JPH0425736A - 圧力検出器およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、圧力検出器およびその製造方法に関するもの
であり、特に高温流体の圧力測定、例えば内燃機関の燃
焼圧測定に好適な圧力検出器およびその製造方法に関す
るものである。

〔従来の技術〕

従来、このような圧力検出器において、そのセンシング
部は、いわゆるＳＯＩ　（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎ　　Ｉｎ
５ｕｌａｔｏｒ）構造に構成されている。この構造は、
拡散ゲージ型構造のようにＰＮ接合部を有していないの
で、高温雰囲気下でのリーク電流が発生せず、２００℃
以上の高温雰囲気下での圧力検出を可能としている。

ＳＯＩ構造のセンシング部としては、絶縁基板として単
結晶シリコンを用い、そのシリコン基板上に絶縁層を介
して単結晶シリコンまたは多結晶シリコンよりなる半導
体歪みゲージ素子を形成するものが知られている。

〔発明が解決しようとする課題］ しかし、上述した従来のものでは、高温用圧力検出器に
おいては、ハウジング等に金属が使用されている。その
ため、上述したような絶縁基板としてシリコン基板を用
いる圧力検出器では、このシリコン基板と金属製のハウ
ジングとの接着に、接着強度があまり強くないガラス接
合を用いるしかなく、高いシール性を実現できないとい
う問題がある。

そこで本発明者等は、絶縁基板として、金属製のハウジ
ングにろう付けによって強固に接着固定することができ
る、サファイア、スピネル、マグネシア等の酸化物系単
結晶基板またはセラミック基板を採用した。

ところで、従来、以下のようにして圧力検出器を製造し
ている。

即ち、第１０図に示すように、ます受圧ダイヤフラム位
置を局所的に凹形状（第１０図では凹形状の片側のみを
図示）とした絶縁基板２０に、金属メタライズ層２１ａ
、２１ｂ、２１ｃを形成する。なお、絶縁基板を受圧ダ
イヤフラム位置を局所的に凹形状としたのは、絶縁基板
と金属製の７１ウジングとの接合部に生ずる熱応力を緩
和するためである。

そして、レジストを塗布してバターニングを行った後、
金属メタライズ層２１ａ、２１ｂ、２ＩＣをエツチング
し、金属製のハウジング２２（ろう付は面にＮｉ層２５
を形成）と絶縁基板２０とをろう付けする。

ところが上述した従来の製造方法では、金属メタライズ
層が凹形状とした絶縁基板２０の端面２３に残存してし
まい、ろう付けした時、ろう材２４が絶縁基板２０の凹
部に流れ込んでしまうことが明らかになった。これは、
エツチング等で金属メタライズ層を除去しようとしても
、完全には除去できないためである。

故に、圧力が半導体歪ゲージに印加された時、半導体歪
ゲージにかかる応力は、ろう材の流れ具合によって大き
く変化し、出力電圧のバラツキが大きくなるという問題
が生じる。

そこで本発明は、上述した事情に鑑みて成されたもので
あり、接合材が受圧ダイヤフラムに流れ込むのを防止す
ることができる圧力検出器と、その受圧ダイヤフラムの
形状を高精度に形成できる製造方法とを提供することを
目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

そのため本発明は、請求項１記載の発明においては、 所定位置に開口した貫通穴を有する保持部材と、この保
持部材に接合材により接合されて、前記所定位置に受圧
ダイヤフラムを構成する基板と、前記接合材とぬれ性が
悪く、かつ前記受圧ダイヤフラムの前記貫通穴に面する
側に形成されて、前記接合材が前記受圧ダイヤフラムへ
流入するのを防止する流入防止層と、 この流入防止層を形成した前記受圧ダイヤフラムの面と
反対側の端面に配設された半導体歪みゲージ素子と を備えることを特徴とする圧力検出器を採用し、請求項
３記載の発明においては、 一方の面およびこの一方の面に対向する他方の面を有し
、かつ所定位置に受圧ダイヤフラムを有する基板の、前
記受圧ダイヤフラムの前記一方の面側に半導体歪みゲー
ジ素子を形成する素子形成工程と、 前記受圧ダイヤフラムの前記他方の面側に、接合材とぬ
れ性の悪い流入防止層を形成する防止層形成工程と、 所定の貫通穴を有する保持部材と所定位置に受圧ダイヤ
フラムを有する前記基板とを、前記貫通穴と前記受圧ダ
イヤフラムの前記流入防止層を形成した前記他方の面側
とを重ね合わせるようにして、前記接合材によって接合
する接合工程とを含むことを特徴とする圧力検出器の製
造方法を採用するものである。

〔作用〕

上記構成により、請求項１記載の発明においては、受圧
ダイヤフラムの貫通穴に面する側には、接合材とぬれ性
の悪い流入防止層が形成されて、接合材が受圧ダイヤフ
ラムへ流入するのを防止している。

故に、流入防止層により接合材が受圧ダイヤフラムへ流
入しないので、圧力印加時において、半導体歪みゲージ
に伝わる応力のバラツキを低減することができる。

また請求項３記載の発明においては、防止層形成工程で
受圧ダイヤフラムの他方の面側、即ち半導体歪みゲージ
素子を形成した一方の面に対向する面に、接合材とぬれ
性の悪い流入防止層を形成し、接合工程で貫通穴と受圧
ダイヤフラムの流入防止層を形成した他方の面側とを重
ね合わせるようにして、前記接合材によって接合してい
る。

故に、受圧ダイヤフラムの半導体歪みゲージ素子を形成
した一方の面に対向する面に流入防止層を形成すること
により、接合材が受圧ダイヤフラムへ流入しないので、
圧力印加時において、受圧ダイヤフラムにかかる応力は
、受圧ダイヤフラムの厚さ精度によって決定することが
できる。

〔発明の効果〕

以上述べたように、請求項１記載の発明においては、半
導体歪みゲージに伝わる応力のバラツキを低減すること
ができるので、半導体歪みゲージ素子からの出力電圧の
バラツキを抑えることができるという優れた効果がある
。

また、請求項３記載の発明においては、受圧ダイヤフラ
ムにかかる応力は、受圧ダイヤフラムの厚さ精度によっ
て決定することができるので、受圧ダイヤフラムの形状
の加工精度を確保することで、容易に応力値の制御が可
能となり、かつ工程上制御が容易になるという優れた効
果がある。

〔実施例〕

以下、本発明を図に示す実施例に基づいて説明する。

第２図は、本発明の一実施例を適用した圧力検出器の主
要部断面図である。第２図において、右端部を大径とし
た筒状のハウジング３には、本体外周に取付は用ネジ部
３ａが形成され、左端開口には、一端閉鎖の筒状よりな
る保持部材（以下、エレメントホルダという）２が挿通
配設され、溶接により密着固定されている。

このエレメントホルダ２は、熱膨張係数の小さいＦｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ系合金で構成されており、エレメントホルダ
２内は圧力導入ボートをなしている。また、圧力導入ボ
ートの側壁には、開口部２ａが設けられている。

エレメントホルダ２には、ハウジング３への溶接固定前
に酸化物系単結晶（本実施例では、サファイア）より成
る基板（以下、サファイア基板という）により構成され
たセンシングエレメント１が、開口部２ａを塞ぐべく開
口部２ａ上方に、あらかじめろう付けにより強固に接合
覆着しである。

なお、このろう付け（接合材として、例えばＡｇのよう
なろう材を用いる）による接合覆着については、後述す
るものとする。また、開口部２ａの中心直上のセンシン
グエレメント１には、薄肉となった凹部が設けられてお
り、これを受圧ダイヤフラム１ａとしている。

次に、センシングエレメント１の詳細を第３図（ａ）、
（ｂ）に示す。第３図（ａ）は、第３図（ｂ）ニ示され
たＡ−Ａ断面図、第３図（ｂ）は、平面図（但し、表面
保護膜等は図示していない）である。

センシングエレメントｌは、上述したようにサファイア
基板１１で構成されており、サファイア基板１１を凹形
状で薄肉に加工した受圧ダイヤフラム１ａを有している
。なお、受圧ダイヤフラム１ａは、直方体形状のセンシ
ングエレメント１において、その長手方向の一端部に形
成されている。

また、このセンシングエレメント１の他端部は、リード
取出し領域として構成されている。このリード取出し領
域の詳細な構成については、後述する。

また、センシングエレメント１は、サファイア基板１１
の表面の４箇所に、シリコンを気相成長させ、不純物を
ドープしたＰ型車結晶シリコン薄膜からなる半導体歪み
ゲージ素子１２を有している。この半導体歪みゲージ素
子１２は、半導体歪みゲージ素子１２ａ、１２ｂにより
構成されている。なお、この半導体歪みゲージ素子１２
の面方位は、（１００）面であり、半導体歪みゲージ素
子１２の長手方向は、（１００）面のＣＺＯ：ｌで、第
３図（ｂ）におけるセンシングエレメント１の長手方向
となっている。

また半導体歪みゲージ素子１２ａ、１２ｂは、受圧ダイ
ヤフラム１ａの周縁部直上に配置され、同じくサファイ
ア基板に形成した、金属薄膜或いは半導体薄膜からなる
リード電極１３により互いに接続配線されている。この
リード電極１３は、上述のリード取出し領域を構成する
センシングエレメント１の他端部まで平行に配線されて
おり、配線の終端には、金属電極からなるパッド部１４
が配設されている。そして、センシングエレメント１の
表面には、パッシベーション用の表面保護膜１５が被着
されている。

そして、第２図において、センシングエレメント１表面
の右端には、リード取出し領域が構成され、パッド部１
４とワイヤ線４によって、ボンディングされる信号処理
用のＩＣ回路チップ５が接着固定されている。ＩＣ回路
チップ５は、増幅回路および温度補償回路とから構成さ
れ、リード線６を介して外部と接続されている。なお、
この温度補償回路は、受圧ダイヤフラム１ａ部の温度変
化に伴って変化する半導体歪みゲージ素子１２の抵抗値
特性を補償するものである。

さらにハウジング３には、筒状のカバー７が溶接固定さ
れ、カバー７とハウジング３とに接着固定されたホルダ
部材８により、ハウジングエレメント１がその右端部に
おいて支えられている。

また、センシングエレメント１裏面とエレメントホルダ
２との接触面は、第７図に示すように、Ｔｉ等のメタラ
イズ層９ａ、Ｍｏ等のメタライズ層９ｂ、Ｎｉ等のメタ
ライズ層９Ｃが形成されており、センシングエレメント
１裏面の溝内（受圧ダイヤフラムｌａ）には、流入防止
層（以下、絶縁層という）９ｅが形成されている。そし
て、ろう付は層９ｄのろう材が溝内に流れるのを防止し
た状態で、センシングエレメントｌ裏面とエレメントホ
ルダ２とは、ろう付は層９ｄで接合固定されている。な
お、エレメントホルダ２のろう付は部分にも、Ｎｉメン
キ層２ｂが形成されており、ろう付けによる接合は強固
なものになっている。

また絶縁層９ｅは、ろう材とぬれ性の悪い材料により形
成されている。

次に、上記構成における作動を第２図および第３図に基
づいて説明する。センシングエレメント１に設けられた
受圧ダイヤフラム１ａに高温流体の流体圧が作用すると
、受圧ダイヤフラム１ａには、この流体圧に応じた応力
が働き、これを変形せしめ、変形歪み即ち作用した応力
値に応じた出力信号が半導体歪みゲージ素子１２ａ、１
２ｂより発せられる。すると、リード電極１３、パッド
部工４、ワイヤ線４を介してＩＣ回路チップ５にこの出
力信号が入力され、増幅および温度補償が行われた後、
リード線６を介して外部に取り出される。

ここで、センシングエレメント１裏面の凹部には、上述
したように絶縁層９ｅを設けることにより、ろう材の凹
部への流れ込みを防止することができる。そのため受圧
ダイヤフラムｌａの形状精度は、受圧ダイヤフラム１ａ
の凹形状をサファイア基板１１より加工する時のみで制
御できるので、受圧ダイヤフラム１ａ表面に形成された
半導体歪ミケージ素子１２ａ、１２ｂに加わる上記応力
値のバラツキは極めて小さくなり、上記出力信号のバラ
ツキも極めて小さくなる。

さらに、ろう材の凹部への流れ込みを防止することは、
ろう材であるＡｇと、サファイアおよび絶縁層を形成す
る物質との熱膨張係数の差によって発生する熱応力を低
減するのにも有効である。

また、本実施例における構成では、エレメントホルダ２
と金属メタライズ層９ａ、９ｂ、９Ｃおよびろう付は層
９ｄとは、電気的に接続されているので、受圧ダイヤフ
ラム裏面に印加される電磁波をエレメントホルダ２に逃
がすことができる。

特に後述する第８図の場合には、受圧ダイヤフラムの部
分はシールドされないので、を磁波が通過する可能性が
あり、その場合、受圧ダイヤフラム上の半導体歪みゲー
ジ素子のゲージ抵抗にノイズが生じ、誤検出の危険性が
ある。したがって、上述したように電磁波によるノイズ
対策にも効果がある。

次に、本実施例の半導体歪みゲージ素子１２の出力信号
の発生原理を説明する。

第４図は、本実施例の半導体歪みゲージ素子の配置図で
ある。第４図において、半導体歪みゲージ素子１２ａに
は、この長手方向に対しては、受圧ダイヤフラム１ａの
接線方向の応力σ、が働き、この長手方向に垂直な方向
に対しては、受圧ダイヤフラム１ａの半径方向の応力σ
ノが働（。一方、半導体歪みゲージ素子１２ｂには、こ
の長手方向に対しては応力σ、が、長手方向に垂直な方
向に対しては応力σ、が働くことになる。

ここで、Ｐ型車結晶シリコンの（１００）面の［１１０
１方向のピエゾ抵抗係数πｌ、πｔ（なお、πｌは縦係
数、π、は横係数）には、 πＺ”−πｔ という関係があり、半導体歪みゲージ素子１２ａ、１２
ｂの応力に応じた抵抗変化の割合は、それぞれ次のよう
に表される。なお、Ｒａ、Ｒｂはそれぞれ半導体歪みゲ
ージ素子１２ａ、１２ｂの抵抗値である。

嬌πノ　σ　−πｌ　σ 娩πノσ　−πメσ 即ち、半導体歪みゲージ素子１２ａと１２ｂの抵抗変化
は逆向きとなり、ブリッジ回路（図示路）を構成したと
き、印加された応力に応した半導体歪みゲージ素子の抵
抗変化によって、このブリッジ回路のバランスが変化す
る。ブリ・ンジ回路には、定電流あるいは定電圧が印加
されているので、この抵抗変化が出力信号として発生さ
れることになる。

このようにして検出された出力信号、即ち圧力信号は、
信号処理用のＩＣ回路チップ５で増幅され、温度補償さ
れて、リード線６を介して外部に取り出される。

なお、受圧ダイヤフラム１ａは、高温流体の熱により高
温下にさらされるが、センシングエレメント１のバット
部１４、ＩＣ回路チップ５のあるリード取出し領域は、
センシングエレメント１が細長い直方体形状に構成され
ているために、高温流体の熱の影響を抑制でき、リード
取出し領域の高温に対する信顛性は高いものとなってい
る。

またサファイアの熱膨張率は、エレメントホルダ２に使
用したＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金に近く、熱膨張率の差か
ら生じる、いわゆるバイメタル効果を抑えることができ
る。

次に、第１図に示す圧力検出器の製造手順を第５図およ
び第６図（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。なお、第１
図は本発明の基本構成を示す受圧ダイヤフラム部および
リード取出し領域の断面図、第５図は上記一実施例を適
用した圧力検出器の製造工程フロー図、第６図（ａ）〜
（ｆ）は第５図に対応した製造工程順の受圧ダイヤフラ
ム部およびリード取出し領域の断面図である。

（半導体歪みゲージ素子形成工程） 第６図（ａ）に示すように、サファイア基板１１の表面
に半導体薄膜、例えば単結晶シリコン薄膜を気相成長等
により被着する。そして、Ｂ等の不純物を添加して、該
半導体薄膜の導電型をＰ型とする。この不純物の添加方
法としては、半導体薄膜の成膜時に不純物ガスを導入し
て成膜する方法と、成膜後にイオン注入等により不純物
をトープする方法とがある。

次に、この不純物を添加したＰ型車結晶シリコン薄膜を
エツチングにより微細加工することによって、第６図（
ａ）に示すように、サファイア基板１１表面の所定位置
に半導体歪みゲージ素子１２を形成する。なおこの工程
が、請求項３記載の素子形成工程に相当する。

（リード電極配線工程） 次に、第６図ら）に示すように、例えばＰｔ等による金
属薄膜を、蒸着、スパッタ、ＣＶＤ法等によって成膜す
る。その後、微細加工してリード電極１３を形成する。

この時、金属電極からなるパッド部１４も形成する。

（保護膜形成工程） そして、第６図（Ｃ）に示すように、蒸着、スパッタ、
ＣＶＤ法、ＳＯＧ法等により、バンド部１４において、
電気接続をとるためのスルーホールを有してバンシベー
シラン用の表面保護膜１５を形成する。

（裏面金属メタライズ層形成工程） 次に、第６図（ｄ）および第７図に示すように、蒸着、
スパッタ、ＣＶＤ法等によって、Ｔｉの金属メタライズ
層９ａ、Ｍｏの金属メタライズ層９ｂ、Ｎｉの金属メタ
ライズ層９Ｃを順次形成する。

（凹部への絶縁層形成工程） 次に、第６図（ｅ）　ニ示すように、ＣＶＤ法、ＳＯＧ
法等によって、Ｓｔ、Ｎ、、ＳｉＯ□等の絶縁層９ｅを
サファイア基板１１の凹部全面に形成する。なおこの工
程が、請求項３記載の防止層形成工程に相当する。

（ろう付は工程） そして、第６図（ｆ）に示すように、サファイア基板１
１とエレメントホルダ２とを、ろう付は層９ｄ（ろう材
としては、例えばＡｇ）によって接合固定する。ろう付
けの雰囲気は、微量の水素ガスを流した還元雰囲気、ま
たは１０−”Ｔｏｒｒより低い真空雰囲気にする。なお
この工程が、請求項３記載の接合工程記相当する。

なお、エレメントホルダ２に設けられた開口部２ａ上方
には、センシングエレメント１が開口部２ａを塞ぐべく
ろう付けにより強固に接合覆着しである。また、開口部
２ａの中心直上のセンシングエレメント１には、薄肉と
なった凹部が設けられており、これを受圧ダイヤフラム
１ａとしている。

上記製造方法により、第１図に示されるような受圧ダイ
ヤフラムおよびリード取出し領域を有する圧力検出器を
得ることができる。

ここで、上記製造方法において、ろう付は層９ｄは、サ
ファイア基ｖｉ１１の凹部に流れ込まないので、圧力印
加時において、薄肉となった受圧ダイヤフラム１ａにか
かる応力は、受圧ダイヤフラム１ａの寸法によって決定
される。そのため、受圧ダイヤフラム１ａの形状の加工
精度を確保することで、容易に応力値の制御が可能とな
る。また、熱膨張係数の大きなろう付は層９ｄが凹部へ
流れないので、ろう材とセンサエレメントの熱膨張係数
の差によって発生する熱応力を、センサエレメントの凹
部の端面の厚さｔ（第１図）を厚くすることによって低
減することができる。

また、凹形状を有さないセンシングエレメントを使用す
る時にも、第８図に示すように、受圧ダイヤフラム裏面
と金属ホルダ２とを接合する場合、絶縁層９ｅを用いて
ろう材の流れ込みを防止することが容易にできるという
利点がある。そして上記一実施例では、絶縁膜９ｅを形
成するために、従来行われていた金属メタライズ層９ａ
、９ｂ、９Ｃの３層にわたるエツチングという、非常に
精密な制御を要する処理を行う必要がなく、工程が非常
に簡単となる。

次に、上記リード電極配線工程において、以下のような
工夫を行っても良い。

第９図（ａ）〜（ｅ）はリード電極配線工程の一例を示
す製造工程フロー図および受圧ダイヤフラム部の断面図
である。

第９図（ａ）は、薄膜ゲージ形成工程で、上記半導体歪
みゲージ素子形成工程（第６図（ａ））のことであるの
で、説明は省略する。

第９図（ｂ）は、高融点金属膜形成工程で、半導体歪み
ゲージ素子１２の一端に、珪化モリブデン、珪化タング
ステン等の高融点の金属膜を形成する。

これは、センソングエレメントエとエレメントホルダ２
とのろう付は時の高温雰囲気（Ａｇのろう付けでは、６
５０〜８００°Ｃ）において、一般に半導体の電極とし
て使用されているＰｔ、ＡＩ、Ａｕ等と半導体歪みゲー
ジ素子との間に化学反応が起こって、電極の劣化が著し
くなるという問題があり、高温雰囲気にさらされても劣
化しない電極構成が望まれているからである。

そのため、第９図（ｄ）の金属゛配線形成工程で、Ｐｔ
等を用いたリード電極１３を形成する前に、珪化モリブ
デン等の高融点の金属膜を形成して、高温雰囲気にさら
されても劣化しない電極を構成している。

なお、半導体歪みゲージ素子１２が単結晶ンリコンの場
合には、エピタキシャル成長可能な膜として、面方位（
１００）には珪化ニッケル、面方位（１１１）には珪化
白金を用いるのが良い。

そして、第９図（Ｃ）で熱処理を施し、第９図（ｄ）で
金属配線、即ちリード電極１３を形成して、第９図（ｅ
）で表面保護膜１５を形成する。

なお、上記製造工程では、第６図（ｂ）に示すように、
リード電極配線工程時に金属薄膜よりなるリード電極１
３を配線形成しているが、リード電極１３は半導体歪み
ゲージ素子Ｉ２と同し半導体で構成しても良く、その場
合は、半導体歪みゲージ素子形成工程時に半導体歪みゲ
ージ素子１２と同時に形成することができる。

上記一連の実施例においては、絶縁基板として、サファ
イアを使用するものであったが、これに限らず、例えば
スピネル、マグネシア等の酸化物系単結晶基板または酸
化物を含むセラミック基板にも適用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の基本構成を示す受圧ダイヤフラム部お
よびリード取出し領域の断面図、第２図は本発明の一実
施例を適用した圧力検出器の主要部構造を示す断面図、 第３図（ａ）、（ｂ）は第２図に示すセンシングエレメ
ントの詳細図で、同図（ａ）はＡ　−Ａ断面図、同図（
ｂ）は平面図、 第４図は第３図（ｂ）に示す半導体歪みゲージ素子の配
置説明図、 第５図は上記一実施例を適用した圧力検出器の製造工程
フロー図、 第６図（ａ）〜げ）は第５図に対応した製造工程順の受
圧ダイヤフラム部およびリード取出し領域の断面図、 第７図は上記一実施例におけるセンシングエレメントと
エレメントホルダとの接合状態を示す断面図、 第８図は凹形状を有さないセンソングエレメントを用い
た場合の、センシングエレメントとエレメントホルダと
の接合状態を示す断面図、第９図（ａ）〜（ｅ）はリー
ド電極配線工程の一例を示す製造工程フロー図および受
圧ダイヤフラム部の断面図、 第１０図は従来例におけるセンシングエレメントとエレ
メントホルダとの接合状態を示す断面図である。 １ａ・・・受圧ダイヤフラム、２・・・エレメントホル
ダ（保持部材）、１１・・・サファイア基板（基板）１
２・・・半導体歪みゲージ素子。 代理人弁理士　　岡　部　　　隆 （ばか１名） 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）所定位置に開口した貫通穴を有する保持部材と、
   この保持部材に接合材により接合されて、前記所定位置
   に受圧ダイヤフラムを構成する基板と、前記接合材とぬ
   れ性が悪く、かつ前記受圧ダイヤフラムの前記貫通穴に
   面する側に形成されて、前記接合材が前記受圧ダイヤフ
   ラムへ流入するのを防止する流入防止層と、この流入防
   止層を形成した前記受圧ダイヤフラムの面と反対側の端
   面に配設された半導体歪みゲージ素子とを備えることを
   特徴とする圧力検出器。
2. （２）前記保持部材は金属で構成され、前記基板は酸化
   物系単結晶もしくはセラミックで構成されることを特徴
   とする請求項１記載の圧力検出器。
3. （３）一方の面およびこの一方の面に対向する他方の面
   を有し、かつ所定位置に受圧ダイヤフラムを有する基板
   の、前記受圧ダイヤフラムの前記一方の面側に半導体歪
   みゲージ素子を形成する素子形成工程と、前記受圧ダイ
   ヤフラムの前記他方の面側に、接合材とぬれ性の悪い流
   入防止層を形成する防止層形成工程と、所定の貫通穴を
   有する保持部材と所定位置に受圧ダイヤフラムを有する
   前記基板とを、前記貫通穴と前記受圧ダイヤフラムの前
   記流入防止層を形成した前記他方の面側とを重ね合わせ
   るようにして、前記接合材によって接合する接合工程と
   を含むことを特徴とする圧力検出器の製造方法。
4. （４）前記保持部材は金属で構成され、前記基板は酸化
   物系単結晶もしくはセラミックで構成されることを特徴
   とする請求項３記載の圧力検出器の製造方法。