JPS62293518A - 情報記録装置 - Google Patents

情報記録装置

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JPS62293518A
JPS62293518A JP13595986A JP13595986A JPS62293518A JP S62293518 A JPS62293518 A JP S62293518A JP 13595986 A JP13595986 A JP 13595986A JP 13595986 A JP13595986 A JP 13595986A JP S62293518 A JPS62293518 A JP S62293518A
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disk
recording
magnetic
core
optical
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JP13595986A
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English (en)
Inventor
Nobuyoshi Tsuboi
坪井 信義
Yoshio Sato
佐藤 美雄
Satoshi Shimada
智 嶋田
Hiroshi Sasaki
宏 佐々木
Norifumi Miyamoto
詔文 宮本
Hiroaki Koyanagi
小柳 広明
Hiroyuki Minemura
浩行 峯邑
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は光メモリの記録・消去に係り、特に高速に情報
を記録・消去するのに好適な光メモリの記録・及び消去
装置に関する。
〔従来の技術〕
近年f?を報記録の高、密度化、デジタル化が進むにつ
れて種々の情報記録再生方式の開発が進められている。
特にレーザの光エネルギを情報の記録消去、再生に利用
した光ディスクは工業レアメタル’Na 80.198
3 (光ディスクと材料)に記載されているように磁気
ディスクに比べ、高い記a密度が可能であり、今後の情
報記録の有力な方式である。このうち、レーザによる再
生装置はコンパクト・ディスク(CD)として実用化さ
れている。
一方、記録可能な方式には追記型と書き換え可能型の大
きく2つに分けられる。前者は1回の書き込みのみが可
能であり、消去はできない。後者はくり返しの記録、消
去が可能な方式である。追記型の記録方法はレーザ光に
より記録部分の媒体を破壊あるいは成形して凹凸をつけ
、再生にはこの凹凸部分でのレーザ光の干渉により光反
射量の変化を利用する。この記録媒体にはTeやその合
金一般的に知られている。この種の媒体では毒性など若
干の問題を含んでいる。書き換え可能型の記録媒体とし
ては光磁気材料が主流である。この方法は光エネルギを
利用してキュリ一点あるいは補償点温度付近で媒体の局
部的な磁気異方性を反転させ記録し、その部分での偏光
入射光の磁気ファラデー効果及び磁気カー効果による偏
光面の回転量にて再生する。この方法は書き換え可能性
の最も有望なものとして数年後の実用化を目指し精力的
な研究開発が進められている。その他の書き換え可能型
方式として記録媒体の非晶質の結晶質の可逆的相変化に
よる反射率変化を利用したものがある。例えばナショナ
ルテクニカルレポート第29巻第5号(Nationa
l Technical ReportVo129 、
 Na5) (1983)に記載Te○スに少量のGe
およびSnを添加した材料がある。発明者らは、特願昭
59−42079号、特願昭59−130611号明細
書において、新規な光記録合金媒体を開示している。こ
の光記録合金は、室温で二つの結晶構造を持つものであ
る。即ち、第2図のように2媒体を変態温度01以上に
上げ急冷した場合と、変態湿度θ2とθlの間に保持し
た場合とで結晶構造が異なるものである。このように室
温で二つの異なる結晶構造を持つため、レーザ光等の電
磁波の分光反射率や電気比抵抗、屈折率、偏光率、透過
率等の物理的、又は、電気的特性も異なるので、この特
性の変化を利用して情報を記録することができる。
ところで、この種の書換え可能ディスクは消去が容易に
できるようにすると当然の事ながら記録したデータの長
期安定性が悪くなる。このため、データの長期安定性か
ら考えると、できるだけ高い記録温度・消去温度である
ことが望ましい。上記した光記録合金は結晶と結晶間の
相変化を利用するものであるから非晶質と結晶間の相転
位を利用するものに比べ本質的に安定であり、データの
長期安定性からは秀れている。
しかし、現在半導体レーザの出力は数十mwが量産品の
限界であり、高エネルギを媒体に与えることは困難であ
った。
このため、安定性の高い記録媒体として前記光記録合金
を用いて、従来のレーザによる加熱と全く異なる加熱方
法として、光記録合金の附近に磁束発生装置を設け、4
体に磁束の変化を与えて渦電流を発生させ、ジュール熱
による加熱が本出願人から出願されている。60−22
3588 、この発明は概念的なものであり、ディスク
の一部を局部的に昇温させる技術は開示されていなかっ
た。
〔作用〕
記録媒体の1部に渦電流が集中するので、媒体の1部を
前記した消去温度あるいは記録温度附近まで昇温させる
ことができる。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、記録媒体の1部に過電流を集中させる磁気
回路を磁性部材で構成することにより達成される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術は渦電流の流れる場所を集中させる点につ
いて何ら開示されておらず、実際には記録媒体の1部を
昇温させることが技術的に大きな問題であった。
本発明の目的は記録媒体の1部を渦電流により加熱し、
記録及び消去速度が速く、データの長期安定性が高い情
報記録装置を提供するにある。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。磁気
ヘッド20はコア22、コイル26、電源28で構成さ
れている。図示しないスイッチを投入するとコイル26
に電流が流れ磁速φ生じる。
ここで重要な要素は膜の少なくとも一層に良導体膜が含
まれていることであり、前記した光記録合金は良導体で
あ′る。この磁気ヘッドの電源28が交流電源であれば
磁束φは交番磁界となり、ディスク10の導体である記
録材料14に渦電流が生じる。ここで、コアB24はコ
アA22デイスクを介して対向しており、コア22から
生じる磁束が通る磁気回路を成す。ディスク1oは基板
12と記録材料14、保護膜15を基本構成としており
、基板12の厚さは通常1 、2 m mである。
この基板(ガラス)厚さはディスク表面についたゴミ等
の影響を小さくするためにガラス表面でのレーザスポッ
ト径は数mmとし、記録材料14の膜面上で1μmφ程
度のスポット径に集光し。
高いエネルギー密度となるように標準的に決められてい
るものである。この基板厚さは空気ギャップと同様な磁
気抵抗となるので、記録材料14番こおける磁束密度を
高めるためにコア22の極NおよびSを接近させると磁
極N、磁極S間の洩れ磁束の方が多くなり、記録材料1
4・磁束密度は減少し効率は低下する。すなわち磁極N
、磁極S間の距#念は洩れ磁束の少ない範囲で小さくし
た方が良いが基板厚さより小さくなると与えたアンペア
ターンに対して、実際にディスクの導電体に流れる渦電
流が減少する。この距離Ωを大きくするとWL極N、磁
極S間の磁気回路の1部を成す空気ギャップが大きくな
り、記録膜における磁束密度は低下する。このため、コ
アB24を設けると磁気抵抗は低下し磁気ヘッドから発
生した磁束の大部分がこのコア24を通り、従って記録
膜14を貫く。磁束φが交番磁界の場合には、この磁束
の変化を防げる方向に渦電流が発生し、ジュール熱が発
生する。磁束φが直流磁界であっても、ディスクが回転
すると記録膜14の、磁束が変化するので、渦電流は発
生する。ここでは交番磁界の場合について説明する。第
1図(a)の平面図第1図(b)は記録膜14を流れる
渦電流を示したものである。渦電流は磁極N、磁極Sの
周囲を上述の方向に流れ電流密度は磁極の周囲では低く
、磁極間では高くなり、発生するエネルギ密度は磁極間
で高くなる。従って磁極間の記録膜14の温度を高くす
ることができる。
以上1例とした光記録合金は、二つの異なる結晶構造間
で相変化しても比抵抗はほとんど変らずいずれも良導体
の特性を示す。このように二つの状態とも良導体の場合
は、記録材料で渦電流が発生するので第3図のように、
簡単な膜構成で良いことが分る。一方、S、R,オプシ
ンスキー氏の特公昭47−26897号公報で開示され
た記録材料で代表される結晶−非晶質相変化利用記録媒
体は、非晶質になるとほとんど電気を通さない絶縁状態
となる。このため、この非晶質物質に磁束の変化を与え
ても渦電流は生じない。このように渦電流の発生がない
か、あるいは、少ない記録媒体を使用する場合は、第4
図に示すように、記録媒体に近接して良導体膜を付加す
る必要がある。
次に具体的な磁束発生方法について説明する。
第5図における磁束発生器200は、コイル26゜スイ
ッチ24.電源28、可変抵抗器29で構成されている
。スイッチ27を投入すると、コイル26に電流が流れ
て磁束φが生じる。この磁束発生器200とディスク1
oの位置が相対的に変動していれば、ディスク10の導
体上に渦電流が生じる。又、可変抵抗器29は、磁束φ
の強さを制御するためのもので、記録媒体の感度に応じ
て調整ができるようになっている。
第6図は、本発明を実施するのに好適な光デイスク装置
の構成を示す。図で、光ディスク1oは。
モータ30により回転されている6光デイスク装置には
、現在、回転数一定方式のものと周速一定方式のものが
開発されているが、ここでは、そのどちらでも良い。こ
のような構成で通常の光デイスク装置では、信号処理器
150により制御された光ヘッド40により情報、ある
いは、データの記録・再生・消去が行なわれるが1本シ
ステムの特徴は、更に、磁束発生器200が付加されて
いる点である。すなわち、第5図で説明したように、磁
束発生器200により磁界が発生し、光デイスク10内
に渦電流が起こり、ディスクが加熱される。このように
して、ディスク内の記録媒体が消去温度θ2に達すると
、ディスク内に記録してあった情報、あるいは、データ
は消去される。又、この磁束発生器[200は、記録感
度向上にも役立てることができる。すなわち、渦電流に
より記録媒体を加熱する際に、消去温度02未満ででき
るだけ高温に加熱すれば、光ヘッド40で加熱する負担
が減り、記録温度θ1に到達する所要時間)も短縮でき
る1図では磁束発生器200がヘッド40と反対側に位
置する例を示したが、同じ側へ設置することもできるの
は勿論である。又、第7図(a)に示すように、ディス
クの回転方向に対し、渦電流発生部と光レーザスポット
の位置関係を図のように配置することによって消去しな
がら記録するオーバライド方式の記録システムを実現す
ることができる。すなわち、第7図(b)に示すように
、渦電流により温度が上昇するが、02以上の時間が消
去所要時間より僅かに少ない値になるように渦電流発生
量を制御しておく、これにより、温度はレーザが照射さ
れないと、α線のように下り、照射されるとβ線のよう
に温度を保持でき、消去が可能となる。又、レーザの強
度を。
更に、γ線にように上昇させ、記録温度θ1に到達して
記録することができる。このように、レー′ザの強度変
調のみで記録・消去ができるのが本システムの特徴であ
る。
次に、磁束発生器200の制御系について第8図(第二
の実施例)第9図を用いて説明する。制御系は、トラッ
クアドレス制御系50,60゜7oと磁束強度制御系8
0により構成する。トラックアドレスは、アドレス制御
部70の指令によりアクチュエータ50が駆動される。
アクチュエータ5oは、ボイスコイルやギヤなどを利用
して作ることができる。又、実際のアドレス62はセン
サ6oにより検出され、フィードバック制御用として使
用される。又、実際のトラックアドレスは、第9図のよ
うにディスク10に記録されているアドレス62を利用
しても良いし、装置の固定部1例えば、ボイスコイルの
静止側に記録しておいても良い。又、アドレスの正確な
制御をしない用途で使用する場合、例えば、ディスク全
体を一括消去するような場合は、アドレスのフィードバ
ック制御は不要であり、この場合は6oを省略しても良
い。
又、ディスクを回転数一定で回している場合。
ディスクの内周と外周では感度が異って来る。従って、
トラックアドレスに応じて磁束密度を制御するのが望ま
しい。この制御機能を果すのがブロック80である。感
度は周速にほぼ比例するので、この周東により磁束を制
御すれば良い。具体的には、第5図の可変抵抗器28.
あるいは、電源26の大きさを変えることによって、コ
イル22に流れる電流が変り、磁束密度φを変えること
ができる。
第10図は、第三の実施例を示したものである。
第8図では、磁束発生器200がディスクの記録領域よ
り小さい例を示したが、第10図は大きい例を示す。こ
のように、コイル26を大きくすれば、ディスクを一回
転するだけでディスク内の情報全てを消去できる。
第11図では、光ディスク10は多数のブロックで構成
されている。すなわち、円周方向にブロックアドレス6
2があり、ブロックが、16a。
i、16b、i+t+・・・のように割り付られでいる
又、ブロックは第12図に示すように、複数のトラック
17で構成されている。このように、ディスク内を複数
のブロックに分け、ブロック単位に磁束を当て情報を消
去することもできる。
第13図は、同心円状にブロック16a、16bを構成
した例である。このように、同心円状に分け、ブロック
間に絶縁物を付加すれば、渦電流が半径方向に流れる心
配がなく局部的な加熱が可能となる。又、絶縁物により
半径方向への熱の流出も少なくなり、熱効率も上げるこ
とができる。
第14図は、状態を確認しながら消去する場合の第四の
実施例を示す。図で、光ヘッド40は、光ディスクの反
射率をモニタし、反射率をトラックアドレス制御部70
にフィードバックするものである。トラックアドレス制
御部70は、反射率が適正な値に入るように、アドレス
をアクチェータ50及び40に指示する。反射率モニタ
部40は、一つの反射率をモニタする場合と複数の反射
率をモニタする場合が考えられる。
第15図、第16図は、一つの反射率をモニタする場合
の光ヘッド4oの方式とアドレス制御部70のアルゴリ
ズムを示す。
第15図において、100は光ヘッドの光学系であり、
コンパクトディスク等再生専用の光ディスクで使用され
ている光学系と基本的に変らないので説明は省略する。
この光ヘツド光学系100の六分割センサで検出された
光は、増幅器42で、増幅され、光のトータル強度、オ
ートフォーカス信号、トラッキングエラー信号となる。
このうち光のトータル強度は、反射率推定に使用され(
ブロック44)、トラックアドレス制御部へフィードバ
ックされる。又、オートフォーカス信号は、オートフォ
ーカス制御器46に導かれ、光ヘツド光学系の対物レン
ズの制御に使用される。又、トラッキングエラー信号は
、トラッキング制御部48に導かれ、トラックアドレス
制御部70からの信号の補正用として使用され、最終的
には、光ヘツド光学系100のトラッキング用ミラー、
あるいは、二次元対物のトラック方向の制御に使用され
る。第16図は、反射率がフィードバックされた時のト
ラックアドレスの制御方法を示す。まず、最初にブロッ
ク44で推定した反射率を読み出し所定の値に入ってい
るかどうかをチェックする。入っていれば消去が完了し
たものと見做し、次のトラックアドレスへコイル20及
び光学系100を移動すべくアドレスの更新をして終了
する。一方、反射率が所定の値に入っていない場合は、
ディスクの速度を下げる指示を出し終了する。
ディスクの速度を下げる目的は、消去のための時間を充
分に取ることであり、基板の温度を上げれば同じような
効果をもたらすので、ディスクの速度を下げる指示の代
りに磁束強度を上げる指示でも良い。
第17図は、本発明の第五の実施例の複数の反射率モニ
タが付いた場合のトラックアドレス制御の方法を示す。
第17図(a)は、反射率モニタの相対的位置関係を示
したものであり、ディスクなどメモリの移動方向に対し
、モニタ用のスポットは後方に設置されるのが望ましい
。第17図(b)は、二個の反射率をモニタとした場合
のトラックアドレス制御部のアルゴリズムの例を示す。
まず、反射率A、Bを読み出す。反射率Bのモニタ位置
は、Aの後方であるものとする。次のステップでは、反
射率Aが規定値内に入っているかどうかをチェックする
。反射率Aが規定値内に入っているということは、Aの
位置ですでに消去が完了していることを示すので、メモ
リの移動速度を更に上げることができる。又、反射率A
が規定値に入っていないときは、更に、反射率Bをチェ
ックする。この反射率Bが規定値内に入っているという
ことは、AとBの間で消去が完了したことを示している
ので、ディスクの移動速度も磁束強度も適切であったこ
とになる。従って、この場合は、トラックアドレスの更
新のみをしていれば良い。
又、反射率Bも規定値に入っていない場合は消去が完了
していないことを示しているので、ディスクの移動速度
を下げるか、あるいは、磁束強度を上げて、再度消去を
試みる必要がある。
第1.8@は、温度検出器90を持つ場合の実施例を示
す。この温度検出器90で検出された温度は磁束強度の
制御用に使用される。第19図はその制御アルゴリズム
を示す。温度検出器は第19図(a)に示すようにメモ
リの移動方向に対し渦電流発生部の最後尾となるように
設置するのが望ましい、すなわち、最後尾の温度が最も
高くこの温度が記録温度にならないように制御する必要
があるからである。勿論、代用として他の部分の温度を
モニタし、使用することも可能である。
第19図(b)は、制御アルゴリズムの一例を示す。検
出器で検出された温度は設定値(記録温度より僅かに低
い値)と比較され、比例・積分制御などの演算が施され
、磁束強度が決定される。
〔発明の効果〕
本発明によれば、レーザに比べ、大領域に高いエネルギ
を与えることができ、しかもメモリ内部から発熱するの
で、ディスク基板を損傷することなく、高速に記録媒体
の消去および記録のための予熱が行われ、高信頼度の情
報記録装置が提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)(b)は本発明の一実施例の磁極構成図、
第2図は記録、消去方法を示すタイムチャート、第3図
、第4図は光メモリ媒体の構成図、第5図は磁束発生の
原理図、第6図は、一実施例の機器構成図、第7図は第
6図の実施例の補足説明図、第8図は、第2の実施例の
機器構成図、第9図はディスク上のトラックアドレス例
の説明図、第10図は本発明の第3の実施例の説明図、
第11図は、実施するのに好適なディスクの説明図、第
12図はディスクの弱部拡大図、第13図は他のディス
クの説明図、第14図は、第4図の詳細説明図、第15
図、第16図はアドレス制御ブロック図、第17図、第
18図、第19図は本発明の磁気回路構成図である。 10・・・光メモリ、24・・・コア、30・・・メモ
リ駆動用モータ、40・・・光ヘッド、50アクチユエ
ータ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、レーザ光源と該レーザ光源を駆動するレーザ駆動回
    路と該レーザ光を光記録媒体面上に収束させる光学系を
    備えた情報記録装置において、交流電源とコイルとコア
    から成る磁束発生装置により、光ディスクの一部を成す
    光記録媒体及び/又は導電体に渦電流を発生させる手段
    を備え、渦電流が該記録媒体及び/又は導電体の特定部
    を流れるように磁極を構成したことを特徴とする情報記
    録装置。 2、前記記録媒体は固体状態の高温における結晶構造が
    高温からの過冷によつて保持される金属又は合金からな
    る特許請求の範囲第1項に記載の情報記録装置。 3、前記磁極はコイルとコアから成り、相異なる極性を
    持つ磁極と光ディスクを介して反対側に磁気回路を成す
    コアを設けたことを特徴とする特許請求の範囲第1項に
    記載の情報記録装置。 4、前記磁極と磁気回路を成すコアはディスクの略半径
    位置に対向して設けること特徴とする特許請求の範囲第
    3項に記載の情報記録装置。 5、前記磁極ディスクの半径方向に可動で、磁気回路を
    成すコアはディスクの略半径位置に設置することを特徴
    とする特許請求の範囲第3項記載の情報記録装置。
JP13595986A 1986-04-09 1986-06-13 情報記録装置 Pending JPS62293518A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13595986A JPS62293518A (ja) 1986-06-13 1986-06-13 情報記録装置
EP87105213A EP0241017B1 (en) 1986-04-09 1987-04-08 Optical memory medium and its information recording and erasing method and apparatus
DE8787105213T DE3783637D1 (de) 1986-04-09 1987-04-08 Optisches speichermedium und dessen informationsaufzeichnungs- und -loeschmethode und geraet dazu.
US07/754,229 US5177717A (en) 1986-04-09 1991-08-28 Optical memory medium and its information recording and erasing method and apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13595986A JPS62293518A (ja) 1986-06-13 1986-06-13 情報記録装置

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ID=15163843

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63214920A (ja) * 1987-03-03 1988-09-07 Makoto Okuda 光記録用担体のためのデ−タ書込読出方法及び装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63214920A (ja) * 1987-03-03 1988-09-07 Makoto Okuda 光記録用担体のためのデ−タ書込読出方法及び装置

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