JPS62271225A - 磁性薄膜の形成方法 - Google Patents
磁性薄膜の形成方法Info
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- JPS62271225A JPS62271225A JP11521486A JP11521486A JPS62271225A JP S62271225 A JPS62271225 A JP S62271225A JP 11521486 A JP11521486 A JP 11521486A JP 11521486 A JP11521486 A JP 11521486A JP S62271225 A JPS62271225 A JP S62271225A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は、コンピュータの周辺機器のデータの記録再生
などに用いられるハードディスク、ならびにフロンピー
ディスク用磁性薄膜の形成方法に関するものである。
などに用いられるハードディスク、ならびにフロンピー
ディスク用磁性薄膜の形成方法に関するものである。
従来の技術
近年、コンピュータの周辺機器である磁気記録装置の発
展はめざましく、より小形化、より高密度化が進んでい
る。それに用いる磁気ディスクはγ−酸化鉄の塗布型の
ものが大勢を占めているが、より高密度化を求めて磁性
膜は薄膜化して行く傾向にある。ハードディスクにおい
ては、薄膜化はスピンコードなどの手法、あるいは塗布
したのち研磨してうるなどの方法がとられている。また
、塗布方法以外では、真空技術を用いて膜形成をおこな
っている。たとえば、スパッタ膜形成技術を用いて、コ
ハルトーニソケル、コバルト−クロムなどの金属膜、γ
−酸化鉄、バリウムフェライトなどの酸化膜がさかんに
形成されている。コバルト−クロム、バリウムフェライ
トは基板面に対し垂直磁化した膜として形成が可能で、
基板面に平行に磁化するものより、より高密度な媒体と
じて冨に最近検討されている。
展はめざましく、より小形化、より高密度化が進んでい
る。それに用いる磁気ディスクはγ−酸化鉄の塗布型の
ものが大勢を占めているが、より高密度化を求めて磁性
膜は薄膜化して行く傾向にある。ハードディスクにおい
ては、薄膜化はスピンコードなどの手法、あるいは塗布
したのち研磨してうるなどの方法がとられている。また
、塗布方法以外では、真空技術を用いて膜形成をおこな
っている。たとえば、スパッタ膜形成技術を用いて、コ
ハルトーニソケル、コバルト−クロムなどの金属膜、γ
−酸化鉄、バリウムフェライトなどの酸化膜がさかんに
形成されている。コバルト−クロム、バリウムフェライ
トは基板面に対し垂直磁化した膜として形成が可能で、
基板面に平行に磁化するものより、より高密度な媒体と
じて冨に最近検討されている。
コバルトを主成分とする面内磁化膜も薄膜形成技術によ
り検討されており、より薄膜化できれば、塗布型の媒体
にくらべ、より高密度媒体として有望である。
り検討されており、より薄膜化できれば、塗布型の媒体
にくらべ、より高密度媒体として有望である。
この媒体すなわち磁性膜をハードディスクに応用する場
合は、平滑度の高い金属円板、あるいはガラス円板など
の表面にE、Bあるいは抵抗加熱方式による真空蒸着、
スパッタ蒸着などの薄膜形成技術でつけられ実用化が検
討されている。またフレキシブルディスクの場合は、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミドな
どの有機フィルム上に上記薄膜形成法で析出し作成する
ことが検討されている。
合は、平滑度の高い金属円板、あるいはガラス円板など
の表面にE、Bあるいは抵抗加熱方式による真空蒸着、
スパッタ蒸着などの薄膜形成技術でつけられ実用化が検
討されている。またフレキシブルディスクの場合は、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミドな
どの有機フィルム上に上記薄膜形成法で析出し作成する
ことが検討されている。
発明が解決しようとする問題点
ハードディスク、フレキシブルディスクなどの媒体は、
円板の中心を軸として、面内方向に回転させて使用する
もので、記録再生は、円周方向におこなわれる。膜面内
磁化媒体を用いる場合、磁性膜の磁化方向が円周方向に
揃っておれば、記録時の磁化反転はよりスムーズになり
再生時の出力も大となるとともに、雑音レベルも低下す
る。
円板の中心を軸として、面内方向に回転させて使用する
もので、記録再生は、円周方向におこなわれる。膜面内
磁化媒体を用いる場合、磁性膜の磁化方向が円周方向に
揃っておれば、記録時の磁化反転はよりスムーズになり
再生時の出力も大となるとともに、雑音レベルも低下す
る。
塗布膜においては、塗膜が固化する前に、磁場中におい
て磁化方向を円周方向に揃えるなどの手段をとっている
。しかし、真空蒸着、スパッタ蒸着などの薄膜形成技術
を用いて上記円板状基板表面に磁性薄膜を形成させ、こ
れに円周方向に磁化方向を揃えることはなされていない
。
て磁化方向を円周方向に揃えるなどの手段をとっている
。しかし、真空蒸着、スパッタ蒸着などの薄膜形成技術
を用いて上記円板状基板表面に磁性薄膜を形成させ、こ
れに円周方向に磁化方向を揃えることはなされていない
。
問題点を解決するための手段
真空蒸着、スパッタ蒸着などで磁性膜を円板状基板上に
形成するとき、円板の円周方向に、直流または交流の磁
場を印加しておき、円板状基板の中心を軸として回転さ
せながら着膜させて円周方向に容易軸を持たせる。
形成するとき、円板の円周方向に、直流または交流の磁
場を印加しておき、円板状基板の中心を軸として回転さ
せながら着膜させて円周方向に容易軸を持たせる。
作用
本発明は、上記の如き容易軸方向を円周方向に持つ磁性
膜を以下の方法で形成して達成する。すなわち、1対の
平行に向いあった磁性材からなるターゲット間に、直流
または交流磁界を印加したスパッター装置において、円
板状基板面を、ターゲット間に印加した磁界に平行でか
つ、クーゲットの対向部の側部に設置して中心を軸とし
て面内回転させ、さらに基板とターゲットの間に印加し
た磁界方向に対し直角にスリ7トを設けたシャ。
膜を以下の方法で形成して達成する。すなわち、1対の
平行に向いあった磁性材からなるターゲット間に、直流
または交流磁界を印加したスパッター装置において、円
板状基板面を、ターゲット間に印加した磁界に平行でか
つ、クーゲットの対向部の側部に設置して中心を軸とし
て面内回転させ、さらに基板とターゲットの間に印加し
た磁界方向に対し直角にスリ7トを設けたシャ。
夕を、スリー/ トの一端に基板の中心が来る様に設置
して円板状基板の表面に磁性膜を形成する方法である。
して円板状基板の表面に磁性膜を形成する方法である。
磁界は両ターゲットの裏面に設置した永久磁石で得る。
この場合、形成する膜の保磁力に応じた磁界の強さが得
られる磁石を選ぶことにより、いろいろな種類の膜に容
易軸方向を円周方向に持たせて形成することができる。
られる磁石を選ぶことにより、いろいろな種類の膜に容
易軸方向を円周方向に持たせて形成することができる。
実施例
以下に本発明を一実施例を用いて具体的に説明する。
第1図において、真空槽1内に設けた1対の向い合った
4000ガウスに帯磁したsmco磁石3゜3′の対向
面側にCoが主成分のCo1Ni、Pの3成分からなる
sox 100 (m璽)のターゲット2゜2′を設け
る。円板状基板5は、真空槽1の外に設けたモータ6で
円板状基板5の中心を軸にして30rpmで回転した。
4000ガウスに帯磁したsmco磁石3゜3′の対向
面側にCoが主成分のCo1Ni、Pの3成分からなる
sox 100 (m璽)のターゲット2゜2′を設け
る。円板状基板5は、真空槽1の外に設けたモータ6で
円板状基板5の中心を軸にして30rpmで回転した。
このとき円板状基板5の面5′と磁石3,3′によって
できる磁界の方向との関係は六方平行になる様にしであ
る。つぎに円板状基板5のターゲット2.2′側(すな
わちターゲット2.2’と円板状基板5との間)に、シ
ャッタ4を設置した。このシャッタ4には第2図に示し
た如くにS m −Co 磁石3,3′によって生ずる
磁界8と直角な方向に細長いスリット7を設けた。この
実施例ではスリット7の寸法は、長さ50I11、幅5
龍とした。また円板状基板5には、直径3インチ、厚み
350μmのシリコン基板を用い、表面をエツチングし
て平滑性を持たせである。今、真空槽1内を5 X 1
0−’Torrまで減圧したのち、5X 1O−2To
rrまでアルゴンガスを導入した。クーゲット2.2′
にDC電圧300ボルトを印加し放電させたのち、5
X 10−3Torrに真空度を調整した。
できる磁界の方向との関係は六方平行になる様にしであ
る。つぎに円板状基板5のターゲット2.2′側(すな
わちターゲット2.2’と円板状基板5との間)に、シ
ャッタ4を設置した。このシャッタ4には第2図に示し
た如くにS m −Co 磁石3,3′によって生ずる
磁界8と直角な方向に細長いスリット7を設けた。この
実施例ではスリット7の寸法は、長さ50I11、幅5
龍とした。また円板状基板5には、直径3インチ、厚み
350μmのシリコン基板を用い、表面をエツチングし
て平滑性を持たせである。今、真空槽1内を5 X 1
0−’Torrまで減圧したのち、5X 1O−2To
rrまでアルゴンガスを導入した。クーゲット2.2′
にDC電圧300ボルトを印加し放電させたのち、5
X 10−3Torrに真空度を調整した。
20分間スパッタをして、スリットを通して円板状基板
5の表面に1ミクロン厚のCo Ni Pなる組成
の膜をつけた。
5の表面に1ミクロン厚のCo Ni Pなる組成
の膜をつけた。
発明の効果
円板状基板5の表面に着けた膜が、円周方向に磁化容易
軸を持った磁性膜になっているかを調べるため、同基板
5の適当なケ所5点より、51璽角のチップを切りだし
、トルク磁力計を用いて異方性を測定した。測定した結
果、磁化容易軸が円板状基板5の円周方向にあった。
軸を持った磁性膜になっているかを調べるため、同基板
5の適当なケ所5点より、51璽角のチップを切りだし
、トルク磁力計を用いて異方性を測定した。測定した結
果、磁化容易軸が円板状基板5の円周方向にあった。
すなわち、円板状基板5の表面に形成したC0−N1−
Pからなる磁性膜は円周方向に磁化容易軸を持っており
、これを記録媒体としたとき、効率のよい磁気記録、再
生ができるとともに媒体から来る雑音も低下し得る。
Pからなる磁性膜は円周方向に磁化容易軸を持っており
、これを記録媒体としたとき、効率のよい磁気記録、再
生ができるとともに媒体から来る雑音も低下し得る。
第1図は、本発明の磁性薄膜の形成方法の一実施例を示
す装置の概略図、第2図は本発明の磁性薄膜の形成方法
に用いるシャッターに設けたスリットと磁界との関係を
示す概念図である。 1・・・・・・真空槽、2,2′・・・・・・ターゲッ
ト、3゜3′・・・・・・磁界発生用磁石、4・・・・
・・シャッター、5・・・・・・円板状基板、5′・・
・・・・円板状基板の表面、6・・・・・・円板状基板
回転用モータ、7・・・・・・スリット。 l−真空槽 2.2′−ターゲ、ント 3.3’−−一磁界発生用磁石 第 1 図 4− シャヅタS−−−
円板状基級 5′−−一円gi其基板の表面 乙−円板状基板回転用モータ 第2図 (−一、−)
す装置の概略図、第2図は本発明の磁性薄膜の形成方法
に用いるシャッターに設けたスリットと磁界との関係を
示す概念図である。 1・・・・・・真空槽、2,2′・・・・・・ターゲッ
ト、3゜3′・・・・・・磁界発生用磁石、4・・・・
・・シャッター、5・・・・・・円板状基板、5′・・
・・・・円板状基板の表面、6・・・・・・円板状基板
回転用モータ、7・・・・・・スリット。 l−真空槽 2.2′−ターゲ、ント 3.3’−−一磁界発生用磁石 第 1 図 4− シャヅタS−−−
円板状基級 5′−−一円gi其基板の表面 乙−円板状基板回転用モータ 第2図 (−一、−)
Claims (2)
- (1)1対の平行に向いあった磁性材からなるターゲッ
ト間に、直流または交流磁界を印加したスパッター装置
において、円板状基板面を、ターゲット間に印加した磁
界に平行でかつターゲットの対向部の側部に設置して中
心を軸にして面内回転させ、さらに基板とターゲットの
間に、印加した磁界方向に対し直角にスリットを設けた
シャッタをスリットの一端に基板の中心が来る様に設置
して円板状基板の表面に磁性膜を形成することを特徴と
する磁性薄膜の形成方法。 - (2)形成した磁性薄膜の容易軸方向が、円板状基板の
円周方向であることを特徴とする特許請求の範囲第(1
)項記載の磁性薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11521486A JPS62271225A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 磁性薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11521486A JPS62271225A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 磁性薄膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62271225A true JPS62271225A (ja) | 1987-11-25 |
Family
ID=14657188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11521486A Pending JPS62271225A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 磁性薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62271225A (ja) |
-
1986
- 1986-05-20 JP JP11521486A patent/JPS62271225A/ja active Pending
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