JPS60130044A - 走査電子顕微鏡 - Google Patents
走査電子顕微鏡Info
- Publication number
- JPS60130044A JPS60130044A JP23809883A JP23809883A JPS60130044A JP S60130044 A JPS60130044 A JP S60130044A JP 23809883 A JP23809883 A JP 23809883A JP 23809883 A JP23809883 A JP 23809883A JP S60130044 A JPS60130044 A JP S60130044A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- secondary electron
- secondary electrons
- lens
- objective lens
- electron detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、2次電子収集効率を向上させた走査電子顕微
鏡に関づる。
鏡に関づる。
近時、透過結像型電子顕微鏡に走査機能を付加すること
が多いが、第1図はその様な装置の要部を示づ−例であ
る。図において、1は図示しない電子銃から放射された
電子線であり、該電子線1は対物レンズの上磁極片2と
励磁コイル3側に近い下磁極片4の間に挿入された試料
5に照射される。、6は2次電子検出器であり、シンチ
レータ。
が多いが、第1図はその様な装置の要部を示づ−例であ
る。図において、1は図示しない電子銃から放射された
電子線であり、該電子線1は対物レンズの上磁極片2と
励磁コイル3側に近い下磁極片4の間に挿入された試料
5に照射される。、6は2次電子検出器であり、シンチ
レータ。
ライ1〜バイブ、2次電子増倍管等より構成される検出
部7.電極8及び接地電位のシールド筒9より構成され
、該電極8はシンチレータの周縁部に配設され正の電位
(例えば10KV)が検出器高圧電源1Oより印加され
ている。
部7.電極8及び接地電位のシールド筒9より構成され
、該電極8はシンチレータの周縁部に配設され正の電位
(例えば10KV)が検出器高圧電源1Oより印加され
ている。
以上の様に構成された装置において、電子線1か試F8
15に照射されると、試料5からの2次電子Cは、第1
図に示す様に対物レンズ上磁極片2と3・[物レンズ下
磁極片4で形成される強い磁場にトラップされ−C1は
ぼ電子線1の光軸Zを中心に周囲を回転しながら電子線
1の入射方向に向かって11Mりる。そして、該2次電
子eは、やがて2次電子検出器6の電極8が形成する電
場の方向に曲げられ検出部7によって検出され図示しな
い陰極線管によって2次電子像として表示される。
15に照射されると、試料5からの2次電子Cは、第1
図に示す様に対物レンズ上磁極片2と3・[物レンズ下
磁極片4で形成される強い磁場にトラップされ−C1は
ぼ電子線1の光軸Zを中心に周囲を回転しながら電子線
1の入射方向に向かって11Mりる。そして、該2次電
子eは、やがて2次電子検出器6の電極8が形成する電
場の方向に曲げられ検出部7によって検出され図示しな
い陰極線管によって2次電子像として表示される。
−力、電子線1の照射により試料5より発生づる2次電
子eはあらゆる方向に放出されるため、光軸Zから大き
く外れた2次電子e I * 82は、第1図に示す様
に2次電子検出器6に到達せずに対物レンズ上磁極片2
の内壁に衝突してしまう。
子eはあらゆる方向に放出されるため、光軸Zから大き
く外れた2次電子e I * 82は、第1図に示す様
に2次電子検出器6に到達せずに対物レンズ上磁極片2
の内壁に衝突してしまう。
又、その軌跡が電子線光軸Zから大きく外れた2次電子
e3もシールド筒9等に衝突する。これらの2次電子検
出器6に到達しない2次電子e1゜e2 、e3は、該
2次電子が衝突した部分で吸収されたり、又新たな2次
電子を発生させる。そのため、この2次電子検出器に到
達しない2次電子01等の影響によって、2次電子検出
器6の検出収集効率を低下させると共に、2次電子検出
器6に到達しない2次電子01等が対物レンズ内壁等に
衝突することによって新たに発生する2次電子を増加さ
14.S/Nを低下させる原因となり、2次電子像など
の像質を悪くする欠点があった。
e3もシールド筒9等に衝突する。これらの2次電子検
出器6に到達しない2次電子e1゜e2 、e3は、該
2次電子が衝突した部分で吸収されたり、又新たな2次
電子を発生させる。そのため、この2次電子検出器に到
達しない2次電子01等の影響によって、2次電子検出
器6の検出収集効率を低下させると共に、2次電子検出
器6に到達しない2次電子01等が対物レンズ内壁等に
衝突することによって新たに発生する2次電子を増加さ
14.S/Nを低下させる原因となり、2次電子像など
の像質を悪くする欠点があった。
本発明は以上の点に鑑みなされたもので、対物レンズの
下下磁極片間に挿入された試料へ電子線を照射し、該試
料より発生する2次電子を対物レンズ上磁極片の上方に
配置された2次電子検出器によって検出り゛るように構
成した装置において、該試料より発生する2次電子を前
記2次電子検出器近傍の光軸Z上に結像させるための2
次電子収集用レンズを前記試料と2次電子検出器との間
に設りたことを特徴としている。
下下磁極片間に挿入された試料へ電子線を照射し、該試
料より発生する2次電子を対物レンズ上磁極片の上方に
配置された2次電子検出器によって検出り゛るように構
成した装置において、該試料より発生する2次電子を前
記2次電子検出器近傍の光軸Z上に結像させるための2
次電子収集用レンズを前記試料と2次電子検出器との間
に設りたことを特徴としている。
以下、本発明の一実施例を添付図面により詳述する。
第2図は本発明の一実施例装置の要部の構成断面図C゛
ある。尚、第1図と同一部分には同一番号を(−11,
’Uイの説明は省略づる。第2図に示す実施例8A置が
第1図に示す従来装置と異なる点は、試料土の2次電子
放出点から放出される2次電子を2次電子検出器6近傍
の光軸Z上のA点に結像さUる電磁レンズ11を、試料
5と2次電子検出器Gどの間に設けた点にある。該電磁
レンズ11は、2(3Vの近傍にピークを持つ低いエネ
ルギーの2次電子に対して、所謂遠焦点の弱励磁レンズ
とじで使用されるため、試料照射用の60KeV程度の
エネルギーを有する電子線1への影響は殆んど無視でき
る。
ある。尚、第1図と同一部分には同一番号を(−11,
’Uイの説明は省略づる。第2図に示す実施例8A置が
第1図に示す従来装置と異なる点は、試料土の2次電子
放出点から放出される2次電子を2次電子検出器6近傍
の光軸Z上のA点に結像さUる電磁レンズ11を、試料
5と2次電子検出器Gどの間に設けた点にある。該電磁
レンズ11は、2(3Vの近傍にピークを持つ低いエネ
ルギーの2次電子に対して、所謂遠焦点の弱励磁レンズ
とじで使用されるため、試料照射用の60KeV程度の
エネルギーを有する電子線1への影響は殆んど無視でき
る。
この様に構成された装置では、試料5から発生した2次
電子eは対物レンズ上磁極片2と対物レンズ下1i極片
4で形成される強い磁場にトラップされて、はぼ電子線
1の光軸Zを中心に周囲を回転しながら電子線1の入射
方向に向かって1脣しやがて結像点Δの近傍に到達づ−
る。一方、光軸Zより外れた2次電子e 1r e 2
+ e 3は、該電磁レンズ11によるレンズ作用に
より結像点Aの方向に軌道修正される。ところで、結像
点Aの近傍に配置された2次電子検出器6の電極8には
高電圧が印加されており、結像点A近傍まで移動した2
次電子eや軌道修正された2次電子e1等は、該電極8
が形成する電界に引きつけら塾で2次電子検出器6に入
射し検出される。そのため、対物レンズ内壁やシールド
筒9に衝突する2次電子が極端に減少し試料5よりの2
次電子収集率が向上り−る。更に、対物レンズ内壁に衝
突する2次電子e、等によって新たに発生ずる2次電子
が2次電子検出器6によって検出されるのが抑えられる
ためS/Nを向上することができ、従って2次電子像等
の像質を向上することができる。
電子eは対物レンズ上磁極片2と対物レンズ下1i極片
4で形成される強い磁場にトラップされて、はぼ電子線
1の光軸Zを中心に周囲を回転しながら電子線1の入射
方向に向かって1脣しやがて結像点Δの近傍に到達づ−
る。一方、光軸Zより外れた2次電子e 1r e 2
+ e 3は、該電磁レンズ11によるレンズ作用に
より結像点Aの方向に軌道修正される。ところで、結像
点Aの近傍に配置された2次電子検出器6の電極8には
高電圧が印加されており、結像点A近傍まで移動した2
次電子eや軌道修正された2次電子e1等は、該電極8
が形成する電界に引きつけら塾で2次電子検出器6に入
射し検出される。そのため、対物レンズ内壁やシールド
筒9に衝突する2次電子が極端に減少し試料5よりの2
次電子収集率が向上り−る。更に、対物レンズ内壁に衝
突する2次電子e、等によって新たに発生ずる2次電子
が2次電子検出器6によって検出されるのが抑えられる
ためS/Nを向上することができ、従って2次電子像等
の像質を向上することができる。
尚、本発明は以上の実施例に限定されず、例えば本実施
例においては対物レンズの内側に2次電子収集用の電磁
レンズを設けたが、該2次電子収集用の電磁レンズにか
えて、第3図に示すように2次電子に対して結像点Aを
得るように対物レンズにギ11ツブ△Gを設けでも同様
な効果を得ることができる。
例においては対物レンズの内側に2次電子収集用の電磁
レンズを設けたが、該2次電子収集用の電磁レンズにか
えて、第3図に示すように2次電子に対して結像点Aを
得るように対物レンズにギ11ツブ△Gを設けでも同様
な効果を得ることができる。
以上の様に本考案は、対物レンズ上磁極片の上方に2次
電子検出器等を配置して像観察等を行う走査電子顕微鏡
において、2次電子収集効率及びS/Nを向上させるこ
とにより像質を向上させた走査電子顕微鏡を提供する。
電子検出器等を配置して像観察等を行う走査電子顕微鏡
において、2次電子収集効率及びS/Nを向上させるこ
とにより像質を向上させた走査電子顕微鏡を提供する。
【図面の簡単な説明】
f31図は従来装置の構成断面図、第2図は本発明の一
実施例を示す構成断面図、第3図は他の実施例を説明覆
るための図である。 1:電子線、2対物レンズ上磁極片、3:励磁」イル、
4:対物レンズ下磁極片、5:試料、6:2次電子検出
器、7:検出部、8:電極、9:シールド筒、10:検
出器高圧電源。
実施例を示す構成断面図、第3図は他の実施例を説明覆
るための図である。 1:電子線、2対物レンズ上磁極片、3:励磁」イル、
4:対物レンズ下磁極片、5:試料、6:2次電子検出
器、7:検出部、8:電極、9:シールド筒、10:検
出器高圧電源。
Claims (1)
- 対物レンズの上下磁極片間に挿入された試料へ電子線を
照射し、該試料より発生する2次電子を対物レンズ上磁
極片の上方に配置された2次電子検出器によって検出す
るように構成した装置において、該試料より発生する2
次電子を前記2次電T検出器近傍の光軸Z上に結像させ
るための2次電子収集用レンズを前記試料と2次電子検
出器との間に設(Jたことを特徴とする走査電子顕微鏡
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23809883A JPS60130044A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 走査電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23809883A JPS60130044A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 走査電子顕微鏡 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60130044A true JPS60130044A (ja) | 1985-07-11 |
JPH057820B2 JPH057820B2 (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=17025138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23809883A Granted JPS60130044A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 走査電子顕微鏡 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60130044A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63146336A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-06-18 | 株式会社アドバンテスト | 粒子線測定装置のスペクトロメータ対物レンズ |
EP0290620A1 (en) * | 1986-11-28 | 1988-11-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Apparatus for observation using charged particle beams and method of surface observation using charged particle beams |
JP2012230919A (ja) * | 2012-08-27 | 2012-11-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線の照射方法及び荷電粒子線装置 |
US8759761B2 (en) | 2008-08-26 | 2014-06-24 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged corpuscular particle beam irradiating method, and charged corpuscular particle beam apparatus |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52162853U (ja) * | 1976-06-04 | 1977-12-09 |
-
1983
- 1983-12-16 JP JP23809883A patent/JPS60130044A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52162853U (ja) * | 1976-06-04 | 1977-12-09 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63146336A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-06-18 | 株式会社アドバンテスト | 粒子線測定装置のスペクトロメータ対物レンズ |
EP0290620A1 (en) * | 1986-11-28 | 1988-11-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Apparatus for observation using charged particle beams and method of surface observation using charged particle beams |
US4928010A (en) * | 1986-11-28 | 1990-05-22 | Nippon Telegraph And Telephone Corp. | Observing a surface using a charged particle beam |
US8759761B2 (en) | 2008-08-26 | 2014-06-24 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged corpuscular particle beam irradiating method, and charged corpuscular particle beam apparatus |
JP2012230919A (ja) * | 2012-08-27 | 2012-11-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線の照射方法及び荷電粒子線装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH057820B2 (ja) | 1993-01-29 |
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