JPS62293131A - 圧力検出器 - Google Patents
圧力検出器Info
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- JPS62293131A JPS62293131A JP13673586A JP13673586A JPS62293131A JP S62293131 A JPS62293131 A JP S62293131A JP 13673586 A JP13673586 A JP 13673586A JP 13673586 A JP13673586 A JP 13673586A JP S62293131 A JPS62293131 A JP S62293131A
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/148—Details about the circuit board integration, e.g. integrated with the diaphragm surface or encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明は圧力検出器に関し、特に小型でかつ組付けも容
易な圧力検出器に関する。
易な圧力検出器に関する。
［従来の技術］
第９図には従来の圧力検出器の一例を示し、検出器は筒
状ハウジング３−を有し、先端部外周のネジ部３ａ”で
圧力室壁に固定される。ハウシング３−の筒内には上端
閉鎖のセンシングボデー２−が保持せしめており、該セ
ンシングボデー２−は上端面中心部を薄肉として受圧ダ
イヤフラム２１−となすとともに該ダイヤフラム２１−
の上面には歪ゲージ素子４−が接合しである。
状ハウジング３−を有し、先端部外周のネジ部３ａ”で
圧力室壁に固定される。ハウシング３−の筒内には上端
閉鎖のセンシングボデー２−が保持せしめており、該セ
ンシングボデー２−は上端面中心部を薄肉として受圧ダ
イヤフラム２１−となすとともに該ダイヤフラム２１−
の上面には歪ゲージ素子４−が接合しである。
歪ゲージ素子４−はその周囲に配したリング状ターミナ
ル板５−の電極にワイヤ線４１−で接続され、歪ゲージ
素子４−の出力信号は上記ターミナル板５−、リード線
６−およびコネクタ７−を経て外部へ取り出される。
ル板５−の電極にワイヤ線４１−で接続され、歪ゲージ
素子４−の出力信号は上記ターミナル板５−、リード線
６−およびコネクタ７−を経て外部へ取り出される。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、上記従来構造の圧力検出器において、受圧感
度を向上せしめるために受圧ダイヤフラム２１−の面積
拡大を図ると、いきおいセンシングボデー２′の径を大
きくする必要があって設置スペースの確保が困難になる
という問題を生じる。
度を向上せしめるために受圧ダイヤフラム２１−の面積
拡大を図ると、いきおいセンシングボデー２′の径を大
きくする必要があって設置スペースの確保が困難になる
という問題を生じる。
特に受圧ダイヤフラム２１′をハウジング３−先端部に
設けることを考えると、圧力空壁に大きな取付開口を設
ける必要があり、シール性の低下を招来する。
設けることを考えると、圧力空壁に大きな取付開口を設
ける必要があり、シール性の低下を招来する。
さらに、上述の構造ではセンシングボデー２′を精度良
く工作してハウジング３−内に嵌装する必要があるため
、製作組付けに手間取るという問題点もあった。
く工作してハウジング３−内に嵌装する必要があるため
、製作組付けに手間取るという問題点もあった。
本発明はかかる問題点に鑑み、受圧感度に優れるととも
に、ハウジングの小型化が可能であり、かつ製作組付け
も容易な圧力検出器を提供することを目的とする。
に、ハウジングの小型化が可能であり、かつ製作組付け
も容易な圧力検出器を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明の構成を第１図で説明すると、検出器は筒状ハウ
ジング２を有し、圧力室内に臨むハウジング２の先端部
開口には、先端閉鎖のセラミック製筒状センシングボデ
ー１が気密的に保持せしめである。上記センシングボデ
ー１は側壁の一部を薄肉となしてこれを受圧ダイヤフラ
ム１３（第５図）となし、受圧ダイヤフラム１３の内側
面に歪ゲージ素子４を接合固定しである。
ジング２を有し、圧力室内に臨むハウジング２の先端部
開口には、先端閉鎖のセラミック製筒状センシングボデ
ー１が気密的に保持せしめである。上記センシングボデ
ー１は側壁の一部を薄肉となしてこれを受圧ダイヤフラ
ム１３（第５図）となし、受圧ダイヤフラム１３の内側
面に歪ゲージ素子４を接合固定しである。
［作用、効果］
上記構造によれば、受圧ダイヤフラム１３はハウジング
２の軸に平行に配設しであるから、受圧感度向上のため
にその受圧面積を拡大し大型化してもハウジング２の径
は大きくする必要がなく、したがって検出器全体がコン
パクトにできるとともに取付開口の拡大によるシール性
の低下等の問題も生じない。
２の軸に平行に配設しであるから、受圧感度向上のため
にその受圧面積を拡大し大型化してもハウジング２の径
は大きくする必要がなく、したがって検出器全体がコン
パクトにできるとともに取付開口の拡大によるシール性
の低下等の問題も生じない。
センシングボデー１および受圧ダイヤフラム１３をセラ
ミックの一体成形で製作したから、製作取付けの手間は
要さず、しかも従来の如きセンシングボデーの高精度加
工の手間も要さない。
ミックの一体成形で製作したから、製作取付けの手間は
要さず、しかも従来の如きセンシングボデーの高精度加
工の手間も要さない。
［実施例］
第１図には圧力検出器の全体構造を示す。上端部を大径
とした筒状ハウジング２には本体外周に取付用ネジ部２
ａが形成しである。上記ハウジング２内には下端開口近
くにセンシングボデー１が設けてあり、該センシングボ
デー１はハウジング２の内周壁に固定したシール板３に
支持せしめである。その詳細を第２図、第３図に示す。
とした筒状ハウジング２には本体外周に取付用ネジ部２
ａが形成しである。上記ハウジング２内には下端開口近
くにセンシングボデー１が設けてあり、該センシングボ
デー１はハウジング２の内周壁に固定したシール板３に
支持せしめである。その詳細を第２図、第３図に示す。
図において、シール板３は厚内の金属円板であり、ハウ
ジング２の先端開口内の段付部に当接ぜしめて全周溶接
により固定しておる。シール板３には中心に四角形の取
付穴が設けられ、これに四角柱のセンシングボデー１の
やや小径とした上半部を挿通して挿通部外筒をシール板
３に接合固定しである。接合構造は、第４図に示す如く
、センシングボデー１側よりＭｏ等のメタライズ層８１
、Ｎｉ無電解メッキ層８２、およびＮ１電解メッキ層８
３を形成し、該メッキ層８３をＡｃｔろう付（プ層８４
によりシール板３に接合する。
ジング２の先端開口内の段付部に当接ぜしめて全周溶接
により固定しておる。シール板３には中心に四角形の取
付穴が設けられ、これに四角柱のセンシングボデー１の
やや小径とした上半部を挿通して挿通部外筒をシール板
３に接合固定しである。接合構造は、第４図に示す如く
、センシングボデー１側よりＭｏ等のメタライズ層８１
、Ｎｉ無電解メッキ層８２、およびＮ１電解メッキ層８
３を形成し、該メッキ層８３をＡｃｔろう付（プ層８４
によりシール板３に接合する。
センシングボデー１の構造を第５図、第６図に示す。セ
ンシングボデー１は耐熱性に優れかつ強度の大きなセラ
ミックより構成され、本実施例では窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ
４）セラミックを使用している。センシングボデー１は
厚肉板状のホルダ部材１１とカバ一部材１２とを衝合接
合したもので、接合構造は、第７図に示す如く、上記両
部材１１．１２側より順次ＭＯ等のメタライズ層８５、
Ｎｉ無電解メッキ層８６、Ｎｉ電解メッキ層８７を形成
し、メッキ層８７同士を八〇ろう付は層８８で接合する
。
ンシングボデー１は耐熱性に優れかつ強度の大きなセラ
ミックより構成され、本実施例では窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ
４）セラミックを使用している。センシングボデー１は
厚肉板状のホルダ部材１１とカバ一部材１２とを衝合接
合したもので、接合構造は、第７図に示す如く、上記両
部材１１．１２側より順次ＭＯ等のメタライズ層８５、
Ｎｉ無電解メッキ層８６、Ｎｉ電解メッキ層８７を形成
し、メッキ層８７同士を八〇ろう付は層８８で接合する
。
ホルダ部材１１には外面中央より下方に凹所１１１が形
成され、この部分で肉厚を薄クシて受圧ダイヤフラム１
３としである。ホルダ部材拘１の外面上半部は段付きに
薄肉としてシール板３（第２図）への取付時の位置決め
用凹所１１２としておる。カバ一部材１２には衝合面に
縦長の凹所１２１が形成され、該凹所１２１は上方へ開
放している。カバ一部材１２の外面上半部には位置決め
用凹所１２２が形成しておる。
成され、この部分で肉厚を薄クシて受圧ダイヤフラム１
３としである。ホルダ部材拘１の外面上半部は段付きに
薄肉としてシール板３（第２図）への取付時の位置決め
用凹所１１２としておる。カバ一部材１２には衝合面に
縦長の凹所１２１が形成され、該凹所１２１は上方へ開
放している。カバ一部材１２の外面上半部には位置決め
用凹所１２２が形成しておる。
カバ一部材１２の凹所１２１に対向するホルダ部材１１
の内側面には受圧ダイヤフラム１３の直上に半導体歪ゲ
ージ素子４が設けておる。すなわち、第８図において、
上記ダイヤフラム１３の中心部には歪ゲージ素子４Ａ、
４Ｃが形成され、周縁部には歪ゲージ素子４Ｂ、４Ｄが
形成しである。
の内側面には受圧ダイヤフラム１３の直上に半導体歪ゲ
ージ素子４が設けておる。すなわち、第８図において、
上記ダイヤフラム１３の中心部には歪ゲージ素子４Ａ、
４Ｃが形成され、周縁部には歪ゲージ素子４Ｂ、４Ｄが
形成しである。
これら歪ゲージ素子４Ａ〜４Ｄは、ダイヤフラム面に低
圧ＣＶＤ等により多結晶シリコン層を形成し、該シリコ
ン層にボロン（Ｂ）等の不純物をドープしたものである
。歪ゲージ素子４Ａ〜４Ｄは蒸着等により形成したＡρ
リード電極４１．４２．４３．４４により互いに接続さ
れてフルブリッジ回路を構成しており、各リード電極４
１〜４４は上方へ延びて、ホルダ部材１１の上端部に設
けた端子４５（第５図）に至っている。端子４５は導電
性ペーストを焼結したものである。
圧ＣＶＤ等により多結晶シリコン層を形成し、該シリコ
ン層にボロン（Ｂ）等の不純物をドープしたものである
。歪ゲージ素子４Ａ〜４Ｄは蒸着等により形成したＡρ
リード電極４１．４２．４３．４４により互いに接続さ
れてフルブリッジ回路を構成しており、各リード電極４
１〜４４は上方へ延びて、ホルダ部材１１の上端部に設
けた端子４５（第５図）に至っている。端子４５は導電
性ペーストを焼結したものである。
上記各端子４５にはリードピン５１が半田付は接続され
、各リードピン５１はハウジング２内を上方へ延びて（
第１図）ハウジング上端部内に設けたターミナル板５２
のリード電極（回路）に接続されている。ターミナル板
５２の上方にはり一ドピン５３に支持せしめてセラミッ
ク基板５４が配設してあり、該基板５４には信号処理回
路が形成されてこれは上記リードピン５３によりターミ
ナル板５２上の上記リード電極に導通している。
、各リードピン５１はハウジング２内を上方へ延びて（
第１図）ハウジング上端部内に設けたターミナル板５２
のリード電極（回路）に接続されている。ターミナル板
５２の上方にはり一ドピン５３に支持せしめてセラミッ
ク基板５４が配設してあり、該基板５４には信号処理回
路が形成されてこれは上記リードピン５３によりターミ
ナル板５２上の上記リード電極に導通している。
ハウジング２の上方開口に覆着されたカバ一体５５の中
心にはリード線５６が挿通してあり、該リード線５６は
上記信号処理回路に接続しである。
心にはリード線５６が挿通してあり、該リード線５６は
上記信号処理回路に接続しである。
受圧ダイヤフラム１３に圧力が印加されるとダイヤフラ
ム１３はこれに応じて変形し、変形歪に応じた抵抗変化
が歪ゲージ素子４Ａ、４Ｃに生じる。しかして、信号処
理回路を経て測定圧に応じた出力信号が取り出される。
ム１３はこれに応じて変形し、変形歪に応じた抵抗変化
が歪ゲージ素子４Ａ、４Ｃに生じる。しかして、信号処
理回路を経て測定圧に応じた出力信号が取り出される。
上記構造の圧力検出器によれば、受圧ダイヤフラム１３
をハウジング２の軸方向に配したから、ダイヤフラム１
３の受圧感度を増大せしめるためにこれを大型化しても
ハウジング２の径を大きくする必要はなく、検出器全体
がコンパクトになる。
をハウジング２の軸方向に配したから、ダイヤフラム１
３の受圧感度を増大せしめるためにこれを大型化しても
ハウジング２の径を大きくする必要はなく、検出器全体
がコンパクトになる。
これに伴ない、取付穴拡大に伴なうシール性の悪化も避
けられ得る。
けられ得る。
センシングボテ−１をセラミック焼結体となしてその一
部に受圧ダイヤフラム１３を形成したから、高精度の機
械加工の手間や受圧ダイヤフラムの取付は等の手間を要
しない。また、受圧ダイヤフラム１３に設けた歪ゲージ
素子４Ａ〜４Ｄより直接ハウジング２の軸方向へリード
電極４１〜４４を延出できるから、ワイヤポンディング
線を使用することなく簡便な接続が可能である。
部に受圧ダイヤフラム１３を形成したから、高精度の機
械加工の手間や受圧ダイヤフラムの取付は等の手間を要
しない。また、受圧ダイヤフラム１３に設けた歪ゲージ
素子４Ａ〜４Ｄより直接ハウジング２の軸方向へリード
電極４１〜４４を延出できるから、ワイヤポンディング
線を使用することなく簡便な接続が可能である。
本実施例では受圧ダイヤフラムを耐熱性かつ強度の大き
いＳｉ３Ｎ４セラミックで構成するとともに、該セラミ
ック上に不純物をドープした多結晶シリコンよりなる半
導体歪ゲージ素子４Ａ〜４Ｄを形成したから、ＰＮ接合
部のリーク電流の発生という問題を生じることなく高温
下での高圧測定を高感度に行なうことができる。
いＳｉ３Ｎ４セラミックで構成するとともに、該セラミ
ック上に不純物をドープした多結晶シリコンよりなる半
導体歪ゲージ素子４Ａ〜４Ｄを形成したから、ＰＮ接合
部のリーク電流の発生という問題を生じることなく高温
下での高圧測定を高感度に行なうことができる。
センシングボデー１は必ずしもハウジング２内に収納す
る必要はないが、破損を防止する点ではこの方が好まし
い。
る必要はないが、破損を防止する点ではこの方が好まし
い。
センシングボデー１のセラミック材としては他にＡｇ２
Ｏ３、ＳｉＣ等が使用でき、導電性セラミックを使用す
る場合には、ＳｉＯ２等の絶縁膜を形成した上に歪ゲー
ジ素子４Ａ〜４Ｄの多結晶シリコン層を形成する。
Ｏ３、ＳｉＣ等が使用でき、導電性セラミックを使用す
る場合には、ＳｉＯ２等の絶縁膜を形成した上に歪ゲー
ジ素子４Ａ〜４Ｄの多結晶シリコン層を形成する。
半導体歪ゲージ素子の形成は、多結晶シリコン層の一部
にレーザを照射して再結晶により単結晶化し、これに不
純物をドープして形成するいわゆるレーザ再結晶法によ
っても良い。
にレーザを照射して再結晶により単結晶化し、これに不
純物をドープして形成するいわゆるレーザ再結晶法によ
っても良い。
第１図は圧力検出器の全体断面図、第２図はハウジング
先端部の拡大断面図、第３図はハウジング先端部の開口
の正面図で、第２図のＢ矢視図、第４図はセンシングボ
デーの固定部拡大断面図で、第２図のＡ部拡大図、第５
図はセンシングボデーの全体断面図、第６図はセンシン
グボデーの全体側面図で、第５図のＣ矢視図、第７図は
センシングボデーの接合部拡大断面図で、第５図のＤ部
拡大図、第８図はホルダ部材の要部拡大裏面図で、第５
図のＥ矢視図、第９図は従来例を示す圧力検出器の全体
断面図である。 ］・・・・・・センシングボデー １１・・・・・・ホルダ部材 １２・・・・・・カバ一部材 １３・・・・・・受圧ダイヤフラム ２・・・・・・ハウジング ３・・・・・・シール板 ４．４Ａ、４Ｂ、４Ｃ１４Ｄ・・・・・・半導体歪ゲー
ジ素子 第１図 第２図 す 第３図 第４図 第５図 第６図 第９図
先端部の拡大断面図、第３図はハウジング先端部の開口
の正面図で、第２図のＢ矢視図、第４図はセンシングボ
デーの固定部拡大断面図で、第２図のＡ部拡大図、第５
図はセンシングボデーの全体断面図、第６図はセンシン
グボデーの全体側面図で、第５図のＣ矢視図、第７図は
センシングボデーの接合部拡大断面図で、第５図のＤ部
拡大図、第８図はホルダ部材の要部拡大裏面図で、第５
図のＥ矢視図、第９図は従来例を示す圧力検出器の全体
断面図である。 ］・・・・・・センシングボデー １１・・・・・・ホルダ部材 １２・・・・・・カバ一部材 １３・・・・・・受圧ダイヤフラム ２・・・・・・ハウジング ３・・・・・・シール板 ４．４Ａ、４Ｂ、４Ｃ１４Ｄ・・・・・・半導体歪ゲー
ジ素子 第１図 第２図 す 第３図 第４図 第５図 第６図 第９図
Claims (5)
- （１）圧力室壁に固定されて先端部を圧力室内に臨まし
めた筒状ハウジングには、上記先端部の開口に先端閉鎖
のセラミック製筒状センシングボデーを気密的に保持せ
しめ、該センシングボデーは側壁の一部を薄肉となして
これを受圧ダイヤフラムとなし、受圧ダイヤフラムの内
側面に歪ゲージ素子を接合固定したことを特徴とする圧
力検出器。 - （２）上記センシングボデーを上記ハウジング先端部の
開口内に位置せしめ、ハウジング内を横切ってこれに密
嵌したシール板に取付穴を設けて該取付穴に上記センシ
ングボデーの基端部を貫設し、基端部外周を気密的に上
記取付穴に接合固定した特許請求の範囲第１項記載の圧
力検出器。 - （３）上記センシングボデーを耐熱性かつ強度の大きい
セラミック材で構成し、上記受圧ダイヤフラムのダイヤ
フラム面に、不純物をドープした多結晶シリコン層を形
成してこれを半導体歪ゲージ素子となした特許請求の範
囲第１項記載の圧力検出器。 - （４）上記セラミック材としてＳｉ＿３Ｎ＿４、Ａｌ＿
２Ｏ＿３、ないしＳｉＣを使用した特許請求の範囲第３
項記載の圧力検出器。 - （５）上記受圧ダイヤフラムを耐熱性かつ強度の大きい
セラミック板で構成し、受圧ダイヤフラムのダイヤフラ
ム面に多結晶シリコン層を形成するとともにその一部を
レーザにより単結晶化してこれに不純物をドープして半
導体歪ゲージ素子となした特許請求の範囲第１項記載の
圧力検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13673586A JPS62293131A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 圧力検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13673586A JPS62293131A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 圧力検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62293131A true JPS62293131A (ja) | 1987-12-19 |
Family
ID=15182279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13673586A Pending JPS62293131A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 圧力検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62293131A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4930353A (en) * | 1988-08-07 | 1990-06-05 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor pressure sensor |
| US5181417A (en) * | 1989-07-10 | 1993-01-26 | Nippon Soken, Inc. | Pressure detecting device |
| JP2001108554A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧力センサ |
| JP2001141587A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JP2003156400A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Kyocera Corp | 圧力検出装置用パッケージ |
| JP2009014484A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Denso Corp | 圧力センサ |
| JP2011514531A (ja) * | 2008-03-19 | 2011-05-06 | キストラー ホールディング アクチエンゲゼルシャフト | 単体構造体を有する光学的測定要素 |
-
1986
- 1986-06-12 JP JP13673586A patent/JPS62293131A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4930353A (en) * | 1988-08-07 | 1990-06-05 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor pressure sensor |
| US5181417A (en) * | 1989-07-10 | 1993-01-26 | Nippon Soken, Inc. | Pressure detecting device |
| JP2001108554A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧力センサ |
| JP2001141587A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JP4651763B2 (ja) * | 1999-11-15 | 2011-03-16 | 北陸電気工業株式会社 | 半導体圧力センサ |
| JP2003156400A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Kyocera Corp | 圧力検出装置用パッケージ |
| JP2009014484A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Denso Corp | 圧力センサ |
| JP2011514531A (ja) * | 2008-03-19 | 2011-05-06 | キストラー ホールディング アクチエンゲゼルシャフト | 単体構造体を有する光学的測定要素 |
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