JPS62278173A - 多結晶シリコンインゴツトの製造方法 - Google Patents

多結晶シリコンインゴツトの製造方法

Info

Publication number
JPS62278173A
JPS62278173A JP61117570A JP11757086A JPS62278173A JP S62278173 A JPS62278173 A JP S62278173A JP 61117570 A JP61117570 A JP 61117570A JP 11757086 A JP11757086 A JP 11757086A JP S62278173 A JPS62278173 A JP S62278173A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
silicon
ingot
polycrystalline silicon
silicon ingot
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61117570A
Other languages
English (en)
Inventor
賢一 小林
柳谷 茂夫
魚谷 進
義行 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Metals and Chemical Co Ltd
Original Assignee
Japan Metals and Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Metals and Chemical Co Ltd filed Critical Japan Metals and Chemical Co Ltd
Priority to JP61117570A priority Critical patent/JPS62278173A/ja
Publication of JPS62278173A publication Critical patent/JPS62278173A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 (産業上の利用分野) 本発明は、多結晶シリコンインゴットの製造方法に関す
るものである。
(従来の技術) 最近、低価格太陽電池の開発が盛んであるが、その1つ
として、高価な単結晶シリコン基板の代わりに、多結晶
シリコン基据の開発がなされている。多結晶シリコン基
板は鋳造法によって製造されたインゴットをスライスす
ることによって作られる。このような鋳造法によれば、
鋳型を用いてシリコン融液を冷却固化させるので、単結
晶を得る場合に用いられている引上げ法に比較して、結
晶成長速度が大きく、また鋳型の形状どうりの任意の形
状のインゴットが得られ、しかも操作が容易である等の
利点が有り、低価格のインゴットを製造することができ
る。
しかし、シリコン融液は、黒鉛2石英などからなる鋳型
材料と反応して、冷却固化すると強く固着する。このた
め、鋳型とシリコン結晶の熱膨張係数の差により冷却固
化したシリコンに歪が生じ、生成されるシリコン多結晶
インゴットにクランクが入るという欠点があった。
この問題を解決するために従来種々の方法が開発されて
いる。これらの方法の1つとして粉末離型剤法が知られ
ている。この方法は鋳型の内面に窒化シリコン粉末離型
剤が塗布された鋳型内で冷却面化させる方法である(特
公昭59−33533)。前記粉末離型剤を用いること
により、冷却時における多結晶シリコンと鋳型との熱膨
張係数の差によって生じる歪を緩和し、鋳型との固着が
原因となって生じるクラックの発生を防ぐことができる
しかし、この離型剤法は粉末を均一な厚さに塗布するこ
とは難しく、厚さの薄い部分においては鋳型とシリコン
インゴットが固着することがあり、鋳型よりインゴット
を取り出すことができなくなる。さらにシリコン融液は
凝固時に約9%と大きく体積膨張するため、粉末離型剤
ではその膨張による歪を完全に吸収することはできず、
仮りにクランクのないインゴットが作製されたとしても
、鋳型からのインゴットの取り出しは非常に難しい。
そのため、鋳型から多結晶インゴットを取り出す方法が
種々提案され、鋳型の上部をわずかに広くし、かつ底部
の一部が脱着できる様にして、固化した多結晶シリコン
インゴットを鋳型から取り出す場合、鋳型底部の一部を
上に押し上げて、インゴットを鋳型より抜き出す方法(
特公昭59−53209)、また、鋳型をあらかじめ縦
割に2分割以上になるようにして、これを組み立て、こ
の中でシリコン融液を冷却固化する方法(特開昭57−
134235)が知られている。
(発明が解決しようとする問題点) しかし、前記特公昭59−53209の方法によれば、
シリコン融液の固化時に発生する体積膨張により鋳型と
シリコンインゴットとの間に歪が生じた場合には、イン
ゴットを容易に取り出すことはできない。特に石英を鋳
型材とした時には、石英の軟化によるわずかな歪によっ
て、インゴットの取り出しは不可能となる。また鋳型上
部を大きく広げインゴットを取り出しやすくすることは
、太陽電池基板を切り出す際の歩留を低下させ、低価格
の材料の製造方法としては不適である。また鋳型を分割
する方法(特開昭57−134235)は、分割された
鋳型のずれを防ぐために、鋳型に合わせた黒鉛ルツボ内
に入れて固定しなければならないため、木質的には、鋳
型を分割した効果があられれないという問題点が残って
いた。なぜならば、固定用の黒鉛ルツボが鋳型より充分
大きい場合には、鋳型の分割片が正しい接合箇所からず
れてしまうし、また、上記のずれを防ぐに充分なほど固
定用黒鉛ルツボが小さければ、インゴットが冷却固化し
た後にインゴットの体積膨張のため鋳型を前記固定用黒
鉛ルツボから取り出すことが困難となる。鋳型として石
英を使った場合には、常に石英鋳型は変形し、一層鋳型
を黒鉛ルツボから取り出すことが困難となり、従って、
インゴットを取り出すためには鋳型を壊さなければなら
ないという欠点があった。
(問題を解決するための手段) 本発明は上記した欠点をなくし、鋳型と多結晶シリコン
インゴットを容易に分離できる多結晶シリコンの製造方
法を提供することを目的とするものであり、特許請求の
範囲記載の方法を提供することにより、前記目的を達成
することができる。
次に本発明の詳細な説明する。
本発明によれば、シリコン融液を冷却固化するために底
板と、それに垂直な周側壁が少なくとも2つ以上に分割
された側壁とを組み立てた鋳型を用いる。第1図は本発
明方法を実施する際に用いる組み立てられた鋳型の1つ
の態様を示す斜視図であり、底板1上に4つに分割され
た側壁板2゜3,4および5が垂直にかつ互に係合して
周側壁を形成している。ここで、側壁板2,3.4およ
び5は、厚みを薄<シすぎると各側壁が各々係合した状
態で直立することが難しいために、側壁2゜3.4およ
び5の厚みは直立させるに十分な厚みとすることが好ま
しく、また、側壁2,3.4および5の各係合部分に窒
化シリコン粉末のスラリーを塗布することによって各側
壁2,3.4および5を直立した状態に保持させること
もできる。
なお側壁板2,3.4および5をそれぞれ両側部におい
て隣接する側壁板と係合させる態様には第2図fan、
 fb)、 (e)に平面図として示すような態様があ
る。第3図は側壁板が2つに分割された態様を示す鋳型
の平面図であり、L字型の2個の側壁仮により周側壁が
形成されている。
本発明の第2発明によれば、第4図に示すように底板と
側壁板とから徂み立てられた鋳型6を金属製、セラミッ
ク製の何れか少なくとも1種よりなる容器7内にセント
し、前記容器7の内壁と鋳型6の外側壁との隙間に耐熱
性の弾性材料8を介装する。
前記鋳型の材質として石英、黒鉛、窒化シリコンの何れ
か1種を用いることができ、これらの材料はシリコン融
液と反応とすることが少ないからである。
なお、本発明によれば、鋳型の内周面に窒化シリコン粉
末を塗布することによりシリコン融液と鋳型との反応を
さらに少なくすることができる。
本発明において弾性材料としては炭素繊維、シリカ繊維
、炭化珪素繊維、アルミナ繊維を有利に使用することが
でき、これらの繊維をフェルト状。
マット状もしくは球塊状にして前記容器と鋳型との隙間
に挿入詰め込む。
なお前記セラミック製容器としてはアルミナ。
黒鉛、陶器などから作られる容器を用いることができる
。また金属製容器としては、鋼板、ステンレス板製の容
器を用いることができる。またこれらの容器の内壁に耐
熱性の保温材を内張すしたものを用いることは有利であ
る。
本発明によれば鋳型内でシリコン融液を冷却固化させる
が、前記シリコン融液は前記鋳型内シリコン原料を装入
して溶解させてなるシリコン融液あるいは鋳型以外の溶
解炉においてシリコン粉末を溶解させたシリコン融液を
前記鋳型内に注入した後、同鋳型内で冷却固化させて、
多結晶シリコンを得ることができる。
以上本発明によれば、シリコン融液が固化する際の膨張
による歪は鋳型側壁が鋳型底板と分割されているために
、側壁のわずかな移動によって吸収される。まh本発明
の第2の発明によれば、鋳型を固定する弾性材により鋳
型がずれたり、シリコン融液が鋳型の外に流れでること
も防止される。
また鋳型の一部が固化したシリコンインゴットと固着し
たとしても、鋳型側壁の移動により熱膨張係数の差によ
って生じる歪の発生を防止することができる。従って、
得られる多結晶シリコンインゴットにはクラックや結晶
欠陥がほとんど発生しない。またこの多結晶シリコンイ
ンゴットを鋳型から取り出す場合には、鋳型の底板と側
壁が分割されているため、インゴットが完全に固化した
のち、側壁を上方に抜きとることにより、インゴットを
簡単に取り出すことができる。
本発明によれば、鋳型は全く損傷することがなく、再使
用することが可能である。また鋳型は底板と複数の側壁
とを組み合せたものであるため、構成する部品の形状は
極めて単純なものになり、鋳型を安価に作製できるうえ
に、鋳型の底板と側壁を異なる材質で構成することがで
き、冷却のコントロール条件を制御しやすい利点がある
次に本発明を実施例について説明する。
実施例1 7cmx7cmの角形で厚さ1c+nの底板のうえに、
L字形をした厚さ1cmの側壁2枚を垂直に立て、内容
積が5cmX 5cmX 5cmとなる黒鉛製鋳型を組
み立てた。鋳型内面に窒化シリコン粉末を塗布し、高純
度シリコン原料800gを入れ、その鋳型を1500℃
に加熱した。シリコン原料が完全に融解した後、黒鉛鋳
型の底より徐々に固化させ、多結晶シリコンインゴット
を得た。内壁に窒化シリコン粉末を塗布しているため黒
鉛とシリコンインゴットとの固着はなく、鋳型からシリ
コン融液が流れでたり、鋳型がずれることはなかった。
多結晶シリコンインゴットはクランクが全く入らない完
全なものが得られた。
鋳型には損傷はなく、そのまま組み立てれば再使用でき
た。このような方法で製造された多結晶シリコンインゴ
ットは、底部より成長した柱状晶よりなり、その比抵抗
は、30Ω−cm〜50Ω−cmであった。
実施例2 11cm X 11cmの角形で厚さ1cmの黒鉛板よ
りなる底板のうえに厚さ0.5 cmの石英板よりなる
側壁を立て、内容積が10cm X 10cm X 1
0cmとなる鋳型を組み立てた。この鋳型をステンレス
スチールの角型容器の内に入れ、容器と鋳型の間にカー
ボン繊維からなるフェルト状の弾性材を介装した。鋳型
内壁に窒化シリコン粉末を塗布した後、別途石英ルツボ
で溶解した約2Kgのシリコン融液を鋳型に流し込んだ
。シリコン融液は、鋳型内で、底より徐々に固化され、
多結晶シリコンインゴットを得た。
この際多結晶シリコンインゴットと鋳型との固着はなく
、凝固時の歪は弾性材に吸収され全くクランクのない、
多結晶シリコンインゴットが得られた。
次いで弾性材を抜き出した後、4枚の側壁を外側に開い
て簡単にインゴットを取り出すことができた。鋳型の損
傷は全熱なかった。製造された多結晶シリコンインゴッ
トの比抵抗は20〜30Ω−Cmであり、また、このイ
ンゴットから0.450mmの厚さで切り出されたウェ
ハのライフタイムは約10μsecであった。
実施例3 27cm X 27cmの角型で厚さ2.5cmの黒鉛
板よりなる底板のうえに、厚さ2.5cmの黒鉛板より
なる側壁を立て、内容積が22cm X 22cm X
 20cmとなる鋳型を組み立てた。この鋳型を、ステ
ンレススチールに酸化物の断熱材を内張すした角型容器
の内に入れ、容器と鋳型の間にカーボン繊維からなるフ
ェルト状の弾性材を介装した。鋳型内壁に窒化シリコン
粉末を塗布し、約17Kgの高純度シリコンに約0.4
gの0.01Ω−cm P型シリコン(Bドープ)を加
え、また内壁に窒化シリコンを塗布した黒鉛ルツボ内で
1500℃に加熱し完全にシリコン融液とした後、この
シリコン融液を前記鋳型に流し込んだ。
シリコン融液は、鋳型内で底より徐々に固化され、多結
晶シリコンインゴットを得た。多結晶シリコンと鋳型と
の固着がごく1部でみられたが、凝固時の膨張による歪
や、冷却時の熱膨張係数の差によって生じる歪は、側壁
の移動によって吸収され、多結晶シリコンインゴットは
クラックの入らない完全なものであった。
次に弾性材を抜き出した後、4枚の側壁を外側に開いて
、節単にインゴットを取り出すことができた。このよう
な方法で製造された多結晶シリコンインゴットの比抵抗
は、約3Ω−cmであり、またこのインゴットから10
cm x 10c+n角型で0.450mmの厚さで切
り出されたウェハのライフタイムは約5μsecであっ
た。
(発明の効果) 本発明によれば、底板と少なくとも2つ以上に分割され
た側壁とからなる組み立て鋳型を用いることによって、
クラックの入らない完全な多結晶シリコンインゴットを
容易に製造でき、さらに多結晶シリコンインゴットを鋳
型から非常に簡単に取り出すことができる。この結果、
鋳型の製造コストは小さくなり、また再使用も可能とな
るため、低価格の太陽電池用シリコン基板の製造が可能
となった。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法を実施する際に用いる組み立てられ
た鋳型の1つの態様を示す斜視図。 第2図(al、 (b)、 (e)はそれぞれ本発明方
法による分割された側壁板を係合させた態様を示す平面
図。 第3図は2つに分割された側壁板を係合させた態様を示
す平面図。 第4図は本発明による鋳型を容器内にセントした態様を
示す平面図である。 1・・・底板、   2,3,4.5・・・側壁板。 6・・・鋳型、  7・・・容器、  8・・・弾性材
。 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、シリコン融液を鋳型内で冷却固化させる多結晶シリ
    コンインゴットの製造方法において、底板と周側壁が2
    個以上よりなる側壁とが組み立てられてなる鋳型内でシ
    リコン融液を冷却固化させることを特徴とする多結晶シ
    リコンインゴットの製造方法。 2、前記鋳型は石英、黒鉛、窒化シリコンのなかから選
    ばれる何れか1種よりなることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の方法。 3、シリコン融液を鋳型内で冷却固化させる多結晶シリ
    コンインゴットの製造方法において;金属製、セラミッ
    ク製の何れか少なくとも1つよりなる容器内にセットさ
    れた底板と周側壁が2個以上よりなる側壁が組み立てら
    れてなる鋳型であって前記容器の内壁と鋳型の外側壁と
    の隙間に耐熱性の弾性材料が介装されている前記鋳型内
    で、シリコン融液を冷却固化させることを特徴とする多
    結晶シリコンインゴットの製造方法。 4、前記鋳型は石英、黒鉛、窒化シリコンのなかから選
    ばれる何れか1種よりなることを特徴とする特許請求の
    範囲第3項記載の方法。 5、前記弾性材料は炭素繊維、シリカ繊維、炭化珪素繊
    維、アルミナ繊維のなかから選ばれる何れか少なくとも
    1種である特許請求の範囲第3項記載の方法。
JP61117570A 1986-05-23 1986-05-23 多結晶シリコンインゴツトの製造方法 Pending JPS62278173A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61117570A JPS62278173A (ja) 1986-05-23 1986-05-23 多結晶シリコンインゴツトの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61117570A JPS62278173A (ja) 1986-05-23 1986-05-23 多結晶シリコンインゴツトの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62278173A true JPS62278173A (ja) 1987-12-03

Family

ID=14715090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61117570A Pending JPS62278173A (ja) 1986-05-23 1986-05-23 多結晶シリコンインゴツトの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62278173A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006282495A (ja) * 2005-03-10 2006-10-19 Kyocera Corp 鋳型及びこれを用いた多結晶シリコンインゴットの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006282495A (ja) * 2005-03-10 2006-10-19 Kyocera Corp 鋳型及びこれを用いた多結晶シリコンインゴットの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20040211496A1 (en) Reusable crucible for silicon ingot growth
KR20070019970A (ko) 주형 및 그 형성방법, 및 그 주형을 이용한 다결정 실리콘기판의 제조방법
JP2002170780A (ja) ルツボおよびそれを使用した多結晶シリコンの成長方法
RU2344206C2 (ru) Тигель для устройства для получения блока кристаллического вещества и способ его получения
US20110180229A1 (en) Crucible For Use In A Directional Solidification Furnace
US4218418A (en) Processes of casting an ingot and making a silica container
JP2006335582A (ja) 結晶シリコン製造装置とその製造方法
JP3206540B2 (ja) シリコンインゴット製造用積層ルツボおよびその製造方法
JPS5826019A (ja) 多結晶シリコンインゴットの鋳造法
JPS62278173A (ja) 多結晶シリコンインゴツトの製造方法
JP6401051B2 (ja) 多結晶シリコンインゴットの製造方法
JP3752297B2 (ja) シリコンの鋳造法
JP5788892B2 (ja) シリコンインゴット製造用容器
JP4726454B2 (ja) 多結晶シリコンインゴットの鋳造方法、これを用いた多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコン基板、並びに太陽電池素子
JPS5913219Y2 (ja) 多結晶シリコンインゴットの鋳造用鋳型
JPH1192284A (ja) 一方向凝固多結晶組織を有するシリコンインゴットの製造方法
JP3935747B2 (ja) シリコンインゴットの製造方法
JP3758199B2 (ja) 結晶の製造方法及び製造装置
JPS609656B2 (ja) 多結晶シリコン半導体の製造方法
JP4693932B1 (ja) 筒状シリコン結晶体製造方法及びその製造方法で製造される筒状シリコン結晶体
EP1085112A2 (en) Method of fabricating a single crystal
US6497762B1 (en) Method of fabricating crystal thin plate under micro-gravity environment
JPH04243168A (ja) 太陽電池基板の製造方法
JP2739556B2 (ja) 圧電性結晶の製造方法
JPS5939897B2 (ja) 多結晶シリコン半導体の製造方法