JPS62291095A - 配線板の製造方法 - Google Patents
配線板の製造方法Info
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- JPS62291095A JPS62291095A JP13401086A JP13401086A JPS62291095A JP S62291095 A JPS62291095 A JP S62291095A JP 13401086 A JP13401086 A JP 13401086A JP 13401086 A JP13401086 A JP 13401086A JP S62291095 A JPS62291095 A JP S62291095A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
五 発明の詳細な説明
(産業上の利用分野)
本発明は、レーザ光を照射して異なる深さのバイアホー
ル全形成する方法による茜密度配蕨板の製造方法に関す
る。
ル全形成する方法による茜密度配蕨板の製造方法に関す
る。
(従来の技術)
近年、ICパッケージの高集積化に伴い、印桐配線板に
対する高密度化の強い要求がある。
対する高密度化の強い要求がある。
こnに応えるものとして、ライン巾50μmlN度の微
細パターンを有する簡密度印刷配#M板がある。
細パターンを有する簡密度印刷配#M板がある。
従来、こうした篩密度印刷配線板では、tm層間接続は
直径(1,4mn+程度の小径ドリルにより形成さrし
ためっきスルーホールが用いらrしてきたが、微細パタ
ーン金有する回路面ではスルーホール及び周辺のランド
面積が大きく尚密度化し難い欠点があった。このような
事から第2図に示したように微細パターンを有する面か
らP!縁材をレーザ光で選択的に除去し、バイアホール
を形成し、ホールめっきにより層間接続する方法が採用
さnてきた。
直径(1,4mn+程度の小径ドリルにより形成さrし
ためっきスルーホールが用いらrしてきたが、微細パタ
ーン金有する回路面ではスルーホール及び周辺のランド
面積が大きく尚密度化し難い欠点があった。このような
事から第2図に示したように微細パターンを有する面か
らP!縁材をレーザ光で選択的に除去し、バイアホール
を形成し、ホールめっきにより層間接続する方法が採用
さnてきた。
(発明が解決しようとする間趙点)
レーザ光による従来のバイアホール形成法では、V−ザ
光に対する防御部となるパターンが基板内の同一平面上
に位置しており、そtぞiLのバイアホールにおいて同
一のl−間接続しか有っておらず、そrL以外のノー間
接続では、バイアホールを異なった層間に配を道するピ
ルドアツプ方式を採用していた。この方式は1司一平面
内でのライン展開の自由度は太きいが、バイアホール形
成工程数が増加し、かつ、位置合わせが泡体になる欠点
があった。
光に対する防御部となるパターンが基板内の同一平面上
に位置しており、そtぞiLのバイアホールにおいて同
一のl−間接続しか有っておらず、そrL以外のノー間
接続では、バイアホールを異なった層間に配を道するピ
ルドアツプ方式を採用していた。この方式は1司一平面
内でのライン展開の自由度は太きいが、バイアホール形
成工程数が増加し、かつ、位置合わせが泡体になる欠点
があった。
(問題点を解決するための手段ン
本発明者は、以上のような従来のバイアホール形成法の
諸欠点にかんがみて棟々考案した結果、本発明を完成す
るに至ったものである。
諸欠点にかんがみて棟々考案した結果、本発明を完成す
るに至ったものである。
本発明は、例えば特定のパターンを有する適当厚さの絶
縁基材を積層して、レーザ光に対して防御部となるパタ
ーンを所望の位置及び深さに配置する。次いで、レーザ
光で選択的に絶縁樹脂を飛散させ、該パターンに達する
非貫通凹部を設ける。その後、常法による化学めっき、
エツチングによって凹部内の導通化及び表裏での回路形
成を行う。
縁基材を積層して、レーザ光に対して防御部となるパタ
ーンを所望の位置及び深さに配置する。次いで、レーザ
光で選択的に絶縁樹脂を飛散させ、該パターンに達する
非貫通凹部を設ける。その後、常法による化学めっき、
エツチングによって凹部内の導通化及び表裏での回路形
成を行う。
(実施例)
本発明の実施例を図面によって説明する。第1図fal
〜td)において、絶縁I−の厚さがQ、4mmのガ
ラス布基拐ポリイミド樹脂からなる絶縁基板10両面鋼
張り槓ノー板(MCL−E−67日立化成社製)の画商
にフォトレジストl用い常法によるエツチング金貸って
パターン2.2”i形成した。次に厚さ75μmのアク
リル糸ドライフィルムフォトレジスト(SR−100O
N日立化成社製)を熱ロールラミネータによって両面に
ラミネートシ、紫外線全照射して硬化させた。
〜td)において、絶縁I−の厚さがQ、4mmのガ
ラス布基拐ポリイミド樹脂からなる絶縁基板10両面鋼
張り槓ノー板(MCL−E−67日立化成社製)の画商
にフォトレジストl用い常法によるエツチング金貸って
パターン2.2”i形成した。次に厚さ75μmのアク
リル糸ドライフィルムフォトレジスト(SR−100O
N日立化成社製)を熱ロールラミネータによって両面に
ラミネートシ、紫外線全照射して硬化させた。
この光硬化によって得た7オトボリマーは絶縁膜として
残置使用する。次に、この絶縁映り表面を粗化した後、
セミアディティブ法V−よってPk望するパターン3,
3′を形成した。更に同様の工程を繰返してパターン4
,4′及びレーザ照射用エツチングホール5,5′を得
た。次にエツチングホール5,5′に波長10.6μm
の炭酸力スレーブ(島田理化社製LSU−15+R−2
A、電気パルス発信モード、パルス巾0.1 m5ec
、 5パルス/1穴)を照射し、所定のパターン2,
2′及び3.6′に達する非貴通凹部6,6′を形成し
た。なお、レーザ照射条件は、パターン2,2′に達す
る穴加工条件であり、パターン6.6′が損傷しない程
度であnば同一条件で深さの違う穴加工が可能であった
。次いで、常法の化学めっきにより大円の導通化葡図り
、テンティング法によってノくターン7.7′を形成し
た。
残置使用する。次に、この絶縁映り表面を粗化した後、
セミアディティブ法V−よってPk望するパターン3,
3′を形成した。更に同様の工程を繰返してパターン4
,4′及びレーザ照射用エツチングホール5,5′を得
た。次にエツチングホール5,5′に波長10.6μm
の炭酸力スレーブ(島田理化社製LSU−15+R−2
A、電気パルス発信モード、パルス巾0.1 m5ec
、 5パルス/1穴)を照射し、所定のパターン2,
2′及び3.6′に達する非貴通凹部6,6′を形成し
た。なお、レーザ照射条件は、パターン2,2′に達す
る穴加工条件であり、パターン6.6′が損傷しない程
度であnば同一条件で深さの違う穴加工が可能であった
。次いで、常法の化学めっきにより大円の導通化葡図り
、テンティング法によってノくターン7.7′を形成し
た。
絶縁基板1は、前記以外に、ガラス布エポキシ積層板(
MCL−1−67日立化成社製)成るいは厚さ50μm
程度のポリイミドフィルムの両面に厚さ18〜35μm
の銅箔全積層したものも使用できる。
MCL−1−67日立化成社製)成るいは厚さ50μm
程度のポリイミドフィルムの両面に厚さ18〜35μm
の銅箔全積層したものも使用できる。
前記フォトポリマー?縁膜の工程に代えて、パターン2
,2′面に接着剤によって片面鋼箔付きポリイミドフィ
ルム而を積ノー後、エツチングによって回路加工しても
良い。
,2′面に接着剤によって片面鋼箔付きポリイミドフィ
ルム而を積ノー後、エツチングによって回路加工しても
良い。
(発明の効果)
本発明の効果を次に挙げる。
(1) ビルドアップ方式に比べてバイアホール形成
工程が1回であるため、配線パターンの位!精度が高(
、工程が短縮できる。
工程が1回であるため、配線パターンの位!精度が高(
、工程が短縮できる。
(2) レーザ朋射用エツチング本−ルの形成工程ま
では、従来のM L B設備を便用することができるた
ぬ、ビルドアップ方式に比べてスループットが者しく同
上した。
では、従来のM L B設備を便用することができるた
ぬ、ビルドアップ方式に比べてスループットが者しく同
上した。
(6) 高密度多j−化に十分対応することができる
。
。
第1図(a)(bltcJ(d)は本発明の方法を示す
断面図、第2図は従来の方法會示す断面図である。 1・・・・・・e縁基板、 2,2’・・・・・・パタ
ーン3.6′・・・・・・パターン、 4.4’・・
・・・・パターン5・・・・・・レーザ照射用エツチン
グホール6.6′・・・・・・バイアホール、 7,
7’・・・・・・パターン晃2図
断面図、第2図は従来の方法會示す断面図である。 1・・・・・・e縁基板、 2,2’・・・・・・パタ
ーン3.6′・・・・・・パターン、 4.4’・・
・・・・パターン5・・・・・・レーザ照射用エツチン
グホール6.6′・・・・・・バイアホール、 7,
7’・・・・・・パターン晃2図
Claims (1)
- 1、特定のパターンを有する適当厚さの絶縁材を積層し
てレーザ光に対して防御部となるパターンを所望の位置
及び深さに配置し、次いでレーザ光で選択的に絶縁樹脂
を飛散させ該パターンに達する非貫通凹部を形成した後
、化学めっき、エッチングによって凹部内の導通化及び
表裏での回路形成を行うことを特徴とする配線板の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13401086A JPS62291095A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13401086A JPS62291095A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 配線板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62291095A true JPS62291095A (ja) | 1987-12-17 |
Family
ID=15118268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13401086A Pending JPS62291095A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 配線板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62291095A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03165594A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-17 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板の製造方法 |
JPH0746755B2 (ja) * | 1990-11-15 | 1995-05-17 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 多層薄膜構造の製造方法 |
JPH08162766A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-06-21 | Nec Corp | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
US5831833A (en) * | 1995-07-17 | 1998-11-03 | Nec Corporation | Bear chip mounting printed circuit board and a method of manufacturing thereof by photoetching |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP13401086A patent/JPS62291095A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03165594A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-17 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板の製造方法 |
JPH0746755B2 (ja) * | 1990-11-15 | 1995-05-17 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 多層薄膜構造の製造方法 |
JPH08162766A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-06-21 | Nec Corp | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
US5831833A (en) * | 1995-07-17 | 1998-11-03 | Nec Corporation | Bear chip mounting printed circuit board and a method of manufacturing thereof by photoetching |
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