JPS62295143A - 再構成可能なサブアレイの形態でデ−タを供給するメモリアレイ - Google Patents

再構成可能なサブアレイの形態でデ−タを供給するメモリアレイ

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JPS62295143A
JPS62295143A JP29577486A JP29577486A JPS62295143A JP S62295143 A JPS62295143 A JP S62295143A JP 29577486 A JP29577486 A JP 29577486A JP 29577486 A JP29577486 A JP 29577486A JP S62295143 A JPS62295143 A JP S62295143A
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JP
Japan
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array
bits
address
subarray
circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP29577486A
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English (en)
Inventor
ジェフリー シイ.モリス
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Caere Corp
Original Assignee
Palantir Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 本発明は異なったサブアレイ乃至は副アレイに再構成す
ることの可能なメモリ回路に関するものである。
種々の数の位置又はアドレス及び種々のワード幅を持っ
たメモリ回路は従来公知である。例えば。
4.096−1ビツトワード、1,024−8ビツトワ
ード、16,384−1ビツトワード等を格納するメモ
リチップがある。従って、従来のメモリチップは種々の
寸法のバイナリビットのデータのアレイを格納し、該ア
レイはそれ自身固定した寸法を持っている。従来のメモ
リチップは、そのアドレスに格納されるデータのワード
を供給することによってアドレスに応答する・ 本発明は、以上の点に鑑みなされたものであって、上述
した如き従来技術の欠点を解消し、異なったサブアレイ
に再構成することの可能なメモリ回路を提供することを
目的とする。
パターン認識システムにおいて、認識されるべきパター
ンを表すバイナリデータは、後に認識処理のいて使用す
る為にメモリ内に屡々格納される。
この様なメモリ格納の]一形態は、ランダムアクセスメ
モリ(RAM)であって、その場合、各ビット位置が認
識されるべきパターン内のピクセル即ち画素に対応する
。成る認識適用においては、16ビツト×1ビツトの形
態でこれらの画素ビットを読み取ることが所望され、一
方、その他の適用においては、4ビツト×4ビツトのコ
ンフィギユレーション即ちも1成で画素ビットを読み取
ることが要求される。本発明は、いずれのコンフィギユ
レーションにおいてもRAMビットを読み取ることを可
能とする新規なRAMアクセス方式に関するものである
RAMアレイが16個のデータ出力信号を供給する16
個の8対1マルチプレクサのアレイへ接続されている。
該RAM内のデータは4,096X4,096ビツトア
レイを供給すべくコンフィギャー即ち構成されている。
アドレスされると、該RAMは該マルチプレクサヘデー
タ出力信号を供給し1次いでそれは16個の出力信号を
供給する。該マルチプレクサへ供給される選択信号に依
存して、該マルチプレクサ〜の16個の出力信号は、4
,096x4,096のアレイの16×1サブアレイか
又は4,096X4,096アレイの4×4サブアレイ
のいずれかを供給する。
更に1本発明において使用されるアドレッシング手法は
、16X1又は4X4のいずれかのサブアレイの選択を
制御する為に、行アドレス又は列アドレスのいずれかに
おける2つの最低次ビット又は信号を使用する。このこ
とが行われる態様は添付の図面を参照してより良く理解
することが可能である。
以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の態様
に付いて詳細に説明する。
第1図は4,96X4,96ビツトメモリアレイ100
の模式的概略図である2本明細書を通して、4,096
x4,096ビツトアレイに付いて説明するが、その他
のアレイ寸法も使用することが可能である。このアレイ
を構成する為に、16.393,216ビツトの能力を
持ったメモリシステムを与えることが必要である。従っ
て、本発明の1実施例においては、アレイ100のデー
タは、各々が256KX1ビツトとして組織される、6
4個の256キロビツトのダイナツクRAM内に格納さ
れる。これらの64個のRAMは第2図に示した如きア
レイに物理的に組織される。
第1図におけるサブアレイ104の如き16ビツト×1
ビツトのサブアレイ、か又はサブアレイ106の如き4
ビツト×4ビツトのサブアレイのいずれかを読み取る能
力を与えることが望まれる。
このことを達成する為に、第3図に示した如く、アレイ
100内の各RAMのデータ出力リードはバス101で
表される64本のライン上をマルチプレクサアレイ10
Bによって表される16個の8対1マルチプレクサのア
レイへ提供される。4/16II選択ライン110上の
信号に応答して、マルチプレクサアレイ108は16本
の出力ラインを与え、その上の信号は、サブアレイ10
4の如き16X1ビツトサブアレイか、又はサブアレイ
106の如き4×4ビツトサブアレイのいずれかを表す
。2ビツトアドレスバス112上及び4/16*選択ラ
イン110上の選択信号は結合して、アレイ108のマ
ルチプレクサによって行われる8対1の選択を決定する
第4図はマルチプレクサアレイ108の概略図である。
そこに示される如く、RAMアレイ100からの複数個
の信号DOUT−o乃至DOUT−63がアレイ108
の16個のマルチプレクサの入力リードへ与えられる。
信号DOUT−0はRAMアレイ100内のRAM0が
らのデータ出力信号に対応し、DOUT−1の符号を付
した信号はRAMアレイ100内のRAMIによって与
えられ、以下同様である。第4図に示した如く、本発明
の1実施例においては、マルチプレクサアレイ108は
、テキサスインスルツメンツ社から入手可能なモデル番
号74I、5451の如くに識別されるデバイスの如き
8個のデバイス109を有している。各74LS451
は2つの8対1マルチプレクサを有している。
表1は、3本の入力選択ラインに応答してアレイ108
内のマルチプレクサによって選択されるR A Mをリ
ストしている。4/16 m選択ライン110が高であ
ると、マルチプレクサ109は第1図のサブアレイ10
4の如き16×1サブアレイとして構成された16個の
出力信号を供給する。
4 / 16 m選択ライン110が低であると、マル
チプレクサ109は第1図のサブアレイ106と同様な
4×4サブアレイとして構成された16個の出力信号を
供給する。
糞よ 4/16ネSEL  5ELI  5EL2    完
訳されるR A Mo    0  0    0乃至
15001     16乃至31 0    1  0     32乃至47011  
   4g乃至63 1     0   0      12−Is、28
−31.44−47゜1     0   1    
   g−11,24−27,40−43゜1    
 1   0      4−7.20−23.36−
39゜1     1   1      0−3.1
6−19.32−35゜各メモリアドレスは、16X4
アレイ位置を特定する18ビツト及び、第1図に示した
4つのこの様なサブアレイ106の如き4つの4×4サ
ブアレイの1つか、又はサブアレイ104の如き4つの
16×1サブアレイの1つを特定する2つの付加的なビ
ットを有している。ソフトウェアから設定することの可
能な制御リードがどの読取形式を使用するかを特定する
実際のアドレスビットが送られる位置を変更させる手段
と結合される場合、このアドレッシング手法は、16X
1及び4×4ワードの両方をアクセスする為の簡単なア
ドレス手法を可能とする。
16x1をアクセスする場合、Xアドレスは4゜96/
16=256ワ一ド幅であり、且つYアドレスは409
6エントリーの深さである。このことは、8xアドレス
ビツト、及び12Yアドレスビツトを必要とする。12
Yビツトの2つの最小桁は、16×47レイ内の4つの
16×1サブアレイワードのどの1つを読み取るかを特
定する為に使用される。4×4モードにおいて、X及び
Yの両方が1,024ワードを持っており、且つ各10
ビツトはX及びY方向において必要と去れる。
この場合、2つのサブアレイ選択ビットはXアドレスな
2つの最小桁位置を占有する。
アレイ100内の各RAMは、第3図内に示したスイッ
チ回路120によって発生される同一の18ビツトアド
レスを受け取る。スイッチ回路120もバス112上に
2つの選択信号を与える。
スイッチ回路120は、バス116からの信号Ao乃至
A19及び4/16傘選択ライン110上の信号からな
る20ビツトアドレスを受け取り、且つそこからバス1
12及び113上にアドレス信号を発生する。信号AO
乃至A19は、ホストCPU (不図示)の如き供給源
によって発生される。
第5a図に示した如く、4/16 本選択ライン110
が低であると、それはマルチプレクサアレイ108によ
って供給されるデータが16×1サブアレイの形態であ
ることを表すが、ビットA8及びA9はバス112上に
2つの選択信号を形成し且つ2つの最下位Y又はコラム
即ち列アドレス信号を有する。ビットAO乃至A7は、
プレイ1oO内の各RAMに対して又又は行アドレス信
号を形成し、且つ信号AIO乃至A19はアレイ100
内の各RAMに対して残りのY又は列アドレス信号を形
成する。逆に、第5b図に示した如く、4/161選択
ライン110上の信号が高であると、それはマルチプレ
ク108によって与えられるデータが4×4サブアレイ
の形態であることを表すが、最下位の2つのXアドレス
信号を有するビットAO乃至A1はバス112上の選択
信号を形成し、ビットA2乃至A9はアレイ100内の
RAMに対して又又は行アドレスを形成し、且つビット
AIO乃至A19はY又は列アドレスを形成する。
第1図は、アドレスが順次に増加される場合に、4×4
サブアレイと16×1サブアレイがどのようにして読み
取られるかを示している。4×4の場合、最も左側の4
×4サブアレイ106が最初に読み取られ、次いで右側
のものが読み取られ、以下同様である。16X1の場合
、104の如くアドレスされた16×1から布引へ次の
16×47レイへ移動して、次の所望の16×1サブア
レイへアクセスすることが必要である。
64RAM出力を16ビツトヘマツプする為にデコード
手法が必要と去れる。第4図は、64RAM出力の各々
が16個の8:1マルチプレクサのフィールド内の2つ
の異なった位置へ移行することを示している。4つの内
の1つのフィールドを使用して、16×1サブアレイ読
み取りをデコードし、且つ別のものを使用して4X4サ
ブアレイ読み取りをデコードする。該2つの選択ビット
(4X4モードにおいてはビット0,1又16×1モー
ドにおいてはビット8及び9)は、16×4内の4つの
サブアレイのどれが選択されるかを特定する。これらの
デコーダは、4/16*SELが差異だ埋けたマルチプ
レクサアドレスビットである様に配設されている。従っ
て、表1に示した如く、下位の4つのマルチプレクサ入
力は、16×1人力に対応し、且つ上位4つは4×4人
力に対応する。
上述した如くデータをサブアレイの形態に供給する為に
、第6図に示した如き特定のパターンに従ってRAMア
レイ100内にデータを格納することが必要である。特
に、第6図は第2図に示した64個のRAMの内容をア
ドレスする好適な方法を示しており、この場合各RAM
は256,000ビツトのエリアを有している。第6図
中のアレイ100の左上角における要素101はo、O
から0,15へ延在しているものとして識別されている
。最初の数字0はその要素に対するXアドレスを示して
おり、一方その要素における右側の最後の数字15はビ
ット数を示している。従って、この要素は最初のX位置
でアドレス可能な最初の要素の中に16ビツト0−15
を有している。右側の次の要素101bは1.O;1,
15として識別され、それは2番目のX位置においてア
ドレス可能な16ビツト0−15を有していることを表
している。このアドレス方式は、符号を付した要素によ
って表される如く、アレイ100の全体に渡って継続す
る。
本発明の詳細な説明すると、16×1サブアレイ104
(第1図)に対応するビットを供給することが所望され
る場合、4/16m選択ライン110が低であり、16
X1サブアレイが供給されるべきことを表し、且つバス
112上の信号5EL1及び5EL2は低である。この
ことは、表1に示した如く、データ源としてRAM0乃
至15を選択し、且つ256のアドレスがこれらのRA
Mへ与えられる。
同様に、4×4サブアレイ106に対応するデータを供
給することが所望される場合、4/16選択ライン11
0は高であり、且つバス112上の信号5ELL及び5
EL2は1及び0である。
このために、RAM4乃至7.20乃至23.36乃至
39.52乃至55がデータ源として選択される。
以上、本発明の具体的実施の態様に付いて詳細に説明し
たが1本発明はこれら具体例にのみ限定されるべきもの
では無く、本発明の技術的範囲を逸脱すること無しに種
々の変形が可能であることは勿論である0例えば1本発
明は上述したものと異なった寸法のサブアレイで使用す
ることも可能である。又、再構成可能なメモリは、2つ
のタイプのサブアレイ以上を選択して出力を供給するこ
とも可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は複数個の16×1サブアレイと複数個の4×4
サブアレイを示した4、096X4,096ビツトアレ
イの説明図、第2図は本発明に基づく64個のRAMで
構成されたメモリシステムのブロック図、第3図は本発
明におけるRAMアレイとマルチプレクサアレイとの間
の関係を示したブロック図、第4図は第3図中のマルチ
プレクサアレイへの又そこからの接続を示した概略図、
第5a図乃至第5b図は2つのサブアレイに対してのX
及びYアドレス形式を示した各説明図、第6図は第2図
のRAMアレイ内のRAMの部分的メモリマツプを示し
た説明図、である。 (符号の説明) 100:データアレイ 101:バス 104.106:サブアレイ 108:マルチプレクサアレイ 110:4/16*選択ライン 120:スイッチ回路 手続補正吉(絋) 昭和62年4月15日 特許庁長官  黒 1)明 雄 殿 1、事件の表示   昭和61年 特 許 願 第29
5774号3、補正をする者 事件との関係   特許出願人 名称    ザ パランチール コーポレーション4、
代理人 一−−−・j 5、補正命令の日付 昭和62年2月4日(62年2月24日発送)6、補正
により増加する発明の数   な し7、補正の対象 
    明細書及び図面(内容に変更なし)補正の内容 1、 本願添付明細書第17頁5行中、「第4図は」と
「第3図中の・・・・・・」の間に次項を加入する。 「第4a図乃至第4d図の配置関係を示した説明図、第
4a図乃至第4d図は」 (以 上)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、メモリアクセス用回路において、Xビット×Yビッ
    トのアレイを格納するランダクアクセスメモリ手段、複
    数個の出力信号を供給する出力手段、を有しており、前
    記出力手段は前記出力信号が前記アレイ内のAビット×
    Bビットの第1サブアレイに対応する第1モードで動作
    し、且つ前記出力手段は前記出力信号が、C×D=A×
    Bとして、前記アレイ内のCビット×Dビットの第2サ
    ブアレイに対応する第2モードで動作することを特徴と
    するメモリ。 2、特許請求の範囲第1項において、前記ランダムアク
    セスメモリ手段は複数個のランダクアクセスメモリを有
    しており、且つ前記出力手段は前記ランダクアクセスメ
    モリの出力ヘ接続されるマルチプレクサのアレイを有し
    ていることを特徴とする回路。 3、特許請求の範囲第2項において、前記ランダクアク
    セスメモリへN個のアドレス信号を又前記マルチプレク
    サのアレイへ複数個の選択信号を供給する回路手段を有
    しており、前記回路手段はM個のアドレス信号を受け取
    り且つN個のアドレス信号及びM>Nとして前記M個の
    受け取ったアドレス信号の組に応答して前記複数個の選
    択信号を供給することを特徴とする回路。 4、特許請求の範囲第3項において、アレイ寸法選択ラ
    インを有しており、前記出力手段は、前記アレイ寸法選
    択ライン上の第1バイナリ信号に応答して前記第1モー
    ドとなり、前記出力手段は前記アレイ寸法選択ライン上
    の第2バイナリ信号に応答して前記第2モードとなるこ
    とを特徴とする回路。 5、特許請求の範囲第1項において、前記ランダムアク
    セスメモリ手段をアドレスするアドレス手段を有してお
    り、前記アドレス手段はXアドレス要素とYアドレス要
    素とを持っており、前記Xアドレス要素又は前記Yアド
    レス要素のいずれかはAビット×Bビットの前記サブア
    レイか又はCビット×Dビットの前記サブアレイのいず
    れかが前記出力手段によって選択されるかを表すサブア
    レイ選択情報を有していることを特徴とする回路。 6、特許請求の範囲第5項において、前記選択情報は前
    記Xアドレス要素又は前記Yアドレス要素のいずれかの
    最小桁部分内に包含されていることを特徴とする回路。 7、特許請求の範囲第2項において、前記ランダクアク
    セスメモリの前記出力の2つが前記マルチプレクサアレ
    イ内のマルチプレクサの各々の入力へ接続されいること
    を特徴とする回路。 8、特許請求の範囲第7項において、前記Xアドレス要
    素及び前記Yアドレス要素は、前記Aビット×Bビット
    のサブアレイが選択される時に同じ長さであることを特
    徴とする回路。 9、特許請求の範囲第6項において、前記Xアドレス要
    素及び前記Yアドレス要素は、前記Cビット×Dビット
    のサブアレイが選択される時に長さが同じでないことを
    特徴とする回路。 10、特許請求の範囲第8項において、前記サブアレイ
    選択情報は前記Xアドレス要素の最小桁部分内に包含さ
    れていることを特徴とする回路。 11、特許請求の範囲第9項において、前記サブアレイ
    選択情報は前記Yアドレス要素の最小桁部分内に包含さ
    れていることを特徴とする回路。
JP29577486A 1985-12-13 1986-12-13 再構成可能なサブアレイの形態でデ−タを供給するメモリアレイ Pending JPS62295143A (ja)

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US80879385A 1985-12-13 1985-12-13
US808793 1985-12-13

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS544534A (en) * 1977-06-14 1979-01-13 Fujitsu Ltd Memory element
JPS55150179A (en) * 1979-05-04 1980-11-21 Fujitsu Ltd Semiconductor memory unit
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JPS5850693A (ja) * 1981-09-18 1983-03-25 Omron Tateisi Electronics Co メモリシステムのメモリアクセス方法

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