JPS62293207A

JPS62293207A - 光導波路の製造方法

Info

Publication number: JPS62293207A
Application number: JP61136551A
Authority: JP
Inventors: Rei Otsuka; 玲大塚; Kazuhisa Yamamoto; 和久山本; Tetsuo Taniuchi; 哲夫谷内
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1986-06-12
Filing date: 1986-06-12
Publication date: 1987-12-19

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】３、発明の詳細な説明産業上の利用分野本発明は光導波路の製造方法に関し、より詳しくはＬｉ
Ｎｂ工Ｔａ（１−ｘ）Ｏ３（０＜ｘ＜１）基板上の光導
波路の製造技術に関するものである。

従来の技術２　・＼光導波路を作製する工程として、第３図に示すものがあ
った。（山本、谷内；光導波路の製造方法、特開昭６０
−２９５９５号公報参照）図において、１はＬｉＮｂｘ
Ｔａ（１−ｘ）Ｏ３（○に、ｘ＜、１）基板、３はＳ　
１０２膜、４はレジスト、６は作製された光導波路であ
る。また、ｂの工程はＬ　Ｉ　Ｎｂ　ｘＴ　ａ　（１□
）Ｏ３（０くｘく１）基板１に均一なＳ　１０２膜３を
蒸着させる工程で、Ｃの工程はＳ　１０２膜３の上にレ
ジスト４でパターンを形成する工程で、ｄの工程はレジ
スバターン４を用いてドライエッチによりマスクとなる
Ｓ　ｘ　０２膜３のパターンを作製する。ｅの工程は、
プロトン交換法により光導波路６を作製し、Ｓｉｏ２膜
３をＨＦでエツチングする工程である。

発明が解決しようとする問題点従来の工程には、基板ベーク等の熱処理が３回以上行な
われる。その度、Ｌ　ｉ　ＮｂｘＴ　”　（１−ｘ　）
Ｏ３（０くＩく１）基板１内に、ＬｉＮｂｘＴａ　　−
０（１ｘ）　　３結晶の屈折率とは異なる微小空間領域（ピント）が発生
する。ビットとは、強誘電体物質を熱処理することによ
って、強誘電体物質固有の特性（焦電効果）の結果生じ
るもの特に基板１が＋Ｚ板又け−Ｚ板（Ｚ軸に垂直な面
を有する基板である場合に特に顕著で、基板内のあらゆ
る所に、無作為に発生し、１００″Ｇ、３０ｍの熱処理
を行なうとピットの数は１００ケ／Ｃａ以上存在する。

このピットが存在する場所に光導波路を作製すると、光
の伝播がなされないかあるいは伝播されても散乱等のた
め強度が著しく減少したり、伝播モードが変化したりす
る。このような欠点が存在するため、ピットの発生を防
ぐ必要があるが、現在はその対策がまったくなされてい
ない。

問題点を解決するための手段本発明は、ＬｉＮｂｘＴａ（１−ｘ）Ｏ３（ｏ＜ｘ＜１
）基板上に誘電体膜マスクを用いて光導波路を製造する
に際し、基板の表又は裏面に導電性物質を形成すること
によってピットの生成を防ぎ、光導波路の製造の歩留り
を向上させるものである。

作　　用強誘電体結晶でのピットの発生は、強誘電体を熱変化さ
せると、焦電効果が生じ、たとえば強誘電体物質の＋２
面と−Ｚ面に電荷分布が存在し、その結果物質の屈折率
が異なることによって生じる。したがって、たとえば強
誘電体の＋２面あるいは−２面を同電位にすることによ
りピットを防げる。

本発明では、ＬｉＮｂｘＴａ（１−り０３（Ｏ＜ｘ　＜
１　）基板のたとえば＋２軸面あるいは−Ｚ軸面に一様
な導電性物質を形成することにより、基板内に分極を抑
える効果があり、光導波路作製の歩留りを著しく向上さ
せるものである。

実施例第一実施例として＋Ｚ板のＬ　１ＮｂＯａ基板上に光導
波路を作製する工程図を第１図に示す。図におイテ、１
はＬ　ｉＮｂ　Ｏｓ基板で、２は厚み３００へのへ１膜
で、３は厚み１ｏｏ〇パノ８１０２膜で、４は厚み５０
００Ａのレジスト、６は作製される光導波路である。な
お、基板１の導波路形成面は＋２面（Ｚ軸に平行な）で
ある。

第１図ａの工程は、基板の光導波路作製面の裏６ヘージ面にＡＰ膜２を蒸着する工程で、第１図すの工程は基板
の光導波路作製面に厚み１０００人のＳｉＯ２膜３を均
一に蒸着させる工程で、第１図Ｃの工程は、第１図すの
工程で蒸着させたＳ　ｚ０２膜３上にレジスト４でパタ
ーン化する工程で、第１図ｄの工程は、ＣＦ４ガスによ
るドライエッチによりＳｉＯ２膜３マスク作製を行なう
工程で第１図ｅの工程は、安息香酸処理によるプロトン
交換法にて光導波路６を作製し、ＨＦでＳ　１０２膜３
、Ａ！膜２をエラチン列“ム工程である。第１図ｄの工
程を行なうことにより、第１図す以下の工程で熱処理を
行なわれても、基板１の裏面全体が同電位であるため、
裏面に電荷の分布が生じず、ピットの発生を防ぐことが
できる。また、第１図ａの工程でＡｌ蒸着を行なっても
、第１図ｄの工程で３１０２膜３といっしょにへ１膜２
もエツチングされるので、へ１膜２を取り除く工程がい
らないという利点がある。なお、基板１としてＬ　ｉ　
ＮｂＯ３基板の−Ｚ板、−ｚ面を用いる場合も同様であ
る。

実施例２として、第２図の工程図を示す。図に６へ一７
′ おいて１はＬ　Ｉ　ＮｂＯ３基板、２は３００人（７）
Ａｆｉ膜、３は１０００パノ８１０２膜、４は６０００
Ａ＋７）Ｌ／レジスト６は作製される光導波路である。

また、第１図ａの工程は基板の光導波路作製面にＡ２膜
２を均一に蒸着する工程で、第２図すの工程は第２図ａ
の工程のＡ２膜２の上に５ｉ０２膜３を均一に蒸着させ
る工程で、第１図Ｃの工程は第１図すの工程のＳ　ｚ０
２膜３のさらに上にレジスト４のパターンを形成する工
程で、第２図ｄの工程はＣＦ４ガスによるドライエッチ
により、第２図Ｃの工程のパターンによりＳ　１０２膜
３マスクを作製する工程で、第２図ｅの工程は第２図ｄ
の工程のマスクをプロトン交換法による安息香酸処理を
行なって、Ｌ　Ｉ　Ｎｂ　Ｏｓ基板１上に光導波路６を
作製し、ＨＦでＳ　１０２膜３、Ａ１膜２をエツチング
する工程である。

第２図ａの工程を行うことにより、第２図す以下の工程
で熱処理を行なわれても、ＬｉＮｂＯ３基板１の光導波
路作製面は同電位であるため、ピットの発生を防ぐこと
ができる。

また、以」二の２つの実施例以外にも、Ｌ　ｉ　Ｎｂ　
Ｏｓ等の強誘電体基板の全面にＡｆｉ膜蒸着を施す方法
も考えられる。

なお、実施例は、Ｌ　ｉＮｂ　０３基板にＡｐ、膜を蒸
着させて、プロトン交換法による光導波路作製工程につ
いて説明したが、本発明は、それに限定するものではな
く、Ｌ　１ＮｂＯｓ以外のＬｌＮｂｘＴａ（１，、、ｘ
）ｏ３（Ｏくｘく１）基板ＡＩ！、以外の導電性物質に
よる基板への形成にも適用し、１だ、ＬｉＮｂｘＴａ（
、−、）Ｏ３（０くｘく１）基板＆　Ｓ　ｉ環上に載せ
てフォト工程を行なうという方法等にも適用できる。

発明の効果以上のように本発明によれば、Ｌ　ｘＮｂｘＴａ（１−
ｘ）Ｏ３（ｏくｘく１）基板上の光導波路作製において
、Ｌ　Ｉ　ＮｂｘＴ　ａ　（１−ｘ　）Ｏ３（ｏくｘく
１）基板の光導波路作製表面°あるいは裏面に導電性物
質の膜を形成してから、従来の光導波路作製工程を行な
うことにより、従来の光導波路作製の歩留りを著しく向
上できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は本発明の実施例のＬ　Ｉ　Ｎｂ　０３
基板上に光導波路を作製する方法を示す工程断面図、第
３図は従来の光導波路の作製方法を示す工程断面図であ
る。１・・・・・・Ｌ　Ｉ　Ｎｂ　Ｏｓ基板、２・・・・・
・Ａ２膜、３・・・・・ＳｉＯ２膜、４・・・・・・レ
ジスト、６・・・・・・光導波路。代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名／　
−−−ＬＬＮｂ０３基版２−Ａノ羽１３−３ｉＯｚ膜第　１　図　　　　　　　　　　　　４−ｍ−しシスト
５−−−光導涼ｊト第２図？

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ＬｉＮｂ＿ｘＴａ＿（＿１＿−＿ｘ＿）Ｏ＿３（
０≦ｘ≦１）基板上に、誘電体膜マスクを用いて光導波
路を作製するに際し、前記基板の光導波路を作製する表
面又は裏面に導電性物質を形成してなる光導波路の製造
方法。
（２）ＬｉＮｂ＿ｘＴａ＿（＿１＿−＿ｘ＿）Ｏ＿３（
０≦ｘ≦１）基板が＋Ｚ板又は−Ｚ板である特許請求の
範囲第１項記載の光導波路の製造方法。
（３）導電性物質が蒸着により形成されたＡｌ膜である
特許請求の範囲第１項記載の光導波路の製造方法。