JPS6227534B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6227534B2 JPS6227534B2 JP56052362A JP5236281A JPS6227534B2 JP S6227534 B2 JPS6227534 B2 JP S6227534B2 JP 56052362 A JP56052362 A JP 56052362A JP 5236281 A JP5236281 A JP 5236281A JP S6227534 B2 JPS6227534 B2 JP S6227534B2
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- JP
- Japan
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- electron beam
- area
- exposure
- stage
- deflection
- Prior art date
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- Expired
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 9
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子ビーム露光方法に関し、さらに詳
しくはステージ連続移動式電子ビーム露光装置を
用いた電子ビーム露光方法に関するものである。
しくはステージ連続移動式電子ビーム露光装置を
用いた電子ビーム露光方法に関するものである。
現在行なわれているステージ連続移動式電子ビ
ーム露光装置は真空中において電子銃から放出さ
れる電子を細い電子ビームに集束しこの電子ビー
ムを偏向板にあたえた電圧あるいは偏向コイルに
与える電流により位置制御して、ステージを所望
の位置に移動させながらこの電子ビームのスポツ
トをつぎつぎと移動させて所望の面積の露光を行
なつている。しかしながらかかるステージ連続移
動式電子ビーム露光装置においては従来ラスタ走
査型の電子ビーム偏向である。このラスタ走査型
は、描画領域内を全面走査しつつ、パターンの有
無によつて、電子ビームをオン・オフして描画し
ていくものである。これに対してベクトル走査型
は、描画領域内の任意の位置にパターン部だけを
電子ビーム偏向走査することにより描画していく
ものである。このベクトル走査型でステージ連続
移動方式とするためには、ステージ位置にかかわ
らず、ある一定の領域の任意の位置にパターンを
描画しなければならないため、単にステージの移
動と同期をとる、つまり、ステージの移動に追随
して電子ビームにオフセツト偏向信号を与えるだ
けでは不十分であり、露光データは常に所定の偏
向領域に入つていることが必要である。
ーム露光装置は真空中において電子銃から放出さ
れる電子を細い電子ビームに集束しこの電子ビー
ムを偏向板にあたえた電圧あるいは偏向コイルに
与える電流により位置制御して、ステージを所望
の位置に移動させながらこの電子ビームのスポツ
トをつぎつぎと移動させて所望の面積の露光を行
なつている。しかしながらかかるステージ連続移
動式電子ビーム露光装置においては従来ラスタ走
査型の電子ビーム偏向である。このラスタ走査型
は、描画領域内を全面走査しつつ、パターンの有
無によつて、電子ビームをオン・オフして描画し
ていくものである。これに対してベクトル走査型
は、描画領域内の任意の位置にパターン部だけを
電子ビーム偏向走査することにより描画していく
ものである。このベクトル走査型でステージ連続
移動方式とするためには、ステージ位置にかかわ
らず、ある一定の領域の任意の位置にパターンを
描画しなければならないため、単にステージの移
動と同期をとる、つまり、ステージの移動に追随
して電子ビームにオフセツト偏向信号を与えるだ
けでは不十分であり、露光データは常に所定の偏
向領域に入つていることが必要である。
本発明の目的は電子ビームをベクトル走査する
場合において使用できるようにしたステージ連続
移動式電子ビーム露光装置における電子ビーム露
光方法を提供することにある。
場合において使用できるようにしたステージ連続
移動式電子ビーム露光装置における電子ビーム露
光方法を提供することにある。
本発明によれば電子ビームを放射する電子銃と
該電子ビームを集束させる電子レンズ系と該電子
ビームを試料上の所望の位置にベクトル走査方式
で偏向する偏向系と前記試料を搭載して露光中に
連続的に移動させるためのステージを有する電子
ビーム露光装置を用いて、電子ビームの偏向が収
まる所定の収差内の領域をステージの移動方向に
おいて２以上の等しい描画領域に分割し、電子ビ
ームが描画する領域の露光データを記憶する複数
個の記憶装置の１つに記憶された前記描画領域の
中の１つを描画すべき露光データにより前記電子
ビームで前記試料上にパターンを描画し、その間
に他の記憶装置につぎの露光すべき描画領域の露
光データを書き込み前記電子ビームの偏向が収ま
る所定の収差内の領域のパターンを描画すること
を特徴とする電子ビーム露光方法が提案される。
該電子ビームを集束させる電子レンズ系と該電子
ビームを試料上の所望の位置にベクトル走査方式
で偏向する偏向系と前記試料を搭載して露光中に
連続的に移動させるためのステージを有する電子
ビーム露光装置を用いて、電子ビームの偏向が収
まる所定の収差内の領域をステージの移動方向に
おいて２以上の等しい描画領域に分割し、電子ビ
ームが描画する領域の露光データを記憶する複数
個の記憶装置の１つに記憶された前記描画領域の
中の１つを描画すべき露光データにより前記電子
ビームで前記試料上にパターンを描画し、その間
に他の記憶装置につぎの露光すべき描画領域の露
光データを書き込み前記電子ビームの偏向が収ま
る所定の収差内の領域のパターンを描画すること
を特徴とする電子ビーム露光方法が提案される。
以下本発明にかかる電子ビーム露光方法の実施
例について図面により詳細に説明する。
例について図面により詳細に説明する。
第１図にステージを連続的に移動しながらパタ
ーンを描画する電子ビーム露光装置を示す。同図
に示すごとく装置は真空中において電子銃１から
放出される電子を第１、第２および第３のレンズ
２ａ，２ｂ，２ｃよりなる集束系により細かい電
子ビームに集束してこの電子ビームを偏向器３に
あたえた電圧によつて位置制御して所望の面積を
露光させるものである。なお試料４を搭載したス
テージ５はステージドライバ６ｘおよび６ｙによ
り移動されステージ５の位置はレーザ測長器７に
よりモニターされ電子ビームが指示された位置に
描画できるように位置補正信号発生器８をそなえ
ている。
ーンを描画する電子ビーム露光装置を示す。同図
に示すごとく装置は真空中において電子銃１から
放出される電子を第１、第２および第３のレンズ
２ａ，２ｂ，２ｃよりなる集束系により細かい電
子ビームに集束してこの電子ビームを偏向器３に
あたえた電圧によつて位置制御して所望の面積を
露光させるものである。なお試料４を搭載したス
テージ５はステージドライバ６ｘおよび６ｙによ
り移動されステージ５の位置はレーザ測長器７に
よりモニターされ電子ビームが指示された位置に
描画できるように位置補正信号発生器８をそなえ
ている。
このように構成されたステージ連続移動式電子
ビーム露光装置において、ベクトル走査型電子ビ
ーム露光とするためには電子ビームの偏向領域
（フイールド）内において任意の位置にパターン
を描画させることができるように露光データの配
列に一定の限界を設ける必要がある。このために
本発明では、電子ビームの偏向が収まる所定の収
差内の領域をステージの移動方向において２以上
の等しい描画領域に分割し、分割された各描画領
域ごとに電子ビームによる露光を行う結果生じる
電子ビームの所定収差内での余裕度を利用してス
テージの移動を中断することなく連続移動させ
る。
ビーム露光装置において、ベクトル走査型電子ビ
ーム露光とするためには電子ビームの偏向領域
（フイールド）内において任意の位置にパターン
を描画させることができるように露光データの配
列に一定の限界を設ける必要がある。このために
本発明では、電子ビームの偏向が収まる所定の収
差内の領域をステージの移動方向において２以上
の等しい描画領域に分割し、分割された各描画領
域ごとに電子ビームによる露光を行う結果生じる
電子ビームの所定収差内での余裕度を利用してス
テージの移動を中断することなく連続移動させ
る。
ここで、例えば第２図に示すように電子ビーム
の偏向が所定の収差内におさまる領域をａとする
とき描画データをｙ方向にａ、ｘ方向（ステージ
の移動方向）にａ／２の領域単位９に構成し、こ
の単位領域を電子ビームで露光する際生じる余裕
度内でステージ連続移動し、第３図に示すように
２個の記憶装置、すなわちバツフアメモリ１１
ａ，１１ｂに交互に全露光データを記憶する主記
憶装置１２よりデータを書き込み、次いで交互に
読み込んで露光する。このようにすることにより
電子ビームはｘ方向に±ａ／２の領域に常にパタ
ーンを画くことになる。
の偏向が所定の収差内におさまる領域をａとする
とき描画データをｙ方向にａ、ｘ方向（ステージ
の移動方向）にａ／２の領域単位９に構成し、こ
の単位領域を電子ビームで露光する際生じる余裕
度内でステージ連続移動し、第３図に示すように
２個の記憶装置、すなわちバツフアメモリ１１
ａ，１１ｂに交互に全露光データを記憶する主記
憶装置１２よりデータを書き込み、次いで交互に
読み込んで露光する。このようにすることにより
電子ビームはｘ方向に±ａ／２の領域に常にパタ
ーンを画くことになる。
描画データの単位領域のデータの露光が終了
し、ステージが次の露光領域の露光開始点に達し
た時点でつぎのバツフアメモリに読み込まれたつ
ぎの露光領域の露光データを露光する。尚第３図
において露光データとは露光すべき位置ならびに
そのパターンの大きさ、形状などの情報等に関し
これらのデータはバツフアメモリに読み込まれ電
子ビーム露光装置の電子ビームを制御する。
し、ステージが次の露光領域の露光開始点に達し
た時点でつぎのバツフアメモリに読み込まれたつ
ぎの露光領域の露光データを露光する。尚第３図
において露光データとは露光すべき位置ならびに
そのパターンの大きさ、形状などの情報等に関し
これらのデータはバツフアメモリに読み込まれ電
子ビーム露光装置の電子ビームを制御する。
以上述べたように本発明においては描画用の露
光データを電子ビームの偏向が所定の収差内にお
さまる領域を、複数の描画領域に分割して記憶装
置につぎつぎに読み込み露光するため、ベクトル
走査方式においても容易にステージの連続移動方
式を採用することができ、効率の良い電子ビーム
露光を可能としている。
光データを電子ビームの偏向が所定の収差内にお
さまる領域を、複数の描画領域に分割して記憶装
置につぎつぎに読み込み露光するため、ベクトル
走査方式においても容易にステージの連続移動方
式を採用することができ、効率の良い電子ビーム
露光を可能としている。
又、上記電子ビームの偏向が所定の収差内にお
さまる領域の分割はあまりに細かいものとするこ
とにより電子ビーム露光の効率を低下せしめる恐
れがあるため２〜３の等しい領域に分割すること
が装置の構造の簡易化のためにも好ましいもので
ある。
さまる領域の分割はあまりに細かいものとするこ
とにより電子ビーム露光の効率を低下せしめる恐
れがあるため２〜３の等しい領域に分割すること
が装置の構造の簡易化のためにも好ましいもので
ある。
尚、本発明の実施例の説明においてバツフアメ
モリは１１ａ，１１ｂの２個の場合について説明
したが、２個以上あつてもよく。好ましくは分割
された領域の数だけ設置することが露光時間短縮
に効果的である。
モリは１１ａ，１１ｂの２個の場合について説明
したが、２個以上あつてもよく。好ましくは分割
された領域の数だけ設置することが露光時間短縮
に効果的である。
第１図は本発明にかかる電子ビーム露光装置の
１実施例、第２図は本発明にかかる装置の描画デ
ータの構成領域単位を示す図、第３図は本発明に
かかる装置における記憶装置、バツフアメモリと
全露光データの相互関係の説明図である。 図において９がデータの領域単位、１１ａ，１
１ｂが露光データの記憶用バツフアメモリであ
る。
１実施例、第２図は本発明にかかる装置の描画デ
ータの構成領域単位を示す図、第３図は本発明に
かかる装置における記憶装置、バツフアメモリと
全露光データの相互関係の説明図である。 図において９がデータの領域単位、１１ａ，１
１ｂが露光データの記憶用バツフアメモリであ
る。
Claims (1)
- １ 電子ビームを放射する電子銃と該電子ビーム
を集束させる電子レンズ系と該電子ビームを試料
上の所望の位置にベクトル走査方式で偏向する偏
向系と前記試料を搭載して露光中に連続的に移動
させるためのステージを有する電子ビーム露光装
置を用いて、電子ビームの偏向が収まる所定の収
差内の領域をステージの移動方向において２以上
の等しい描画領域に分割し、電子ビームが描画す
る領域の露光データを記憶する複数個の記憶装置
の１つに記憶された前記描画領域の中の１つを描
画すべき露光データにより前記電子ビームで前記
試料上にパターンを描画し、その間に他の記憶装
置につぎの露光すべき描画領域の露光データを書
き込み前記電子ビームの偏向が収まる所定の収差
内の領域のパターンを描画することを特徴とする
電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5236281A JPS56153739A (en) | 1981-04-09 | 1981-04-09 | Exposing method for electron beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5236281A JPS56153739A (en) | 1981-04-09 | 1981-04-09 | Exposing method for electron beam |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56153739A JPS56153739A (en) | 1981-11-27 |
| JPS6227534B2 true JPS6227534B2 (ja) | 1987-06-15 |
Family
ID=12912690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5236281A Granted JPS56153739A (en) | 1981-04-09 | 1981-04-09 | Exposing method for electron beam |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56153739A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63269531A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-07 | Canon Inc | 荷電ビ−ム装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50145865A (ja) * | 1974-04-18 | 1975-11-22 | ||
| JPS51118968A (en) * | 1975-04-11 | 1976-10-19 | Toshiba Corp | Electron beam exposure device |
| JPS52120686A (en) * | 1977-04-21 | 1977-10-11 | Jeol Ltd | Electronic ray exposure method |
-
1981
- 1981-04-09 JP JP5236281A patent/JPS56153739A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50145865A (ja) * | 1974-04-18 | 1975-11-22 | ||
| JPS51118968A (en) * | 1975-04-11 | 1976-10-19 | Toshiba Corp | Electron beam exposure device |
| JPS52120686A (en) * | 1977-04-21 | 1977-10-11 | Jeol Ltd | Electronic ray exposure method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56153739A (en) | 1981-11-27 |
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