JPS6227576A - フエライト薄膜の製造方法 - Google Patents
フエライト薄膜の製造方法Info
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- JPS6227576A JPS6227576A JP16512385A JP16512385A JPS6227576A JP S6227576 A JPS6227576 A JP S6227576A JP 16512385 A JP16512385 A JP 16512385A JP 16512385 A JP16512385 A JP 16512385A JP S6227576 A JPS6227576 A JP S6227576A
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- JP
- Japan
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- plasma
- film
- cobalt ferrite
- magnetic recording
- iron
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度の記録再生を可能とする光熱磁気記録
媒体の一種であるコバルトフェライト薄膜の製造方法に
関するものである。
媒体の一種であるコバルトフェライト薄膜の製造方法に
関するものである。
従来の技術
近年、磁気記録および光熱磁気記録は、高密度化の方向
へ進みつつある。これらのうち磁気記録については、従
来は、面内に磁化の容易軸を持っているいわゆる面内磁
化による磁気記録方式が主流であった。しかしながらこ
の方式では、記録密度を上げれば上げるほど磁気記録媒
体内の磁化方向が互いに反発し合うように並ぶため高密
度化を計るのが困難になってきている。そこで近年磁気
記録の新しい方式として、磁気記録媒体の面内に対して
垂直方向に磁化容易軸を持っているいわゆる垂直磁化に
よる磁気記録方式が開発され〔例えば、岩崎、“垂直磁
化を用いた高密度磁気記録”日経エレクトロニクス（８
−７） ＆ １９２ 。
へ進みつつある。これらのうち磁気記録については、従
来は、面内に磁化の容易軸を持っているいわゆる面内磁
化による磁気記録方式が主流であった。しかしながらこ
の方式では、記録密度を上げれば上げるほど磁気記録媒
体内の磁化方向が互いに反発し合うように並ぶため高密
度化を計るのが困難になってきている。そこで近年磁気
記録の新しい方式として、磁気記録媒体の面内に対して
垂直方向に磁化容易軸を持っているいわゆる垂直磁化に
よる磁気記録方式が開発され〔例えば、岩崎、“垂直磁
化を用いた高密度磁気記録”日経エレクトロニクス（８
−７） ＆ １９２ 。
Ｐ、１００．１９７８）記録密度が飛躍的に増大するこ
とが可能となった。
とが可能となった。
光熱磁気記録においても垂直磁気と同様に高密度記録を
達成するのには、垂直磁化であることが必要である。
達成するのには、垂直磁化であることが必要である。
しかし光熱磁気記録の場合垂直磁化膜である以外に、記
録時には、熱による磁性の変化を、再生には、磁気に付
随する光学効果を利用する点で磁気記録方式とは異って
いる。すなわち記録においては、レーザ光の熱を利用し
、再生には、光磁気記録媒体のカー効果あるいは、ファ
ラデー効果を利用している。〔例えば、今村修武、テレ
ビジョン学会誌第３９巻、４号、１９８５年 ページ３
６５〜３６８〕 又この媒体を例えば光磁気ディスクに
した場合このディスクのＯＮ比（信号とノイズの比）を
向上させるためには、大きなカー効果（大きなカー回転
角）が必要である。〔例えば、阿倍正紀２日本応用磁気
学会誌、第８巻、５号、１９８４年、ページ３６６〜３
７２〕そこで近年、マンガンビスマス（ＭｎＢ工）、カ
ドリニウムコバルト（ＧｄＣＯ）、ガドリニウム。
録時には、熱による磁性の変化を、再生には、磁気に付
随する光学効果を利用する点で磁気記録方式とは異って
いる。すなわち記録においては、レーザ光の熱を利用し
、再生には、光磁気記録媒体のカー効果あるいは、ファ
ラデー効果を利用している。〔例えば、今村修武、テレ
ビジョン学会誌第３９巻、４号、１９８５年 ページ３
６５〜３６８〕 又この媒体を例えば光磁気ディスクに
した場合このディスクのＯＮ比（信号とノイズの比）を
向上させるためには、大きなカー効果（大きなカー回転
角）が必要である。〔例えば、阿倍正紀２日本応用磁気
学会誌、第８巻、５号、１９８４年、ページ３６６〜３
７２〕そこで近年、マンガンビスマス（ＭｎＢ工）、カ
ドリニウムコバルト（ＧｄＣＯ）、ガドリニウム。
テルビニウム、鉄（ＧｄＴｂＦｅ ）等のカー回転角の
大きい光磁気記録媒体が、真空蒸着法やスパッタリング
法によって開発されてきている。〔例えば、今村修武、
テレビジョン学会誌第３９巻、４号。
大きい光磁気記録媒体が、真空蒸着法やスパッタリング
法によって開発されてきている。〔例えば、今村修武、
テレビジョン学会誌第３９巻、４号。
１９８５年、ページ３６５〜３６８〕
しかしながらこれらの記録媒体は、いずれも金属の薄膜
を利用しており、特にＧｄ 、 Ｔｂ 、 Ｆｅ等の
金属は酸化されやすく、信頼性の必要なコンビーータ用
の外部記憶装置等には、適応しにくいと考えられる。
を利用しており、特にＧｄ 、 Ｔｂ 、 Ｆｅ等の
金属は酸化されやすく、信頼性の必要なコンビーータ用
の外部記憶装置等には、適応しにくいと考えられる。
また一方化学的に極めて安定な酸化物強磁性体を光磁気
記録に使用しようとする試みがあり、〔例えば、阿倍正
紀２日本応用磁気学会誌、第７巻、２号、１９８３年、
ページ１２３〜１２６〕スパツタ法や気相熱分解法にて
主にコバルトフェライト膜が７００℃〜ＳＯＯ℃の熱処
理によって作成されている。
記録に使用しようとする試みがあり、〔例えば、阿倍正
紀２日本応用磁気学会誌、第７巻、２号、１９８３年、
ページ１２３〜１２６〕スパツタ法や気相熱分解法にて
主にコバルトフェライト膜が７００℃〜ＳＯＯ℃の熱処
理によって作成されている。
発明が解決しようとする問題点
これらの光熱磁気記録媒体において、ＭｎＢ１ 。
ＧｄＣｏ 、 ＧｄＴｂＦｅ合金は、垂直磁化膜でしか
も低温で合成できるが、膜の酸化による信頼性の低下の
問題があり、特に安価なポリカーボネートやポリイミド
等の基板を使用する場合これらの基板が水分を吸着しや
すいためこの吸着した水分によって上記の合金が酸化さ
れるという間頂がある。
も低温で合成できるが、膜の酸化による信頼性の低下の
問題があり、特に安価なポリカーボネートやポリイミド
等の基板を使用する場合これらの基板が水分を吸着しや
すいためこの吸着した水分によって上記の合金が酸化さ
れるという間頂がある。
また一方、コバルトフェライトは、酸化物であるため膜
の酸化の問題がなく安定で、しかも安価であるが、この
膜をスパッタ法や気相熱分解法で作成し、カー効果の大
きい膜を得るためには、７０ｏ℃〜ｓｏｏ’ｃの熱処理
（結晶化）が必要であり、低融点ガラス、アルミニウム
、ポリカーボネート、ポリイミド等の基板を使用するこ
とは、困難である。しかもコバルトフェライトは、スピ
ネル系の等方的結晶構造を持っているため、バリウムフ
ェライトやＧｏ−Ｃ３ｒのように結晶磁気異方性による
垂直磁化膜とはならないという問題点がある。
の酸化の問題がなく安定で、しかも安価であるが、この
膜をスパッタ法や気相熱分解法で作成し、カー効果の大
きい膜を得るためには、７０ｏ℃〜ｓｏｏ’ｃの熱処理
（結晶化）が必要であり、低融点ガラス、アルミニウム
、ポリカーボネート、ポリイミド等の基板を使用するこ
とは、困難である。しかもコバルトフェライトは、スピ
ネル系の等方的結晶構造を持っているため、バリウムフ
ェライトやＧｏ−Ｃ３ｒのように結晶磁気異方性による
垂直磁化膜とはならないという問題点がある。
問題点を解決するための手段
本発明は、前記問題点を解決するため、従来のスパッタ
法や気相熱分解法ではなく、プラズマ中に反応ガスを流
しプラズマの活性さを利用したプラズマＣＶＤ法によっ
て、３５０℃以下の低温で光熱磁気記録に適したコバル
トフェライト垂直磁化膜を製造する方法を提供する。
法や気相熱分解法ではなく、プラズマ中に反応ガスを流
しプラズマの活性さを利用したプラズマＣＶＤ法によっ
て、３５０℃以下の低温で光熱磁気記録に適したコバル
トフェライト垂直磁化膜を製造する方法を提供する。
作用
発明者らは、プラズマＣＶＤ法を用いることによって３
５０℃以下の低温でコバルトフェライトが得られること
を見いだした。すなわち、Ｇｏ 。
５０℃以下の低温でコバルトフェライトが得られること
を見いだした。すなわち、Ｇｏ 。
ＦｅおよびＭ（ただしＭは、ｋｌ 、 Ｏｒ 、 Ｆａ
。
。
Ｇｄ、Ｍｎ、Ｉｎ のうちのいずれか一種）を含有する
。金属アルコオキサイド例えばＣｏ（Ｏ・Ｃ２”５ ）
２ （ジェトキシコバルト）およヒＦｅ（Ｏ−０２Ｈ５
） ｓ （ジェトキシ鉄）、Ａβ（Ｏ・Ｃ２”５）３（
ジェトキシアルミニウム）の蒸気と、反応ガスとしての
酸素を減圧された反応容器（チャンバー）に導入して、
高周波プラズマ（周波数１３．５６Ｍ１毛、電力ｏ、ｓ
Ｗ ／ ＣＩＡ以上）を発生させ、加熱された基板上
に（主に３５０℃以下）コバルト系フェライト結晶を析
出させるものである。
。金属アルコオキサイド例えばＣｏ（Ｏ・Ｃ２”５ ）
２ （ジェトキシコバルト）およヒＦｅ（Ｏ−０２Ｈ５
） ｓ （ジェトキシ鉄）、Ａβ（Ｏ・Ｃ２”５）３（
ジェトキシアルミニウム）の蒸気と、反応ガスとしての
酸素を減圧された反応容器（チャンバー）に導入して、
高周波プラズマ（周波数１３．５６Ｍ１毛、電力ｏ、ｓ
Ｗ ／ ＣＩＡ以上）を発生させ、加熱された基板上
に（主に３５０℃以下）コバルト系フェライト結晶を析
出させるものである。
このように低温でコバルトフェライトの析出が可能とな
るのは、プラズマ中においては、化学反応を低温で引き
おこす活性なラジカルやイオン等の化学種が多く存在し
、通常のＣ”／Ｄ（熱による分解析出をおこなうｃｖＤ
）では、エネルギー的におこりえない反応がプラズマ中
では可能であるためであ６ｏ 〔例えば、薄膜ハンドブ
ック、２２５ページ、オーム社、昭和５８年１２月１０
日〕また一般にプラズマＣＶＤ法は、通常の熱ＣＶＤ法
にくらべて、低温で酸化物、炭化物、窒化物等の高融点
物質が合成できるばかりでなく、熱分解析出反応を伴う
ために低得におりても高純度でしかも結晶性の良い柱状
構造の膜が得られる。そのためコバルトフェライトのよ
うな等方性結晶の磁化膜（水平磁化膜）を低温で垂直磁
化膜（コバルトフェライトは等方性結晶であるため膜の
柱状構造による形状異方性に起因する垂直異方性を利用
して垂直磁化膜とする）にするのには、最適の方法であ
る。
るのは、プラズマ中においては、化学反応を低温で引き
おこす活性なラジカルやイオン等の化学種が多く存在し
、通常のＣ”／Ｄ（熱による分解析出をおこなうｃｖＤ
）では、エネルギー的におこりえない反応がプラズマ中
では可能であるためであ６ｏ 〔例えば、薄膜ハンドブ
ック、２２５ページ、オーム社、昭和５８年１２月１０
日〕また一般にプラズマＣＶＤ法は、通常の熱ＣＶＤ法
にくらべて、低温で酸化物、炭化物、窒化物等の高融点
物質が合成できるばかりでなく、熱分解析出反応を伴う
ために低得におりても高純度でしかも結晶性の良い柱状
構造の膜が得られる。そのためコバルトフェライトのよ
うな等方性結晶の磁化膜（水平磁化膜）を低温で垂直磁
化膜（コバルトフェライトは等方性結晶であるため膜の
柱状構造による形状異方性に起因する垂直異方性を利用
して垂直磁化膜とする）にするのには、最適の方法であ
る。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面にもとづいて説
明する。図は、本発明の一実施例におけるプラズマＣＶ
Ｄ装置の概略図を示すものである。
明する。図は、本発明の一実施例におけるプラズマＣＶ
Ｄ装置の概略図を示すものである。
図において１１は、反応チャンバー、１２ば、高周波電
極、１３は、高周波電源、１４は基板加熱ホルダー、１
６は基板、１６はコバルトを含有するアルコオキサイド
又は、コバルトを含有する、β−ジケトン金属キレート
のバブラー、１７は鉄を含有するアルコオキサイド又は
、鉄を含有する金属キレートのバブラー、１８は、Ｍ（
ただしＭはｋｌ 、Ｏｒ 、 Ｇｄ 、Ｍｎ 、
Ｉｎのうちのいずれか一種）を含有するアルコオキサイ
ド又はＭを含有する金属キレートのバブラー、１９は窒
素（Ｎ２）キャリアガスのボンベ、２ｏは、０２反応ガ
スのボンベ、２１は、ロータリーポンプである。まずジ
ェトキシコバルト（Ｃｏ（Ｏ−０２Ｈ５）５）ジェトキ
シ鉄（Ｆｅ （Ｏ・Ｃ２Ｈ５’Ｉ３：］およびジェトキ
シアルミニウム〔ム１（Ｏ−ＣｚＨ５）ｓ）を１５０℃
に加熱されたバブラー１６．１７．１８にそれぞれ入れ
、バブル用の窒素ガス１９をそれぞれ１００ｃｃ１分、
２００ＣＱ／分およびｔｓ ｃｃ ／分流しこれらの蒸
気をロータリーポンプ２１によって減圧状態になった反
応チャンバー１１内の３００℃に加熱されたアルミニウ
ム基板１６上に導入する。次に同じく反応ガスである、
酸素（Ｏ２）２０を２０ｏｃｃ／分の流量で同じくアル
ミニウム基板上に流し、６分間反応させた。この時のガ
ス圧は１．ｏ Ｔｏｒｒで高周波電力（１３，５６ＭＩ
−ＩＺ）は、ｃｓｏｏＷ （５Ｗ／ａＪ）であった。こ
の時基板上に析出したコバルトフェライトの膜厚は、２
１００人であった。次にこの上にスパッタ法にてＳｉＯ
２膜を２１５ｏ八付着させた。次にこの膜について、Ｘ
線による結晶構造の解析、およびカー回転角の測定（波
ｉ７８０ｎｍのレーザ光を５１０２膜上に入射させアル
ミ面で反射し、再びＳｉＯ２膜を通過したレーザ光を検
出して測定）を行った。その時の結果を表の試料番号１
に示す。
極、１３は、高周波電源、１４は基板加熱ホルダー、１
６は基板、１６はコバルトを含有するアルコオキサイド
又は、コバルトを含有する、β−ジケトン金属キレート
のバブラー、１７は鉄を含有するアルコオキサイド又は
、鉄を含有する金属キレートのバブラー、１８は、Ｍ（
ただしＭはｋｌ 、Ｏｒ 、 Ｇｄ 、Ｍｎ 、
Ｉｎのうちのいずれか一種）を含有するアルコオキサイ
ド又はＭを含有する金属キレートのバブラー、１９は窒
素（Ｎ２）キャリアガスのボンベ、２ｏは、０２反応ガ
スのボンベ、２１は、ロータリーポンプである。まずジ
ェトキシコバルト（Ｃｏ（Ｏ−０２Ｈ５）５）ジェトキ
シ鉄（Ｆｅ （Ｏ・Ｃ２Ｈ５’Ｉ３：］およびジェトキ
シアルミニウム〔ム１（Ｏ−ＣｚＨ５）ｓ）を１５０℃
に加熱されたバブラー１６．１７．１８にそれぞれ入れ
、バブル用の窒素ガス１９をそれぞれ１００ｃｃ１分、
２００ＣＱ／分およびｔｓ ｃｃ ／分流しこれらの蒸
気をロータリーポンプ２１によって減圧状態になった反
応チャンバー１１内の３００℃に加熱されたアルミニウ
ム基板１６上に導入する。次に同じく反応ガスである、
酸素（Ｏ２）２０を２０ｏｃｃ／分の流量で同じくアル
ミニウム基板上に流し、６分間反応させた。この時のガ
ス圧は１．ｏ Ｔｏｒｒで高周波電力（１３，５６ＭＩ
−ＩＺ）は、ｃｓｏｏＷ （５Ｗ／ａＪ）であった。こ
の時基板上に析出したコバルトフェライトの膜厚は、２
１００人であった。次にこの上にスパッタ法にてＳｉＯ
２膜を２１５ｏ八付着させた。次にこの膜について、Ｘ
線による結晶構造の解析、およびカー回転角の測定（波
ｉ７８０ｎｍのレーザ光を５１０２膜上に入射させアル
ミ面で反射し、再びＳｉＯ２膜を通過したレーザ光を検
出して測定）を行った。その時の結果を表の試料番号１
に示す。
（傘ただし、ＮＱ２２〜２５は比較例）以下同様にして
、基板温度、アルコオキサイドの種類、β−ジケトン金
属キレートの種類、バブラーの量（Ｎ２の流量）２反応
チャンバーの圧力。
、基板温度、アルコオキサイドの種類、β−ジケトン金
属キレートの種類、バブラーの量（Ｎ２の流量）２反応
チャンバーの圧力。
高周波電力等を変化させたときのＸ線解析、カー効果（
カー回転角の大きさ）を表の試料番号２〜２１に示す。
カー回転角の大きさ）を表の試料番号２〜２１に示す。
また試料番号２２〜２６は、本願発明外の比較例である
。
。
ここでＸ線解析は、コバルトフェライトの結晶構造と膜
の配向性および添加物Ｍ（ただしＶは、ムｌ、Ｇｒ
、Ｆｅ 、Ｇｄ 、Ｍｎ 、Ｉｎのうちのいずれか一
種）の固溶状態を調べた。またカー効果（カー回転角の
大きさ）は、偏光面変調法〔例えば、今村、テレビジョ
ン学会誌３９巻４号１９８５ −年３６６ページ〕によ
シ調べた。またコバルトフェライト膜が垂直磁化膜かど
うかは、ＶＳＭ（振動試料型磁力計）による膜の磁気特
性（Ｂ−Ｈカーブ）から調べた。
の配向性および添加物Ｍ（ただしＶは、ムｌ、Ｇｒ
、Ｆｅ 、Ｇｄ 、Ｍｎ 、Ｉｎのうちのいずれか一
種）の固溶状態を調べた。またカー効果（カー回転角の
大きさ）は、偏光面変調法〔例えば、今村、テレビジョ
ン学会誌３９巻４号１９８５ −年３６６ページ〕によ
シ調べた。またコバルトフェライト膜が垂直磁化膜かど
うかは、ＶＳＭ（振動試料型磁力計）による膜の磁気特
性（Ｂ−Ｈカーブ）から調べた。
なお、基板温度を３５０℃以下と限定したのは、３５０
℃以上になると、基板材料として使用されるポリイミド
やムｅ等において熱的変形や劣化がおこり良質のコバル
トフェライト膜が得られないためである。また添加イオ
ンＭの量をＯ〜１．０としたのは、１・０以上になると
磁性体としての磁化（飽和磁化Ｍｓ）がちいさくなりす
ぎて、光磁気効果の温度依存性を大きくなシすざるため
である。
℃以上になると、基板材料として使用されるポリイミド
やムｅ等において熱的変形や劣化がおこり良質のコバル
トフェライト膜が得られないためである。また添加イオ
ンＭの量をＯ〜１．０としたのは、１・０以上になると
磁性体としての磁化（飽和磁化Ｍｓ）がちいさくなりす
ぎて、光磁気効果の温度依存性を大きくなシすざるため
である。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、プラズマの活
性さを巧みに利用して、３５０℃以下の比１咬的低温で
光磁気効果の大きいコバルトフェライトの垂直膜が作成
できる方法であって、高密度の光熱磁気記録を達成する
のにきわめて有益な発明である。
性さを巧みに利用して、３５０℃以下の比１咬的低温で
光磁気効果の大きいコバルトフェライトの垂直膜が作成
できる方法であって、高密度の光熱磁気記録を達成する
のにきわめて有益な発明である。
図は、本発明の一実施例娯おけるプラズマＣＶＤ装置の
概略図である。 １１・・・・・・反応チャンバー、１２・・・・・・高
周波電極、１３・・・・・・高周波電源、１４・・・・
・・基板加熱ホルダー、１５・・・・・・基板、１６・
・・・・・Ｇｏ化合物のバブラー、１７・・・・・・鉄
化合物のバブラー、１８・・・・・・Ｍ化合物（ただし
ＭはＡ’ｌ、 Ｃｒ 、Ｆａ 、 Ｇｄ、Ｍｎ
。 Ｉｎのうちのいずれか一種）、１９・・・・−・Ｎ２
キャリアガス、２０・・・・・・反応ガス（Ｏ２）ボ
ンベ、２１・・・・・・ロータリーポンプ。
概略図である。 １１・・・・・・反応チャンバー、１２・・・・・・高
周波電極、１３・・・・・・高周波電源、１４・・・・
・・基板加熱ホルダー、１５・・・・・・基板、１６・
・・・・・Ｇｏ化合物のバブラー、１７・・・・・・鉄
化合物のバブラー、１８・・・・・・Ｍ化合物（ただし
ＭはＡ’ｌ、 Ｃｒ 、Ｆａ 、 Ｇｄ、Ｍｎ
。 Ｉｎのうちのいずれか一種）、１９・・・・−・Ｎ２
キャリアガス、２０・・・・・・反応ガス（Ｏ２）ボ
ンベ、２１・・・・・・ロータリーポンプ。
Claims (1)
- （１）コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）およびＭ〔ただし
、Ｍはアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆ
ｅ）、ガドリミウム（Ｇｄ）、マンガン（Ｍｎ）、イン
ジウム（Ｉｎ）のうちのいずれか一種〕を含有する金属
アルコオキサイドの蒸気あるいは、Ｃｏ、ＦｅおよびＭ
〔ただし、Ｍはアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）
、鉄（Ｆｅ）、ガドリミウム（Ｇｄ）、マンガン（Ｍｎ
）、インジウム（Ｉｎ）のうちのいずれか一種〕を含有
するβ−ジケトン金属キレートの蒸気と、反応ガスとし
ての酸素（Ｏ＿２）をプラズマ中で分解させ、３５０℃
以下に保持された基板上に、一般式ＣｏＦｅ＿２＿−＿
ｘＭ＿ｘＯ＿４〔ただし、Ｍはアルミニウム（Ａｌ）、
クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、ガドリミウム（Ｇｄ）、
マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）のうちのいずれ
か一種の元素、ｘは、０〜１．０の数〕で示されるコバ
ルトフェライトを析出させることを特徴とするフェライ
ト薄膜の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16512385A JPS6227576A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | フエライト薄膜の製造方法 |
| US06/826,386 US4717584A (en) | 1985-02-07 | 1986-02-05 | Method of manufacturing a magnetic thin film |
| DE8686300848T DE3685346D1 (de) | 1985-02-07 | 1986-02-07 | Magnetischer duenner film und verfahren zu seiner herstellung. |
| EP86300848A EP0194748B1 (en) | 1985-02-07 | 1986-02-07 | Magnetic thin film and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16512385A JPS6227576A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | フエライト薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6227576A true JPS6227576A (ja) | 1987-02-05 |
| JPH0576547B2 JPH0576547B2 (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=15806348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16512385A Granted JPS6227576A (ja) | 1985-02-07 | 1985-07-26 | フエライト薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6227576A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63181305A (ja) * | 1987-01-22 | 1988-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化鉄垂直磁化薄膜の製造方法 |
| JPH01176075A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ビスマス置換希土類鉄ガーネット膜の製造方法 |
-
1985
- 1985-07-26 JP JP16512385A patent/JPS6227576A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63181305A (ja) * | 1987-01-22 | 1988-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化鉄垂直磁化薄膜の製造方法 |
| JPH01176075A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ビスマス置換希土類鉄ガーネット膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0576547B2 (ja) | 1993-10-22 |
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