JPS62283653A - 半導体素子用リ−ド装置 - Google Patents

半導体素子用リ−ド装置

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JPS62283653A
JPS62283653A JP61127772A JP12777286A JPS62283653A JP S62283653 A JPS62283653 A JP S62283653A JP 61127772 A JP61127772 A JP 61127772A JP 12777286 A JP12777286 A JP 12777286A JP S62283653 A JPS62283653 A JP S62283653A
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pellet
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黒丸 明
Yasushi Takeda
武田 泰
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、リードフレームやフィルムキャリアなどの半
導体素子用リード装置に係わり、特にインナーブー・ド
がファインピッチであってもその先端のボンディング部
の幅が十分広く取れるようにインナーリードのパターン
を工夫した半導体素子用リード装置に関する。
(従来の技術) リードフレームやフィルムキレリアのインナーリード【
、1、その先端のボンディング部がペレットの側縁から
適当な距離をおいてその側縁に沿ってペレット上のポン
ディングパッドと同一ピッチで配列されていることが、
ワイヤボンディングの特性上望ましい。
このようにボンディング部を配列する従来のインナーリ
ードのパターンとしては、第2図のにうにインナーリー
ド1をその先端付近の部分がペレツl−2上のポンディ
ングパッド3と同一ピッチで互いに平行に並ぶように引
き出してその先端のボンディング部1aを一列に配列し
た平行出しと呼ばれるものや、第3図のようにインナー
リード11の引き出す長さを変えてボンディング部11
aを互い違いに配列することにより、このボンディング
部11aの幅を平行出しより広く取れるようにした千鳥
配列と呼ばれるものなどがある。
(発明が解決しようとする問題点) ところで、リードフレーム又はフィルムキャリアのパタ
ーン形成において、現状ではインナーリードとインナー
リードとの間隔は40μ乳程度が最小の限界値であり、
この値以下にリード間隔を縮めることは極めて困難であ
る。そのため、ファインピッチのリードフレームやフィ
ルムキャリアにおいては、ボンディング部の幅が十分に
取れないという問題が生じる。
例えば第2図、第3図において、仮にパッド3のピッチ
を100μmとし、リード間隔をその最小限界値である
40μ乳としたならば、第2図の平行出しのパターンに
おいてはボンディング部1aのとり(9る最大幅は図示
のように60μmであり、第3図の下馬配列で(より0
μrrLぐある。
インナーリードのボンディング部の幅は、ワイヤボンデ
ィングの鏝劣に多大の影響を及ぼし、上記例のような幅
Cはワイヤがボンディング部からはみ出すむどの欠陥が
生じる可能性が大きい。
また、上記例においてパッド3のピッチを更に60μm
まで縮めたならば、ボンディング部の最大幅は平行出し
では20μm1千鳥配列では10tt mとなり、この
ような細いパターンは作成不可能である(現状で量産可
能なインチ−リードの最小幅は約40μmである)。
このようにファインピッチ化すると、インナーリードの
幅、特にその先端のボンディング部の幅が小さくなり過
ぎるという問題がある。本発明はフィインビッチであっ
てもボンディング部の幅は十分に広く取ることができる
半導体素子用リード装置を提供することを目的とする。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) 上記目的達成のために、本発明はインナーリード先端の
ボンディング部を複数の列に分けてベレットの側縁に沿
って配列し、ベレットに近い側に配列したボンディング
部からはインナーリードをペレット方向へ引き出して、
ベレットに遠い側に配列したボンディング部からアウタ
ーリードへ向って引き出されているインナーリード群の
外方を迂回させてアウターリードへ導いたものである。
(作 用) インナーリードのボンディング部は複数列に分けて配列
しであるので、第2図の平行出しのように一列に配列し
ている場合に比較してボンディング部の幅は当然広く取
ることかできる。しかも、゛ペレットに近い側に配列し
たボンディング部からは、インナーリードをベレット方
向へ引き出してベレットに遠い側のボンディング部から
のインナーリード群を迂回させてアウターリードへ導い
ているので、第3図の千鳥配列のようにベレットに遠い
側のボンディング部の間にペレッ1〜に近い側のボンデ
ィング部からのインノー−リードが入り込むことがなく
、ボンディング部の幅の拡大が邪廣されイヱい。
(実施例) 以下、実施例により本発明を説明する。
本発明の一実施〃1を承り第1図において、インナーリ
ード21の先端のボンディング部21aは、ベレット1
の辺縁に近い側の列Aと遠い側の列Bどに分けられて、
ペレット辺縁に沿ってベレット上のポンディングパッド
3と同一ビッヂで配列されている。このように二列に分
かれて配列されている結果、各列A、BにJ3けるボン
ディング部21aのピッチはポンディングパッド3のピ
ッチの2倍とイ蒙っている。
ベレット1に遠い側の列Bに配列された各ボンディング
部2 i aからは、インナーリード21はベレット1
から遠ざかる方向へ引き出されて各々のアウターリード
(図示ヒザ)へ導かれでいる。
また、ベレット1に近い側の列△に配列された各ボンデ
ィング部21aからは、インナーリード21はベレット
1へ向って引き出されてから、列Bのボンディング部2
1aから引き出されているインナーリード群の外方を迂
回して各々のアラ・ターリード(図示せず)へ導かれて
いる。
°このため、列Bのボンディング部21aの相互間に列
Bからのインナーリード21が入り込まず、各ボンディ
ング部2°1aの幅は隣接のボンディング部210に接
触しない最大限まで拡大できる。
このようなインナーリードパターンにおいて、前述の第
2.3図と同様の条件下でボンディング部21aのとり
得る最大幅を求めてみると、ポンディングパッド3のピ
ッチが100μmの場合には、上記最大幅は160μ雇
となり、の第2.3図の従来パターンに比較して2倍近
くに拡大することができる。また、ポンディングパッド
3のピッチが60μmの場合には、上記最大幅は80μ
mとなり、この場合には形成不可能である従来パターン
に対して、本発明のパターンは十分に形成可能である。
更に、スペースが二1寸ならば第3図の千鳥配列を01
用して、例えば列Bのボンディング部21aを千鳥配列
するにうにしたならば、更にその幅を大きくとることが
できる。
尚、ボンディング部21aとポンディングパッド3とを
接続したワイA7が下方へたれ下がる、いわゆるワイヤ
ーアンダーループによって、たれ下がったワイヤーがベ
レット1側へ引き出されたイン上−リード21に接触す
る可能性があるが、これはボンディング部21a以外の
部分を絶縁膜でマスクすることで防止できる。
(発明の効果〕 以上説明したように、本発明はインナーリード先端のボ
ンディング部をベレットからの距丙1がソ11なる複数
列に分けて配列し、ベレットに近い側のボンディング部
からはペレッ]・方向へインナーリードを引き出して、
ベレットに遠い側のボンディング部から引き出されてい
るインナーリード群の外方を迂回させて各々のアウター
リードへ導いているので、従来の比較してボンディング
部の幅を格段に広くすることができ、従ってインナーリ
ードのファインピッチ化ひいては半導体素子の高集積化
、小型化に大きく寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のインナーリードのパターン
図、第2図及び第3図は従来のインナーリードのパター
ン図である。 1.11.21・・・インナーリード、1a。 11a、21a・・・ボンディング部、2・・・ベレッ
ト、3・・・ポンディングパッド、A、B・・・ボンデ
ィング部の列。 出願人代理人  佐  藤  −雄 7つターリードへ 躬2図 7ウタリーFへ 恥 3 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  インナーリード先端のボンディング部を、ペレット側
    縁からの距離が異なる複数の列に分けて前記側縁に沿っ
    て配列し、前記ペレットに遠い側に配列したボンディン
    グ部からは、前記ペレットから遠ざかる方向へインナー
    リードを引き出してアウターリードへ導き、また前記ペ
    レットに近い側に配列したボンディング部からは、前記
    ペレットへ向う方向へインナーリードを引き出して、前
    記ペレットに遠い側のボンディング部から引き出された
    インナーリード群の外方を迂回させてアウターリードへ
    導いたことを特徴とする半導体素子用リード装置。
JP12777286A 1986-06-02 1986-06-02 半導体素子用リ−ド装置 Expired - Lifetime JPH0783084B2 (ja)

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JP12777286A JPH0783084B2 (ja) 1986-06-02 1986-06-02 半導体素子用リ−ド装置

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JP12777286A JPH0783084B2 (ja) 1986-06-02 1986-06-02 半導体素子用リ−ド装置

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JPS62283653A true JPS62283653A (ja) 1987-12-09
JPH0783084B2 JPH0783084B2 (ja) 1995-09-06

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ID=14968312

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0371646U (ja) * 1989-11-16 1991-07-19
JPH04186755A (ja) * 1990-11-20 1992-07-03 Matsushita Electron Corp リードフレーム
JP2001298039A (ja) * 2000-04-12 2001-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2005117036A (ja) * 2003-10-04 2005-04-28 Samsung Electronics Co Ltd テープ配線基板とそれを利用した半導体チップパッケージ
JP2005252140A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Olympus Corp 固体撮像装置用パッケージ

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JP2005117036A (ja) * 2003-10-04 2005-04-28 Samsung Electronics Co Ltd テープ配線基板とそれを利用した半導体チップパッケージ
JP2005252140A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Olympus Corp 固体撮像装置用パッケージ

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