RU2059323C1 - Композиция для получения пленок фосфорсиликатного стекла на полупроводниковых подложках - Google Patents

Композиция для получения пленок фосфорсиликатного стекла на полупроводниковых подложках Download PDF

Info

Publication number
RU2059323C1
RU2059323C1 RU93025311A RU93025311A RU2059323C1 RU 2059323 C1 RU2059323 C1 RU 2059323C1 RU 93025311 A RU93025311 A RU 93025311A RU 93025311 A RU93025311 A RU 93025311A RU 2059323 C1 RU2059323 C1 RU 2059323C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
composition
producing
semiconductor substrates
phosphorus
glass films
Prior art date
Application number
RU93025311A
Other languages
English (en)
Other versions
RU93025311A (ru
Inventor
М.Г. Воронков
Р.Г. Мирсков
С.В. Басенко
Ю.И. Веретенин
В.П. Попов
Т.Н. Ивлева
В.Н. Гаштольд
В.Ю. Васильев
Т.Г. Духанова
Original Assignee
Иркутский институт органической химии СО РАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Иркутский институт органической химии СО РАН filed Critical Иркутский институт органической химии СО РАН
Priority to RU93025311A priority Critical patent/RU2059323C1/ru
Publication of RU93025311A publication Critical patent/RU93025311A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2059323C1 publication Critical patent/RU2059323C1/ru

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем в микроэлектронике. Сущность изобретения: композиция для получения пленок фосфорсиликатного стекла на полупроводниковых подложках содержит моносилан, кислород и триэтилфосфат при определенном их количественном соотношении.

Description

Изобретение относится к элементоорганическим материалам, в частности к получению легированных фосфорсиликатных стеклянных пленок, и предназначено для использования в технологии изготовления полупроводниковых приборов и больших интегральных схем (БИС) в микроэлектронике.
Современные БИС имеют несколько уровней коммуникации, разделенных слоями диэлектрической изоляции. В качестве межуровневых диэлектриков обычно применяется содержащая легирующие примеси двуокись кремния. Для предотвращения нарушений целостности металлических проводников на развитом рельефе БИС в технологии используются различные способы планаризации рельефа микросхем. Одним из наиболее используемых способов планаризации рельефа является оплавление фосфорсиликатного стекла (ФСС), применяемого в качестве межуровневого диэлектрика. При массовом содержании фосфора 8-10% это стекло становится пластичным при высокой температуре и обеспечивает необходимую планаризацию рельефа БИС [1]
Известен способ получения пленок фосфорсиликатного стекла, применяемых для разделения слоев металлизации, а также в качестве диэлектрика в конденсаторах, при температурах 300-500оС в потоке инертных газов путем окисления SiH4 и РН3 кислородом [2]
Недостатком этого способа является повышенная пористость полученных пленок из-за образования и внедрения в пленки порошкообразного продукта, образу- ющегося на начальном этапе их роста.
Для такой же композиции (SiH4-O2-PH3) удовлетворительные результаты по содержанию фосфора в ФСС при низкотемпературном пиролизе (300-500оС) получены при скорости потока газа 12 л/мин, давлении 0,1 торр и мольной доле РН3, равной 0,15 [3]
В то же время использование в технологии производства ФСС газовой смеси фосфина (РН3) с аргоном осложняется тем фактом, что хотя эта смесь является разбавленной, однако РН3 высокотоксичный газ 1 класса опасности, взрывоопасный и при использовании его необходимо в целях безопасности персонала соблюдать целый ряд требований, первоочередными из которых являются: непрерывный контроль содержания РН3 в воздухе рабочей зоны; специальное помещение для хранения баллонов с РН3.
Кроме того, практическое использование РН3 осложняется тем, что и транспортировка его очень дорогостоящее и далеко не безопасное мероприятие.
В этой связи возникла необходимость замены фосфина (РН3) менее токсичными фосфорсодержащими реагентами.
Известны попытки замены РН3 на менее токсичные алкоксиды фосфора, в частности триметилфосфат (CH3O)3P=0} однако ввиду высокой температуры кипения (196оС) и низкой летучести данный реагент недостаточно входит в реакцию и максимальное количество фосфора в слое не превышает 2 мас. (что является неприемлемо низкой величиной).
В схожих условиях окситрихлорид фосфора по эффективности близок к триметилфосфату.
Цель изобретения замена высокотоксичного РН3 на фосфорсодержащий реагент, позволяющий исключить присущие РН3 недостатки и обеспечивающий легирование слоя ФСС фосфором до уровня 8-10%
Цель достигается тем, что в качестве фосфорсодержащего компонента в процесс низкотемпературного пиролиза вводят триэтилфосфит (С2Н5О)3Р, малотоксичный (III класс опасности) фосфорсодержащий реагент, не требующий применения комплекса мер предосторожности, характерных при использовании высокотоксичного РН3.
Осаждение слоев ФСС проводят на установке для процессов осаждения слоев в реакторе пониженного давления на основе диффузионной печи, модернизированной в части изготовления дополнительного блока для подачи паров жидкостных реагентов в реактор путем барботирования газа носителя (азота) через питатель с реагентом. Регулировка и контроль газов (SiH4, O2) осуществлялась регуляторами расхода газов (РРГ-1), а для паров триэтилфосфита применялся ротаметр. Давление газов в реакторе измерялось с помощью вакуум-метра деформационного газоразрядного (ВДГ-1).
П р и м е р 1. Для получения пленок ФСС толщиной d=0,6 мкм на пластинах кремния р-, n-типа, ориентации <100> с удельным сопротивлением 4 Ом· см. Пластины предварительно отмывают в перекисно-аммиачном растворе по стандартной методике. После отмывки и сушки пластины помещают в реактор установки осаждения пленок. Их нагревают до температуры 440±10оС, после чего в реактор вводят смесь SiH4+Ar=35±5 л/ч; кислород (О2) 10±5 л/ч; пары триэтилфосфита /(C2H5O)3P/, подаваемые из питателя барботированием азота под давлением 0,85 торр (расход 1 ·10-2 л/ч), отношение концентраций (моль) О2:SiH4:триэтилфосфит= 7:1:1. Получаемое ФСС аморфное, без поликристаллических включений, содержание фосфора (C
Figure 00000001
) 8,5%
П р и м е р 2. Аналогично примеру 1, только пары триэтилфосфита подавались из питателя под давлением 0,95 торр (расход 1,1· 10-2 л/ч). Содержание фосфора в ФСС 10,0%
П р и м е р 3. Аналогично примеру 1, только пары триэтилфосфита подавались из питателя под давлением 0,80 торр (расход 8 · 10-3 л/ч). Содержание фосфора в ФСС 7,5%
Пары триэтилфосфита хорошо захватываются даже минимальным потоком азота (оптимальные значения 0,85-0,95 торр), что обеспечивает хорошую равномерность толщины по зоне и высокую скорость осаждения (ωoc100-14
Figure 00000002
/мин). Напряжение пробоя Епр= 2-5 ·10-6 В/см. ИК-спектр (см-1): 800, 1080 (ν Si-0), 1330 ( ν Р-О).
Таким образом, замена РН3 на триэтилфосфит в условиях низкотемпературного пиролиза позволяет легировать слои ФСС фосфором до уровня 10 мас. при хорошем качестве планаризации рельефа и повышении выхода годных кристаллов.
Триэтилфосфит является промышленно доступным соединением. Методы его синтеза широко описаны в литературе (А.Кирби, с. Уоррем. Органическая химия фосфора. М. Мир. 1971).

Claims (1)

  1. КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ФОСФОРСИЛИКАТНОГО СТЕКЛА НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ, включающая моносилан, кислород и фосфорсодержащее соединение, отличающаяся тем, что в качестве фосфорсодержащего соединения композиция содержит триэтилфосфит при следующем количественном соотношении ингредиентов, моль:
    Моносилан 1
    Кислород 7
    Триэтилфосфит 1
RU93025311A 1993-04-27 1993-04-27 Композиция для получения пленок фосфорсиликатного стекла на полупроводниковых подложках RU2059323C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93025311A RU2059323C1 (ru) 1993-04-27 1993-04-27 Композиция для получения пленок фосфорсиликатного стекла на полупроводниковых подложках

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93025311A RU2059323C1 (ru) 1993-04-27 1993-04-27 Композиция для получения пленок фосфорсиликатного стекла на полупроводниковых подложках

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU93025311A RU93025311A (ru) 1995-06-27
RU2059323C1 true RU2059323C1 (ru) 1996-04-27

Family

ID=20141105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU93025311A RU2059323C1 (ru) 1993-04-27 1993-04-27 Композиция для получения пленок фосфорсиликатного стекла на полупроводниковых подложках

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2059323C1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. А.Адамс. Технология СБИС, т.1. /Под ред. С.Зи, М.: Мир, 1986, с.125-173. 2. Патент Японии N 51-48758, кл. H 01L 21/31, 1976. 3. A.Learn. J. of. Electrochem. Sosiety, 1985, v.132, N 2, p.405-409. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE68909774T2 (de) Abscheidung von Siliziumdioxid-Filmen, ausgehend von flüssigen Alkylsilanen.
Kane et al. Chemical vapor deposition of transparent electrically conducting layers of indium oxide doped with tin
US5166101A (en) Method for forming a boron phosphorus silicate glass composite layer on a semiconductor wafer
US4791005A (en) Method for the manufacture of silicon oxide layers doped with boron and phosphorus
US4105810A (en) Chemical vapor deposition methods of depositing zinc boro-silicated glasses
US20110136347A1 (en) Point-of-use silylamine generation
KR20000005967A (ko) 비스(t-부틸아미노)실란을사용하여이산화규소및옥시질화규소를침착시키는방법
JP2006517517A (ja) ケイ素、窒化ケイ素、二酸化ケイ素および/またはオキシ窒化ケイ素を含むフィルムのようなケイ素含有フィルムの低温蒸着のための組成物および方法
JP2002523634A (ja) ルテニウムまたは酸化ルテニウムを化学蒸着するための前駆物質の化学的性質
EP0421203B1 (en) An integrated circuit structure with a boron phosphorus silicate glass composite layer on semiconductor wafer and improved method for forming same
US5324539A (en) Method for forming CVD thin glass films
WO2005121399A1 (en) Precursors for deposition of silicon nitride, silicon oxynitride and metal silicon oxynitrides
US6844271B2 (en) Process of CVD of Hf and Zr containing oxynitride films
US20040203255A1 (en) Method of forming Si-containing thin film
US12065453B2 (en) Lanthanoid compound, lanthanoid-containing thin film and formation of lanthanoid-containing thin film using the lanthanoid compound
US4546016A (en) Deposition of borophosphosilicate glass
US5532193A (en) Method for forming insulating film
EP0339385B1 (de) Verfahren zum Herstellen borhaltiger und/oder phosphorhaltiger Silikatglasschichten für höchstintegrierte Halbleiterschaltungen
RU2059323C1 (ru) Композиция для получения пленок фосфорсиликатного стекла на полупроводниковых подложках
EP0932188A2 (en) Glass formation on a semi-conductor wafer
US5319118A (en) Volatile barium precursor and use of precursor in OMCVD process
EP0178200A1 (en) Method of control for chemical vapor deposition
JP3034263B2 (ja) 薄膜形成装置
US8420170B2 (en) Methods of forming glass on a substrate
EP0286097A2 (en) Method of forming silicon dioxide glass films