JPH05121021A - ２次元の電子源装置 - Google Patents
２次元の電子源装置Info
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- JPH05121021A JPH05121021A JP3279909A JP27990991A JPH05121021A JP H05121021 A JPH05121021 A JP H05121021A JP 3279909 A JP3279909 A JP 3279909A JP 27990991 A JP27990991 A JP 27990991A JP H05121021 A JPH05121021 A JP H05121021A
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- light
- uniform
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 均一パターンまたは所定パターンの電子像を
精度よく形成する２次元の電子源装置を提供すること。 【構成】 ＵＶ光源２からのＵＶ光は、真空容器３の左
端に設けられたＵＶ透過性ガラス４に均一に照射され
る。真空容器３内のＭＣＰ５は、ＵＶ透過性ガラス４を
透過したＵＶ光とここで発生した光電子との入射を受け
て増倍された多数の電子を発生する。この電子はＭＣＰ
５の直後に均一な電子パターンを形成する。これらの電
子は加速メッシュ電極６で加速された後、フォーカス電
極７で集束されて被測定面８上に一様に入射する。この
結果、２次元の一様な電子パターンが被測定面８上に形
成される。この２次元の電子源装置を検査装置に利用し
た場合、２次元の電子パターンによって照明された蛍光
面等の被測定面８の発光状態等をＳＩＴカメラ９によっ
て観察する。被測定面８の発光状態が均一でなければ、
その部分に欠陥が生じていることになる。
精度よく形成する２次元の電子源装置を提供すること。 【構成】 ＵＶ光源２からのＵＶ光は、真空容器３の左
端に設けられたＵＶ透過性ガラス４に均一に照射され
る。真空容器３内のＭＣＰ５は、ＵＶ透過性ガラス４を
透過したＵＶ光とここで発生した光電子との入射を受け
て増倍された多数の電子を発生する。この電子はＭＣＰ
５の直後に均一な電子パターンを形成する。これらの電
子は加速メッシュ電極６で加速された後、フォーカス電
極７で集束されて被測定面８上に一様に入射する。この
結果、２次元の一様な電子パターンが被測定面８上に形
成される。この２次元の電子源装置を検査装置に利用し
た場合、２次元の電子パターンによって照明された蛍光
面等の被測定面８の発光状態等をＳＩＴカメラ９によっ
て観察する。被測定面８の発光状態が均一でなければ、
その部分に欠陥が生じていることになる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、２次元の分布を有する
電子パターンを発生することができる電子源装置に関す
る。
電子パターンを発生することができる電子源装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の２次元の電子源を利用し
た検査装置を示す。この検査装置は、蛍光面またはＭＣ
Ｐ（マイクロチャンネルプレート）を測定評価するため
のものである。真空容器３０内に配置された陰極３１ａ
とグリッド３１ｂとからなる電子銃からは電子が発生す
る。この電子は容器３０内の偏向電極３２、３３で２次
元的に走査されて蛍光面等の被測定面３４に均質に照射
される。容器３０外に設けられたカメラ３６によって被
測定面３４を観察すれば、その画質評価等によって蛍光
面等の均質性を判定することができる。なお、電子銃３
１ａ、３１ｂと偏向電極３２、３３とによって２次元の
電子源が構成されている。
た検査装置を示す。この検査装置は、蛍光面またはＭＣ
Ｐ（マイクロチャンネルプレート）を測定評価するため
のものである。真空容器３０内に配置された陰極３１ａ
とグリッド３１ｂとからなる電子銃からは電子が発生す
る。この電子は容器３０内の偏向電極３２、３３で２次
元的に走査されて蛍光面等の被測定面３４に均質に照射
される。容器３０外に設けられたカメラ３６によって被
測定面３４を観察すれば、その画質評価等によって蛍光
面等の均質性を判定することができる。なお、電子銃３
１ａ、３１ｂと偏向電極３２、３３とによって２次元の
電子源が構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の検査装置におけ
る電子源は、主にタングステン陰極を用いた電子銃を使
用しているため、この電子銃から出射される電子が電子
線となる。したがって、被測定面に均一に電子を照射た
めの手段として偏向電極やフォーカス電極を幾つか用い
る必要がある。この結果、走査むら、偏向電極によるけ
られ等が生じ、被測定面が大きくなるほど均一な電子照
射が困難となっていた。また、被測定面への電子の照射
エネルギーをある程度高いものとすることが必要なの
で、偏向幅をある程度大きくするためには、電子銃と被
照射面との距離を長くし、或いは偏向電界を大きくする
必要が生じ、必然的に装置全体が大きなものとなってし
まう。これにともなって、真空ポンプ系も大きな容量が
必要となり、排気時間も長いものとなってしまう。
る電子源は、主にタングステン陰極を用いた電子銃を使
用しているため、この電子銃から出射される電子が電子
線となる。したがって、被測定面に均一に電子を照射た
めの手段として偏向電極やフォーカス電極を幾つか用い
る必要がある。この結果、走査むら、偏向電極によるけ
られ等が生じ、被測定面が大きくなるほど均一な電子照
射が困難となっていた。また、被測定面への電子の照射
エネルギーをある程度高いものとすることが必要なの
で、偏向幅をある程度大きくするためには、電子銃と被
照射面との距離を長くし、或いは偏向電界を大きくする
必要が生じ、必然的に装置全体が大きなものとなってし
まう。これにともなって、真空ポンプ系も大きな容量が
必要となり、排気時間も長いものとなってしまう。
【０００４】そこで本発明は、均一パターンまたは所定
パターンの電子像を簡易かつ精度よく形成することがで
きる２次元の電子源装置を提供することを目的とする。
パターンの電子像を簡易かつ精度よく形成することがで
きる２次元の電子源装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る第１の２次元の電子源装置は、（ａ）
均一又は所定パターンの光を照射する光源と、（ｂ）光
源からの光を受光して光源からの光パターンに対応した
電子パターンをこれに近接した像面に結像する光電面と
を備えることとしている。
め、本発明に係る第１の２次元の電子源装置は、（ａ）
均一又は所定パターンの光を照射する光源と、（ｂ）光
源からの光を受光して光源からの光パターンに対応した
電子パターンをこれに近接した像面に結像する光電面と
を備えることとしている。
【０００６】また、本発明に係る第２の２次元の電子源
装置は、（ａ）均一又は所定パターンの光を照射する光
源と、（ｂ）光源からの光を受光して光源からの光パタ
ーンに対応した電子パターンを結像する光電面と、
（ｃ）光電面が結像する電子パターンを別の電子パター
ンに変換する変換手段とを備えることとしている。
装置は、（ａ）均一又は所定パターンの光を照射する光
源と、（ｂ）光源からの光を受光して光源からの光パタ
ーンに対応した電子パターンを結像する光電面と、
（ｃ）光電面が結像する電子パターンを別の電子パター
ンに変換する変換手段とを備えることとしている。
【０００７】
【作用】上記第１の２次元の電子源装置においては、光
電面が光源からの光パターンに対応した電子パターンを
この光電面に近接した像面に結像するので、光電面に均
一又は所定の強度分布を有する光パターンを照射するだ
けで、この光パターンに対応する所望の電子パターンを
得ることができる。
電面が光源からの光パターンに対応した電子パターンを
この光電面に近接した像面に結像するので、光電面に均
一又は所定の強度分布を有する光パターンを照射するだ
けで、この光パターンに対応する所望の電子パターンを
得ることができる。
【０００８】また、上記第２の２次元の電子源装置にお
いては、光電面が光源からの光パターンに対応した電子
パターンを結像するとともに、変換手段が光電面の結像
する電子パターンを拡大、縮小、回転、偏向等した別の
電子パターンに変換するので、光電面に均一又は所定の
強度分布を有する光パターンを照射するだけで、この光
パターンに対応する各種の電子パターンを得ることがで
きる。
いては、光電面が光源からの光パターンに対応した電子
パターンを結像するとともに、変換手段が光電面の結像
する電子パターンを拡大、縮小、回転、偏向等した別の
電子パターンに変換するので、光電面に均一又は所定の
強度分布を有する光パターンを照射するだけで、この光
パターンに対応する各種の電子パターンを得ることがで
きる。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１０】図１は、第１実施例の２次元電子源装置を
利用した検査装置を示す。ＵＶ光源２からのＵＶ光は、
ガラス製の真空容器３の左端に設けられたＵＶ透過性ガ
ラス４に照射される。ＵＶ透過性ガラス４の内面には必
要に応じてＡｕ蒸着膜を付加することもできる。真空容
器３内のＭＣＰ５は、ＵＶ透過性ガラス４を透過したＵ
Ｖ光とここで発生した光電子との入射を受けて増倍され
た多数の電子を発生する。これらの電子は、ＭＣＰ５に
相対する加速メッシュ電極６とこれに続いて配設された
フォーカス電極７とを通過して蛍光面、ＭＣＰ等からな
る被測定面８に入射する。被測定面８は、不図示のチャ
ンバー等を介して真空容器３外に取り出すことができ、
他の被測定面に置き換えることができる。真空容器３外
の右端には、被測定面８を検査・観察等するためのＳＩ
Ｔカメラ９が設けられている。
利用した検査装置を示す。ＵＶ光源２からのＵＶ光は、
ガラス製の真空容器３の左端に設けられたＵＶ透過性ガ
ラス４に照射される。ＵＶ透過性ガラス４の内面には必
要に応じてＡｕ蒸着膜を付加することもできる。真空容
器３内のＭＣＰ５は、ＵＶ透過性ガラス４を透過したＵ
Ｖ光とここで発生した光電子との入射を受けて増倍され
た多数の電子を発生する。これらの電子は、ＭＣＰ５に
相対する加速メッシュ電極６とこれに続いて配設された
フォーカス電極７とを通過して蛍光面、ＭＣＰ等からな
る被測定面８に入射する。被測定面８は、不図示のチャ
ンバー等を介して真空容器３外に取り出すことができ、
他の被測定面に置き換えることができる。真空容器３外
の右端には、被測定面８を検査・観察等するためのＳＩ
Ｔカメラ９が設けられている。
【００１１】図１の検査装置の動作について簡単に説明
する。ＵＶ光源２からのＵＶ光はＵＶ透過性ガラス４に
均一に照射される。このＵＶ光は、ＵＶ透過性ガラス４
を透過し、或いはここで光電子を発生させる。ＵＶ透過
性ガラス４を透過したＵＶ光とここで発生した光電子と
は、ＭＣＰ５に入射してここで増幅された電子を発生さ
せる。この電子はＭＣＰ５の直後に均一な電子パターン
を形成する。これらの電子は加速メッシュ電極６で加速
された後、フォーカス電極７で集束されて被測定面８上
に一様に入射する。２次元の電子パターンによって照明
された被測定面８の発光状態等はＳＩＴカメラ９によっ
て観察する。被測定面８の発光状態が均質でなければ、
その部分に欠陥が生じていることになる。
する。ＵＶ光源２からのＵＶ光はＵＶ透過性ガラス４に
均一に照射される。このＵＶ光は、ＵＶ透過性ガラス４
を透過し、或いはここで光電子を発生させる。ＵＶ透過
性ガラス４を透過したＵＶ光とここで発生した光電子と
は、ＭＣＰ５に入射してここで増幅された電子を発生さ
せる。この電子はＭＣＰ５の直後に均一な電子パターン
を形成する。これらの電子は加速メッシュ電極６で加速
された後、フォーカス電極７で集束されて被測定面８上
に一様に入射する。２次元の電子パターンによって照明
された被測定面８の発光状態等はＳＩＴカメラ９によっ
て観察する。被測定面８の発光状態が均質でなければ、
その部分に欠陥が生じていることになる。
【００１２】ＵＶ光源２からの光は、ＭＣＰ５に対して
散乱光として照射されるものであればよい。例えば、Ｕ
Ｖ光源２が、ＭＣＰ５の直径以上離れていれば、検査の
ために十分に均質な電子パターンを得ることができる。
照射の均一度を高めるために、ＵＶ光源２とＵＶ透過性
ガラス４との間にレンズ、拡散板等を介在させてもよ
い。また、ＵＶ透過性ガラス４の内面にＡｕ蒸着膜を設
けない場合には、ＵＶ光源２を真空容器３内に配置する
ことができる。ただし、ＵＶ光源２を真空容器３内外の
いずれに配置する場合にも、もれ光を防止するため、加
速メッシュ電極６、フォーカス電極７、被測定面８等に
対する遮光の必要がある。ＭＣＰ５は被測定面８の大き
さに対応した直径のものを使用するが、加速メッシュ電
極６、フォーカス電極７等の選定やそれらの配置、距離
等を適当に設定することで、ＭＣＰ５の数倍の被測定面
に均質で十分な密度の電子パターンを形成することがで
き、この被測定面の検査が可能になる。ＭＣＰ５が被測
定面８以上の面積を有する場合、加速メッシュ電極６、
フォーカス電極７等は、これらが同軸上に相対する限り
省略することもできる。例えば、ＭＣＰ５の後方の近接
した位置に被測定面８を配置するならば、ＭＣＰ５と被
測定面８との間にほぼ均質な電界が形成されることとな
り、一様な電子パターンが被測定面８上に結像される。
散乱光として照射されるものであればよい。例えば、Ｕ
Ｖ光源２が、ＭＣＰ５の直径以上離れていれば、検査の
ために十分に均質な電子パターンを得ることができる。
照射の均一度を高めるために、ＵＶ光源２とＵＶ透過性
ガラス４との間にレンズ、拡散板等を介在させてもよ
い。また、ＵＶ透過性ガラス４の内面にＡｕ蒸着膜を設
けない場合には、ＵＶ光源２を真空容器３内に配置する
ことができる。ただし、ＵＶ光源２を真空容器３内外の
いずれに配置する場合にも、もれ光を防止するため、加
速メッシュ電極６、フォーカス電極７、被測定面８等に
対する遮光の必要がある。ＭＣＰ５は被測定面８の大き
さに対応した直径のものを使用するが、加速メッシュ電
極６、フォーカス電極７等の選定やそれらの配置、距離
等を適当に設定することで、ＭＣＰ５の数倍の被測定面
に均質で十分な密度の電子パターンを形成することがで
き、この被測定面の検査が可能になる。ＭＣＰ５が被測
定面８以上の面積を有する場合、加速メッシュ電極６、
フォーカス電極７等は、これらが同軸上に相対する限り
省略することもできる。例えば、ＭＣＰ５の後方の近接
した位置に被測定面８を配置するならば、ＭＣＰ５と被
測定面８との間にほぼ均質な電界が形成されることとな
り、一様な電子パターンが被測定面８上に結像される。
【００１３】ＵＶ透過性ガラス４に付着させるＡｕ蒸着
膜は、電子パターンをＭＣＰ５に供給するが、被測定面
８により均一な電子を照射したい場合、或いはＵＶ透過
性ガラス４及びＭＣＰ５の間でＵＶ光を十分に遮蔽した
い場合に用いる。この場合、ＵＶ透過性ガラス４とＭＣ
Ｐ５との間に新たな電極を設けることもできる。更に、
ＵＶ光源２もＡｕ蒸着膜による光電効果を利用したもの
には限られない。
膜は、電子パターンをＭＣＰ５に供給するが、被測定面
８により均一な電子を照射したい場合、或いはＵＶ透過
性ガラス４及びＭＣＰ５の間でＵＶ光を十分に遮蔽した
い場合に用いる。この場合、ＵＶ透過性ガラス４とＭＣ
Ｐ５との間に新たな電極を設けることもできる。更に、
ＵＶ光源２もＡｕ蒸着膜による光電効果を利用したもの
には限られない。
【００１４】以上のような検査装置にあっては、２次元
電子源装置としてＵＶ光源２とＭＣＰ５とを使用したこ
とにより４００Ｖ〜１２００Ｖ位の電圧のコントロール
で、被測定面への電子量の微妙な調節が可能となる。ま
た、加速メッシュ電極６をＭＣＰ５に相対して配置する
ことで、必要なエネルギーを持った均一な電子流を得る
ことができる。更に、偏向電極を用いていないので、走
査によるむらやけられもなくなり、比較的大きな被測定
面に対しても容易に均一な電子照射が可能となる。この
結果、検査装置を小型化することができる。また、電子
源装置としてＭＣＰを利用しているので、通常の電子銃
のように熱輻射が発生せず、真空中におけるガス放出量
が少なくてすむ。このため、測定時に超高真空を維持す
る必要がある場合であっても、その測定状態の維持が容
易である。
電子源装置としてＵＶ光源２とＭＣＰ５とを使用したこ
とにより４００Ｖ〜１２００Ｖ位の電圧のコントロール
で、被測定面への電子量の微妙な調節が可能となる。ま
た、加速メッシュ電極６をＭＣＰ５に相対して配置する
ことで、必要なエネルギーを持った均一な電子流を得る
ことができる。更に、偏向電極を用いていないので、走
査によるむらやけられもなくなり、比較的大きな被測定
面に対しても容易に均一な電子照射が可能となる。この
結果、検査装置を小型化することができる。また、電子
源装置としてＭＣＰを利用しているので、通常の電子銃
のように熱輻射が発生せず、真空中におけるガス放出量
が少なくてすむ。このため、測定時に超高真空を維持す
る必要がある場合であっても、その測定状態の維持が容
易である。
【００１５】以上の説明では、光源として一様なＵＶ光
を発生するＵＶ光源を用いたが、各種光パターンを発生
する光源を準備することもできる。さらに、ＵＶ光以外
の電磁波を発生する光源を準備してもよい。また、Ａｕ
蒸着膜の代わりに、ＳｂＣｓ膜、バイアルカリ膜等をＵ
Ｖ透過性ガラス４等に付着させてもよい。
を発生するＵＶ光源を用いたが、各種光パターンを発生
する光源を準備することもできる。さらに、ＵＶ光以外
の電磁波を発生する光源を準備してもよい。また、Ａｕ
蒸着膜の代わりに、ＳｂＣｓ膜、バイアルカリ膜等をＵ
Ｖ透過性ガラス４等に付着させてもよい。
【００１６】図２は、第２実施例の２次元電子源装置を
示す。ＵＶ光源２は、一様なＵＶ光を出射する。所定の
透過パターンを有するマスク１１は、一様なＵＶ光を所
定の光パターンに変換する。真空容器３の左端に設けら
れたＵＶ透過性ガラスの内面には、光電変換用のＡｕ蒸
着膜１２が形成されている。このＡｕ蒸着膜１２からは
マスク１１の透過パターンに対応する分布で光電子が発
生し電子パターンが形成される。Ａｕ蒸着膜１２に相対
して加速メッシュ電極６が配置されている。この加速メ
ッシュ電極６で加速された光電子は、真空容器３内の右
端に配置された着脱自在の被測定面８に照射される。真
空容器３の外周には第１及び第２の集束コイル１３、１
４が配置されている。更に、真空容器３と第２の集束コ
イル１４との間には、偏向コイル１５が配置されてい
る。集束電流発生回路１６は、第１及び第２の集束コイ
ル１３、１４に適当な配分で電流を供給して、Ａｕ蒸着
膜１２で形成された電子パターンを拡大または縮小す
る。偏向電流発生回路１７は、偏向コイル１５に適当な
配分で電流を供給して、Ａｕ蒸着膜１２で形成された電
子パターンをＸ−Ｙ方向に偏向させる。制御装置１８
は、集束電流発生回路１６及び偏向電流発生回路１７が
供給する電流を制御する。電子パターンの拡大、縮小等
に伴って、被測定面８に投影される電子パターンはその
中心で回転したものとなる。拡大等の中心を決定する場
合にはこの回転角が問題となるが、偏向電流発生回路１
７に供給する電流を補正することで拡大の中心を所望の
位置に設定することができる。かかる補正は制御装置１
８によって実行される。なお、電子パターン自体の拡
大、縮小、移動、回転等は公知の技術で、特開昭５９−
１９１２４４等に詳細が記載されている。
示す。ＵＶ光源２は、一様なＵＶ光を出射する。所定の
透過パターンを有するマスク１１は、一様なＵＶ光を所
定の光パターンに変換する。真空容器３の左端に設けら
れたＵＶ透過性ガラスの内面には、光電変換用のＡｕ蒸
着膜１２が形成されている。このＡｕ蒸着膜１２からは
マスク１１の透過パターンに対応する分布で光電子が発
生し電子パターンが形成される。Ａｕ蒸着膜１２に相対
して加速メッシュ電極６が配置されている。この加速メ
ッシュ電極６で加速された光電子は、真空容器３内の右
端に配置された着脱自在の被測定面８に照射される。真
空容器３の外周には第１及び第２の集束コイル１３、１
４が配置されている。更に、真空容器３と第２の集束コ
イル１４との間には、偏向コイル１５が配置されてい
る。集束電流発生回路１６は、第１及び第２の集束コイ
ル１３、１４に適当な配分で電流を供給して、Ａｕ蒸着
膜１２で形成された電子パターンを拡大または縮小す
る。偏向電流発生回路１７は、偏向コイル１５に適当な
配分で電流を供給して、Ａｕ蒸着膜１２で形成された電
子パターンをＸ−Ｙ方向に偏向させる。制御装置１８
は、集束電流発生回路１６及び偏向電流発生回路１７が
供給する電流を制御する。電子パターンの拡大、縮小等
に伴って、被測定面８に投影される電子パターンはその
中心で回転したものとなる。拡大等の中心を決定する場
合にはこの回転角が問題となるが、偏向電流発生回路１
７に供給する電流を補正することで拡大の中心を所望の
位置に設定することができる。かかる補正は制御装置１
８によって実行される。なお、電子パターン自体の拡
大、縮小、移動、回転等は公知の技術で、特開昭５９−
１９１２４４等に詳細が記載されている。
【００１７】図２の２次元電子源装置の動作について簡
単に説明する。ＵＶ光源２からのＵＶ光はマスク１１に
均一に照射される。マスク１１を透過したＵＶ光はマス
ク１１の透過率に対応する強度分布を有する光パターン
となる。この光パターンは、Ａｕ蒸着膜１２に光電子を
発生させ、Ａｕ蒸着膜１２の直後に同一の電子パターン
を形成する。この電子パターンは集束コイル１３、１
４、偏向コイル１５等によって拡大、縮小、移動、回転
等されて被測定面８に投影される。この結果、所望の光
パターンを拡大、縮小、移動、回転等を回転した電子パ
ターンを得ることができる。
単に説明する。ＵＶ光源２からのＵＶ光はマスク１１に
均一に照射される。マスク１１を透過したＵＶ光はマス
ク１１の透過率に対応する強度分布を有する光パターン
となる。この光パターンは、Ａｕ蒸着膜１２に光電子を
発生させ、Ａｕ蒸着膜１２の直後に同一の電子パターン
を形成する。この電子パターンは集束コイル１３、１
４、偏向コイル１５等によって拡大、縮小、移動、回転
等されて被測定面８に投影される。この結果、所望の光
パターンを拡大、縮小、移動、回転等を回転した電子パ
ターンを得ることができる。
【００１８】以上のような２次元電子源装置およびその
変形によれば、電子による金属描画、電子像のＣＣＤへ
の打ち込み、フーリエ変換像の回転による文字認識、短
パルスによる高速の書出し及び読取り等に応用すること
ができる。
変形によれば、電子による金属描画、電子像のＣＣＤへ
の打ち込み、フーリエ変換像の回転による文字認識、短
パルスによる高速の書出し及び読取り等に応用すること
ができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、第１の２次元の電
子源装置においては、光電面が光源からの光パターンに
対応した電子パターンをこの光電面に近接した像面に結
像するので、光電面に均一又は所定の強度分布を有する
光パターンを照射するだけで、この光パターンに対応す
る所望の電子パターンを簡易かつ精度よく形成すること
ができる。
子源装置においては、光電面が光源からの光パターンに
対応した電子パターンをこの光電面に近接した像面に結
像するので、光電面に均一又は所定の強度分布を有する
光パターンを照射するだけで、この光パターンに対応す
る所望の電子パターンを簡易かつ精度よく形成すること
ができる。
【００２０】また、上記第２の２次元の電子源装置にお
いては、光電面が光源からの光パターンに対応した電子
パターンを結像するとともに、偏向手段が光電面の結像
する電子パターンを拡大、縮小、回転、偏向等した別の
電子パターンに変換するので、光電面に均一又は所定の
強度分布を有する光パターンを照射するだけで、この光
パターンに対応する各種の電子パターンを簡易かつ精度
よく形成することができる。
いては、光電面が光源からの光パターンに対応した電子
パターンを結像するとともに、偏向手段が光電面の結像
する電子パターンを拡大、縮小、回転、偏向等した別の
電子パターンに変換するので、光電面に均一又は所定の
強度分布を有する光パターンを照射するだけで、この光
パターンに対応する各種の電子パターンを簡易かつ精度
よく形成することができる。
【図１】第１実施例の２次元電子源装置を利用した検査
装置を示す図である。
装置を示す図である。
【図２】第２実施例の２次元電子源装置を示す図であ
る。
る。
【図３】従来の２次元電子源装置を利用した検査装置を
示す図である。
示す図である。
２、１１…光源、４、５、１２…光電面、１３、１４、
１５…変換手段
１５…変換手段
Claims (3)
- 【請求項１】 均一又は所定パターンの光を照射する光
源と、該光源からの光を受光して該光源からの光パター
ンに対応した電子パターンをこれに近接した像面に結像
する光電面とを備える２次元の電子源装置。 - 【請求項２】 均一又は所定パターンの光を照射する光
源と、該光源からの光を受光して該光源からの光パター
ンに対応した電子パターンを結像する光電面と、該光電
面が結像する電子パターンを別の電子パターンに変換す
る変換手段とを備える２次元の電子源装置。 - 【請求項３】 前記変換手段は、前記光電面が結像する
電子パターンを集束した別の電子パターンに変換するこ
とを特徴とする請求項２記載の２次元の電子源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3279909A JP2648538B2 (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | ２次元の電子源を利用した検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3279909A JP2648538B2 (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | ２次元の電子源を利用した検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121021A true JPH05121021A (ja) | 1993-05-18 |
| JP2648538B2 JP2648538B2 (ja) | 1997-09-03 |
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ID=17617609
Family Applications (1)
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| JP3279909A Expired - Fee Related JP2648538B2 (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | ２次元の電子源を利用した検査装置 |
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| JP (1) | JP2648538B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008039766A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-02-21 | Xnet Corp | 光電子銃および殺菌装置 |
| JP2017535021A (ja) * | 2014-10-10 | 2017-11-24 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 検査サイトの準備 |
| JP2020537287A (ja) * | 2017-10-10 | 2020-12-17 | ケーエルエー コーポレイション | 電子ビーム生成および測定 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55132270A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-14 | Canon Inc | Liquid-drip jet recording device |
| JPS59191244A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-10-30 | Hamamatsu Photonics Kk | 像拡大装置 |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP3279909A patent/JP2648538B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55132270A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-14 | Canon Inc | Liquid-drip jet recording device |
| JPS59191244A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-10-30 | Hamamatsu Photonics Kk | 像拡大装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008039766A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-02-21 | Xnet Corp | 光電子銃および殺菌装置 |
| JP2017535021A (ja) * | 2014-10-10 | 2017-11-24 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 検査サイトの準備 |
| JP2020537287A (ja) * | 2017-10-10 | 2020-12-17 | ケーエルエー コーポレイション | 電子ビーム生成および測定 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2648538B2 (ja) | 1997-09-03 |
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