JPS6233319Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6233319Y2
JPS6233319Y2 JP202983U JP202983U JPS6233319Y2 JP S6233319 Y2 JPS6233319 Y2 JP S6233319Y2 JP 202983 U JP202983 U JP 202983U JP 202983 U JP202983 U JP 202983U JP S6233319 Y2 JPS6233319 Y2 JP S6233319Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
chuck table
recess
vacuum chuck
intake
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP202983U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59109140U (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP202983U priority Critical patent/JPS59109140U/ja
Publication of JPS59109140U publication Critical patent/JPS59109140U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS6233319Y2 publication Critical patent/JPS6233319Y2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Jigs For Machine Tools (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、半導体用シリコンウエーハの表面
部を研磨する際に用いるバキユームチヤツクテー
ブルに関するものである。
一般に半導体用シリコンウエーハの表面部を研
磨する際には、当初、当該ウエーハを吸着保持す
るバキユームチヤツクテーブルの表面部も同時に
研磨する所謂共研ぎ操作を行う。これは研磨量と
研磨度をより高精度のもとで行うために、上記ウ
エーハとチヤツクテーブルを共研ぎすることによ
り、双方が同一条件下の研磨度合が得られて、最
良の密着態様による固定保持と研磨量度の均一化
が得られることを主眼としたものである。しかし
従来のこの種バキユームチヤツクテーブルは、金
属やその他の硬度を有する素材により形成されて
いた。従つてシリコン素材によるウエーハを研磨
する砥石と、硬質素材によるバキユームチヤツク
テーブルを研磨する砥石とは、その素材差により
全く異質の砥石を用いて行うことになる。これに
より双方の研磨度合に差が生じて、上記ウエーハ
の研磨精度を高めることができないという問題点
があつた。
またその他の従来例としては、微小径の吸気孔
を多数貫設した吸盤形によるゴム製のパツドや通
常の円板面上にワツクスを塗布するようにしたチ
ヤツクテーブル等があるが、前者においてはウエ
ーハを保持する吸着力が得られても、ゴム製なの
で共研ぎ操作を行うことは不可能である。従つて
グラインダーによるウエーハの研磨がゴム製パツ
ドの上面部とは概ね無関係に行われることにな
る。これにより研磨後におけるウエーハの面厚が
不均衡になつて精度維持が困難である。さらに後
者においてはワツクスを用いるため、ウエーハを
保持する一応の粘着力が得られても、塗付された
ワツクスの厚さが不均一であるためこれにより精
度の高い研磨が至難であるという各問題点があつ
た。
この考案は上記の問題点を解決するためになさ
れたものであり、その目的とするところは、ウエ
ーハを保持するテーブルを、そのウエーハと同じ
シリコン素材を用いて形成することにより、双方
に対する共研ぎ操作が同じ砥石で行えて、同一条
件下の研磨度合が容易に得られ、これによつて高
精度のもとにウエーハの研磨ができるバキユーム
チヤツクテーブルを提供することにある。
以下、この考案の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
まず構成を説明すると、第1図および第3図に
示すように、中心部に基幹孔1aと凹部1bとを
設け、該凹部上面に吸着磁石1cを埋設した略円
盤形の基台1と、この基台1上に載置するこの基
台1と同径の円盤体で、その下面部には前記基台
1の凹部1bに嵌合させ、その下底に埋設した磁
石2bを前記基台1の磁石1cとで磁着させるよ
う構成した嵌合体2′をネジ2dで固着し、上面
部には後記するバキユームチヤツクテーブル3を
収嵌するための凹所2aを設け、この凹所2aの
底部には順次に拡径する多数の真円溝とこの各真
円溝を径方向に連通する十字形溝とによる吸気溝
2bを平面状に形成したのち、上記溝2bの各十
字形溝下には前記基台1の基幹孔1aと連通する
吸気縦孔2cを設けたアツパデスク2とを、同心
状による上下配置をもつて結合したバキユームチ
ヤツクテーブル受台Aにおいて、このアツパデイ
スク2の凹所2a内に収嵌するバキユームチヤツ
クテーブル3は次のように形成されている。すな
わち第1図および第2図に示すように、このバキ
ユームチヤツクテーブル3は、上記の凹所2a内
に収嵌可能な径とこの凹所2aの深さと同じ高さ
とにより円板体で、この円板面には上記凹所2a
に設けられた吸気溝2bの各真円溝と合致する径
毎に、細径の吸気孔3aを多数宛間隔的な配置に
より上下方向に貫設する態様をもつている。この
バキユームチヤツクテーブル3と、アツパーデイ
スク2とを後記するウエーハ5と同質による多結
晶もしくは単結晶のシリコン素材により成形す
る。
上記の構成によるバキユームチヤツクテーブル
3をもつて半導体用シリコンウエーハ5を固定保
持する場合は、まず上記のチヤツクテーブル3を
受台Aの凹所2a内に接着剤などをもつて固定収
嵌したのち、その上面部を第1図に示すような逆
T字形によるグラインダー4をもつて平面状に研
磨する。そしてこの態様によるチヤツクテーブル
3の上面部にはほぼ同径に形成された薄板体によ
る半導体用シリコンウエーハ5を同心状に載置し
て、図示しないバキユーム装置を稼働すると、基
幹孔1a、吸気縦孔2c、吸気溝2b、吸気孔3
aを介して上記のウエーハ5には強力な吸引作用
が働くため、このウエーハ5をチヤツクテーブル
3上に強力に吸着固定することができる。従つて
このあと上記ウエーハ5の表面部を前記に使用し
た同一のグラインダー4をもつて平面状に研磨す
ることにより、このウエーハ5はチヤツクテーブ
ル3との同一条件による共研ぎ操作をもつて高精
度に研磨できるものである。すなわち双方の研磨
を行うグラインダー4は、その砥石を交換するこ
となく同じ砥石面をもつて継続的に研磨するた
め、双方は同じ度合に研磨されることになる。こ
れにより上記ウエーハ5は均一な厚みに仕上がる
ものである。
なお上記の研磨完了後はウエーハ5に対する吸
着作用を停止すると、上記ウエーハ5は容易にチ
ヤツクテーブル3上から除外することができる。
以上に説明したようにこの考案は、ウエーハを
保持するテーブルを、そのウエーハと同じシリコ
ン素材を用いて形成することにより、双方に対す
る共研ぎ操作が同じ砥石で行えて、同一条件下の
研磨度合が容易に得られ、これによつて高精度の
もとにウエーハの研磨ができるため、前記ウエー
ハの品質を高め、かつ研磨作業の能率向上が計れ
てコストを低減できる等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案によるウエーハバキユームチ
ヤツクテーブルとその受台およびグラインダーを
示す縦断面図、第2図は第1図に示したバキユー
ムチヤツクテーブルの平面図、第3図は同受台の
平面図である。 1……基台、1a……基幹孔、2……アツパデ
スク、2a……凹所、2b……吸気溝、2c……
吸気縦孔、3……バキユームチヤツクテーブル、
3a……吸気孔、5……ウエーハ、A……バキユ
ームチヤツクテーブル受台。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 中心部に基幹孔を設けた基台上には上面部に凹
    所を設けこの凹所の底部には吸気溝を平面状に形
    成するとともにこの吸気溝下には上記基台の基幹
    孔と連通する吸気縦孔を設けたアツパデスクを同
    心状による上下配置をもつて載置結合したバキユ
    ームチヤツクテーブル受台において、上記アツパ
    デスクとその凹所に収嵌する吸気孔付のチヤツク
    テーブルを、このテーブルの上面にバキユーム操
    作をもつて固定保持するウエーハと同じシリコン
    素材により形成したことを特徴とするウエーハバ
    キユームチヤツクテーブル。
JP202983U 1983-01-11 1983-01-11 ウエ−ハバキユ−ムチヤツクテ−ブル Granted JPS59109140U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP202983U JPS59109140U (ja) 1983-01-11 1983-01-11 ウエ−ハバキユ−ムチヤツクテ−ブル

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP202983U JPS59109140U (ja) 1983-01-11 1983-01-11 ウエ−ハバキユ−ムチヤツクテ−ブル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59109140U JPS59109140U (ja) 1984-07-23
JPS6233319Y2 true JPS6233319Y2 (ja) 1987-08-26

Family

ID=30133727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP202983U Granted JPS59109140U (ja) 1983-01-11 1983-01-11 ウエ−ハバキユ−ムチヤツクテ−ブル

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59109140U (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0137871Y2 (ja) * 1984-09-26 1989-11-14
JP6542863B2 (ja) * 2017-11-22 2019-07-10 ローム株式会社 吸引保持装置およびウエハ研磨装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS59109140U (ja) 1984-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5951374A (en) Method of polishing semiconductor wafers
US5101602A (en) Foam backing for use with semiconductor wafers
US6454644B1 (en) Polisher and method for manufacturing same and polishing tool
JPH0335063B2 (ja)
US20020160693A1 (en) Wafer polishing method and wafer polishing device
US6645049B2 (en) Polishing holder for silicon wafers and method of use thereof
JPH10180599A (ja) 薄板ワーク平面研削装置及び方法
US6612905B2 (en) Silicon wafer polishing holder and method of use thereof
JPS6233319Y2 (ja)
US5157877A (en) Method for preparing a semiconductor wafer
CN111168553B (zh) 一种蓝宝石衬底的稳固装置
JP4793680B2 (ja) 半導体ウェーハの研磨方法
US20020155718A1 (en) Silicon wafer polisher
JP2000343440A (ja) 研磨砥石及び研磨砥石の製造方法
JPS6365473B2 (ja)
CN201186403Y (zh) 一种可改善边缘抛光不足的调整环
US6086464A (en) CMP platen plug
JP3695842B2 (ja) ウエハの研磨装置及びウエハの研磨方法
JP2004114184A (ja) チャック
JPS634937B2 (ja)
JPH0677186A (ja) ウェーハの研磨板及び研磨装置
US7052372B2 (en) Chemical-mechanical polisher hardware design
JP4169432B2 (ja) 被加工物の保持具、研磨装置及び研磨方法
JPS5934143Y2 (ja) 真空チヤツクの吸着部
JP2004025352A (ja) 半導体ウェーハの研磨方法およびその装置