JPS62273737A - 低応力パツシベ−シヨンの形成方法 - Google Patents
低応力パツシベ−シヨンの形成方法Info
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- JPS62273737A JPS62273737A JP11467586A JP11467586A JPS62273737A JP S62273737 A JPS62273737 A JP S62273737A JP 11467586 A JP11467586 A JP 11467586A JP 11467586 A JP11467586 A JP 11467586A JP S62273737 A JPS62273737 A JP S62273737A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は超ＬＳＩ、その他の半導体デバイスの保護のた
めの高信頼性の低応力パッシベーション膜の形成方法に
関するものである。
めの高信頼性の低応力パッシベーション膜の形成方法に
関するものである。
（従来の技術）
従来の超ＬＳＩやその他の半導体デバイスの保護膜とし
てはリン酸シリカ系ボロン、リン、シリカ系ガラスが使
用されていた。これらのパッシベーション膜の電気的な
特性はすぐれ、かつ安定した膜が形成され、信頼性の高
いものであった。しかし、デバイスが複雑化、微細化、
低温プロセス化され、かつチップサイズが大型化される
とガラス膜内に発生した引張応力のため、保護膜がクラ
ックするという問題が発生した。またプロセスの低温化
により、従来のリン酸シリカ系ガラスよりも低温で被膜
形成をする必要が生じて来た。
てはリン酸シリカ系ボロン、リン、シリカ系ガラスが使
用されていた。これらのパッシベーション膜の電気的な
特性はすぐれ、かつ安定した膜が形成され、信頼性の高
いものであった。しかし、デバイスが複雑化、微細化、
低温プロセス化され、かつチップサイズが大型化される
とガラス膜内に発生した引張応力のため、保護膜がクラ
ックするという問題が発生した。またプロセスの低温化
により、従来のリン酸シリカ系ガラスよりも低温で被膜
形成をする必要が生じて来た。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は以上のような欠点を解決するためになされたも
のであり、その目的とするところはガラス膜内に発生し
た引張応力が２００ｋｇ／ａｔ以下であり。
のであり、その目的とするところはガラス膜内に発生し
た引張応力が２００ｋｇ／ａｔ以下であり。
かつ、４００℃以下の低温が被膜形成可能な信頼性の高
い低分極性パッシベーションを提供することである。
い低分極性パッシベーションを提供することである。
（問題点を解決するための手段）
本発明はガラスの化学気相成長により形成するものであ
り、そのための混合ガスとしては、ＳｉＨ，ガスと少く
とも一種以上のそれよりも低分極性のイオンを含む混合
ガス中にキャリアーガスとしてＮ２Ｏガスを送り込んで
気相成長を行うことを特徴とするものである。更に上記
気相成長を行う際に、プラズマ処理を行うとより一層膜
成長を促進し、均質性のすぐれたガラス薄膜を形成する
ことができるものである。
り、そのための混合ガスとしては、ＳｉＨ，ガスと少く
とも一種以上のそれよりも低分極性のイオンを含む混合
ガス中にキャリアーガスとしてＮ２Ｏガスを送り込んで
気相成長を行うことを特徴とするものである。更に上記
気相成長を行う際に、プラズマ処理を行うとより一層膜
成長を促進し、均質性のすぐれたガラス薄膜を形成する
ことができるものである。
（作用）
例えば５ｉＨ４２００ｃｃ／ｗｉｎ、 Ｂ、Ｈ，１５０
ｃｃ／ｗｉｎ。
ｃｃ／ｗｉｎ。
キャリアーガスとしてＮ、 ０３５００ｃｃ／ｗｉｎの
流量でウェハー上にガラス薄膜を形成する。その際に排
気工程中に１３．５６ＭＨ’ｚの高周波をかけながら厚
さ約１ｐ程度のガラス被膜を形成すると′そのガラス内
に発生した引張応力は２００ｋｇ／ｃｓｉ以下の低応力
膜が得られた。また膜形成の際の温度も４００”Ｃ以下
とすることが可能であった。
流量でウェハー上にガラス薄膜を形成する。その際に排
気工程中に１３．５６ＭＨ’ｚの高周波をかけながら厚
さ約１ｐ程度のガラス被膜を形成すると′そのガラス内
に発生した引張応力は２００ｋｇ／ｃｓｉ以下の低応力
膜が得られた。また膜形成の際の温度も４００”Ｃ以下
とすることが可能であった。
（実施例）
第１図又は第２図に示したような高周波ＣＶＤ反応炉の
中に排気処理を行いながらＳＩＨ，。
中に排気処理を行いながらＳＩＨ，。
Ｂ ｘ Ｈｓ 、Ｐ ＨａなどのガスとＮａＯガスを同
時に送Ｑ− り込んで炉内に設置されたウェハー上にガラス薄膜を目
的とする厚さに形成する。反応炉の温度は３００〜４０
０℃で可能である。
時に送Ｑ− り込んで炉内に設置されたウェハー上にガラス薄膜を目
的とする厚さに形成する。反応炉の温度は３００〜４０
０℃で可能である。
（実施例１）
ＳＬ（１００）／ Ｓｕｎ□（５００人）／ガラス（Ｉ
Ｉｍ）の積層構造のものを作製した。ガラス膜形成に関
しては、５ｉＨ４１５０ｃｃ／ｆｉｌｉｎ、 Ｂ２Ｈ，
２００ｃｃ／ｍｉｎ、ＰＨ，１００ｃｃ／ｗｉｎ、 Ｎ
、０３．５００ｃｃ／ｗｉｎの流量によってガラスの厚
さ約１μのものを堆積させた。
Ｉｍ）の積層構造のものを作製した。ガラス膜形成に関
しては、５ｉＨ４１５０ｃｃ／ｆｉｌｉｎ、 Ｂ２Ｈ，
２００ｃｃ／ｍｉｎ、ＰＨ，１００ｃｃ／ｗｉｎ、 Ｎ
、０３．５００ｃｃ／ｗｉｎの流量によってガラスの厚
さ約１μのものを堆積させた。
又第１図に示したように１３．５６ＭＨｚ の高周波
をかけながらガラスを堆積させた。ガラス内の応力を測
定したところσ、。ｎｓ ＝ １５０ ｋｇ ／Ｆの非
常に゛ 少い応力を観測した。又上記ガラスの上からＡ
ｓのイオン注入（１００ＫｅＶ、 Ｉ ＸＩＸｌｏ−１
４ａ”）を行い、４００℃ｌＯ分アニールを行った後応
力を測定したところ、ｃｒ ｔａｎｓ ＝ １２０ｋｇ
／ ｃｘｌ、であった。
をかけながらガラスを堆積させた。ガラス内の応力を測
定したところσ、。ｎｓ ＝ １５０ ｋｇ ／Ｆの非
常に゛ 少い応力を観測した。又上記ガラスの上からＡ
ｓのイオン注入（１００ＫｅＶ、 Ｉ ＸＩＸｌｏ−１
４ａ”）を行い、４００℃ｌＯ分アニールを行った後応
力を測定したところ、ｃｒ ｔａｎｓ ＝ １２０ｋｇ
／ ｃｘｌ、であった。
（実施例２）
Ｓｉ（１００）／ Ｓｉｎｇ（５００人）／ガラス（１
ｐ）の積層構造のものに関して、ガラス薄膜形成のため
に、ＳｉＨ，２００ｃｃ／ｗｉｎ、Ｂ２ＨＧ１５０ｃｃ
／＋ｏｉｎ、 Ｎ２０３８００ｃｃ／ｗｉｎの流量によ
って厚さ約１−の薄膜を形成した。
ｐ）の積層構造のものに関して、ガラス薄膜形成のため
に、ＳｉＨ，２００ｃｃ／ｗｉｎ、Ｂ２ＨＧ１５０ｃｃ
／＋ｏｉｎ、 Ｎ２０３８００ｃｃ／ｗｉｎの流量によ
って厚さ約１−の薄膜を形成した。
第２図に示したようなプラズマ処理を行い、１３．５６
ＭＨｚの高周波をかけてガラスの堆積を行った。ガラス
内のσｔａｎｓ ＝２００ｋｇ ／ ａｉであった。
ＭＨｚの高周波をかけてガラスの堆積を行った。ガラス
内のσｔａｎｓ ＝２００ｋｇ ／ ａｉであった。
（実施例３）
Ｓ ｉ （１００） ／ Ｓ ｉ Ｏ、（５００人）／
ガラス（１ｐ）の積層構造のものに関して、ガラス被膜
形成のために。
ガラス（１ｐ）の積層構造のものに関して、ガラス被膜
形成のために。
５ｉＨ４１５０ｃｃ／ｓｉｎ、 Ｂ、Ｈ，２００ｃｃ
／ｗｉｎ、 Ｎ、０４０００ｃｃ／ｗｉｎの流量によ
って厚さ１−のガラスをつけた。更にこの上から八８の
イオン注入を行い（１００ＫｅＶ、ＩＸＩＰ”ｍ−”）
、ガラス内の応力を測定したところ、σｔａｎｓ ＝
２５０ｋｇ ／ ａｊであった。
／ｗｉｎ、 Ｎ、０４０００ｃｃ／ｗｉｎの流量によ
って厚さ１−のガラスをつけた。更にこの上から八８の
イオン注入を行い（１００ＫｅＶ、ＩＸＩＰ”ｍ−”）
、ガラス内の応力を測定したところ、σｔａｎｓ ＝
２５０ｋｇ ／ ａｊであった。
比較のため、このガラスとして通常のＰＳＧをｌｐｍの
厚さにつけたもののｃｒ 、。、、、＝１２００−１３
００ｋｇ／ ａＪの応力を示した。
厚さにつけたもののｃｒ 、。、、、＝１２００−１３
００ｋｇ／ ａＪの応力を示した。
又上記ＭＯＳキャパシタとしてガラスの上部にＡΩ電極
を設けてＣ−■特性を評価したところ。
を設けてＣ−■特性を評価したところ。
Ｃ−■カーブのシフトはなかった。又ガラス膜のクラッ
クは観測されなかった。
クは観測されなかった。
以上述べたように、本発明によるパッシベーションはガ
ラス内の応力が少なく、かつＣ−■特性も通常のＰＳＧ
並みのものが得られるためにすぐれた膜形成法であると
いうことができる。
ラス内の応力が少なく、かつＣ−■特性も通常のＰＳＧ
並みのものが得られるためにすぐれた膜形成法であると
いうことができる。
第１図及び第２図はガラス薄膜のプラズマ処理方法を示
す説明図である。 １・・・ウェハー ２・・・高周波加熱体３・
・・ガラス堆積のための混合ガス ４・・・ガスの排気 ５・・・ウェハー搭載のための架台 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹花喜久男 第２図 □す０１□
す説明図である。 １・・・ウェハー ２・・・高周波加熱体３・
・・ガラス堆積のための混合ガス ４・・・ガスの排気 ５・・・ウェハー搭載のための架台 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹花喜久男 第２図 □す０１□
Claims (2)
- （１）ＳｉＨ＿４と少くとも一つの他のそれよりも低分
極性イオンを含む混合ガスとＮ＿２Ｏガスとを共存させ
た雰囲気中で気相成長を行ったことを特徴とする低応力
パッシベーションの形成方法。 - （２）気相成長を行う際にプラズマ処理を行ったことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の低応力パッシベ
ーションの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11467586A JPS62273737A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 低応力パツシベ−シヨンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11467586A JPS62273737A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 低応力パツシベ−シヨンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62273737A true JPS62273737A (ja) | 1987-11-27 |
Family
ID=14643802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11467586A Pending JPS62273737A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 低応力パツシベ−シヨンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62273737A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01313943A (ja) * | 1988-06-13 | 1989-12-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 絶縁薄膜および絶縁薄膜の形成方法 |
-
1986
- 1986-05-21 JP JP11467586A patent/JPS62273737A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01313943A (ja) * | 1988-06-13 | 1989-12-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 絶縁薄膜および絶縁薄膜の形成方法 |
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