JPS62273228A - 耐高熱性成形材料 - Google Patents
耐高熱性成形材料Info
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- JPS62273228A JPS62273228A JP62097669A JP9766987A JPS62273228A JP S62273228 A JPS62273228 A JP S62273228A JP 62097669 A JP62097669 A JP 62097669A JP 9766987 A JP9766987 A JP 9766987A JP S62273228 A JPS62273228 A JP S62273228A
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-
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
-
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- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
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- C08G65/34—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives
- C08G65/38—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives derived from phenols
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- C08G65/4012—Other compound (II) containing a ketone group, e.g. X-Ar-C(=O)-Ar-X for polyetherketones
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C08G75/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen, or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G75/20—Polysulfones
- C08G75/23—Polyethersulfones
-
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- C08L81/06—Polysulfones; Polyethersulfones
-
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- C08L2205/05—Polymer mixtures characterised by other features containing polymer components which can react with one another
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0333—Organic insulating material consisting of one material containing S
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明はことにプリント回路板、ビンソケットコネクタ
ーの構造に適する耐高熱性共重縮合体を含有する成形材
料に関するものである。
ーの構造に適する耐高熱性共重縮合体を含有する成形材
料に関するものである。
(従来技術)
以下の式tI)で表わされる構う貴単位を亙するポリエ
ーテルスルホン(以下において単にポリスルホンと称す
る場合がある)は、 極めてイt(1少の吸水性を、従って極めて僅少の弛緩
性乃至膨潤性(これから製造されろ成形品の)′?:示
す。しかしながら、その加熱成形耐性(最高継続処理温
度により決定されろ〕が、若干の使用目的には、ことに
これを成形材料としてプリント回路板(POEとも略称
されろ)暑製造する場合には不十分である。
ーテルスルホン(以下において単にポリスルホンと称す
る場合がある)は、 極めてイt(1少の吸水性を、従って極めて僅少の弛緩
性乃至膨潤性(これから製造されろ成形品の)′?:示
す。しかしながら、その加熱成形耐性(最高継続処理温
度により決定されろ〕が、若干の使用目的には、ことに
これを成形材料としてプリント回路板(POEとも略称
されろ)暑製造する場合には不十分である。
また以下の式(I[)で表わされろ構造単位を有するポ
リエーテルスルホンは、 上記ポリスルホンに比し、加熱成形耐性が良好であるが
、吸水性が高い。従ってこのポリエーテルスルホンから
製造されろ成形品は形状安定性が不十分であり、例えば
膨潤、弛緩の傾向がある。これはエレクトロニクス関係
に使用する(例えばプリント回路用基板)には不適当で
ある。
リエーテルスルホンは、 上記ポリスルホンに比し、加熱成形耐性が良好であるが
、吸水性が高い。従ってこのポリエーテルスルホンから
製造されろ成形品は形状安定性が不十分であり、例えば
膨潤、弛緩の傾向がある。これはエレクトロニクス関係
に使用する(例えばプリント回路用基板)には不適当で
ある。
ポリスルホンとポリエーテルスルホンの混合物は混合割
合と吸水性との間の比例関係を示すが、ポリスルホンに
より加熱成形性には否定的影響がある。更にこの混合物
から製造された成形品は両組成分の非親近性Vこより不
透明となり、これは本質的な欠点となる。
合と吸水性との間の比例関係を示すが、ポリスルホンに
より加熱成形性には否定的影響がある。更にこの混合物
から製造された成形品は両組成分の非親近性Vこより不
透明となり、これは本質的な欠点となる。
米国特許4175175号明細書及びヨーロッパ特許出
、顆公開113112号、同195130号公報には、
2.2−ジ(4−ヒドロキシフェニルンブロバン(ビス
7エ/−ルA ) 及ヒ4.4’−ジヒドロキシジフェ
ニルスルホン(ヒ゛スフエノールS)と、4.4’−ジ
クロルジフェニルスルホン(DC!DPS )との重縮
合により得られろ共重縮合物が記載されている。
、顆公開113112号、同195130号公報には、
2.2−ジ(4−ヒドロキシフェニルンブロバン(ビス
7エ/−ルA ) 及ヒ4.4’−ジヒドロキシジフェ
ニルスルホン(ヒ゛スフエノールS)と、4.4’−ジ
クロルジフェニルスルホン(DC!DPS )との重縮
合により得られろ共重縮合物が記載されている。
上述した所よりこの分野の技術的課題は、均衡する特性
スペクトル、すなわち僅少の吸水性による十分な加熱成
形耐性、ことにプリント回路板及びエレクトロニクス用
のビンソケットコネクター製造のために高度の耐亀裂性
’!a’有する耐高熱性共重縮合物かも成る成形材料を
提供することである。
スペクトル、すなわち僅少の吸水性による十分な加熱成
形耐性、ことにプリント回路板及びエレクトロニクス用
のビンソケットコネクター製造のために高度の耐亀裂性
’!a’有する耐高熱性共重縮合物かも成る成形材料を
提供することである。
(発明の要約〕
しかるに、この技術的課題に、本発明による(Al構造
亀位(I)のブロック5−95モル%(B)構造単位(
1)のブロック5−95モル%(C)構造単位(1)の
ブロックO−80モル%(ただし各ブロックの分子量&
12000−20000の範囲であり、上記式(1)に
おいて、 II Xは一〇−1−S−1−8−(ただしa或はb+0の場
合のみ)、 b −4−oの場合のみ、或は化学的結合、R? 、R
8は1−6個の炭素原子を石するアルコキシ基或はアル
キル基、アリール基或は水素?意味する)を、II 2は一〇−或は化学的結合を、 R1、R2、RJ 、 R4、R’、R’は1−6個の
炭素原子を五するアルキル基或はアルコキシ基、アリー
ル基、a1@はFを、 psqsrはO或は1を、 &、b、a、 d、ek工0,1.2.3EkX4yそ
れぞれ意味する)を含有する耐高熱性の成形材料によっ
て解決され得ろことが見出された。
亀位(I)のブロック5−95モル%(B)構造単位(
1)のブロック5−95モル%(C)構造単位(1)の
ブロックO−80モル%(ただし各ブロックの分子量&
12000−20000の範囲であり、上記式(1)に
おいて、 II Xは一〇−1−S−1−8−(ただしa或はb+0の場
合のみ)、 b −4−oの場合のみ、或は化学的結合、R? 、R
8は1−6個の炭素原子を石するアルコキシ基或はアル
キル基、アリール基或は水素?意味する)を、II 2は一〇−或は化学的結合を、 R1、R2、RJ 、 R4、R’、R’は1−6個の
炭素原子を五するアルキル基或はアルコキシ基、アリー
ル基、a1@はFを、 psqsrはO或は1を、 &、b、a、 d、ek工0,1.2.3EkX4yそ
れぞれ意味する)を含有する耐高熱性の成形材料によっ
て解決され得ろことが見出された。
(発明の構成]
この種の好ましい弁型縮合物は以下の詳細な説明により
具体的に挙げられる。
具体的に挙げられる。
一般的な構造単位CI)のブロックは、ビスフェノール
A1丁なわち2,2−ジー(4′−ヒドロキシフェニル
)プロパンY4,4’−ジクロルジフェニルスルホン乃
至相当てろ弗素化合物とを縮合させろことにより得られ
、また構造単位(II)のブロックはビスフェノールS
1丁なわち4i4′−ジヒドロキシジフェニルスルホン
とそのジハロケン化合物との綜合により得られる。
A1丁なわち2,2−ジー(4′−ヒドロキシフェニル
)プロパンY4,4’−ジクロルジフェニルスルホン乃
至相当てろ弗素化合物とを縮合させろことにより得られ
、また構造単位(II)のブロックはビスフェノールS
1丁なわち4i4′−ジヒドロキシジフェニルスルホン
とそのジハロケン化合物との綜合により得られる。
構造単位tm)のブロックは、一般式(F/)のジヒド
ロキシ化合物と一般式(V)のジハロゲン化合物との縮
合により得られる。
ロキシ化合物と一般式(V)のジハロゲン化合物との縮
合により得られる。
上記式中、R1乃至R6、a乃至f−、XXQlZNW
は特許請求の範囲において定義した意味を有し、Y8、
Y、はC1或はFを意味する。
は特許請求の範囲において定義した意味を有し、Y8、
Y、はC1或はFを意味する。
R1、R2は1−4個の炭素原子暑■するアルキル基、
例えばメチル、エチル、1−或はn−プロピル、1−1
n−或はt−ブチル、相当てろアルコキシ或はアリール
の各基を意味するのが好ましいO ろ場合、f侠基R1或はR2の少くとも一万か存在する
とぎ、丁なわちa及び/或はbがOでないときにのみR
?及びR8の両者がメチル基を意味することかでさる点
である。a及びbは0,1或は2を意味するのが好まし
い。
例えばメチル、エチル、1−或はn−プロピル、1−1
n−或はt−ブチル、相当てろアルコキシ或はアリール
の各基を意味するのが好ましいO ろ場合、f侠基R1或はR2の少くとも一万か存在する
とぎ、丁なわちa及び/或はbがOでないときにのみR
?及びR8の両者がメチル基を意味することかでさる点
である。a及びbは0,1或は2を意味するのが好まし
い。
p 6X O或は1であり、従ってジヒドロキシ化合物
は1個或は2個のフェニル環馨有することができるO 以下に式<N)の代表的な好ましく・ジヒドロキシ化合
物ン若干例示すろ。
は1個或は2個のフェニル環馨有することができるO 以下に式<N)の代表的な好ましく・ジヒドロキシ化合
物ン若干例示すろ。
シフェニルンメタン
H
ロキシフェニル)エタン
一ジ(4−ヒドロキシフェニル)メタン−ヒドロキシフ
ェニルツメタン エノールA ジフェニルエーテル ジフェニルスルフアン フ ェノンド ロキシカルボニルフェニル OHsOH。
ェニルツメタン エノールA ジフェニルエーテル ジフェニルスルフアン フ ェノンド ロキシカルボニルフェニル OHsOH。
エノールS
ヒドロキノン
ジフェニル
チルジヒドロキシジフェニル
ベンゾフェニルエーテル
上述したジヒドロキシ化合物のうち、特に4.4′−・
ジヒドロキシ・ジフェニル、3.3’,5.5’−テト
ラメチル−4,4′−ジヒドロキシジフェニル、テトラ
フェニル−ビスフェノールA及ヒ2,3.6 − トリ
メチルヒドロキノンが好ましい。
ジヒドロキシ・ジフェニル、3.3’,5.5’−テト
ラメチル−4,4′−ジヒドロキシジフェニル、テトラ
フェニル−ビスフェノールA及ヒ2,3.6 − トリ
メチルヒドロキノンが好ましい。
上記一般式(V)のジハロゲン化合物において置換基R
3、R4 、R6、R6は1−4個の炭素原子を亙する
アルキル基、例えばメチ、ル、1−或はn−プロピル、
t−ブチル或は01もしくはFを意味するのが好ましい
。
3、R4 、R6、R6は1−4個の炭素原子を亙する
アルキル基、例えばメチ、ル、1−或はn−プロピル、
t−ブチル或は01もしくはFを意味するのが好ましい
。
以下に式(V)のジハロゲン化合物のうち、特に好まし
い代表的なものを例示jろ。
い代表的なものを例示jろ。
シ
フエノン−
クロルカルボニルフェニルノーベンゼンシー(4′−ク
ロルフェニルスルホン)−ジフエニチル−4,4′−ジ
クロルジフェニルスルホンジクロルジフェニルスルホン ロルジフェニルスルホン メチル−4,6−ジ(4′−クロルフェニルスルホン]
ベンゼン 上述したジハロゲン化合物(化合物名称は便宜上塩素化
合物として表示した]のうち、3 、3’、 5 、5
’−テトラメチル−4+47−ジクロルジフェニルスル
ホン、1.10−ジ(4′−クロルフェニルスルホン)
ジフェニル及び1,3−ジメチル−4,6−ジ(4′−
クロルフエニルスルホン)ベンゼンカ符に好マシい0 構造CI)の(A)ブロックは、(A)、(B)、(0
)各ブロックの合計量に対し、5−95モル%、ことに
20−80モル%、特に40−60モル%?占める。構
造(If)の(B)ブロックのモル割合もこれと同様で
あろ0 構造(1)の(C)ブロック部分&X O−80モル%
、ことに0−60%、特に5−50モル%乞占める。
ロルフェニルスルホン)−ジフエニチル−4,4′−ジ
クロルジフェニルスルホンジクロルジフェニルスルホン ロルジフェニルスルホン メチル−4,6−ジ(4′−クロルフェニルスルホン]
ベンゼン 上述したジハロゲン化合物(化合物名称は便宜上塩素化
合物として表示した]のうち、3 、3’、 5 、5
’−テトラメチル−4+47−ジクロルジフェニルスル
ホン、1.10−ジ(4′−クロルフェニルスルホン)
ジフェニル及び1,3−ジメチル−4,6−ジ(4′−
クロルフエニルスルホン)ベンゼンカ符に好マシい0 構造CI)の(A)ブロックは、(A)、(B)、(0
)各ブロックの合計量に対し、5−95モル%、ことに
20−80モル%、特に40−60モル%?占める。構
造(If)の(B)ブロックのモル割合もこれと同様で
あろ0 構造(1)の(C)ブロック部分&X O−80モル%
、ことに0−60%、特に5−50モル%乞占める。
10−40モル%の1割合が更に符別に有利である。
(A)、(B)、(C)各ブロックの分子量は2000
乃至200001ことK 2000乃至15000 、
特K 4000乃至12000の範囲が好ましい。
乃至200001ことK 2000乃至15000 、
特K 4000乃至12000の範囲が好ましい。
プコツク共重縮合物の全分子量kX15000乃至2o
ooo 、ことに15000乃至1ooooo 、特に
20000乃至5ooooの範囲が好ましい。
ooo 、ことに15000乃至1ooooo 、特に
20000乃至5ooooの範囲が好ましい。
上述した分子量に丁べて、例えばFi、 7オルメルト
(Vollmert )編著、「グルントリス、デル、
マクロモレクラーレン、ヘミ−J (Grundris
zder Makromolekularen Ohs
mie ) (1979)第3巻、122頁以降に示さ
れる重量平均値である。
(Vollmert )編著、「グルントリス、デル、
マクロモレクラーレン、ヘミ−J (Grundris
zder Makromolekularen Ohs
mie ) (1979)第3巻、122頁以降に示さ
れる重量平均値である。
この共重縮合物は、成形材料全体に対し5乃至60v葉
%、ことに20乃至50重量%の割合で他の熱可塑性重
合体、例えばポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン
、ポリオレフィン、ポリビニルクロリド、ポリオキシメ
チレンと混和することができろ。
%、ことに20乃至50重量%の割合で他の熱可塑性重
合体、例えばポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン
、ポリオレフィン、ポリビニルクロリド、ポリオキシメ
チレンと混和することができろ。
更に成形材料には補強作用充填剤、場合により透明のピ
グメント、その他の助剤、添加剤を混和することかでき
ろ。
グメント、その他の助剤、添加剤を混和することかでき
ろ。
補強作用充填剤としては、例えばアスベスト、カーボン
、ことにガラス線維が挙げられろが、このガラス繊維は
例えばガラス織成物、マット、フリース及び/或はこと
にアルカリ分の少ないEガラスから製造されたガラス粗
紡糸或はガラス切断糸であって、5乃至20μm径、こ
とに8乃至15μm径のものであって、使用の際に処理
して平均長g 0.05乃至1間、ことに0.1乃至Q
、5msに切断したものが好ましい。このガラス繊維粗
紡糸或はガラス切断糸で補強した成形材料は、材料全量
に対して10乃至60重量%、ことに20乃至50重量
%の補強剤を含πするが、共重縮合Sを含浸させたガラ
ス織成物、マット及び/或ハフリースは、材料全量に対
して10乃至801Lt%、ごとに30乃至60重t%
の共重縮合物を含有する。ピグメントとしては、例えば
酸化チタン、硫化カドミウム、硫化亜鉛、硫酸バリウム
、カーボンブラックが挙げられろ。その他の助剤、添加
剤としては染料、グラファイト、モリブデンジスルフィ
ドのような滑剤、カーボランダムのような研磨剤、光安
定化剤、対加水分解剤などが挙げられる。また珪灰石粉
末、炭酸カルシウム、ガラス球、石英粉末、硫化硫黄、
硫化硼素或はこれらの混合物も使用され得ろ。ピグメン
トその他の助剤、添加剤は一般に共重縮合@に対し0.
01乃至3重量%の量で使用される。
、ことにガラス線維が挙げられろが、このガラス繊維は
例えばガラス織成物、マット、フリース及び/或はこと
にアルカリ分の少ないEガラスから製造されたガラス粗
紡糸或はガラス切断糸であって、5乃至20μm径、こ
とに8乃至15μm径のものであって、使用の際に処理
して平均長g 0.05乃至1間、ことに0.1乃至Q
、5msに切断したものが好ましい。このガラス繊維粗
紡糸或はガラス切断糸で補強した成形材料は、材料全量
に対して10乃至60重量%、ことに20乃至50重量
%の補強剤を含πするが、共重縮合Sを含浸させたガラ
ス織成物、マット及び/或ハフリースは、材料全量に対
して10乃至801Lt%、ごとに30乃至60重t%
の共重縮合物を含有する。ピグメントとしては、例えば
酸化チタン、硫化カドミウム、硫化亜鉛、硫酸バリウム
、カーボンブラックが挙げられろ。その他の助剤、添加
剤としては染料、グラファイト、モリブデンジスルフィ
ドのような滑剤、カーボランダムのような研磨剤、光安
定化剤、対加水分解剤などが挙げられる。また珪灰石粉
末、炭酸カルシウム、ガラス球、石英粉末、硫化硫黄、
硫化硼素或はこれらの混合物も使用され得ろ。ピグメン
トその他の助剤、添加剤は一般に共重縮合@に対し0.
01乃至3重量%の量で使用される。
本発明による成形材料は、各種文献に記載されているそ
れ自体公知の方法により製造され得る。
れ自体公知の方法により製造され得る。
ブロック(A)、(B、l及び(C)は基本的には別個
に製造され、次いで相混練し、或はブロック共重縮合v
IJビジヒドロキシ化合物の相連続する分割添加により
合成する。
に製造され、次いで相混練し、或はブロック共重縮合v
IJビジヒドロキシ化合物の相連続する分割添加により
合成する。
触媒としての無水のアルカリカルボナートの存在下に中
性極性溶媒中において反応させるのが特に好ましい。特
に有利な組合せは、溶媒としてN−メチルピロリドン乞
、触媒としてに2Co、 Y使用することである。
性極性溶媒中において反応させるのが特に好ましい。特
に有利な組合せは、溶媒としてN−メチルピロリドン乞
、触媒としてに2Co、 Y使用することである。
重縮合に続いて安定化のために例えばメチルクロリドの
ようなアルキル化剤或は了り−ル化剤と遊離フェノラー
ト末端基と暑反応させることができる。これは500乃
至200−C、ことに50乃至150゛Cの温度で行う
のが好ましい。
ようなアルキル化剤或は了り−ル化剤と遊離フェノラー
ト末端基と暑反応させることができる。これは500乃
至200−C、ことに50乃至150゛Cの温度で行う
のが好ましい。
K 2003を触媒として使用する重縮合の場合に生成
する懸濁アルカリハロゲニドは適当な分離装置、例えば
フィルターベッド或は遠心分離機で分離されろ。
する懸濁アルカリハロゲニドは適当な分離装置、例えば
フィルターベッド或は遠心分離機で分離されろ。
溶液からの重縮金物の単離は溶媒の蒸散により或は適当
な非溶媒中における沈澱により行われろ。
な非溶媒中における沈澱により行われろ。
本発明による成形材料は、成形体、シート、繊維の製造
に使用され得ろ。これは特にその良好な関連特性の故に
プリント回路板、エレクトロニクスビンコネクターの製
造に適する。
に使用され得ろ。これは特にその良好な関連特性の故に
プリント回路板、エレクトロニクスビンコネクターの製
造に適する。
実施例1−7
工程 I
ジクロルジフェニルスルホン、ビスフエ/−ルA(それ
ぞれ以下の表に描記する量)及びカルボン酸カリウム(
第1工程におけるモノマー合計量に対し10%モル過剰
量)から成る混合物乞、N−メチルクロリドン及びクロ
ルベンゼン(重li合3:1)の混合物に対1−2倍重
量、窒素導入下にtヒ拌しつつ混和し、170″Cに加
熱した。生成する反応水を4時間にわたり脱水装置で分
m除去した。
ぞれ以下の表に描記する量)及びカルボン酸カリウム(
第1工程におけるモノマー合計量に対し10%モル過剰
量)から成る混合物乞、N−メチルクロリドン及びクロ
ルベンゼン(重li合3:1)の混合物に対1−2倍重
量、窒素導入下にtヒ拌しつつ混和し、170″Cに加
熱した。生成する反応水を4時間にわたり脱水装置で分
m除去した。
次いで4時間にねたつ190”Cにおいて更に縮合させ
た。
た。
工程 ■
以下の表の工程■の挿に描記されたモノマー乞、カルボ
ン酸カリウム(この場合も工程■のモノマー合計量に対
し同様に10%モル過剰量)及び1.5倍重量(工程■
のモノマー合計量に対しンのN−メチルビロリドンに添
加した後、反応混合物を170゛Cで2時間加熱し、次
いで反応7更に190″Cで6時間校行した。メチルク
ロリド730分間導入して重縮合を停止した。
ン酸カリウム(この場合も工程■のモノマー合計量に対
し同様に10%モル過剰量)及び1.5倍重量(工程■
のモノマー合計量に対しンのN−メチルビロリドンに添
加した後、反応混合物を170゛Cで2時間加熱し、次
いで反応7更に190″Cで6時間校行した。メチルク
ロリド730分間導入して重縮合を停止した。
水で沈澱させて重合体を単離し、有機成分を除去するた
め水で多数回洗浄し、減圧下80゛Cで乾燥した。
め水で多数回洗浄し、減圧下80゛Cで乾燥した。
最大限の継続処理可能温度?測定した結果及び180日
後の吸水率%以下の表に示す。表甲の略号は以下の意味
7有する。
後の吸水率%以下の表に示す。表甲の略号は以下の意味
7有する。
DODPS −4,4’−ジクロルジフェニルスルホ7
31日A = 2.2− :ン(4′−ヒドロキシフェ
ニルンプロパン(丁すわちビスフェノールA)Dgpp
s = 4.4’ −ジヒドロキシジフェニルスルホM
pSU−ポリスルホンブロックの分子量(重量平均値] Tg =最大限p続処理可能温度VC)手続補正書 昭和62年7月290 特j庁長官 殴 1、事(’lの表示 特願昭62−970F30 号 2 発明の名称 耐高熱性成形材料 a 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名!+ (908) パスフ ァクチェンゲゼル
シャフト5、捕正により増加する発明の数 0 6、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄
。
31日A = 2.2− :ン(4′−ヒドロキシフェ
ニルンプロパン(丁すわちビスフェノールA)Dgpp
s = 4.4’ −ジヒドロキシジフェニルスルホM
pSU−ポリスルホンブロックの分子量(重量平均値] Tg =最大限p続処理可能温度VC)手続補正書 昭和62年7月290 特j庁長官 殴 1、事(’lの表示 特願昭62−970F30 号 2 発明の名称 耐高熱性成形材料 a 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名!+ (908) パスフ ァクチェンゲゼル
シャフト5、捕正により増加する発明の数 0 6、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄
。
7捕正の内容
明細古中下記の補正を行う。
(1)第1頁第3行〜第3頁下から第10行の特許請求
の範囲を別紙の通りに補正する。
の範囲を別紙の通りに補正する。
(2)第7真下から第3行〜第8頁第1行の「(ただし
R7= Rf= CH,・・・・・・を意味する)を、
」を「(式中、R7及びR1はそれぞれ1〜6個の炭素
原子を存するアルキル基或はアルコキシ基、アリール基
或は水素を意味するが、ただしa及びbが共に0の場合
にはR7とR9が同時にCl−13を表わすことはでき
ない)或は化学的結合を、」と補正する。
R7= Rf= CH,・・・・・・を意味する)を、
」を「(式中、R7及びR1はそれぞれ1〜6個の炭素
原子を存するアルキル基或はアルコキシ基、アリール基
或は水素を意味するが、ただしa及びbが共に0の場合
にはR7とR9が同時にCl−13を表わすことはでき
ない)或は化学的結合を、」と補正する。
特:ff請求の範囲
(4)構造単位(1)のブロック5−95モルチ(B)
構造単位(It)のブロック5−95モルチ(C)構造
単位(■)のブロック0−80モルチ(ただし合ブロッ
クの分子量は2000−20tJO00)範囲であり、
上記式(m)において、 Xfi −Q −−8−1−8−(たたLa創Xb−4
0の場合のみ〕。
構造単位(It)のブロック5−95モルチ(C)構造
単位(■)のブロック0−80モルチ(ただし合ブロッ
クの分子量は2000−20tJO00)範囲であり、
上記式(m)において、 Xfi −Q −−8−1−8−(たたLa創Xb−4
0の場合のみ〕。
OR7
Zは一〇−或は化学的結合を、
R1、R2、R3、R4、R1、R6は1−6個の炭素
原子を有するアルキル基或はアルコキシ基、アリール基
at或はFを、 p、q、rは0或は1を、 ム、6% C% d、eは0、l、2.3或は4をそれ
ぞれ意味する)を含有する耐高熱性の成形材料。
原子を有するアルキル基或はアルコキシ基、アリール基
at或はFを、 p、q、rは0或は1を、 ム、6% C% d、eは0、l、2.3或は4をそれ
ぞれ意味する)を含有する耐高熱性の成形材料。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (A)構造単位( I )のブロック5−95モル%▲数
式、化学式、表等があります▼( I ) (B)構造単位(II)のブロック5−95モル%▲数式
、化学式、表等があります▼(II) (C)構造単位(III)のブロック0−80モル%▲数
式、化学式、表等があります▼(III) (ただし各ブロックの分子量は2000−20000の
範囲であり、上記式(III)において、 Xは−O−、−S−、▲数式、化学式、表等があります
▼(ただしa或はb≠0の場合のみ)、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼(ただしR^7=R^8=CH_3、
a或はb≠0の場合のみ、或は化学的結合、R^7、R
^8は1−6個の炭素原子を有するアルコキシ基或はア
ルキル基、アリール基或は水素を意味する)を、Q、W
は▲数式、化学式、表等があります▼或は▲数式、化学
式、表等があります▼を、 Zは−O−或は化学的結合を、 R^1、R^2、R^3、R^4、R^5、R^6は1
−6個の炭素原子を有するアルキル基或はアルコキシ基
、アリール基、Cl或はFを、 p、q、rは0或は1を、 a、b、c、d、eは0、1、2、3或は4をそれぞれ
意味する)を含有する耐高熱性の成形材料。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863614594 DE3614594A1 (de) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | Hochtemperaturbestaendige formmassen |
DE3614594.7 | 1986-04-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62273228A true JPS62273228A (ja) | 1987-11-27 |
Family
ID=6299840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62097669A Pending JPS62273228A (ja) | 1986-04-30 | 1987-04-22 | 耐高熱性成形材料 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4762869A (ja) |
EP (1) | EP0243831A3 (ja) |
JP (1) | JPS62273228A (ja) |
DE (1) | DE3614594A1 (ja) |
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JP2007530763A (ja) * | 2004-04-01 | 2007-11-01 | ソルヴェイ スペシャリティーズ インディア プライヴェイト リミテッド | ブロックコポリマーの調製の改良方法及びそれから調製されるブロックコポリマー |
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US4883855A (en) * | 1988-02-01 | 1989-11-28 | Ciba-Geigy Corporation | Ethylenically unsaturated polyether sulfone or polyether ketone copolymer |
DE3937753A1 (de) * | 1989-11-14 | 1991-05-16 | Bayer Ag | Polyethersulfon-polyarylensulfid- blockcopolymere sowie ein verfahren zu ihrer herstellung |
CA2083983A1 (en) * | 1992-01-27 | 1993-07-28 | Kishor P. Gadkaree | Low expansion composition for packaging optical waveguide couplers |
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EP1314751B1 (en) * | 2001-11-22 | 2004-08-04 | Tosoh Corporation | Poly(arylene ether sulfone) having sulfoalkoxy group, process of producing the same, and polymer electrolyte membrane comprising the same |
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WO2006037768A1 (en) * | 2004-10-04 | 2006-04-13 | Solvay Advanced Polymers, L.L.C. | Overmolded plastic articles, uses thereof, method of making |
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