JPS62274694A - コンタクトホ−ルの形成方法 - Google Patents

コンタクトホ−ルの形成方法

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JPS62274694A
JPS62274694A JP11796086A JP11796086A JPS62274694A JP S62274694 A JPS62274694 A JP S62274694A JP 11796086 A JP11796086 A JP 11796086A JP 11796086 A JP11796086 A JP 11796086A JP S62274694 A JPS62274694 A JP S62274694A
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JP
Japan
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contact hole
forming
conductor layer
insulator
laser beam
Prior art date
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Pending
Application number
JP11796086A
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English (en)
Inventor
新妻 陽
雅之 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は両面配線基板や多層配線基板におけるコンタク
トホールの形成方法に関する。
(従来の技術) 絶縁性基体の両面に導体層を形成した両面配線基板や、
絶縁性基体上に導体層と絶縁層を交互に積層した多層配
線基板においては、絶縁性基体あるいは層間絶縁層等の
絶縁体を介して対向した導体層どうしを電気的に接続す
るためのコンタクトホール(スルーホールあるいはヴイ
アホールともいう)を絶縁体に形成する工程が不可欠で
ある。
このコンタクトホールの形成方法として、従来より溶剤
をエッチャントとして用いるウェットエツチングが広く
用いられている。しかし、ウェットエツチングではエツ
チングに先立ちレジストを形成し、エツチング後それを
除去する必要があるため、工程が複雑であり、またオー
バーエツチングの問題もある。
一方、ドライプロセスによるコンタクトホールの形成方
法として反応性イオンスパッタリング法等があるが、こ
の方法により形成されるコンタクトホールはエツジ形状
が非常にシャープなものとなるため、エツジ部での導体
層の断線、いわゆる断切れが生じ易い。このためスパッ
タリング後に溶剤処理を行なってエツジ形状を滑らかに
する工程が必要であった。
(FM明が解決しようとする問題点) ・このように従来技術によるコンタクトホールの形成方
法は多(の工程を必要とし、多層配線基板等の製造コス
トを下げる上で障害となっていた。
本発明の目的は、多層配線基板等でδ要とされるエツジ
形状の滑らかなコンタクトホールを単純な工程で、短時
間で形成する方法を提供することを目的とする。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明は第1および第2の導体層が両側に形成される絶
縁体、つまり両面配線基板における絶縁性基体あるいは
多wI配IM板における層間絶縁層として、熱可塑性樹
脂を用い、第1の導体層を形成した後、第2の導体層を
形成する前に、この熱可塑性樹脂からなる絶縁体に第2
の導体層が形成される面側からレーザビームを照射する
ことにより、コンタクトホールを形成することを特徴と
する。
(作用) 熱可塑性樹脂からなる絶縁体にレーザビームを照射する
と、照射部分の樹脂が融解して蒸発することにより、先
端が第1の導体層に達する、すり鉢状のコンタクトホー
ルが形成される。このコンタクトホール形成後、第2の
導体層を形成することにより、第2の導体層の導体がコ
ンタクトホールに入り込み、第1の導体層とコンタンク
トする。
(実施例) 第1図を参照して本発明の一実施例を説明する。まず、
第1図(a>に示すように熱可塑性樹脂からなる絶縁性
基体1上に導体!!2を形成する。
絶縁性基体1は例えば膜厚50μmのポリエチレンテレ
フタレート(PET)フィルムが用いられる。第1の導
体層2としては、例えば膜厚1μmのAC+膜を真空蒸
着により形成する。
次に、第1図(1))に示すように絶縁性基体1の所定
個所に、第1の導体層2が形成された面と反対側の面か
らレーザビーム3をスポット照射し、コンタクトホール
4を形成する。レーザビーム3は熱可塑性樹脂からなる
絶縁性基体1で良好に吸収されるように、例えばYAG
レーザから発生される波長1.06μmの赤外領域、を
主成分とするレーザビームを用いる。また、そのスポッ
ト径は例えば70μm程度とする。このときコンタクト
ホール4は、開口部の直径が100μmのすり鉢状に形
成された。また、絶縁性基体1はレーザビーム3をエネ
ルギーをより効率よく吸収できるように、黒色のPET
フィルムを用いた。なお、熱可塑性樹脂に代えて熱硬化
性樹脂を用いた場合には、レーザビームを照射すると照
射部の表面が著しい凹凸形状になってしまい、コンタク
トホールとして使用できるような形状の孔明けはできな
い。
次に、第1図(C)に示すように絶縁性基体1の第1の
導体層2が形成された面と反対側の面上に、第2の導体
層5を形成する。第2の導体層5は例えば第1の導体H
2と同様に、膜厚1μmのへg膜を真空蒸着により形成
する。この第2の導体層5はコンタクトホール4内に導
体の一部が入り込むことによって、第1の導体W!J2
と電気的にう 接続される。
本実施例によるコンタクトホールの形成工程においては
、従来のウェットエツチングによるコンタクトホール形
成におけるようなレジスト形成およびレジスト除去とい
った工程が不要であり、またオーバーエツチングによる
コンタクトホールの形状不良といった問題も生じること
もない。
さらに、本実施例によるとレーザビームの照射のみでエ
ツジの滑らかな、すり鉢形状のコンタクトホールが形成
されるため、従来の反応性イオンスパッタリング法等に
よるコンタクトホール形成で必要としたような、シャー
プなエツジ形状を滑らかにするための溶剤による後処理
が不要となる。
第2図は本発明の他の実施例を示すもので、導体層を厚
膜印刷により形成する場合に特に好適な方法である。本
実施例では絶縁性基体1上に第1の導体層2を形成した
後、レーザビーム3を照射することによって絶縁性基体
1にコンタクトホール4を形成し、さらに第2の導体層
5を形成するという基本的な工程は同じであるが、第2
図(b)に示すコンタクトホール4の形成工程において
、コンタクトホール4を第1の導体層2を貫通するよう
に形成する点が第1図の実施例と異なっている。
具体的には絶縁性基体1として膜厚100μmのPET
フィルムを用い、その上にAQペーストを塗布して膜厚
20μmの第1の導体層2を第2図(a>のように形成
した後、第2図(b)に示すようにYAGレーザにより
レーザビーム3を照射し、開口部の直径が300μmの
コンタクトホール4を形成した。この際、レーザビーム
3のエネルギーを選ぶことにより、コンタクトホール4
の先端が第1の導体R2を貫通するようにした。
次に、第2図(C)に示すようにMlの導体層1と同様
にAQペーストを塗布することにより、第2の導体層5
を形成した。この場合、コンタクトホール4上のAgペ
ーストは、コンタクトホール4が第1の導体層2を貫通
し、この貫通部が空気抜は用として動くことにより、コ
ンタクトホール4内に気泡等を生じることなく良好に入
り込み、第1の導体!!2と第2の導体層5との確実な
電気的接続が達成された。
このように本実施例では、コンタクトホール4を第1の
導体層2を貫通させる形で形成することにより、導体層
(特に第2の導体層5)が導体ベーストを塗布すること
により形成される厚膜印刷パターンの場合でも、第1の
導体H2と第2の導体層5との電気的接続を確実に行な
うことができる。
なお、上記した実施例では両面配線基板に本発明を適用
した例を説明したが、本発明は絶縁性基体上に導体層と
絶縁層(層間絶縁層)とを交互に積層する多層配線基板
にも適用することができる。
多層配線基板の場合、層間絶縁層に熱可塑性樹脂を用い
、これにレーザビームを照射することにより導体層間の
電気的接続のためのコンタクトホールを形成すればよい
また、実施例では熱可塑性樹脂としてPETを用いたが
、他の熱可塑性樹脂、例えばポリブチレンテレフタレー
ト等を使用しても、レーザビームの照射により良好なコ
ンタクトホールを形成することができる。
さらに、実施例ではコンタクトホールの形成にYAGレ
ーザを使用したが、熱可塑性樹脂を局部的に融解・蒸発
させてコンタクトホールを形成する目的から、赤外領域
の波長を含むレーザビームを発生するものであればよく
、例えばC○2レーザ(波長10.6μTrL)を用い
ても良好な結果が得られる。
また、本発明によるコンタクトホールの形成方法では、
レーザビーム径を絞ることによって直径数μm以下とい
うような、さらに微細なコンタクトホールの形成も可能
である。
その他、本発明は要旨を逸脱しない範囲で種々変形して
実施することができる。
[発明の効果] 本発明によれば、レーザビームの照射という簡単、かつ
所要時間の短い工程によって、エツジが滑らかで良好な
形状のコンタクトホールを形成することが可能であり、
両面配線基板や多層配線基板の量産性向上と、製造コス
ト低減に大きく寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
第1因は本発明の一実施例に係るコンタクトホール形成
方法を説明するための両面配線基板の製造工程を示す図
、第2図は本発明の他の実施例に係るコンタクトホール
形成方法を説明するための両面配線基板の製造工程を示
す図である。 1・・・絶縁性基体、2・・・第1の導体層、3・・・
レーザビーム、4・・・コンタクトホール、5・・・第
2の導体層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)絶縁体を介して対向する第1の導体層と第2の導
    体層とを電気的に接続するためのコンタクトホールを前
    記絶縁体に形成する方法において、前記絶縁体として熱
    可塑性樹脂を用い、第1の導体層を形成した後、第2の
    導体層を形成する前に、第2の導体層が形成される面側
    から前記絶縁体の所定個所にレーザビームを照射するこ
    とにより、前記コンタクトホールを形成することを特徴
    とするコンタクトホールの形成方法。
  2. (2)前記絶縁体に用いる熱可塑性樹脂がポリエチレン
    テレフタレートであることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載のコンタクトホールの形成方法。
  3. (3)前記絶縁体に用いる熱可塑性樹脂がポリブチレン
    テレフタレートであることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載のコンタクトホールの形成方法。
  4. (4)前記レーザビームとして赤外領域の波長を含むレ
    ーザビームを用いることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載のコンタクトホールの形成方法。
  5. (5)前記コンタクトホールを前記第1の導体層を貫通
    するように形成することを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載のコンタクトホールの形成方法。
  6. (6)前記絶縁体は両面配線基板における絶縁性基体で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のコン
    タクトホールの形成方法。
  7. (7)前記絶縁体は多層配線基板における層間絶縁層で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のコン
    タクトホールの形成方法。
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