JPS6230944A - 走査形ｘ線光電子分析装置 - Google Patents
走査形ｘ線光電子分析装置Info
- Publication number
- JPS6230944A JPS6230944A JP60170320A JP17032085A JPS6230944A JP S6230944 A JPS6230944 A JP S6230944A JP 60170320 A JP60170320 A JP 60170320A JP 17032085 A JP17032085 A JP 17032085A JP S6230944 A JPS6230944 A JP S6230944A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- scanning
- sample
- anticathode
- ray
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- Pending
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、励起源となるＸ線を試料」−で二次元走査し
つつ試料から発生する光電子を検出して試料の状態分析
を行なう走、舟形Ｘ線光電子分析装置に関する。
つつ試料から発生する光電子を検出して試料の状態分析
を行なう走、舟形Ｘ線光電子分析装置に関する。
（ロ）従来技術とその問題点
従来、この種の走査形Ｘ線光電子分析装置において、試
料表面の元素の結合状態の二次元分布を測定する場合に
は、電子線を対陰極に照射して発生するＸ線を反射ミラ
ーを介して試料上に投影し、これにより試料から励起さ
れて放出される光電子をエネルギーアナライザで測定す
る。その際、試料あるいは反射ミラーを機械的に駆動す
ることで、光電子線の励起源としてのＸ線が試料−トを
二次元走査される。
料表面の元素の結合状態の二次元分布を測定する場合に
は、電子線を対陰極に照射して発生するＸ線を反射ミラ
ーを介して試料上に投影し、これにより試料から励起さ
れて放出される光電子をエネルギーアナライザで測定す
る。その際、試料あるいは反射ミラーを機械的に駆動す
ることで、光電子線の励起源としてのＸ線が試料−トを
二次元走査される。
この場合、分解能を高めるためにはハイパワー７９１．
ケア４、ｉＬ （７）％ｉ’ＦＩＩＩ ’ｅｔｔ Ｆ＊
％ ｌｘ ＲＲＪｅｔ Ｌ ７？Ｍ ／Ｉ、８
ン線源を構成する必要があるが、単純にハイパワーでか
つ微小径の電子線を対陰極に照射したのでは、電子線の
照射部分が局部的に加熱されて溶解してしまう。したが
って、このままでは微小Ｘ線源を構成することが難しく
なる。
ケア４、ｉＬ （７）％ｉ’ＦＩＩＩ ’ｅｔｔ Ｆ＊
％ ｌｘ ＲＲＪｅｔ Ｌ ７？Ｍ ／Ｉ、８
ン線源を構成する必要があるが、単純にハイパワーでか
つ微小径の電子線を対陰極に照射したのでは、電子線の
照射部分が局部的に加熱されて溶解してしまう。したが
って、このままでは微小Ｘ線源を構成することが難しく
なる。
このため、従来装置には、第３図に示すように、電子線
照射による熱が一箇所に集中しないように対陰極Ｃ自体
を回転するとともに冷却水等で冷却できるようにしたも
のがある。このようにすると、ハイパワーでかつ微小径
の電子線を対陰極Ｃに照射できるので微小Ｘ線源を構成
でき、分解能を高めろことが可能となる１、 しかしながら、このような従来装置においてら、Ｘ線を
二次元走査するためには依然として試料あるいは反射ミ
ラーの機械的な駆動手段が必要であり、装置全体の構造
が複雑になるなどの難点がある。
照射による熱が一箇所に集中しないように対陰極Ｃ自体
を回転するとともに冷却水等で冷却できるようにしたも
のがある。このようにすると、ハイパワーでかつ微小径
の電子線を対陰極Ｃに照射できるので微小Ｘ線源を構成
でき、分解能を高めろことが可能となる１、 しかしながら、このような従来装置においてら、Ｘ線を
二次元走査するためには依然として試料あるいは反射ミ
ラーの機械的な駆動手段が必要であり、装置全体の構造
が複雑になるなどの難点がある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、ハイパワーで微小径の電子線を用いた微小Ｘ線源を
構成でき、１．かも、機械的な駆動手段を用いることな
く試料に対してＸ線をニー次元走査できるように１．て
、構造簡単で、かっ、高分解能の走査形Ｘ線光電子分析
装置が得られるようにすることを目的とずろ。
て、ハイパワーで微小径の電子線を用いた微小Ｘ線源を
構成でき、１．かも、機械的な駆動手段を用いることな
く試料に対してＸ線をニー次元走査できるように１．て
、構造簡単で、かっ、高分解能の走査形Ｘ線光電子分析
装置が得られるようにすることを目的とずろ。
（ハ）問題点を解決するための手段
本発明は、上記の］二１的を達成するために、ハイパワ
ーで微小径の電子線を発生する電子線発生部と、この電
子線発生部で発生された電子線を対陰極上で二次元走査
４−る走査手段と、前記χ・ｒ陰極から電子線照射によ
り発生されたＸ線を試料上に収束ケるＸ線収束手段とを
備えて走査ＬＸ線光電ｒ・分析装置を構成１２ている。
ーで微小径の電子線を発生する電子線発生部と、この電
子線発生部で発生された電子線を対陰極上で二次元走査
４−る走査手段と、前記χ・ｒ陰極から電子線照射によ
り発生されたＸ線を試料上に収束ケるＸ線収束手段とを
備えて走査ＬＸ線光電ｒ・分析装置を構成１２ている。
（ニ）作用
本発明の構成によれば、面記走査手段により電子線を対
陰極−１−で三次元走査すると、対陰極から電子線照射
に４Ｆ、り発生したＸ線が」−起電子線の走査に同＋０
１１．て試ｆｌ−１，１−を二次元走査される。したが
って、Ｘ線走査用の機械的な駆動手段を省略で八ろ。
陰極−１−で三次元走査すると、対陰極から電子線照射
に４Ｆ、り発生したＸ線が」−起電子線の走査に同＋０
１１．て試ｆｌ−１，１−を二次元走査される。したが
って、Ｘ線走査用の機械的な駆動手段を省略で八ろ。
Ｌ、かも、この場合、電子線の走り中は、対陰極に発生
する熱が一箇所に集中することがないので、ハイパワー
で微小径の電子線を使用できる。このため、微小Ｘ線源
を構成でき、分解能を高めろことができる。
する熱が一箇所に集中することがないので、ハイパワー
で微小径の電子線を使用できる。このため、微小Ｘ線源
を構成でき、分解能を高めろことができる。
（ポ）実施例
第１図は、本発明の実施例に係る十存形Ｘ線光電子分析
装置の概略構成図である。同図において、符号Ｉは走査
ＬＸ線光電子分析装置の全体を示Ｌ、２はハイパワーで
微小径の電子線を発生する電子線発生部、４はＡ１、Ｍ
ｇ等でできた対陰極、６は電子線発生部２で発生された
電子線を対陰極４−１−で二次元走査する偏向コイルで
構成された走査手段であり、上記対陰極４への電子線照
射により微小Ｘ線源が構成される。８は対陰極４へ冷却
水を供給するための冷却パイプ、１０は分析対象となる
試料である。
装置の概略構成図である。同図において、符号Ｉは走査
ＬＸ線光電子分析装置の全体を示Ｌ、２はハイパワーで
微小径の電子線を発生する電子線発生部、４はＡ１、Ｍ
ｇ等でできた対陰極、６は電子線発生部２で発生された
電子線を対陰極４−１−で二次元走査する偏向コイルで
構成された走査手段であり、上記対陰極４への電子線照
射により微小Ｘ線源が構成される。８は対陰極４へ冷却
水を供給するための冷却パイプ、１０は分析対象となる
試料である。
１２は対陰極１０から電子線照射により発生されたＸ線
を試料１０上に収束するＸ線収束手段である。このＸ線
収束手段１２は、Ｘ線凹面鏡１４とＸ線画面鏡Ｉ６とか
らなり、両ｇ−１４，１６はたとえば５ｉＣｐの単結晶
あるいはＷｌＣなどを交互に中厚−ｒ層として蒸着した
多層［ラーで構成される。
を試料１０上に収束するＸ線収束手段である。このＸ線
収束手段１２は、Ｘ線凹面鏡１４とＸ線画面鏡Ｉ６とか
らなり、両ｇ−１４，１６はたとえば５ｉＣｐの単結晶
あるいはＷｌＣなどを交互に中厚−ｒ層として蒸着した
多層［ラーで構成される。
このような構成を有する走査形Ｘ線光電子分析装置ｌに
おいて、試料表面の元素の結合状態の二次元分布を測定
する場合には、まず、電子線発生部２からハイパワーで
微小径の電子線を発生し、この電子線を対陰極４．に照
射する。電子線照射により、対陰極４からは対陰極の種
類に応じたＡＩＫα、ＭｇＫα等のＸ線が発生するので
、このＸ線をＸ線収束手段１２を介して試料ＩＯ上に投
影＝４− する。その結果、試料ｌＯからはＸ線により励起された
光電子が放出されるので、この光電子を図外のエネルギ
ーアナライザに導いて測定する。
おいて、試料表面の元素の結合状態の二次元分布を測定
する場合には、まず、電子線発生部２からハイパワーで
微小径の電子線を発生し、この電子線を対陰極４．に照
射する。電子線照射により、対陰極４からは対陰極の種
類に応じたＡＩＫα、ＭｇＫα等のＸ線が発生するので
、このＸ線をＸ線収束手段１２を介して試料ＩＯ上に投
影＝４− する。その結果、試料ｌＯからはＸ線により励起された
光電子が放出されるので、この光電子を図外のエネルギ
ーアナライザに導いて測定する。
対陰極４への電Ｆ線照射の際には、走査手段６によって
電子線を偏向１７、第２図に示すように、対陰極４−に
で電子線を二次元走査する。すると、対陰極４から発生
したＸ線が、上記電子線の走査に同期して試料１０−１
−を二次元走査されることになる。しかも、対陰極４に
対して電子線を二次元走査すれば発熱が局部的に集中す
ることがなく、また、対陰極ｌ−を電子線がある面積Ｓ
をもって照射されることになるので、単位面積当たりの
発熱量も比較的少なくなり、局部的な溶解が防止されろ
とともに対陰極の長寿命化にも有利である。
電子線を偏向１７、第２図に示すように、対陰極４−に
で電子線を二次元走査する。すると、対陰極４から発生
したＸ線が、上記電子線の走査に同期して試料１０−１
−を二次元走査されることになる。しかも、対陰極４に
対して電子線を二次元走査すれば発熱が局部的に集中す
ることがなく、また、対陰極ｌ−を電子線がある面積Ｓ
をもって照射されることになるので、単位面積当たりの
発熱量も比較的少なくなり、局部的な溶解が防止されろ
とともに対陰極の長寿命化にも有利である。
なお、Ｘ線が透過できるような薄片の試料を用い、この
試料の後方にＸ線検出器を配置すれば、走査形Ｘ線顕微
鏡を構成することが可能となる。
試料の後方にＸ線検出器を配置すれば、走査形Ｘ線顕微
鏡を構成することが可能となる。
さらに、Ｘ線リソグラフィにも本発明を適用することが
できる。
できる。
（へ）効果
以上のように本発明によれば、ハイパワーで微小径の電
子線を使用した微小Ｘ線源を構成でき、しかも、機械的
な駆動手段を用いることなく試Ｅｌに対してＸ線を二次
元走査することができる。ごのため、構造が簡単な上に
高い分解能が維持される等の優れた効果か発揮される。
子線を使用した微小Ｘ線源を構成でき、しかも、機械的
な駆動手段を用いることなく試Ｅｌに対してＸ線を二次
元走査することができる。ごのため、構造が簡単な上に
高い分解能が維持される等の優れた効果か発揮される。
第１図は本発明の実施例の走査形Ｘ線光電子分析装置の
概略構成図、第２図は電子線およびＸ線の二次元走査状
態の説明図、第３図は従来のＸ線源の構成図である。 １・・・走査形Ｘ線光電子分析装置、２・・電子線発生
部、４・対陰極、６・・・走査手段、１０・・・試料、
１２ ・Ｘ線収束手段。
概略構成図、第２図は電子線およびＸ線の二次元走査状
態の説明図、第３図は従来のＸ線源の構成図である。 １・・・走査形Ｘ線光電子分析装置、２・・電子線発生
部、４・対陰極、６・・・走査手段、１０・・・試料、
１２ ・Ｘ線収束手段。
Claims (1)
- （１）ハイパワーで微小径の電子線を発生する電子線発
生部と、この電子線発生部で発生された電子線を対陰極
上で二次元走査する走査手段と、前記対陰極から電子線
照射により発生されたＸ線を試料上に収束するＸ線収束
手段とを備え、前記走査手段による電子線の対陰極上で
の走査に同期して前記Ｘ線を試料上で二次元走査するこ
とを特徴とする走査形Ｘ線光電子分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60170320A JPS6230944A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 走査形ｘ線光電子分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60170320A JPS6230944A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 走査形ｘ線光電子分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230944A true JPS6230944A (ja) | 1987-02-09 |
Family
ID=15902770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60170320A Pending JPS6230944A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 走査形ｘ線光電子分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6230944A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0225737A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-29 | Hitachi Ltd | 表面分析方法および装置 |
| EP0590308A2 (en) * | 1992-09-29 | 1994-04-06 | Physical Electronics, Inc. | Scanning and hig resoloution x-ray photo electron spectroscopy and imaging |
| EP0669635A2 (en) * | 1994-02-25 | 1995-08-30 | Physical Electronics, Inc. | Scanning imaging high resolution electron spectroscopy |
| JPH0815188A (ja) * | 1995-07-14 | 1996-01-19 | Hitachi Ltd | 表面分析装置 |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP60170320A patent/JPS6230944A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0225737A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-29 | Hitachi Ltd | 表面分析方法および装置 |
| EP0590308A2 (en) * | 1992-09-29 | 1994-04-06 | Physical Electronics, Inc. | Scanning and hig resoloution x-ray photo electron spectroscopy and imaging |
| EP0590308A3 (en) * | 1992-09-29 | 1995-12-13 | Perkin Elmer Corp | Scanning and hig resoloution x-ray photo electron spectroscopy and imaging |
| EP0669635A2 (en) * | 1994-02-25 | 1995-08-30 | Physical Electronics, Inc. | Scanning imaging high resolution electron spectroscopy |
| EP0669635A3 (en) * | 1994-02-25 | 1995-12-06 | Physical Electronics Ind Inc | High resolution scanning electron spectroscopy and imaging. |
| EP1170778A2 (en) * | 1994-02-25 | 2002-01-09 | Physical Electronics, Inc. | Scanning and high resolution electron spectroscopy and imaging |
| EP1170778A3 (en) * | 1994-02-25 | 2002-01-16 | Physical Electronics, Inc. | Scanning and high resolution electron spectroscopy and imaging |
| JPH0815188A (ja) * | 1995-07-14 | 1996-01-19 | Hitachi Ltd | 表面分析装置 |
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