JPS62295452A - 電極形成方法 - Google Patents
電極形成方法Info
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- JPS62295452A JPS62295452A JP11413086A JP11413086A JPS62295452A JP S62295452 A JPS62295452 A JP S62295452A JP 11413086 A JP11413086 A JP 11413086A JP 11413086 A JP11413086 A JP 11413086A JP S62295452 A JPS62295452 A JP S62295452A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（イ）産業上の利用分野
本発明はショットキ・バリア・ダイオード等の電極形成
方法に関するものである。
方法に関するものである。
（ロ）従来の技術
一般にショットキ・バリア・ダイオード等の製造に於い
て、電極材料としてモリブデン（ＭＯ）を用いる。例え
ば特開昭５９−２１１２８５号公報が詳しく、第２図（
イ）に示す如く、半導体基板（１）の開孔部にモリブデ
ン膜（２）を形成し、次に第２図（ロ）に示す如く、前
記モリブデン膜（２）の上に電極例えばアルミニウムを
形成する際にニッケル（Ｎｉ）膜（４）を形成し、モリ
ブデン膜（２）とニッケル膜（４）とを熱処理すること
で、後工程の熱ストレスにより膜剥れ等を防止していた
。
て、電極材料としてモリブデン（ＭＯ）を用いる。例え
ば特開昭５９−２１１２８５号公報が詳しく、第２図（
イ）に示す如く、半導体基板（１）の開孔部にモリブデ
ン膜（２）を形成し、次に第２図（ロ）に示す如く、前
記モリブデン膜（２）の上に電極例えばアルミニウムを
形成する際にニッケル（Ｎｉ）膜（４）を形成し、モリ
ブデン膜（２）とニッケル膜（４）とを熱処理すること
で、後工程の熱ストレスにより膜剥れ等を防止していた
。
しかし前記モリブデン膜（２）とニッケル膜（４）とは
接着性が悪く、更に前記モリブデン膜（２）とニッケル
膜（４）の間にチタン膜を形成していた。
接着性が悪く、更に前記モリブデン膜（２）とニッケル
膜（４）の間にチタン膜を形成していた。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
一般にモリブデン膜（２）とニッケル膜（４）はリン酸
と硝酸の含んだ水溶液をエツチング液として使用でき、
チタン膜は弗酸水溶液をエツチング液として使用できる
。
と硝酸の含んだ水溶液をエツチング液として使用でき、
チタン膜は弗酸水溶液をエツチング液として使用できる
。
しかし実際はモリブデン膜（２）とチタン膜の間にモリ
ブデンとチタンの合金層が形成されるために前述したモ
リブデン膜（２）のエツチング液が使用できず、別のエ
ツチング液を必要とした。
ブデンとチタンの合金層が形成されるために前述したモ
リブデン膜（２）のエツチング液が使用できず、別のエ
ツチング液を必要とした。
５ （ニ）問題点を解決するための手段本発明は斯る
問題点に鑑みてなされ、少なくとも半導体基板（１）上
にモリブデン膜（２）を形成する工程と、該モリブデン
膜（２）を熱処理する工程と、前記モリブデン膜（２）
上にチタン膜（３）を形成する工程と、該チタン膜（３
）上に金属膜（４）を形成する工程と、該金属膜（４）
・チタン膜（３）・モリブデン膜（２）を蝕刻する工程
とにより解決するものである。
問題点に鑑みてなされ、少なくとも半導体基板（１）上
にモリブデン膜（２）を形成する工程と、該モリブデン
膜（２）を熱処理する工程と、前記モリブデン膜（２）
上にチタン膜（３）を形成する工程と、該チタン膜（３
）上に金属膜（４）を形成する工程と、該金属膜（４）
・チタン膜（３）・モリブデン膜（２）を蝕刻する工程
とにより解決するものである。
（＊）作用
前述した如く、モリブデン膜（２）を形成した後、温度
４００°Ｃ〜５００°Ｃで数十分間前記モリブデン膜（
２）を熱処理することで、後工程でチタン膜（３〉を被
覆しても前記モリブデンとチタンの合金層が形成しなく
なり、従来のエツチング液で蝕刻することができる。
４００°Ｃ〜５００°Ｃで数十分間前記モリブデン膜（
２）を熱処理することで、後工程でチタン膜（３〉を被
覆しても前記モリブデンとチタンの合金層が形成しなく
なり、従来のエツチング液で蝕刻することができる。
（へ）実施例
一般に高融点金属、例えばモリブデン膜を配線材料に用
いると多結晶シリコン膜に比べて電気抵抗が２桁程低い
。一方アルミニウムに比べて数倍高いが、アルミニウム
に現われるエレクトロマイグレーションが全んど起こら
ないため、現在色々な所で使用されつつある。
いると多結晶シリコン膜に比べて電気抵抗が２桁程低い
。一方アルミニウムに比べて数倍高いが、アルミニウム
に現われるエレクトロマイグレーションが全んど起こら
ないため、現在色々な所で使用されつつある。
次に本発明の電極形成法である電極形成法を第１図を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
先ず第１図（イ）に示す如く半導体基板（１）上にモリ
ブデン膜（２）を形成する。
ブデン膜（２）を形成する。
ここではエレクトロン・ビーム蒸着法により数百人の膜
厚で形成する。その後本発明の特徴となる熱処理を行う
。例えば４００℃〜５００°Ｃで数十分熱処理を行う。
厚で形成する。その後本発明の特徴となる熱処理を行う
。例えば４００℃〜５００°Ｃで数十分熱処理を行う。
従ってこの熱処理を行うことで後の工程でチタン膜（３
）を被覆してもモリブデンとチタンの合金層が形成しな
くなる。
）を被覆してもモリブデンとチタンの合金層が形成しな
くなる。
次に第１図（ロ）に示す如く前記モリブデン膜（２）上
に順次チタン膜（３）、ニッケル膜（４）を形成する。
に順次チタン膜（３）、ニッケル膜（４）を形成する。
ここでは前記モリブデン膜（２）と同様にエレクトロン
・ビーム蒸着法により夫々数百人の膜厚で形成する。
・ビーム蒸着法により夫々数百人の膜厚で形成する。
最後に第１図（ハ）に示す如く、前記ニッケル膜（４）
、チタン膜（３）、モリブデン膜（２）を順次所望形状
に蝕刻する。
、チタン膜（３）、モリブデン膜（２）を順次所望形状
に蝕刻する。
ここでは先ず前記ニッケル膜（４）をリン酸・硝酸の含
んだ水溶液で蝕刻し、次に前記チタン膜（３）を弗酸水
溶液で蝕刻し、更に前記モリブデン膜（２）をニッケル
膜（４）のエツチング液で蝕刻する。
んだ水溶液で蝕刻し、次に前記チタン膜（３）を弗酸水
溶液で蝕刻し、更に前記モリブデン膜（２）をニッケル
膜（４）のエツチング液で蝕刻する。
本工程は本発明の特徴とする所である。従来では前述し
た如く、モリブデンとチタンの合金層が形成されるため
に、前記モリブデン膜（２）上の合金層をニッケル膜（
４）のエツチング液でエツチングすることが不可能であ
ったが、前述の熱処理工程でモリブデンとチタンの合金
層が形成されないために容易にエツチング可能となる。
た如く、モリブデンとチタンの合金層が形成されるため
に、前記モリブデン膜（２）上の合金層をニッケル膜（
４）のエツチング液でエツチングすることが不可能であ
ったが、前述の熱処理工程でモリブデンとチタンの合金
層が形成されないために容易にエツチング可能となる。
従って更に電極配線としてアルミニウムを使用してもア
ルミニウムによるスパイクがニッケル膜（４）で防止で
き、また前記ニッケル膜（４）とモリブデン膜（２）は
前記チタン膜（３）を中間に形成することで良好に被覆
することが可能となる。
ルミニウムによるスパイクがニッケル膜（４）で防止で
き、また前記ニッケル膜（４）とモリブデン膜（２）は
前記チタン膜（３）を中間に形成することで良好に被覆
することが可能となる。
〈ト）発明の効果
以上の説明からも明らかな如く、前記モリブデン膜（２
）を熱処理することで、従来より使用されているエツチ
ング液で良好にエツチングでき、更にはアルミスパイク
を防止でき密着性の良い電極を形成でき、信頼性を向上
させることができる。
）を熱処理することで、従来より使用されているエツチ
ング液で良好にエツチングでき、更にはアルミスパイク
を防止でき密着性の良い電極を形成でき、信頼性を向上
させることができる。
また工程数も簡略化できるためコストを削減できる。
第１図（イ）乃至第１図（ハ）は本発明の電極形成法を
説明する断面図、第２図（イ）乃至第２図（ハ）は従来
の電極形成法を説明する断面図である。 （１）は半導体基板、（２）はモリブデン膜、（３）は
チタン膜、（４）はニッケル膜である。 出願人 三洋電機株式会社外１名 代理人 弁理士 西野卓嗣 外１名 第１図Ｕ） 第 １ 図 （ロ） 第１図い） 第２図（）） 第 ２ 図 （ロノ 第２図い）
説明する断面図、第２図（イ）乃至第２図（ハ）は従来
の電極形成法を説明する断面図である。 （１）は半導体基板、（２）はモリブデン膜、（３）は
チタン膜、（４）はニッケル膜である。 出願人 三洋電機株式会社外１名 代理人 弁理士 西野卓嗣 外１名 第１図Ｕ） 第 １ 図 （ロ） 第１図い） 第２図（）） 第 ２ 図 （ロノ 第２図い）
Claims (1)
- （１）少なくとも半導体基板上にモリブデン膜を形成す
る工程と、該モリブデン膜を熱処理する工程と、前記モ
リブデン膜上にチタン膜を形成する工程と、該チタン膜
上に金属膜を形成する工程と、該金属膜・チタン膜・モ
リブデン膜を蝕刻する工程とを具備することを特徴とし
た電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11413086A JPS62295452A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11413086A JPS62295452A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62295452A true JPS62295452A (ja) | 1987-12-22 |
| JPH0579188B2 JPH0579188B2 (ja) | 1993-11-01 |
Family
ID=14629886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11413086A Granted JPS62295452A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62295452A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0373573A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-28 | Sanken Electric Co Ltd | シヨットキバリア半導体装置 |
-
1986
- 1986-05-19 JP JP11413086A patent/JPS62295452A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0373573A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-28 | Sanken Electric Co Ltd | シヨットキバリア半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0579188B2 (ja) | 1993-11-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |