JPH0125318Y2 - - Google Patents
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- JPH0125318Y2 JPH0125318Y2 JP6420681U JP6420681U JPH0125318Y2 JP H0125318 Y2 JPH0125318 Y2 JP H0125318Y2 JP 6420681 U JP6420681 U JP 6420681U JP 6420681 U JP6420681 U JP 6420681U JP H0125318 Y2 JPH0125318 Y2 JP H0125318Y2
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- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- CVOFKRWYWCSDMA-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-n-(2,6-diethylphenyl)-n-(methoxymethyl)acetamide;2,6-dinitro-n,n-dipropyl-4-(trifluoromethyl)aniline Chemical compound CCC1=CC=CC(CC)=C1N(COC)C(=O)CCl.CCCN(CCC)C1=C([N+]([O-])=O)C=C(C(F)(F)F)C=C1[N+]([O-])=O CVOFKRWYWCSDMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
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- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は試料をＸ線或は紫外線によつて照射
し、試料から放出される光電子によつて試料面の
像を形成する装置に関する。
し、試料から放出される光電子によつて試料面の
像を形成する装置に関する。
Ｘ線光電子エネルギー分析法は現在の所、固体
表面の元素分析或は状態分析を非破壊的に行い得
る唯一の方法である。しかし電子検出器が映像分
解能力を持つていないので、試料面上の局所分解
能は電子エネルギー分析器の出射側スリツトの大
きさで決まり１mm位が限度である。
表面の元素分析或は状態分析を非破壊的に行い得
る唯一の方法である。しかし電子検出器が映像分
解能力を持つていないので、試料面上の局所分解
能は電子エネルギー分析器の出射側スリツトの大
きさで決まり１mm位が限度である。
本考案は試料面から放出された光電子によつて
試料面の像を形成し、この像の電子輝度或は電子
を光に変換した後の光輝度を増強することによつ
て試料の光電子エネルギー分光分析の局所分解能
を向上させることを目的としてなされたものであ
る。以下実施例によつて本考案を説明する。
試料面の像を形成し、この像の電子輝度或は電子
を光に変換した後の光輝度を増強することによつ
て試料の光電子エネルギー分光分析の局所分解能
を向上させることを目的としてなされたものであ
る。以下実施例によつて本考案を説明する。
第１図は本考案の一実施例を示すものである。
１は試料、Ｘは試料１を励起するＸ線、ｅは試料
から放出されるＸ線光電子束である。２は電子レ
ンズで電子線束ｅを電子エネルギー分析器Ｅの入
射面に収束させ試料面の光電子による一次像を形
成する。電子エネルギー分析器Ｅは同心二重半球
殻電極３，４間に電圧を印加する型で結像性を有
し、特定のエネルギーを有する光電子によつて上
記一次像の像即ち二次像を電子エネルギー分析器
Ｅの出射面に形成する。この実施例の場合特定エ
ネルギー以外の電子のうち、特定エネルギーから
或る程度以上離れたエネルギーの電子はエネルギ
ー分析器の内側或は外側の電極に衝突して吸収さ
れ、像を形成することができず、特定エネルギー
近辺のエネルギーの電子はエネルギー分析器の出
射面の前後に結像し、上記出射面の位置に対して
はピント外れの像となるので、エネルギー分析器
の出射面には特定エネルギーの電子による鮮明な
像が形成されている。特に電子レンズ２およびエ
ネルギー分析器Ｅで、試料の各点から放射される
電子線束の開き角を余りせまく制限しないように
しておくと、電子像が明るくなると共に、エネル
ギー分析器により形成される二次像の焦点深度が
浅くなり、エネルギー分析器出射面における特定
エネルギー以外の電子による像のぼけ方が強ま
り、特定エネルギーの電子による二次像の鮮鋭さ
が高まる。エネルギー分析器Ｅの出射面に結像す
る電子のエネルギーはエネルギー分析器の電極間
に印加する電圧により変えることができる。電子
エネルギー分析器Ｅの出射面には螢光面６が配置
してあり、その前面には金網５が張設してあり、
螢光面６と金網５との間には螢光面方向に電子を
加速する電圧が印加してある。この電圧は螢光面
６上に結像する電子が螢光を発せしめるに足るエ
ネルギーを持つように設定される。螢光面６に近
接させて光電陰極７が配置してあり螢光面６上の
電子像は一旦光の像に変換されて再び電子像に変
換される。光電陰極７から放出された光電子は周
囲の加速電極８によつて加速されると共に電磁レ
ンズ９により収束され螢光面６１上に試料１面の
三次像を形成し、この電子像は螢光像に変換さ
れ、螢光像は螢光面６１に近接させた光電陰極７
１により再び電子像に変換さる。以下同様のこと
が螢光面６２、光電陰極７２乃至螢光面６４、光
電陰極７４に至るまで３回繰返され、試料面像の
電子輝度が高められる。光電陰極７４から放出さ
れた光電子は加速電極１２で加速されると共に電
子レンズ１０により螢光面１１に収束されて試料
面の光電子像の拡大像を形成し、これが螢光面１
１で可視像に変換される。
１は試料、Ｘは試料１を励起するＸ線、ｅは試料
から放出されるＸ線光電子束である。２は電子レ
ンズで電子線束ｅを電子エネルギー分析器Ｅの入
射面に収束させ試料面の光電子による一次像を形
成する。電子エネルギー分析器Ｅは同心二重半球
殻電極３，４間に電圧を印加する型で結像性を有
し、特定のエネルギーを有する光電子によつて上
記一次像の像即ち二次像を電子エネルギー分析器
Ｅの出射面に形成する。この実施例の場合特定エ
ネルギー以外の電子のうち、特定エネルギーから
或る程度以上離れたエネルギーの電子はエネルギ
ー分析器の内側或は外側の電極に衝突して吸収さ
れ、像を形成することができず、特定エネルギー
近辺のエネルギーの電子はエネルギー分析器の出
射面の前後に結像し、上記出射面の位置に対して
はピント外れの像となるので、エネルギー分析器
の出射面には特定エネルギーの電子による鮮明な
像が形成されている。特に電子レンズ２およびエ
ネルギー分析器Ｅで、試料の各点から放射される
電子線束の開き角を余りせまく制限しないように
しておくと、電子像が明るくなると共に、エネル
ギー分析器により形成される二次像の焦点深度が
浅くなり、エネルギー分析器出射面における特定
エネルギー以外の電子による像のぼけ方が強ま
り、特定エネルギーの電子による二次像の鮮鋭さ
が高まる。エネルギー分析器Ｅの出射面に結像す
る電子のエネルギーはエネルギー分析器の電極間
に印加する電圧により変えることができる。電子
エネルギー分析器Ｅの出射面には螢光面６が配置
してあり、その前面には金網５が張設してあり、
螢光面６と金網５との間には螢光面方向に電子を
加速する電圧が印加してある。この電圧は螢光面
６上に結像する電子が螢光を発せしめるに足るエ
ネルギーを持つように設定される。螢光面６に近
接させて光電陰極７が配置してあり螢光面６上の
電子像は一旦光の像に変換されて再び電子像に変
換される。光電陰極７から放出された光電子は周
囲の加速電極８によつて加速されると共に電磁レ
ンズ９により収束され螢光面６１上に試料１面の
三次像を形成し、この電子像は螢光像に変換さ
れ、螢光像は螢光面６１に近接させた光電陰極７
１により再び電子像に変換さる。以下同様のこと
が螢光面６２、光電陰極７２乃至螢光面６４、光
電陰極７４に至るまで３回繰返され、試料面像の
電子輝度が高められる。光電陰極７４から放出さ
れた光電子は加速電極１２で加速されると共に電
子レンズ１０により螢光面１１に収束されて試料
面の光電子像の拡大像を形成し、これが螢光面１
１で可視像に変換される。
螢光面６と光電陰極７とは薄いガラス板の両面
に透明電極を形成し、片側の透明電極上に螢光面
を反対側の透明電極上に光電面を形成したもので
ある。他の螢光面６１、光電陰極７１等の組合せ
も同じ構造である。
に透明電極を形成し、片側の透明電極上に螢光面
を反対側の透明電極上に光電面を形成したもので
ある。他の螢光面６１、光電陰極７１等の組合せ
も同じ構造である。
なお螢光面１１の所には写真乾板を置くように
してもよく、また螢光面６、光電陰極７、加速電
極８以下光電陰極７４に至るイメージインテンシ
フアイアの部分はチヤンネルプレート型電子増倍
管にしてもよい。もつともこの場合像の分解能は
一チヤンネル当りの孔径によつて制限されるの
で、電子エネルギー分析器Ｅの出射側に拡大投影
用の電子光学系を配置し、試料面の拡大された光
電子像を増強するようにするとよい。
してもよく、また螢光面６、光電陰極７、加速電
極８以下光電陰極７４に至るイメージインテンシ
フアイアの部分はチヤンネルプレート型電子増倍
管にしてもよい。もつともこの場合像の分解能は
一チヤンネル当りの孔径によつて制限されるの
で、電子エネルギー分析器Ｅの出射側に拡大投影
用の電子光学系を配置し、試料面の拡大された光
電子像を増強するようにするとよい。
本考案光電子顕微鏡は上述したような構成で、
試料面から放出される特定エネルギーの光電子に
よる試料面の像が電子輝度或は光輝度を増強され
て形成されるので光電子分光分析の局所的分解能
が向上されるだけでなく、試料面の元素分布とか
状態が映像として把握でき試料の分析、鑑定、検
査、研究等に資する所大である。
試料面から放出される特定エネルギーの光電子に
よる試料面の像が電子輝度或は光輝度を増強され
て形成されるので光電子分光分析の局所的分解能
が向上されるだけでなく、試料面の元素分布とか
状態が映像として把握でき試料の分析、鑑定、検
査、研究等に資する所大である。
図面は本考案の一実施例装置の縦断側面図であ
る。 １……試料、２……電子レンズ、Ｅ……電子エ
ネルギー分析器、６，６１〜６４……螢光面、
７，７１〜７４……光電陰極、５……金網、８…
…加速電極、９……電子レンズ、１０……電子レ
ンズ、１１……螢光面、１２……加速電極。
る。 １……試料、２……電子レンズ、Ｅ……電子エ
ネルギー分析器、６，６１〜６４……螢光面、
７，７１〜７４……光電陰極、５……金網、８…
…加速電極、９……電子レンズ、１０……電子レ
ンズ、１１……螢光面、１２……加速電極。
Claims (1)
- 選択可能な特定エネルギーの電子による像を出
射面に結像する結像性を有する電子エネルギー分
析器の入射面に、試料面から放出された光電子に
よる試料面像を結像させる手段と、上記電子エネ
ルギー分析器の出射面に結像される特定エネルギ
ーの光電子による試料面像を増強するイメージイ
ンテンシフアイアと、このイメージインテンシフ
アイアによつて形成された像を拡大投影する手段
とよりなる光電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6420681U JPH0125318Y2 (ja) | 1981-04-30 | 1981-04-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6420681U JPH0125318Y2 (ja) | 1981-04-30 | 1981-04-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57175045U JPS57175045U (ja) | 1982-11-05 |
| JPH0125318Y2 true JPH0125318Y2 (ja) | 1989-07-28 |
Family
ID=29860288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6420681U Expired JPH0125318Y2 (ja) | 1981-04-30 | 1981-04-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0125318Y2 (ja) |
-
1981
- 1981-04-30 JP JP6420681U patent/JPH0125318Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57175045U (ja) | 1982-11-05 |
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