなり、導電体が無い場合に近づいて行くので小
型でなくなり、効果が小さくなる。
【００２４】導電体の厚みが厚い場合には薄い場合に比
べて隙間を大きくする必要がある。また、導電体として
樹脂の表面に金属メッキをしたものを用いても、メッキ
の厚みが、表皮深さより大きくなっていれば、金属板と
同様の効果を有する。
べて隙間を大きくする必要がある。また、導電体として
樹脂の表面に金属メッキをしたものを用いても、メッキ
の厚みが、表皮深さより大きくなっていれば、金属板と
同様の効果を有する。
【００２５】また、スリット部６を設けない場合は、電
波漏洩値が大きく、ドアシール性能が悪かった。これ
は、電波の長手方向の成分が遮蔽できずに漏洩したこと
に起因すると考えられる。スリット部を凹状溝の壁面に
設けても、Ｘ方向への電波の伝搬は抑えられるので、同
様の効果を有する。なお、（表１）のＬは、電波漏洩値
が最小になる深さである。この深さより浅くなっても深
くなっても電波漏洩値は増加する。
波漏洩値が大きく、ドアシール性能が悪かった。これ
は、電波の長手方向の成分が遮蔽できずに漏洩したこと
に起因すると考えられる。スリット部を凹状溝の壁面に
設けても、Ｘ方向への電波の伝搬は抑えられるので、同
様の効果を有する。なお、（表１）のＬは、電波漏洩値
が最小になる深さである。この深さより浅くなっても深
くなっても電波漏洩値は増加する。
【００２６】
【表１】
【００２７】（表２）に導電体４と凹状溝３の電気的接
触をとった場合の電波シール性能を示した。ｄ1 ＝０、
またはｄ2 ＝０は、壁面と導電体を電気的に接触させた
場合に相当している。また、Ｌ：不定というのは深さが
最小になる点がなく広い範囲で電波漏洩値がほぼ一定で
あったことを示している。このように、導電体と凹状溝
の内側壁面を導通させても凹状溝の外側壁面を導通させ
ても電波漏洩値が大きくなっていることが分かる。従っ
て、導電体と凹状溝との間を電気的に非接触とする構成
とすることが必要であることが分かる。
触をとった場合の電波シール性能を示した。ｄ1 ＝０、
またはｄ2 ＝０は、壁面と導電体を電気的に接触させた
場合に相当している。また、Ｌ：不定というのは深さが
最小になる点がなく広い範囲で電波漏洩値がほぼ一定で
あったことを示している。このように、導電体と凹状溝
の内側壁面を導通させても凹状溝の外側壁面を導通させ
ても電波漏洩値が大きくなっていることが分かる。従っ
て、導電体と凹状溝との間を電気的に非接触とする構成
とすることが必要であることが分かる。
【００２８】
【表２】
【００２９】上記実施例では導電体に銅を用いたが、他
の金属でも良く、導電性のあるものであれば導電ペース
ト等でも良い。導電体の比抵抗として、１０-8［Ω・
ｍ］程度の銅を用いると表皮深さは１．３μｍである
が、１０-4［Ω・ｍ］程度の導電体を用いると表皮深さ
は０．１ｍｍである。また、１０0 ［Ω・ｍ］程度の導
電体を用いると表皮深さは１０ｍｍとなり、導電体自身
の厚みが厚くなり過ぎてシール構成自体が大きくなる上
に、導電体内部で消費する電力が大きくなり、発熱して
一種の電波吸収体となってしまうので、本発明の導電体
には適さない。実用上は、金属体の場合で０．０１ｍｍ
から１ｍｍ程度の厚みを用い、樹脂などの基材の上にメ
ッキ等で導電体を形成する場合で数μｍから数百μｍの
厚みをもちいる。
の金属でも良く、導電性のあるものであれば導電ペース
ト等でも良い。導電体の比抵抗として、１０-8［Ω・
ｍ］程度の銅を用いると表皮深さは１．３μｍである
が、１０-4［Ω・ｍ］程度の導電体を用いると表皮深さ
は０．１ｍｍである。また、１０0 ［Ω・ｍ］程度の導
電体を用いると表皮深さは１０ｍｍとなり、導電体自身
の厚みが厚くなり過ぎてシール構成自体が大きくなる上
に、導電体内部で消費する電力が大きくなり、発熱して
一種の電波吸収体となってしまうので、本発明の導電体
には適さない。実用上は、金属体の場合で０．０１ｍｍ
から１ｍｍ程度の厚みを用い、樹脂などの基材の上にメ
ッキ等で導電体を形成する場合で数μｍから数百μｍの
厚みをもちいる。
【００３０】誘電体のカバー５は、導電体４の保持と共
に凹状溝３の開口部に外から異物が入るのを防ぐ役目も
している。誘電体のカバー５の代わりに、図３に示すよ
うに誘電体のフィルム７の上に導電体層４を設けて、凹
状溝３の開口部を閉塞しても同様のドアシール性能が得
られ、コンパクトな電波シール装置となる。また、導電
体層４をフィルムで挟み込んだ場合は、外気と遮断され
るので導電体層４が腐食しにくいのでより有利である。
なお、誘電性のフィルムのかわりに、誘電体を用いその
上に導電体層４を設けてもよい。
に凹状溝３の開口部に外から異物が入るのを防ぐ役目も
している。誘電体のカバー５の代わりに、図３に示すよ
うに誘電体のフィルム７の上に導電体層４を設けて、凹
状溝３の開口部を閉塞しても同様のドアシール性能が得
られ、コンパクトな電波シール装置となる。また、導電
体層４をフィルムで挟み込んだ場合は、外気と遮断され
るので導電体層４が腐食しにくいのでより有利である。
なお、誘電性のフィルムのかわりに、誘電体を用いその
上に導電体層４を設けてもよい。
【００３１】なお、実施例ではドアに凹状溝を設け、凹
状溝の開口部に導電体を設けたものについて説明した
が、本体の開口部を同様の構成にしても同様の効果が得
られた。
状溝の開口部に導電体を設けたものについて説明した
が、本体の開口部を同様の構成にしても同様の効果が得
られた。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明の電波シール装置に
よれば、開口部を有し電波が内部に供給される本体と、
この本体の前記開口部を開閉自在に覆うドアと、前記本
体と前記ドアとが対向する部分の少なくとも一方に設け
た凹状溝と、前記凹状溝の開口部に設けた導電体とから
なり、前記導電体もしくは前記凹状溝の少なくとも１つ
の壁面に複数のスリット部を設けて長手方向に導体幅よ
りもピッチが大きくなるように構成し、前記導電体と前
記凹状溝との間を電気的に非接触とする構成としている
ので、従来の構造のように板金を複雑に曲げたり、スポ
ット溶接したりすることがなく、簡単な構造であり、製
造工程が少なくて済むので作りやすいという効果があ
る。
よれば、開口部を有し電波が内部に供給される本体と、
この本体の前記開口部を開閉自在に覆うドアと、前記本
体と前記ドアとが対向する部分の少なくとも一方に設け
た凹状溝と、前記凹状溝の開口部に設けた導電体とから
なり、前記導電体もしくは前記凹状溝の少なくとも１つ
の壁面に複数のスリット部を設けて長手方向に導体幅よ
りもピッチが大きくなるように構成し、前記導電体と前
記凹状溝との間を電気的に非接触とする構成としている
ので、従来の構造のように板金を複雑に曲げたり、スポ
ット溶接したりすることがなく、簡単な構造であり、製
造工程が少なくて済むので作りやすいという効果があ
る。
【００３３】また、導電体層を有する誘電体を、凹状溝
の開口部にカバーとして用いる場合は、凹状溝内に異物
が入るのを防ぐと共に、製造工程がより簡単となる。
の開口部にカバーとして用いる場合は、凹状溝内に異物
が入るのを防ぐと共に、製造工程がより簡単となる。
【図１】本発明の一実施例の電波シール装置の要部切欠
斜視図
斜視図
【図２】同電波シール装置を備えた電子レンジの要部断
面図
面図
【図３】本発明の他の実施例の電波シール装置の要部断
面図
面図
【図４】従来の電波シール装置を備えた電子レンジの要
部断面図
部断面図
【図５】同電波シール装置の要部拡大断面図
１ 本体 ２ ドア ３ 凹状溝 ４ 導電体 ５ カバー ６ スリット部 ７ フィルム
Claims (2)
- 【請求項１】電波が内部に供給され、かつ開口部を有す
る導体材からなる本体と、前記開口部を開閉自在に覆う
導体材のドアとからなる高周波機器の電波シール装置に
おいて、前記本体と前記ドアとが対向する部分の少なく
とも一方に凹状溝を設け、前記凹状溝の開口部に導電体
を設け、前記導電体もしくは前記凹状溝の少なくとも１
つの壁面に複数のスリット部を設け、前記導電体と前記
凹状溝との間を電気的に非接触とする構成とした電波シ
ール装置。 - 【請求項２】導電体層を有する有電体を前記凹上溝に設
ける請求項１記載の電波シール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20216992A JPH0652986A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 電波シール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20216992A JPH0652986A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 電波シール装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0652986A true JPH0652986A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16453109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20216992A Pending JPH0652986A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 電波シール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652986A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5824999A (en) * | 1996-02-23 | 1998-10-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Microwave leakage-preventing device for a microwave oven |
| WO2011021368A1 (ja) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | パナソニック株式会社 | 電磁波加熱装置 |
-
1992
- 1992-07-29 JP JP20216992A patent/JPH0652986A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5824999A (en) * | 1996-02-23 | 1998-10-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Microwave leakage-preventing device for a microwave oven |
| WO2011021368A1 (ja) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | パナソニック株式会社 | 電磁波加熱装置 |
| CN102484911A (zh) * | 2009-08-20 | 2012-05-30 | 松下电器产业株式会社 | 电磁波加热装置 |
| JP5651116B2 (ja) * | 2009-08-20 | 2015-01-07 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電磁波加熱装置 |
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