JP2770549B2 - Ｘ線発生装置 - Google Patents
Ｘ線発生装置Info
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- JP2770549B2 JP2770549B2 JP11345190A JP11345190A JP2770549B2 JP 2770549 B2 JP2770549 B2 JP 2770549B2 JP 11345190 A JP11345190 A JP 11345190A JP 11345190 A JP11345190 A JP 11345190A JP 2770549 B2 JP2770549 B2 JP 2770549B2
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- rays
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明はＸ線発生装置に関し、超高速Ｘ線CT装置、Ｘ
線診断装置、Ｘ線回折装置、Ｘ線分析装置あるいはＸ線
計測装置等に利用することができる。
線診断装置、Ｘ線回折装置、Ｘ線分析装置あるいはＸ線
計測装置等に利用することができる。
＜従来の技術＞ この種のＸ線発生装置としては、従来、熱陰極等から
発生した熱電子を高電圧で加速し、タングステン等の金
属ターゲットに衝突させることによって、Ｘ線を発生さ
せるＸ線管等がある。
発生した熱電子を高電圧で加速し、タングステン等の金
属ターゲットに衝突させることによって、Ｘ線を発生さ
せるＸ線管等がある。
＜発明が解決しようとする課題＞ ところで、上述の従来のＸ線発生装置によれば、熱電
子発生の応答が悪く、このため、例えば超短パルスＸ線
や高周波Ｘ線パルスを必要とする装置あるいは高速Ｘ線
撮影装置等に適用する場合、これらの装置の要求を満た
すために、その周辺回路等が非常に複雑になるといった
問題があった。
子発生の応答が悪く、このため、例えば超短パルスＸ線
や高周波Ｘ線パルスを必要とする装置あるいは高速Ｘ線
撮影装置等に適用する場合、これらの装置の要求を満た
すために、その周辺回路等が非常に複雑になるといった
問題があった。
＜課題を解決するための手段＞ 本発明は上記の従来の問題を解決すべくなされたもの
で、その構成を実施例に対応する第１図を参照しつつ説
明すると、本発明は、紫外線源２とその紫外線源２から
の光照射により光電子を発生する手段（例えば光電膜３
および電子増倍素子４等）を備え、真空雰囲気中でター
ゲットＴに加速された光電子を集束照射することによっ
てＸ線を発生するよう構成したことによって特徴づけら
れる。
で、その構成を実施例に対応する第１図を参照しつつ説
明すると、本発明は、紫外線源２とその紫外線源２から
の光照射により光電子を発生する手段（例えば光電膜３
および電子増倍素子４等）を備え、真空雰囲気中でター
ゲットＴに加速された光電子を集束照射することによっ
てＸ線を発生するよう構成したことによって特徴づけら
れる。
＜作用＞ 発生するＸ線の時間特性は、紫外光源２から光電膜３
に照射する光の照射時間によって決定される。すなわち
Ｘ線の時間特性は紫外光源２からの紫外線とほぼ同じと
なり、これにより、Ｘ線の発生の応答性は非常に速くな
る。
に照射する光の照射時間によって決定される。すなわち
Ｘ線の時間特性は紫外光源２からの紫外線とほぼ同じと
なり、これにより、Ｘ線の発生の応答性は非常に速くな
る。
＜実施例＞ 本発明の実施例を、以下、図面に基づいて説明する。
第１図は本発明実施例の構成を示す図である。
真空容器１内に電子増倍素子（MCP）４が配設されて
いる。この真空容器１の前部の壁体には電子増倍素子４
と対向して光電膜（ホトカソード）３が設けられてい
る。
いる。この真空容器１の前部の壁体には電子増倍素子４
と対向して光電膜（ホトカソード）３が設けられてい
る。
また、真空容器１内には、電子増倍素子４の後方に、
タングステン等の金属ターゲットＴが配置されている。
このターゲットＴの面する位置の真空容器１の側部壁体
にはBe製の窓1aが設けられている。
タングステン等の金属ターゲットＴが配置されている。
このターゲットＴの面する位置の真空容器１の側部壁体
にはBe製の窓1aが設けられている。
光電膜３と電子増倍素子４との間には、直流電源５が
接続されており、電子増倍素子４が正電位となるよう
に、この両者間に0.5kV程度の電位差が与えられる。ま
た、電子増倍素子４の出力側の面は、直流電源６によっ
てその入力側に対して、1.5kV程度の正電位が与えられ
る。さらに、電子増倍素子４とターゲットＴとの間に
も、直流電源７が接続されており、ターゲットＴは電子
増倍素子４に対して100kV程度の正電位が与えられる。
接続されており、電子増倍素子４が正電位となるよう
に、この両者間に0.5kV程度の電位差が与えられる。ま
た、電子増倍素子４の出力側の面は、直流電源６によっ
てその入力側に対して、1.5kV程度の正電位が与えられ
る。さらに、電子増倍素子４とターゲットＴとの間に
も、直流電源７が接続されており、ターゲットＴは電子
増倍素子４に対して100kV程度の正電位が与えられる。
一方、真空容器１の外部前方には、レンズ８および紫
外線源２が順次配置されている。この紫外線源２として
は、紫外線ランプであってもよいしあるいは紫外光レー
ザ等を用いてもよい。
外線源２が順次配置されている。この紫外線源２として
は、紫外線ランプであってもよいしあるいは紫外光レー
ザ等を用いてもよい。
次に、本発明実施例の作用を説明する。
まず、紫外線源２からの光をレンズ８を介して光電膜
３に照射すると、光電効果によって光電子が発生する。
この発生した光電子は電源５による電位差によって電子
増倍素子４へと導かれ、ここで増幅される。この増幅さ
れた光電子は、電源７によって形成される電場および電
子レンズｌによって加速され集束された電子ビームとな
ってターゲットＴに衝突する。これによりＸ線が放射状
に発生し、そのＸ線は窓1aを経て真空容器１外部へと出
射する。
３に照射すると、光電効果によって光電子が発生する。
この発生した光電子は電源５による電位差によって電子
増倍素子４へと導かれ、ここで増幅される。この増幅さ
れた光電子は、電源７によって形成される電場および電
子レンズｌによって加速され集束された電子ビームとな
ってターゲットＴに衝突する。これによりＸ線が放射状
に発生し、そのＸ線は窓1aを経て真空容器１外部へと出
射する。
ここで、発生するＸ線の時間特性は、紫外線源２から
の出力光とほぼ同じになる。従って、得られるＸ線はDC
〜MHz程度の周波数特性をもつ。また、現状では、電子
増倍素子４は、その時間分解能がnsec以下のものもある
ことから、nsec以下の超短パルスＸ線も得ることも可能
となる。
の出力光とほぼ同じになる。従って、得られるＸ線はDC
〜MHz程度の周波数特性をもつ。また、現状では、電子
増倍素子４は、その時間分解能がnsec以下のものもある
ことから、nsec以下の超短パルスＸ線も得ることも可能
となる。
なお、以上の本発明実施例において、電子増倍素子４
を複数段配置すれば、より高強度あるいは高輝度のＸ線
を発生することができる。
を複数段配置すれば、より高強度あるいは高輝度のＸ線
を発生することができる。
また、以上の本発明実施例において、光電膜３は必ず
しも必要ではなく、例えば第２図（ａ）に示すように、
紫外線源２からの光を、窓11bを通じて真空容器11内に
導いて、電子増倍素子４に直接に照射してもよいし、ま
た、同図（ｂ）に示すように、遠方に配置した紫外線源
２の出力光を光ファイバＦによって、真空容器21内部へ
と導いて、電子増倍素子４に照射するよう構成してもよ
い。さらには、電子増倍素子４を設けずに、光電膜３か
ら発生した光電子を加速してターゲットＴに直接照射す
るよう構成してもよい。
しも必要ではなく、例えば第２図（ａ）に示すように、
紫外線源２からの光を、窓11bを通じて真空容器11内に
導いて、電子増倍素子４に直接に照射してもよいし、ま
た、同図（ｂ）に示すように、遠方に配置した紫外線源
２の出力光を光ファイバＦによって、真空容器21内部へ
と導いて、電子増倍素子４に照射するよう構成してもよ
い。さらには、電子増倍素子４を設けずに、光電膜３か
ら発生した光電子を加速してターゲットＴに直接照射す
るよう構成してもよい。
第３図は本発明の他の実施例の構成を示す図である。
この例においては、円環状の真空容器31に、リング状
の光電膜33および電子増倍素子34をそれぞれ所定位置に
配置しており、また、金属ターゲットＴ′の形状も同様
のリング状としている。そして、紫外線源２からの光進
行路上に回転ミラーM1を配置し、この回転ミラーM1およ
び全反射鏡M2によって、リング状の光電膜33の光電面
に、紫外線を半径Ｒ上に沿って高速スキャンするよう構
成している。
の光電膜33および電子増倍素子34をそれぞれ所定位置に
配置しており、また、金属ターゲットＴ′の形状も同様
のリング状としている。そして、紫外線源２からの光進
行路上に回転ミラーM1を配置し、この回転ミラーM1およ
び全反射鏡M2によって、リング状の光電膜33の光電面
に、紫外線を半径Ｒ上に沿って高速スキャンするよう構
成している。
この実施例によると、リング状ターゲットＴ′の半径
Ｒの円周上の任意の位置からＸ線を発生することがで
き、これにより、真空容器31の中央空間部に置かれた被
検体Ｗの立体像をリアルタイムで得ることができる。
Ｒの円周上の任意の位置からＸ線を発生することがで
き、これにより、真空容器31の中央空間部に置かれた被
検体Ｗの立体像をリアルタイムで得ることができる。
なお、回転ミラーＭによって紫外線をスキャンする構
成に代えて、例えば第４図に示すように、複数の紫外線
源２…２を半径Ｒの円周上に沿って等ピッチで配置し、
その配置位置に対応するターゲットＴ′の各位置からＸ
線をそれぞれ独立に発生するよう構成してもよい。
成に代えて、例えば第４図に示すように、複数の紫外線
源２…２を半径Ｒの円周上に沿って等ピッチで配置し、
その配置位置に対応するターゲットＴ′の各位置からＸ
線をそれぞれ独立に発生するよう構成してもよい。
＜発明の効果＞ 以上説明したように、本発明によれば、光電膜や電子
増倍素子等に紫外線を照射することにより発生する光電
子を、加速して金属ターゲットに衝突させることによっ
て、Ｘ線を発生するよう構成したから、Ｘ線発生の応答
性が非常に速くなって、超短パルスＸ線あるいは高周波
Ｘ線パルスを容易に得ることが可能となる。これによ
り、例えばＸ線回折装置や蛍光測定装置等に本発明装置
を適用することによって、その各測定情報をリアルタイ
ムで得ることが可能となる。また、Ｘ線による高速撮影
や高速計測を容易に行うことができる。しかも、それら
の装置に適用するにあたり、Ｘ線発生装置自体やその周
辺回路等が複雑になることもない。
増倍素子等に紫外線を照射することにより発生する光電
子を、加速して金属ターゲットに衝突させることによっ
て、Ｘ線を発生するよう構成したから、Ｘ線発生の応答
性が非常に速くなって、超短パルスＸ線あるいは高周波
Ｘ線パルスを容易に得ることが可能となる。これによ
り、例えばＸ線回折装置や蛍光測定装置等に本発明装置
を適用することによって、その各測定情報をリアルタイ
ムで得ることが可能となる。また、Ｘ線による高速撮影
や高速計測を容易に行うことができる。しかも、それら
の装置に適用するにあたり、Ｘ線発生装置自体やその周
辺回路等が複雑になることもない。
第１図は本発明実施例の構成を示す図、第２図はその実
施例の変形例の説明図である。 第３図および第４図はそれぞれ本発明の他の実施例の構
成を示す図である。 １……真空容器 1a……窓 ２……紫外線源 ３……光電膜 ４……電子増倍素子 5,6,7……直流電源 ８……レンズ
施例の変形例の説明図である。 第３図および第４図はそれぞれ本発明の他の実施例の構
成を示す図である。 １……真空容器 1a……窓 ２……紫外線源 ３……光電膜 ４……電子増倍素子 5,6,7……直流電源 ８……レンズ
Claims (1)
- 【請求項１】真空雰囲気中でターゲット材料に加速され
た高速電子を衝突させることによってＸ線を発生する装
置において、紫外線源と、この紫外線源からの光照射に
より光電子を発生する手段を備え、上記光電子をターゲ
ット材料に照射するよう構成したことを特徴とする、Ｘ
線発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11345190A JP2770549B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | Ｘ線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11345190A JP2770549B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | Ｘ線発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412497A JPH0412497A (ja) | 1992-01-17 |
| JP2770549B2 true JP2770549B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=14612567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11345190A Expired - Lifetime JP2770549B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | Ｘ線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770549B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4584470B2 (ja) | 2001-02-01 | 2010-11-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | Ｘ線発生装置 |
| US7187755B2 (en) * | 2004-11-02 | 2007-03-06 | General Electric Company | Electron emitter assembly and method for generating electron beams |
| GB2446505A (en) * | 2008-02-05 | 2008-08-13 | Gen Electric | X-ray generation using a secondary emission electron source |
| JP2015060735A (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | Ｘ線発生装置及び試料検査装置 |
| GB201622206D0 (en) | 2016-12-23 | 2017-02-08 | Univ Of Dundee See Pulcea Ltd Univ Of Huddersfield | Mobile material analyser |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP11345190A patent/JP2770549B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0412497A (ja) | 1992-01-17 |
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