JPS62278173A - 多結晶シリコンインゴツトの製造方法 - Google Patents
多結晶シリコンインゴツトの製造方法Info
- Publication number
- JPS62278173A JPS62278173A JP61117570A JP11757086A JPS62278173A JP S62278173 A JPS62278173 A JP S62278173A JP 61117570 A JP61117570 A JP 61117570A JP 11757086 A JP11757086 A JP 11757086A JP S62278173 A JPS62278173 A JP S62278173A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- silicon
- ingot
- polycrystalline silicon
- silicon ingot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 39
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 27
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 claims description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 9
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
(産業上の利用分野)
本発明は、多結晶シリコンインゴットの製造方法に関す
るものである。
るものである。
(従来の技術)
最近、低価格太陽電池の開発が盛んであるが、その1つ
として、高価な単結晶シリコン基板の代わりに、多結晶
シリコン基据の開発がなされている。多結晶シリコン基
板は鋳造法によって製造されたインゴットをスライスす
ることによって作られる。このような鋳造法によれば、
鋳型を用いてシリコン融液を冷却固化させるので、単結
晶を得る場合に用いられている引上げ法に比較して、結
晶成長速度が大きく、また鋳型の形状どうりの任意の形
状のインゴットが得られ、しかも操作が容易である等の
利点が有り、低価格のインゴットを製造することができ
る。
として、高価な単結晶シリコン基板の代わりに、多結晶
シリコン基据の開発がなされている。多結晶シリコン基
板は鋳造法によって製造されたインゴットをスライスす
ることによって作られる。このような鋳造法によれば、
鋳型を用いてシリコン融液を冷却固化させるので、単結
晶を得る場合に用いられている引上げ法に比較して、結
晶成長速度が大きく、また鋳型の形状どうりの任意の形
状のインゴットが得られ、しかも操作が容易である等の
利点が有り、低価格のインゴットを製造することができ
る。
しかし、シリコン融液は、黒鉛2石英などからなる鋳型
材料と反応して、冷却固化すると強く固着する。このた
め、鋳型とシリコン結晶の熱膨張係数の差により冷却固
化したシリコンに歪が生じ、生成されるシリコン多結晶
インゴットにクランクが入るという欠点があった。
材料と反応して、冷却固化すると強く固着する。このた
め、鋳型とシリコン結晶の熱膨張係数の差により冷却固
化したシリコンに歪が生じ、生成されるシリコン多結晶
インゴットにクランクが入るという欠点があった。
この問題を解決するために従来種々の方法が開発されて
いる。これらの方法の1つとして粉末離型剤法が知られ
ている。この方法は鋳型の内面に窒化シリコン粉末離型
剤が塗布された鋳型内で冷却面化させる方法である(特
公昭59−33533)。前記粉末離型剤を用いること
により、冷却時における多結晶シリコンと鋳型との熱膨
張係数の差によって生じる歪を緩和し、鋳型との固着が
原因となって生じるクラックの発生を防ぐことができる
。
いる。これらの方法の1つとして粉末離型剤法が知られ
ている。この方法は鋳型の内面に窒化シリコン粉末離型
剤が塗布された鋳型内で冷却面化させる方法である(特
公昭59−33533)。前記粉末離型剤を用いること
により、冷却時における多結晶シリコンと鋳型との熱膨
張係数の差によって生じる歪を緩和し、鋳型との固着が
原因となって生じるクラックの発生を防ぐことができる
。
しかし、この離型剤法は粉末を均一な厚さに塗布するこ
とは難しく、厚さの薄い部分においては鋳型とシリコン
インゴットが固着することがあり、鋳型よりインゴット
を取り出すことができなくなる。さらにシリコン融液は
凝固時に約9%と大きく体積膨張するため、粉末離型剤
ではその膨張による歪を完全に吸収することはできず、
仮りにクランクのないインゴットが作製されたとしても
、鋳型からのインゴットの取り出しは非常に難しい。
とは難しく、厚さの薄い部分においては鋳型とシリコン
インゴットが固着することがあり、鋳型よりインゴット
を取り出すことができなくなる。さらにシリコン融液は
凝固時に約9%と大きく体積膨張するため、粉末離型剤
ではその膨張による歪を完全に吸収することはできず、
仮りにクランクのないインゴットが作製されたとしても
、鋳型からのインゴットの取り出しは非常に難しい。
そのため、鋳型から多結晶インゴットを取り出す方法が
種々提案され、鋳型の上部をわずかに広くし、かつ底部
の一部が脱着できる様にして、固化した多結晶シリコン
インゴットを鋳型から取り出す場合、鋳型底部の一部を
上に押し上げて、インゴットを鋳型より抜き出す方法(
特公昭59−53209)、また、鋳型をあらかじめ縦
割に2分割以上になるようにして、これを組み立て、こ
の中でシリコン融液を冷却固化する方法(特開昭57−
134235)が知られている。
種々提案され、鋳型の上部をわずかに広くし、かつ底部
の一部が脱着できる様にして、固化した多結晶シリコン
インゴットを鋳型から取り出す場合、鋳型底部の一部を
上に押し上げて、インゴットを鋳型より抜き出す方法(
特公昭59−53209)、また、鋳型をあらかじめ縦
割に2分割以上になるようにして、これを組み立て、こ
の中でシリコン融液を冷却固化する方法(特開昭57−
134235)が知られている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかし、前記特公昭59−53209の方法によれば、
シリコン融液の固化時に発生する体積膨張により鋳型と
シリコンインゴットとの間に歪が生じた場合には、イン
ゴットを容易に取り出すことはできない。特に石英を鋳
型材とした時には、石英の軟化によるわずかな歪によっ
て、インゴットの取り出しは不可能となる。また鋳型上
部を大きく広げインゴットを取り出しやすくすることは
、太陽電池基板を切り出す際の歩留を低下させ、低価格
の材料の製造方法としては不適である。また鋳型を分割
する方法(特開昭57−134235)は、分割された
鋳型のずれを防ぐために、鋳型に合わせた黒鉛ルツボ内
に入れて固定しなければならないため、木質的には、鋳
型を分割した効果があられれないという問題点が残って
いた。なぜならば、固定用の黒鉛ルツボが鋳型より充分
大きい場合には、鋳型の分割片が正しい接合箇所からず
れてしまうし、また、上記のずれを防ぐに充分なほど固
定用黒鉛ルツボが小さければ、インゴットが冷却固化し
た後にインゴットの体積膨張のため鋳型を前記固定用黒
鉛ルツボから取り出すことが困難となる。鋳型として石
英を使った場合には、常に石英鋳型は変形し、一層鋳型
を黒鉛ルツボから取り出すことが困難となり、従って、
インゴットを取り出すためには鋳型を壊さなければなら
ないという欠点があった。
シリコン融液の固化時に発生する体積膨張により鋳型と
シリコンインゴットとの間に歪が生じた場合には、イン
ゴットを容易に取り出すことはできない。特に石英を鋳
型材とした時には、石英の軟化によるわずかな歪によっ
て、インゴットの取り出しは不可能となる。また鋳型上
部を大きく広げインゴットを取り出しやすくすることは
、太陽電池基板を切り出す際の歩留を低下させ、低価格
の材料の製造方法としては不適である。また鋳型を分割
する方法(特開昭57−134235)は、分割された
鋳型のずれを防ぐために、鋳型に合わせた黒鉛ルツボ内
に入れて固定しなければならないため、木質的には、鋳
型を分割した効果があられれないという問題点が残って
いた。なぜならば、固定用の黒鉛ルツボが鋳型より充分
大きい場合には、鋳型の分割片が正しい接合箇所からず
れてしまうし、また、上記のずれを防ぐに充分なほど固
定用黒鉛ルツボが小さければ、インゴットが冷却固化し
た後にインゴットの体積膨張のため鋳型を前記固定用黒
鉛ルツボから取り出すことが困難となる。鋳型として石
英を使った場合には、常に石英鋳型は変形し、一層鋳型
を黒鉛ルツボから取り出すことが困難となり、従って、
インゴットを取り出すためには鋳型を壊さなければなら
ないという欠点があった。
(問題を解決するための手段)
本発明は上記した欠点をなくし、鋳型と多結晶シリコン
インゴットを容易に分離できる多結晶シリコンの製造方
法を提供することを目的とするものであり、特許請求の
範囲記載の方法を提供することにより、前記目的を達成
することができる。
インゴットを容易に分離できる多結晶シリコンの製造方
法を提供することを目的とするものであり、特許請求の
範囲記載の方法を提供することにより、前記目的を達成
することができる。
次に本発明の詳細な説明する。
本発明によれば、シリコン融液を冷却固化するために底
板と、それに垂直な周側壁が少なくとも2つ以上に分割
された側壁とを組み立てた鋳型を用いる。第1図は本発
明方法を実施する際に用いる組み立てられた鋳型の1つ
の態様を示す斜視図であり、底板1上に4つに分割され
た側壁板2゜3,4および5が垂直にかつ互に係合して
周側壁を形成している。ここで、側壁板2,3.4およ
び5は、厚みを薄<シすぎると各側壁が各々係合した状
態で直立することが難しいために、側壁2゜3.4およ
び5の厚みは直立させるに十分な厚みとすることが好ま
しく、また、側壁2,3.4および5の各係合部分に窒
化シリコン粉末のスラリーを塗布することによって各側
壁2,3.4および5を直立した状態に保持させること
もできる。
板と、それに垂直な周側壁が少なくとも2つ以上に分割
された側壁とを組み立てた鋳型を用いる。第1図は本発
明方法を実施する際に用いる組み立てられた鋳型の1つ
の態様を示す斜視図であり、底板1上に4つに分割され
た側壁板2゜3,4および5が垂直にかつ互に係合して
周側壁を形成している。ここで、側壁板2,3.4およ
び5は、厚みを薄<シすぎると各側壁が各々係合した状
態で直立することが難しいために、側壁2゜3.4およ
び5の厚みは直立させるに十分な厚みとすることが好ま
しく、また、側壁2,3.4および5の各係合部分に窒
化シリコン粉末のスラリーを塗布することによって各側
壁2,3.4および5を直立した状態に保持させること
もできる。
なお側壁板2,3.4および5をそれぞれ両側部におい
て隣接する側壁板と係合させる態様には第2図fan、
fb)、 (e)に平面図として示すような態様があ
る。第3図は側壁板が2つに分割された態様を示す鋳型
の平面図であり、L字型の2個の側壁仮により周側壁が
形成されている。
て隣接する側壁板と係合させる態様には第2図fan、
fb)、 (e)に平面図として示すような態様があ
る。第3図は側壁板が2つに分割された態様を示す鋳型
の平面図であり、L字型の2個の側壁仮により周側壁が
形成されている。
本発明の第2発明によれば、第4図に示すように底板と
側壁板とから徂み立てられた鋳型6を金属製、セラミッ
ク製の何れか少なくとも1種よりなる容器7内にセント
し、前記容器7の内壁と鋳型6の外側壁との隙間に耐熱
性の弾性材料8を介装する。
側壁板とから徂み立てられた鋳型6を金属製、セラミッ
ク製の何れか少なくとも1種よりなる容器7内にセント
し、前記容器7の内壁と鋳型6の外側壁との隙間に耐熱
性の弾性材料8を介装する。
前記鋳型の材質として石英、黒鉛、窒化シリコンの何れ
か1種を用いることができ、これらの材料はシリコン融
液と反応とすることが少ないからである。
か1種を用いることができ、これらの材料はシリコン融
液と反応とすることが少ないからである。
なお、本発明によれば、鋳型の内周面に窒化シリコン粉
末を塗布することによりシリコン融液と鋳型との反応を
さらに少なくすることができる。
末を塗布することによりシリコン融液と鋳型との反応を
さらに少なくすることができる。
本発明において弾性材料としては炭素繊維、シリカ繊維
、炭化珪素繊維、アルミナ繊維を有利に使用することが
でき、これらの繊維をフェルト状。
、炭化珪素繊維、アルミナ繊維を有利に使用することが
でき、これらの繊維をフェルト状。
マット状もしくは球塊状にして前記容器と鋳型との隙間
に挿入詰め込む。
に挿入詰め込む。
なお前記セラミック製容器としてはアルミナ。
黒鉛、陶器などから作られる容器を用いることができる
。また金属製容器としては、鋼板、ステンレス板製の容
器を用いることができる。またこれらの容器の内壁に耐
熱性の保温材を内張すしたものを用いることは有利であ
る。
。また金属製容器としては、鋼板、ステンレス板製の容
器を用いることができる。またこれらの容器の内壁に耐
熱性の保温材を内張すしたものを用いることは有利であ
る。
本発明によれば鋳型内でシリコン融液を冷却固化させる
が、前記シリコン融液は前記鋳型内シリコン原料を装入
して溶解させてなるシリコン融液あるいは鋳型以外の溶
解炉においてシリコン粉末を溶解させたシリコン融液を
前記鋳型内に注入した後、同鋳型内で冷却固化させて、
多結晶シリコンを得ることができる。
が、前記シリコン融液は前記鋳型内シリコン原料を装入
して溶解させてなるシリコン融液あるいは鋳型以外の溶
解炉においてシリコン粉末を溶解させたシリコン融液を
前記鋳型内に注入した後、同鋳型内で冷却固化させて、
多結晶シリコンを得ることができる。
以上本発明によれば、シリコン融液が固化する際の膨張
による歪は鋳型側壁が鋳型底板と分割されているために
、側壁のわずかな移動によって吸収される。まh本発明
の第2の発明によれば、鋳型を固定する弾性材により鋳
型がずれたり、シリコン融液が鋳型の外に流れでること
も防止される。
による歪は鋳型側壁が鋳型底板と分割されているために
、側壁のわずかな移動によって吸収される。まh本発明
の第2の発明によれば、鋳型を固定する弾性材により鋳
型がずれたり、シリコン融液が鋳型の外に流れでること
も防止される。
また鋳型の一部が固化したシリコンインゴットと固着し
たとしても、鋳型側壁の移動により熱膨張係数の差によ
って生じる歪の発生を防止することができる。従って、
得られる多結晶シリコンインゴットにはクラックや結晶
欠陥がほとんど発生しない。またこの多結晶シリコンイ
ンゴットを鋳型から取り出す場合には、鋳型の底板と側
壁が分割されているため、インゴットが完全に固化した
のち、側壁を上方に抜きとることにより、インゴットを
簡単に取り出すことができる。
たとしても、鋳型側壁の移動により熱膨張係数の差によ
って生じる歪の発生を防止することができる。従って、
得られる多結晶シリコンインゴットにはクラックや結晶
欠陥がほとんど発生しない。またこの多結晶シリコンイ
ンゴットを鋳型から取り出す場合には、鋳型の底板と側
壁が分割されているため、インゴットが完全に固化した
のち、側壁を上方に抜きとることにより、インゴットを
簡単に取り出すことができる。
本発明によれば、鋳型は全く損傷することがなく、再使
用することが可能である。また鋳型は底板と複数の側壁
とを組み合せたものであるため、構成する部品の形状は
極めて単純なものになり、鋳型を安価に作製できるうえ
に、鋳型の底板と側壁を異なる材質で構成することがで
き、冷却のコントロール条件を制御しやすい利点がある
。
用することが可能である。また鋳型は底板と複数の側壁
とを組み合せたものであるため、構成する部品の形状は
極めて単純なものになり、鋳型を安価に作製できるうえ
に、鋳型の底板と側壁を異なる材質で構成することがで
き、冷却のコントロール条件を制御しやすい利点がある
。
次に本発明を実施例について説明する。
実施例1
7cmx7cmの角形で厚さ1c+nの底板のうえに、
L字形をした厚さ1cmの側壁2枚を垂直に立て、内容
積が5cmX 5cmX 5cmとなる黒鉛製鋳型を組
み立てた。鋳型内面に窒化シリコン粉末を塗布し、高純
度シリコン原料800gを入れ、その鋳型を1500℃
に加熱した。シリコン原料が完全に融解した後、黒鉛鋳
型の底より徐々に固化させ、多結晶シリコンインゴット
を得た。内壁に窒化シリコン粉末を塗布しているため黒
鉛とシリコンインゴットとの固着はなく、鋳型からシリ
コン融液が流れでたり、鋳型がずれることはなかった。
L字形をした厚さ1cmの側壁2枚を垂直に立て、内容
積が5cmX 5cmX 5cmとなる黒鉛製鋳型を組
み立てた。鋳型内面に窒化シリコン粉末を塗布し、高純
度シリコン原料800gを入れ、その鋳型を1500℃
に加熱した。シリコン原料が完全に融解した後、黒鉛鋳
型の底より徐々に固化させ、多結晶シリコンインゴット
を得た。内壁に窒化シリコン粉末を塗布しているため黒
鉛とシリコンインゴットとの固着はなく、鋳型からシリ
コン融液が流れでたり、鋳型がずれることはなかった。
多結晶シリコンインゴットはクランクが全く入らない完
全なものが得られた。
全なものが得られた。
鋳型には損傷はなく、そのまま組み立てれば再使用でき
た。このような方法で製造された多結晶シリコンインゴ
ットは、底部より成長した柱状晶よりなり、その比抵抗
は、30Ω−cm〜50Ω−cmであった。
た。このような方法で製造された多結晶シリコンインゴ
ットは、底部より成長した柱状晶よりなり、その比抵抗
は、30Ω−cm〜50Ω−cmであった。
実施例2
11cm X 11cmの角形で厚さ1cmの黒鉛板よ
りなる底板のうえに厚さ0.5 cmの石英板よりなる
側壁を立て、内容積が10cm X 10cm X 1
0cmとなる鋳型を組み立てた。この鋳型をステンレス
スチールの角型容器の内に入れ、容器と鋳型の間にカー
ボン繊維からなるフェルト状の弾性材を介装した。鋳型
内壁に窒化シリコン粉末を塗布した後、別途石英ルツボ
で溶解した約2Kgのシリコン融液を鋳型に流し込んだ
。シリコン融液は、鋳型内で、底より徐々に固化され、
多結晶シリコンインゴットを得た。
りなる底板のうえに厚さ0.5 cmの石英板よりなる
側壁を立て、内容積が10cm X 10cm X 1
0cmとなる鋳型を組み立てた。この鋳型をステンレス
スチールの角型容器の内に入れ、容器と鋳型の間にカー
ボン繊維からなるフェルト状の弾性材を介装した。鋳型
内壁に窒化シリコン粉末を塗布した後、別途石英ルツボ
で溶解した約2Kgのシリコン融液を鋳型に流し込んだ
。シリコン融液は、鋳型内で、底より徐々に固化され、
多結晶シリコンインゴットを得た。
この際多結晶シリコンインゴットと鋳型との固着はなく
、凝固時の歪は弾性材に吸収され全くクランクのない、
多結晶シリコンインゴットが得られた。
、凝固時の歪は弾性材に吸収され全くクランクのない、
多結晶シリコンインゴットが得られた。
次いで弾性材を抜き出した後、4枚の側壁を外側に開い
て簡単にインゴットを取り出すことができた。鋳型の損
傷は全熱なかった。製造された多結晶シリコンインゴッ
トの比抵抗は20〜30Ω−Cmであり、また、このイ
ンゴットから0.450mmの厚さで切り出されたウェ
ハのライフタイムは約10μsecであった。
て簡単にインゴットを取り出すことができた。鋳型の損
傷は全熱なかった。製造された多結晶シリコンインゴッ
トの比抵抗は20〜30Ω−Cmであり、また、このイ
ンゴットから0.450mmの厚さで切り出されたウェ
ハのライフタイムは約10μsecであった。
実施例3
27cm X 27cmの角型で厚さ2.5cmの黒鉛
板よりなる底板のうえに、厚さ2.5cmの黒鉛板より
なる側壁を立て、内容積が22cm X 22cm X
20cmとなる鋳型を組み立てた。この鋳型を、ステ
ンレススチールに酸化物の断熱材を内張すした角型容器
の内に入れ、容器と鋳型の間にカーボン繊維からなるフ
ェルト状の弾性材を介装した。鋳型内壁に窒化シリコン
粉末を塗布し、約17Kgの高純度シリコンに約0.4
gの0.01Ω−cm P型シリコン(Bドープ)を加
え、また内壁に窒化シリコンを塗布した黒鉛ルツボ内で
1500℃に加熱し完全にシリコン融液とした後、この
シリコン融液を前記鋳型に流し込んだ。
板よりなる底板のうえに、厚さ2.5cmの黒鉛板より
なる側壁を立て、内容積が22cm X 22cm X
20cmとなる鋳型を組み立てた。この鋳型を、ステ
ンレススチールに酸化物の断熱材を内張すした角型容器
の内に入れ、容器と鋳型の間にカーボン繊維からなるフ
ェルト状の弾性材を介装した。鋳型内壁に窒化シリコン
粉末を塗布し、約17Kgの高純度シリコンに約0.4
gの0.01Ω−cm P型シリコン(Bドープ)を加
え、また内壁に窒化シリコンを塗布した黒鉛ルツボ内で
1500℃に加熱し完全にシリコン融液とした後、この
シリコン融液を前記鋳型に流し込んだ。
シリコン融液は、鋳型内で底より徐々に固化され、多結
晶シリコンインゴットを得た。多結晶シリコンと鋳型と
の固着がごく1部でみられたが、凝固時の膨張による歪
や、冷却時の熱膨張係数の差によって生じる歪は、側壁
の移動によって吸収され、多結晶シリコンインゴットは
クラックの入らない完全なものであった。
晶シリコンインゴットを得た。多結晶シリコンと鋳型と
の固着がごく1部でみられたが、凝固時の膨張による歪
や、冷却時の熱膨張係数の差によって生じる歪は、側壁
の移動によって吸収され、多結晶シリコンインゴットは
クラックの入らない完全なものであった。
次に弾性材を抜き出した後、4枚の側壁を外側に開いて
、節単にインゴットを取り出すことができた。このよう
な方法で製造された多結晶シリコンインゴットの比抵抗
は、約3Ω−cmであり、またこのインゴットから10
cm x 10c+n角型で0.450mmの厚さで切
り出されたウェハのライフタイムは約5μsecであっ
た。
、節単にインゴットを取り出すことができた。このよう
な方法で製造された多結晶シリコンインゴットの比抵抗
は、約3Ω−cmであり、またこのインゴットから10
cm x 10c+n角型で0.450mmの厚さで切
り出されたウェハのライフタイムは約5μsecであっ
た。
(発明の効果)
本発明によれば、底板と少なくとも2つ以上に分割され
た側壁とからなる組み立て鋳型を用いることによって、
クラックの入らない完全な多結晶シリコンインゴットを
容易に製造でき、さらに多結晶シリコンインゴットを鋳
型から非常に簡単に取り出すことができる。この結果、
鋳型の製造コストは小さくなり、また再使用も可能とな
るため、低価格の太陽電池用シリコン基板の製造が可能
となった。
た側壁とからなる組み立て鋳型を用いることによって、
クラックの入らない完全な多結晶シリコンインゴットを
容易に製造でき、さらに多結晶シリコンインゴットを鋳
型から非常に簡単に取り出すことができる。この結果、
鋳型の製造コストは小さくなり、また再使用も可能とな
るため、低価格の太陽電池用シリコン基板の製造が可能
となった。
第1図は本発明方法を実施する際に用いる組み立てられ
た鋳型の1つの態様を示す斜視図。 第2図(al、 (b)、 (e)はそれぞれ本発明方
法による分割された側壁板を係合させた態様を示す平面
図。 第3図は2つに分割された側壁板を係合させた態様を示
す平面図。 第4図は本発明による鋳型を容器内にセントした態様を
示す平面図である。 1・・・底板、 2,3,4.5・・・側壁板。 6・・・鋳型、 7・・・容器、 8・・・弾性材
。 第4図
た鋳型の1つの態様を示す斜視図。 第2図(al、 (b)、 (e)はそれぞれ本発明方
法による分割された側壁板を係合させた態様を示す平面
図。 第3図は2つに分割された側壁板を係合させた態様を示
す平面図。 第4図は本発明による鋳型を容器内にセントした態様を
示す平面図である。 1・・・底板、 2,3,4.5・・・側壁板。 6・・・鋳型、 7・・・容器、 8・・・弾性材
。 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、シリコン融液を鋳型内で冷却固化させる多結晶シリ
コンインゴットの製造方法において、底板と周側壁が2
個以上よりなる側壁とが組み立てられてなる鋳型内でシ
リコン融液を冷却固化させることを特徴とする多結晶シ
リコンインゴットの製造方法。 2、前記鋳型は石英、黒鉛、窒化シリコンのなかから選
ばれる何れか1種よりなることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の方法。 3、シリコン融液を鋳型内で冷却固化させる多結晶シリ
コンインゴットの製造方法において;金属製、セラミッ
ク製の何れか少なくとも1つよりなる容器内にセットさ
れた底板と周側壁が2個以上よりなる側壁が組み立てら
れてなる鋳型であって前記容器の内壁と鋳型の外側壁と
の隙間に耐熱性の弾性材料が介装されている前記鋳型内
で、シリコン融液を冷却固化させることを特徴とする多
結晶シリコンインゴットの製造方法。 4、前記鋳型は石英、黒鉛、窒化シリコンのなかから選
ばれる何れか1種よりなることを特徴とする特許請求の
範囲第3項記載の方法。 5、前記弾性材料は炭素繊維、シリカ繊維、炭化珪素繊
維、アルミナ繊維のなかから選ばれる何れか少なくとも
1種である特許請求の範囲第3項記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61117570A JPS62278173A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 多結晶シリコンインゴツトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61117570A JPS62278173A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 多結晶シリコンインゴツトの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62278173A true JPS62278173A (ja) | 1987-12-03 |
Family
ID=14715090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61117570A Pending JPS62278173A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 多結晶シリコンインゴツトの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62278173A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006282495A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-10-19 | Kyocera Corp | 鋳型及びこれを用いた多結晶シリコンインゴットの製造方法 |
-
1986
- 1986-05-23 JP JP61117570A patent/JPS62278173A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006282495A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-10-19 | Kyocera Corp | 鋳型及びこれを用いた多結晶シリコンインゴットの製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0887442B1 (en) | Process and apparatus for producing polycrystalline semiconductor ingot | |
US20040211496A1 (en) | Reusable crucible for silicon ingot growth | |
KR20070019970A (ko) | 주형 및 그 형성방법, 및 그 주형을 이용한 다결정 실리콘기판의 제조방법 | |
JP2002170780A (ja) | ルツボおよびそれを使用した多結晶シリコンの成長方法 | |
JPS6358669B2 (ja) | ||
US20110180229A1 (en) | Crucible For Use In A Directional Solidification Furnace | |
US4218418A (en) | Processes of casting an ingot and making a silica container | |
JP2006335582A (ja) | 結晶シリコン製造装置とその製造方法 | |
JP3206540B2 (ja) | シリコンインゴット製造用積層ルツボおよびその製造方法 | |
JPS5826019A (ja) | 多結晶シリコンインゴットの鋳造法 | |
JPS62278173A (ja) | 多結晶シリコンインゴツトの製造方法 | |
JP3752297B2 (ja) | シリコンの鋳造法 | |
JP5788892B2 (ja) | シリコンインゴット製造用容器 | |
JP4726454B2 (ja) | 多結晶シリコンインゴットの鋳造方法、これを用いた多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコン基板、並びに太陽電池素子 | |
JPS5913219Y2 (ja) | 多結晶シリコンインゴットの鋳造用鋳型 | |
JPH1192284A (ja) | 一方向凝固多結晶組織を有するシリコンインゴットの製造方法 | |
JP3935747B2 (ja) | シリコンインゴットの製造方法 | |
JP3758199B2 (ja) | 結晶の製造方法及び製造装置 | |
JPS609656B2 (ja) | 多結晶シリコン半導体の製造方法 | |
US6497762B1 (en) | Method of fabricating crystal thin plate under micro-gravity environment | |
JP4693932B1 (ja) | 筒状シリコン結晶体製造方法及びその製造方法で製造される筒状シリコン結晶体 | |
EP1085112A2 (en) | Method of fabricating a single crystal | |
JPH04243168A (ja) | 太陽電池基板の製造方法 | |
JP2739556B2 (ja) | 圧電性結晶の製造方法 | |
JPS5939897B2 (ja) | 多結晶シリコン半導体の製造方法 |