JP3399989B2 - 荷電粒子エネルギー分析装置 - Google Patents

荷電粒子エネルギー分析装置

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JP3399989B2 JP27874992A JP27874992A JP3399989B2 JP 3399989 B2 JP3399989 B2 JP 3399989B2 JP 27874992 A JP27874992 A JP 27874992A JP 27874992 A JP27874992 A JP 27874992A JP 3399989 B2 JP3399989 B2 JP 3399989B2
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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、荷電粒子エネルギー分
析装置に関する。特に、本発明は、適当な電離放射で試
料に衝突させることにより試料の表面から放射された荷
電粒子のエネルギーを分析するため使用される荷電粒子
エネルギー分析装置に関するものである。放射された粒
子のエネルギースペクトルは、試料の化学的成分につい
ての情報を与える。
【０００２】
【従来の技術】本発明は、分析装置の入力光学の磁気レ
ンズを形成する部分の磁気鏡像力場(magnetic imaging
field)中に試料が侵漬する種類の荷電粒子エネルギー分
析装置に関する。このような荷電粒子エネルギー分析装
置は、我々の欧州特許第２４３０６０号に記載されてい
る。前記エネルギー分析装置は、シュノーケル型磁気レ
ンズを採用している。調査される試料は、レンズの磁気
鏡像力場中に侵漬され、そして軟Ｘ線または紫外線のよ
うな適当な電離放射が衝突させられ、その表面から光電
子が放射される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】電気絶縁で非導電の試
料の場合は、その表面からの光電子の放射は、試料を正
に電気的に荷電させ、そしてこれは放射粒子のエネルギ
ースペクトルを歪ませ、エネルギー分析の損失の原因と
なる望ましくない結果をもたらす。この表面荷電を中和
する意図から、普通は低エネルギーフラッドガンまたは
分析装置箱の壁からの光放射線による低エネルギー光電
子の雲を生成する紫外線のソースを使用して試料の表面
に低エネルギー電子を導く。しかしながら、これらの技
法は、試料が磁気レンズの磁気鏡像力場に侵漬されると
きには、不十分であることが判明した。これは、試料の
近くの磁界は比較的強く、そして投射する低エネルギー
電子を試料の表面から遠くへそらす傾向にあることによ
る。本発明の目的は、この問題点を少なくとも軽減する
荷電粒子エネルギー分析装置を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、磁気レ
ンズ、試料上に放射線を導き、それから荷電粒子を放射
させるように配置された放射線のソース、所定のエネル
ギー範囲にあるエネルギーを有する放射粒子は磁気鏡像
力場により焦点が合わされ、そしてそのエネルギー範囲
から外れたエネルギーを有する放射粒子は焦点が合わな
いようにした磁気レンズの磁気鏡像力場中に侵漬された
試料、焦点が合った粒子のエネルギーを分析するための
分析手段および、磁気鏡像力場が試料上の荷電を修正す
るため試料上に荷電粒子を導くことを可能とする手段を
具備した荷電粒子エネルギー分析装置が提供される。
【０００５】これにより磁気鏡像力場は、例え試料が磁
気レンズの磁気鏡像力場中に侵漬されても、その上の荷
電を修正する荷電粒子を試料上に導くことを可能とす
る。本発明の１実施例では、可能とする手段は、試料上
の荷電を修正するための焦点が合わない粒子の少なくと
もいくつかを利用する電極装置を具備し、そして最後に
は、電極装置は、前記焦点が合わない粒子および／また
は前記焦点が合わない粒子から得られた二次荷電粒子
を、磁気鏡像力場が、その上の荷電を修正する試料の上
に加速された粒子の少なくともいくつかを案内すること
を可能とするように試料に向かって加速するのに有効で
ある。
【０００６】荷電粒子エネルギー分析装置は、前記放射
荷電粒子と同極性を有する他の荷電粒子を発生する手段
を含み、前記可能とする手段は試料に向かって他の荷電
粒子を加速するのに有効であり、前記磁気鏡像力場が試
料の上の荷電を修正するため、試料の上に加速された他
の荷電粒子の少なくともいくつかを案内することを可能
とするものである。電極装置により発生される静電加速
電界の強度および／または前記他の放射線のソースによ
り電極装置上に導かれる放射線の強度は、試料の実質的
荷電中和をもたらすように調整される。
【０００７】本発明の他の実施例では、可能とする手段
は、放射粒子と同極性を有する荷電粒子のソース、およ
び、磁気鏡像力場の光学軸に実質的に交差する電界へ至
るソースからの荷電粒子を支配する電界発生手段を具備
し、それによりソースからの荷電粒子が、前記光学軸に
向かうドリフトを生じ、そして磁気鏡像力場により試料
上に案内される。荷電粒子のソースは、好適には電界発
生手段を形成する加熱フィラメントである。後者の場
合、加熱フィラメントは半円で、そして磁気鏡像力場の
光学軸の中心上にある。電界発生手段は、それに加えて
あるいはその代わりに一対の電極板プレートを具備す
る。他の配置では、電界発生手段は電極手段を具備し、
そして荷電粒子のソースは、荷電粒子がそこから放射さ
れるように電極手段上に放射線が導かれるように配置さ
れた電離放射のソースを具備する。
【０００８】
【実施例】本発明による荷電粒子エネルギー分析装置の
実施例を図面を参照して説明する。本発明による荷電粒
子エネルギー分析装置は、試料から放射される正イオン
または負イオンの電子のエネルギーを分析するのに使用
される。しかしながら、説明を簡単にするため、以後図
面を参照して説明される荷電粒子エネルギー分析装置
は、電子、特に、Ｘ線または他の適当な電離放射のよう
な一次放射線でもってそれを衝突させることにより試料
から放射される光電子のエネルギーの分析に関する光電
子スペクトロメーターである。
【０００９】図１を参照すると、光電子スペクトロメー
ターは、電子エネルギー分析装置１０、エネルギー分析
装置１０と関係する入力光学(input optics)２０、試料
Ｓが支持される試料ホルダーＨ、および二次光電子がそ
こから放射されるように試料Ｓの表面に放射線を導くた
めのＭｇＫαのようなＸ線ソースＲを具備する。これら
の要素は、ポンピング部２に接続された適当な高真空ポ
ンプ（図示せず）により真空引きされた真空容器１に収
納される。
【００１０】電子エネルギー分析装置１０は適当な電圧
源１３により異なる電位に保持される１対の同心金属半
球１１，１２からなる周知の半球静電体である。より詳
細に説明するように、分析される光電子はエネルギー分
析装置１０の入口スリット１４において入力光学２０に
より焦点合わせされ、そしてそれらの異なるエネルギー
にしたがって、半球間のスペース中の電界により分離さ
れる。
【００１１】エネルギー分離された電子は、一対のマイ
クロチャンネルプレート(microchannel plates) および
マイクロチャンネルプレートに隣接する蛍光スクリーン
１６からなる焦点面検出器１５により検出される。典型
として、レンズ系１７は、蛍光スクリーン１６から電荷
結合検出アレー１８または他の感光検出器上に焦点光を
供給する。この手段により、電子エネルギー分析装置１
０は入口スリット１４において受ける光電子のエネルギ
ースペクトルを発生する。
【００１２】光電子スペクトロメーターの入力光学２０
は、この実施例では、シュノーケル型で、入力光学の光
学軸Ｘ−Ｘ上に位置するセンター磁極２１ａ、環状の同
軸磁極２１ｂおよび磁極２１ａと２１ｂを一体にするベ
ース２１ｃからなる磁気レンズ２１を有する。励磁コイ
ル２１ｄは、磁極２１ａと２１ｂの間に環状に保持さ
れ、軸Ｘ−Ｘに沿って磁気鏡像力場を発生するため電流
が供給されるとセンター磁極２１ａを励磁する。ホルダ
ーＨに支持された試料Ｓはセンター磁極２１ａの直前の
磁気レンズ２１の磁気鏡像力場中に侵漬され、ソースＲ
からのＸ線はそこから光電子を放射させるために試料上
に導かれる。
【００１３】励磁コイル２１ｄに供給される電流は、磁
気鏡像力場が、選ばれた狭エネルギー帯のエネルギーを
有する光電子を導きそして焦点合わせするような強さで
あるように選択される。そのような光電子は、受けた光
電子を遅らせそしてそれらが分析のため分析装置に入る
エネルギー分析装置１０の入口スリット１４でそれらを
焦点合わせする目的の静電多極レンズ組立体２２の物平
面と一致する像平面Ｉにおいて焦点を合わせるため運ば
れる。
【００１４】もし所望ならば、スペクトロメーターは、
電流が磁気レンズの励磁コイル２１ｄに供給され、そし
て、半球１１，１２に与えられる電位が同期して走査す
ることにより試料から放射される光電子の全エネルギー
スペクトルを通して磁気レンズにより選択されたエネル
ギー帯を走査する走査モードで操作される。図１および
２における曲線ａ，ｂは、磁気レンズにより選択された
狭エネルギー帯域にあるエネルギーを有する２つの光電
子ＰａとＰｂがとる飛しょう経路を図示したものであ
る。実際に、そのような光電子は光学軸Ｘ−Ｘの周囲を
螺旋状に走る。
【００１５】磁気レンズにより選択されたエネルギー帯
域の外のエネルギーの光電子は、焦点に至らず、そして
それぞれ図２および図３に示す曲線ｃおよびｄは、その
ような２つの焦点が合わない光電子がとる飛しょう経路
を示す。図２に示す曲線ｃは、選択されたエネルギー帯
域の下限より低いエネルギーを有する光電子Ｐｃがとる
飛しょう経路を表し、図３に示す曲線ｄは、選択された
エネルギー帯域の上限より大きいエネルギーを有する光
電子Ｐｄがとる飛しょう経路を表す。前述のように、２
つの光電子ＰｃとＰｄは螺旋状飛しょう経路をとる。
（低いエネルギーの）光電子Ｐｃは、光電子ＰａとＰｂ
より固く磁気鏡像力場の磁界線に束縛され、そしてその
ため過焦点(overfocus) となり、一方図３の（高エネル
ギーの）光電子Ｐｄは磁界線によりゆるく束縛されて不
足焦点(underfocus)となる。図２に示すように、過焦点
の光電子は、発散した螺旋状の飛しょう経路をとる。
【００１６】電気的に絶縁され非導通試料の場合、その
表面からの光電子の放射線は、試料を正に帯電させそし
て、すでに述べたように、これは分析された電子のエネ
ルギースペクトルを乱し、そしてエネルギー分解能の損
失の原因となる。この問題軽減のため、試料Ｓと像平面
Ｉの間の磁気鏡像力場の中に配置された環状の電極プレ
ート２３が設けられる。電極プレートは、環状で接地さ
れた終端スクリーン２４によりプレートの周辺に限定さ
れた静電加速電界を発生する負電位に保持される。この
手段により、静電加速電界は、電極プレート２３の中央
開口２５を通る焦点が合った光電子の動作には影響をし
ない。しかしながら、焦点が合わない光電子は、試料に
直面する終端スクリーンの壁を形成する荒いメッシュ２
６を通してプレートの静電界領域に入ることになる。
【００１７】電極プレート２３は試料に十分に近く位置
させられ、その静電加速電界はエネルギーに依存する過
焦点の光電子の少なくともいくつかを反射するのに有効
である。静電界は、反射された光電子を試料に向かって
加速し、それらの少なくともいくつかを磁気レンズ２１
の磁気鏡像力場により試料に戻すことを可能とする。図
２の曲線ｃ’は、試料の表面に戻される反射された過焦
点光電子Ｐｃを表している。
【００１８】相対的に高いエネルギーで不足焦点の光電
子は、通常上記の様式で反射されるには高エネルギーす
ぎる。しかしながら、少なくともいくつかの不足焦点光
電子は、電極プレート２３に衝突して、低いエネルギー
の二次電子をそこから放射させる。過焦点光電子の場合
と同様に、電極プレート２３の表面から放射された二次
電子は、図３の曲線ｄ’により表示したように、それら
のいくつかは磁気レンズの磁気鏡像力場により試料上に
導かれるように試料に向かって加速される。
【００１９】環状電極２３に供給される電位は、光電子
がその表面から放射される結果試料から失われる電荷
と、環状電極２３により発生する静電界の影響により試
料が得る電荷の間のバランスをとるために調整されると
いうことが認識されるであろう。この方法により、試料
の荷電中和は、従来採用されていた不十分な技術に依存
することなく確実に達成される。
【００２０】例えば電子ビームまたは焦点合わせされた
単色Ｘ線ソースのような電離放射の高度に集中したソー
スが使用される時のような操作環境においては、焦点の
合った光電子の比率は比較的高く、そして試料の荷電中
和を達成する焦点の合わない光電子は少ししか存在しな
い。これらの環境においては、付加的な低エネルギー電
子のソースを設けることが望まれる。最後に、紫外線ま
たはその他の電離放射のソース２７は環状電極プレート
２３を照射し、低エネルギー光電子をその表面から放射
させる。図４の曲線ｅにより表されるように、低エネル
ギー光電子は、電極プレート２３によって発生する試料
に向かって加速され、それらのいくつかが磁気レンズ２
１の磁気鏡像力場により試料上に導かれることを可能と
する。
【００２１】図５〜７は本発明の３つの他の実施例を示
す。図５を参照すると、加熱タングステンフィラメント
３０が中和電子のソースを供給する。半円のフィラメン
トは、磁気鏡像力場の光学軸Ｘ−Ｘの中心にあり、そし
てフィラメントの端部に交差して発生する弱い電界が磁
気鏡像力場に横断的になるように方向づけられる。
【００２２】フィラメントの極性は、互いに直交する電
界および磁界とに結び付いた効果が、フィラメントから
の放射電子を矢印Ｄで表示するような軸Ｘ−Ｘに向かっ
て内側にドリフトさせるようになっている。放射電子が
軸Ｘ−Ｘに近づくと、それらは磁気鏡像力場のフィール
ド線により試料Ｓ上に導かれる。放射電子のドリフト速
度は、電界と磁界の強度のＥ／Ｂ比で与えられる。その
ため電界が弱ければ、ドリフト速度および光学軸Ｘ−Ｘ
に到達する放射電子のエネルギーも弱くなる。相対的に
弱い電界は利点が見出せる。もし試料に超過電子が加え
られると、これら電子の（不所望の）荷電効果は、それ
らの比較的低いエネルギーにより低減される。図１の光
電子の経路ａとｂ上の強い電界の効果による光学的乱れ
もまた、低減される。
【００２３】図６を参照すると、横断的電界は、光学軸
Ｘ−Ｘの１側に配置された１対の電極プレート４０，４
０’により発生される。図示された実施例においては、
中和電子のソース４１は真っ直ぐな加熱タングステンフ
ィラメントである。しかしながら、（例えば半円の）曲
線状のフィラメントも代わりに用いることができる。適
当な直流バイアス電圧が電極プレート間に供給され、そ
してその極性は、加熱フィラメントからの放射電子が光
学軸Ｘ−Ｘに向かってドリフトするようなものである。
放射電子はそこで磁気鏡像力場の収束するフィールド線
により試料Ｓ上に導かれる。
【００２４】図７に示す実施例では、図６の配置と同様
に、横断的電界は再び電極プレート５０，５０’により
発生される。しかしながら、加熱フィラメントは、低エ
ネルギ光電子を放射するように電極プレート５２および
／またはプレート５０，５０’を照射するために導かれ
る紫外線または他の電離放射のソース５１に代えられて
いる。
【００２５】前述のように、電極プレート間の横断的電
界は、放射電子を光学軸Ｘ−Ｘに向かってドリフトさ
せ、そして電子はそこで磁気鏡像力場により試料Ｓ上に
導かれる。荷電粒子エネルギー分析装置の操作におい
て、磁気鏡像力場の強度は、約４程度の要因により変更
される。
【００２６】図５〜７を参照して説明した実施例では、
理想的には、前述の比率Ｅ／Ｂは、磁界の強さが変化し
ても、荷電中和の同程度を維持するために実質的に一定
に保たれる。最終的に、電界強度Ｅは、磁界強度Ｂに比
例して決められ、そしてこれは、磁気レンズ２１に供給
される励磁電流と共に電極プレート４０，４０’；５
０，５０’に供給される直流電圧を傾斜させることによ
り達成することができる。
【００２７】本発明は、光電子スペクトロメーターを参
照して説明されてきたが、本発明は、例えば欧州特許２
４３０６０号で説明したスペクトル顕微鏡を含む荷電粒
子顕微鏡のような、他の種類の荷電粒子エネルギー分析
装置に適用可能であることは理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の荷電粒子エネルギー分析装置の概略を
示す断面図。
【図２】図１の光学入力を拡大して示した断面図。
【図３】図１の光学入力を拡大して示した断面図。
【図４】図１の光学入力を拡大して示した断面図。
【図５】本発明の他の実施例の概略を示す図。
【図６】本発明の他の実施例の概略を示す図。
【図７】本発明の他の実施例の概略を示す図。
【符号の説明】
１…真空容器 １０…エネルギー分析手段 １１，１２…半球静電体 １３…電圧源 １４…入口スリット １５…焦点面検出器 １６…蛍光スクリーン １７…レンズ系 １８…電荷結合検出アレー ２０…入力光学 ２１…磁気レンズ ２１ａ、２１ｂ…磁極 ２１ｃ…ベース ２１ｄ…励磁コイル ２２…静電多極レンズ組立体 ２３…電極 ２４…終端スクリーン ２６…メッシュ ２７…ソース ３０，４１，５１…加熱フィラメント ４０，４０’，５０，５０’…直流バイアス電極 Ｈ…試料ホルダー Ｉ…像平面 Ｐａ，Ｐｂ，Ｐｃ，Ｐｄ…光電子 Ｒ…Ｘ線ソース Ｓ…試料 Ｘ−Ｘ…光学軸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−108240（ＪＰ，Ａ) 米国特許4810879（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 37/252 H01J 37/20 H01J 49/44 - 49/48

Claims (21)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気レンズ（２１）、 試料（Ｓ）上に放射線が導かれ、荷電粒子がそこから放
    射されるように配置された放射線のソース（Ｒ）、 所定のエネルギー範囲にあるエネルギーを有する放射粒
    子は、磁気鏡像力場により焦点を合わせるように運ば
    れ、所定のエネルギー範囲から外れたエネルギーを有す
    る放射粒子は焦点を合わせないようにした、前記磁気レ
    ンズ（２１）の磁気鏡像力場中に浸漬された試料
    （Ｓ）、 前記焦点が合った荷電粒子のエネルギーを分析するため
    の分析手段（１０）、および前記試料（Ｓ）の上の荷電
    を修正する荷電修正手段（２３）であって、少なくとも
    いくつかの焦点が合わない荷電粒子および／または、前
    記焦点が合わない荷電粒子から得られた荷電粒子を、前
    記試料（Ｓ）に向かって加速する電極装置を具備し、前
    記磁気鏡像力場が前記試料（Ｓ）上に少なくともいくつ
    かの加速された荷電粒子を導くことにより、前記試料
    （Ｓ）上の荷電の修正を達成することを可能にする荷電
    修正手段（２３）、 を具備する荷電粒子エネルギー分析装置。
  2. 【請求項２】 前記放射荷電粒子と同極性を有する他の
    荷電粒子を発生する手段（２７）を含み、前記荷電修正
    手段（２３）は、前記試料（Ｓ）に向かって他の荷電粒
    子を加速するのに有効であり、それらを前記磁気鏡像力
    場により前記試料（Ｓ）上に案内する請求項１に記載の
    荷電粒子エネルギー分析装置。
  3. 【請求項３】 前記他の荷電粒子を発生するための手段
    （２７）は、他の荷電粒子がそこから放射されるように
    前記電極装置（２３）上に放射線を導くよう配置された
    他の放射線のソースを具備する請求項２に記載の荷電粒
    子エネルギー分析装置。
  4. 【請求項４】 前記放射線の他のソース（２７）は、紫
    外線放射のソースである、請求項３に記載の荷電粒子エ
    ネルギー分析装置。
  5. 【請求項５】 前記電極装置（２３）は、操作中に、所
    定の直流バイアス電位に保たれ、そして前記磁気レンズ
    （２１）の光学軸（Ｘ−Ｘ）上に位置する中央開口（２
    ５）を有する環状電極（２３）を具備する請求項１〜４
    のいずれか１項に記載の荷電粒子エネルギー分析装置。
  6. 【請求項６】 前記電極装置（２３）は、環状電極（２
    ３）により発生された静電加速電界を終結するための終
    結手段（２４，２６）を含む請求項５に記載の荷電粒子
    エネルギー分析装置。
  7. 【請求項７】 前記終結手段（２４,２６）は、前記環
    状電極（２３）の周囲に配置された接地スクリーンを具
    備する請求項６に記載の荷電粒子エネルギー分析装置。
  8. 【請求項８】 前記電極手段（２３）は、静電加速電界
    を発生するのに有効であり、そして静電加速電界の強度
    および／または前記他の放射線のソース（２７）により
    電極装置（２３）上に導かれる放射線の強度は、試料
    （Ｓ）の実質的荷電中和をさせるように調整される請求
    項１〜７のいずれか１項に記載の荷電粒子エネルギー分
    析装置。
  9. 【請求項９】 磁気レンズ（２１）、 試料（Ｓ）上に放射線が導かれ、荷電粒子がそこから放
    射されるように配置された放射線のソース（Ｒ）、 所定のエネルギー範囲にあるエネルギーを有する放射粒
    子は、磁気鏡像力場により焦点を合わせるように運ば
    れ、所定のエネルギー範囲から外れたエネルギーを有す
    る放射粒子は焦点を合わせないようにした、前記磁気レ
    ンズ（２１）の磁気鏡像力場中に浸漬された試料
    （Ｓ）、 前記焦点が合った荷電粒子のエネルギーを分析するため
    の分析手段（１０）、および前記試料（Ｓ）から放射さ
    れた荷電粒子と同極性を有する荷電粒子のソース（３
    ０、４１、５１）および、前記磁気鏡像力場の光学軸
    （Ｘ−Ｘ）に実質的に交差する電界を発生する電界発生
    手段を具備する荷電修正手段、 を具備し、 前記電界および前記磁気鏡像力場の結合効果により、前
    記荷電粒子のソース（３０、４１、５１）からの荷電粒
    子を、前記電界に交差する方向で前記光学軸（Ｘ−Ｘ）
    に向かってドリフトさせ、試料（Ｓ）上の荷電を修正す
    るために、前記放射粒子が磁気鏡像力場により試料
    （Ｓ）上に案内されることを特徴とする荷電粒子エネル
    ギー分析装置。
  10. 【請求項１０】 前記荷電粒子のソース（３０、４１）
    は、加熱フィラメントである請求項９に記載の荷電粒子
    エネルギー分析装置。
  11. 【請求項１１】 前記電界発生手段は、加熱フィラメン
    トを具備する請求項１０に記載の荷電粒子エネルギー分
    析装置。
  12. 【請求項１２】 前記加熱フィラメント（３０）は半円
    形で、前記加熱フィラメントの両端を結ぶ直線が、前記
    磁気鏡像力場の光学軸（Ｘ−Ｘ）の中心上にある請求項
    １１に記載の荷電粒子エネルギー分析装置。
  13. 【請求項１３】 前記電界発生手段は、更に、一対の直
    流バイアス電極プレート（４０，４０’、５０，５
    ０’）を具備する請求項１１または１２に記載の荷電粒
    子エネルギー分析装置。
  14. 【請求項１４】 前記電界発生手段（４０，４０’、５
    ０，５０’）は、前記荷電粒子のソースから独立である
    請求項９に記載の荷電粒子エネルギー分析装置。
  15. 【請求項１５】 前記荷電粒子のソースは加熱フィラメ
    ント(４１）であり、前記電界発生手段は電極装置（４
    ０，４０’）を具備する請求項１４に記載の荷電粒子エ
    ネルギー分析装置。
  16. 【請求項１６】 前記電界発生手段は、電極手段（５
    ０，５０’）を具備し、前記荷電粒子のソースは、荷電
    粒子がそこから放射されるように、前記電極手段（５
    ０，５０’）上に放射線が導かれるように配置された電
    離放射のソース（５１）を具備する請求項９に記載の荷
    電粒子エネルギー分析装置。
  17. 【請求項１７】 前記電離放射のソース（５１）は、紫
    外線放射のソースである請求項１６に記載の荷電粒子エ
    ネルギー分析装置。
  18. 【請求項１８】 前記磁気レンズ（２１）は、シュノー
    ケル型レンズである請求項１〜１７のいずれか１項に記
    載の荷電粒子エネルギー分析装置。
  19. 【請求項１９】 電子エネルギー分析装置として使用さ
    れる請求項１〜１８のいずれか１項に記載の荷電粒子エ
    ネルギー分析装置。
  20. 【請求項２０】 光電子スペクトロメーターとして使用
    される請求項１９に記載の荷電粒子エネルギー分析装
    置。
  21. 【請求項２１】 光電子顕微鏡として使用される請求項
    １９に記載の荷電粒子エネルギー分析装置。
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