JPS62267384A - ダイシングテ−プ - Google Patents

ダイシングテ−プ

Info

Publication number
JPS62267384A
JPS62267384A JP61109634A JP10963486A JPS62267384A JP S62267384 A JPS62267384 A JP S62267384A JP 61109634 A JP61109634 A JP 61109634A JP 10963486 A JP10963486 A JP 10963486A JP S62267384 A JPS62267384 A JP S62267384A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
intermediate layer
layer
dicing tape
sensitive adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61109634A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0374710B2 (ja
Inventor
Matsuo Amano
天野 松雄
Kazuo Noya
能谷 和雄
Yazo Takagi
高木 弥三
Susumu Matsuda
進 松田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SUN A CHEM IND CO Ltd
Original Assignee
SUN A CHEM IND CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SUN A CHEM IND CO Ltd filed Critical SUN A CHEM IND CO Ltd
Priority to JP61109634A priority Critical patent/JPS62267384A/ja
Publication of JPS62267384A publication Critical patent/JPS62267384A/ja
Publication of JPH0374710B2 publication Critical patent/JPH0374710B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、LSI(大規模集積回路)の製造工程におい
て使われるダイシングテープ、すなわちシリフンウェハ
ーに焼付けた多数のチップを個々のチップに切り離すダ
イシングを行う際にウェハーを固定しておくための粘着
テープに関するものである。
従来の技術 LSIの製造工程においてシリコンウェハーをチップに
切り離すダイシング時に、ウェハーはダイシングテープ
と呼ばれろ一種の粘着テープに接着して固定された状態
で切断加工を受ける。この切断加工では、毎分数百回転
の高速で回転する1い砥石がウェハーを切断しながら移
動するとともに切削粉を洗い流す水が激しく吹付けられ
るから、ウェハーおよびその切断片であるチップにはが
なり大きな剥離力が加わる。
したがって、これによるウェハーおよびチップの剥離を
防ぐため、ダイシングテープの接着力は充分強力である
ことを必要とする。ところがダイシング後のマウンティ
ング工程では、ダイシングテープの裏面から針で突上げ
るとともに表面からフレットにより真空吸引してチップ
を一つずつピンクアップするので、その際チップが容易
かつ確実にダイシングテープから離れる程度の、あまり
強くない接着状態にあることが必要である。つまりダイ
シングテープには、ダイシング中は接着力が強くマウン
ティング中は接着力が弱いという、両立させ難い特性が
要求される。特に近年は、VLS Iへの移行によりチ
ップ1個が大きくなりウェハーも大きくなる傾向がある
が、大径ウェハーの保持にはより強い接着力が要求され
る一方、大きなチップの剥離を従来どおりの方式で行う
ためには接着力はより小さいことが望まれる。加えて、
省力化、自動化への要求が強くなるにともない、従来の
、ウェノ1−を半切りにして刻み目のみを入れ(ハーフ
ダイシング)、次いで半切りウェハーを割ることにより
チップに分割し、更にチップ間間隔を広げてからマウン
ティングに移るという方式が、ウェハーを完全に切断し
くフルダイシング)直接マウンティングに移る方式に変
りつつあるが、ハーフダイシングにおいてはグイシング
の全期間を通じてウェハー全体で上述のような剥離力に
対抗できればよいのに対し、フルダイシングでは個々の
チップが上記剥離力に耐えなければならないか呟より強
力な接着力が求められることになる。
上述のような要請に答えられるダイシングテープはまだ
提供されていないから、従来は、ポリ塩化ビニルフィル
ムを基材としこれにアクリル系粘着剤またはエチレン−
酢酸ビニル共重合体系粘着剤からなる粘着剤層を設けた
だけのもので、その接着力が強弱各種のものを用意して
、これをシリコンウェハーの種類に応じて使い分けるの
が普通であったが、このような方法では、上述のような
LSI製造工程の進歩に対応することはもはや困難にな
りつつある。
主た、従来のダイシングテープの主流であるアクリル系
粘着剤を用いたものは、マウンティング工程で針の突上
げによる圧力に粘着剤凝集力が負け、チップ裏面に粘着
剤が移行する傾向があり、以後のチップ処理に種々の不
都合を生じるという問題もあった。
発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、従来のダイシングテープにおける上記
の問題点を解決し、グイシング工程における強力なウェ
ハー保持とマウンティング工程における容易なチップピ
ックアップを可能にするダイシングテープを提供するこ
とにある。
問題点を解決するたゐの手段 上記課題を解決するために本発明において採択された手
段は、基材フィルム層と粘着剤層との間に、滑剤を含有
するエチレン系共重合体からなり基材フィルム層と接着
している中間層を設けること、または、上記中間層に加
えてポリエチレンからなる第二の中間層を、粘着剤層側
に設けることにある。
本発明によるダイシングテープの粘着剤層を構成する粘
着剤は特に限定されないが、特開昭54−46282号
公報、特開昭58−208364号公報、特開昭55−
3409号公報等に提案されているような、エチレン−
酢酸ビニル共重合体まrこはこれとスチレン−ブタジェ
ンブロック共重合体、スチレン−イソプレンブロック共
重合体とをブレンドしたものをベースとし、これに粘着
付与剤、安定剤等を配合したエチレン−酢酸ビニル共重
合体系のものは、上記中間層とともに共押出成形するこ
とができるので、溶液塗布を必要とするアクリル系粘着
剤よりも好ましい。
エチレン−酢酸ビニル共重合体は、酢酸ビニル含有量が
7〜70%のものが適当であって、7%未満のものは接
着力が不足し、70%をこえるものは成膜性が悪い。粘
着付与剤としては、クマロン系樹脂、テルペン系樹脂、
フェノール系樹脂、ロジン系樹脂などを約1〜30%用
いる。安定剤としては、有機スズ化合物、金属セッケン
等の熱安定剤のほか、BHT、B)(A等の酸化防止剤
を用いることが望ましい。
滑剤を安定に含有し得るものの中から成膜性等も考慮し
て選定するが、通常使用可能なものの具体例としては、
エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸
共重合体、エチレン−アクリル酸エチルエステル共重合
体、エチレン−アクリル酸メチルエステル共重合体、エ
チレン・メタクリル酸エステル共重合体、フイオノマー
樹脂等がある。
エチレン系共重合体に含有させる滑剤の具体例としでは
、ステアリン酸、硬化ひまし油、ワックス類があり、ワ
ックス類の好ましい具体例としては、植物ワックス、動
物ワックス、鉱物系ワックスなどの天然ワックスや、ポ
リエチレンワックス、フィッシャートロプシュワックス
、油脂系ワックス、脂肪酸7ミド、エステル、ケトペ7
ミン、イミドなどの合成ワックスなどがある。その添加
量は、エチレン系共重合体に対してo、oi〜20重量
%が適当で、20%をこえると、エチレン系共重合体の
成膜および池層との接着が困難になる。
ポリエチレンからなる第二の中間層を設ける場合におけ
るポリエチレンとしては、低密度ポリエチレン、高密度
ポリエチレン、線状低密度ポリエチレン等のホモポリエ
チレンのほか、約5モル%以下の共重合成分を含有する
共重合ポリエチレン本田ち17++シ、7Iげり入− 基材フィルムとしては、ダイシングテープに要求される
伸長特性すなわち縦横両方向にバランスの良い伸びを備
えているとともに、ダイシングテープ使用時に行う熱処
理を高温にして短時間ですますことができるよう、耐熱
性のよいものであることが望ましい。好ましいフィルム
の具体例としては、ポリブタジエンフィルム、ポリブテ
ン−1フイルム、ガリエチレンフイルム、ポリプロピレ
ンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、非
移行性可塑剤で可塑化されたポリ塩化ビニルフィルム等
がある(ポリ塩化ビニルフィルムは、物性的には好まし
いものであるが、それが含有する可塑剤がジオクチル7
タレートやジオクチルアジペートなど移行性のものの場
合はその可塑剤が第一の中間層に移行したのち滑剤を同
伴して粘着剤層表面まで移行し、粘着剤層の接着力を不
安定にするので、非移行性の可塑剤、たとえば三井デュ
ポンポリケミカル社がら市販されている高分子量可塑剤
・エルバロイを用いたものを使用することが必要である
。)本発明のダイシングテープは、全体の厚さが30〜
300μ程度で、且つこれを構成する各層の厚さが下記
の範囲内にあることが望ましい。
粘着剤層:5〜20)μ エチレン系共重合体層:5〜200μ ポリ工チレン層二〇または1〜100μ基材フィルム層
= 10〜200μ 中間層を含むフィルム層の合計厚さがあまり大きくなる
と、前述のように針で突上げるチップピックアップに支
障をきたす。
上述のような材料からなる多層構造のものである本発明
のダイシングテープを製造する方法は任意であって、こ
の種の積層フィルムまたは粘着テープの製造の常法に従
って行えばよい。すなわち、あらかじめ製膜しておいた
基材フィルムに中間層および粘着剤層を順次または同時
に積層する方法や、いわゆる共押出法を採用して複数層
を一挙に製膜しかつ接着する方法により、容易に製造す
ることができる。なおエチレン系共重合体は、ニーグー
やミキサー、あるいは二紬押出磯を用いて、あらかじめ
滑剤とよく混合しておくとよい。アクリル系粘着剤のよ
うに溶液塗布が必要な粘着剤を用いる場合は、基材フィ
ルムと中間層とを積層したのち粘着剤塗布を行う、製造
後、粘着剤層表面は剥離紙または剥離フィルムを貼着し
て保護することが望ましい。
詐ユ囲 本発明のダイシングテープにおいて、滑剤を含有するエ
チレン系共重合体からなる中間層は、常温においては滑
剤をほとんど遊離せず、したがって基材フィルムと共に
単なる基材の一部として存在するが、約70°C以上に
加熱されると滑剤を遊離する。遊離さhた滑剤は粘着剤
層に拡散し、粘着剤層の接着力を低下させる。
ポリエチレンからなる第二の中間層を設けた場合におけ
るこの中間層は、ポリエチレンの結晶化度が高いため、
ダイシングテープ使用前の保存温度が高く且つそれが長
期にわたった場合に徐々に遊離してくる滑剤のバリヤー
となり、粘着剤層の接着力が滑剤によって使用前に低下
するのを防ぐ。熱処理を受けると結晶がゆるみ、滑剤を
通過させて接着力低下を可能にする。
したがって、本発明のダイシングテープを用いてウェハ
ーを固定し、ダイシング終了後、約70℃以上に加熱す
ると、接着力が激減してチップのピンクアップが容易に
なる。
本発明のダイシングテープの使用法について更に詳しく
説明すると、シリフンウェハーの貼着は、貼着面となる
ウェハー裏面の平滑度や粘着剤の特性に応じて、常温ま
たは約50°C以下の加温状態で行う。確実な接着状態
にした後、グイシングマシンに装着し、ハーフダイシン
グまたはフルグイシングを行う、このあと、ハーフダイ
シングの場合はブレーキングにより千ノブを1個ずつに
切り離した後、フルグイシングの場合はそのままで、エ
キスバンド工程に移し、チップ間間隔を広げる。次いで
、粘着剤の接着力を低下させるための加熱処理を施す。
加熱温度は、約70°C以上、基材フィルムの変形開始
温度以下とする。したがって、基材フィルムがポリブタ
ジェンフィルムのときは約90’Cまで、ポリブテン−
1フイルムのときは約120℃まで、ポリプロピレンフ
ィルムのときは約130″Cまで、ポリエステルフィル
ムのときは約ISO’Cまで、ポリ塩化ビニルフィルム
のときは約110°Cまで、それぞれ加熱することがで
きる。加熱する時間は、加熱温度が高いほど短くてよく
、70°Cであれば1時間程度、100°Cであれば2
0分間程度、iso’cであれば10分間程度でよい。
この処理により、たとえばウェハー貼着直後は1000
g/25市であった接着力が、10〜100g/25m
mに1氏下する。したがってマフンティング工程におけ
るチップのピンクアップは非常に容易に且つ確実に行わ
れ、またチップ裏面に糊残りを起こすこともない。
実施例 以下実施例および比較例を示して本発明を説明する。な
お各側において「部」とあるのは重量部を意味する。ま
た接着強度は、25IllII1幅のダイシングテープ
を300mm/分の速度でウェハーから180°剥離す
るときの抵抗値をもって示した。
実施例 1 下記の4層からなるダイシングテープを、粘着剤層、第
二中間層および第一中間層を共押出後ただちに基材フィ
ルム層と押出ラミネートする方法により製造した。
粘着剤層(10μ)/第二中間層(10μ)/第一中間
層(10μ)/基材フィルム層(100μ) なお各層の組成は次のとおりである。
粘着剤層: エチレンー酢酸ビニル共重合体(酢酸ビニル28%)5
0部 又チレンーイソプレンブロック共重合体   30部テ
ルペン樹脂               20部BH
T               O,5部第二中間層
: 低密度ポリエチレン(密度0,918.MI:10)第
一中間層: エチレン−アクリル酸エチル共重合体 (アクリル酸エチル18%)     90部エチレン
ビスステアリン酸アマイド     10部基材フィル
ム層: ポリブタジェン 上記ダイシングテープに、裏面(貼着面)の仕上げ状態
が下記のようなシリコンウェハーを、室温(約23°C
)または50℃で貼着した。
A:非常に平滑なエツチング面 B : #4000のグラインダーで研磨した粗面C:
 #400のグラインダーで研磨した非常に粗な面接着
強度の初期値(但し室温で24時間放置後の値)および
加熱処理後の値を測定した結果を、第1表および第2表
に示す。
表から明らかなように、接着強度は加熱により約1/1
0〜1/300に低下させることができる。なおウェハ
ーCの場合に初期接着強度が著しく低く、10分間の加
熱により接着強度が上昇したのは、非常に粗な面を持つ
このウェハーにやや固いダイシングテープ粘着剤層が室
温貼着では密着して第1表 接着強度[g/25ma+
] (貼着温度23°C)ウェハーA ウェハーB ウ
ェハーC 初期値  2500 700  80 80°C×10分処理後     15   200 
 1000〃20分処理後     10    30
    40〃30分処理後     10   30
   40100°C×10分処理後    10  
 150  1300〃20分処理後    10  
  30    40〃30分処理後    10  
  30    40第2表 接着強度[g/25n+
ml (貼着温度50°C)ウェハーA ウェハーB 
ウェハーC 初期値  2000 1soo  ioo。
80℃×10分処理後     10  200  3
00〃20分処理後     10   20   2
5〃30分処理後     10    20    
25100°(:X10分処理後    10   1
50   200〃20分処理後    10   .
20    20〃30分処理後    10.   
20   20おらず、加熱によって接着が完成したた
めである。したがってウェハーCには、そして同様の理
由により好ましくはウェハーBにも、加熱貼着がよいこ
とになる。換言すれば、この実施例のダイシングテープ
は、貼着温度を選べば、いがなる表面状態のウェハーに
も使用できることがわかる。
次に上記測定のための試料とは別の試料を実際にフルグ
イシングしたところ、チップは飛散することなくダイシ
ングテープ上に固定されていた。またその後100°C
で20分間熱処理してからチップのピックアップを行な
ったが、ピックアップは円滑に行われ、またウェハーへ
の糊残りは全く認められなかった。
実施例2.3;比較例1 実施例1と同様にして下記のダイシングテープを製造し
た。
実施例2:実施例1と同様のテープにおいて粘着剤層お
よび第一中間層の素材を次のように変更したらの。
粘着剤層: エチレンー酢酸ビニル共重合体(酢酸ビニル28%)8
0部 テルペン樹脂              20部BH
T                 O,5部第−中
間層: エチレン−酢酸ビニル共重合体(酢酸ビニル28%)9
5部 パラフィンワックス           5部実施例
3 :粘着剤層(10μ)/中間層(10μ)/基材フ
ィルム層(100μ) 粘着剤層:実施例2における粘着剤層と同じ中間層:実
施例2における第一中間層と同じ基材フィルム層:ポリ
ブタジェンフィルム以上2例のテープ(但し粘着剤層表
面に剥離テープを貼着)を巻取り、種々の条件下に保存
したのも、エツチング仕上げをしたシリコンウェハーを
室温で貼着し、24時間後に接着強度を測定した。その
結果を第3表に示す。
(注:ダイシングテープの接着能としては、40’Cで
30日保存後の接着強度がS OOg/25+w以上で
あることが必要とされている。) 第3表 接着強度[g/25mm] 保存条件    実施例2  実施例323’CXi日
   2500  2500〃 10日   2600
  24’OO〃 30日   2400  2000
40’CX  1日  2500  2000〃  1
0日   2400  1200〃 30日   23
00  1000実施例 4 実施例1における二つの中間層および基材フィルム層の
素材を次のように変更したほかは実施例1と同様にして
、ダイシングテープを製造した。
第一中間層: エチレン−アクリル酸共重合体 (アクリル酸7%、MI:S)        901
Bポリエチレンワツクス            1o
部第二中間層:エチレンー酢酸ビニル共重合体(酢酸ビ
ニル5%、MI:10) 基材フィルム層:ボリブテン−1フィルム得られたテー
プの特性を実施例1の場合と同様にして調べた結果を、
第4表および第5表に示す。
第4表 接着強度[g/25關](貼着温度23°C)
ウェハーA ウェハーB ウェハーC 初期値  2500 800 100 80℃×10分処理後     10   300  
1200〃20分処理後     10    40 
   70部30分処理後     10    40
    70100°C×10分処理後    10 
  170  1200〃20分処理後    10 
   40     S。
730分処理後    10    40    50
部5表 接着強度[g/25龍](貼着温度50℃)ウ
ェハーA ウェハーB ウェハーC 初期値   2000 1700 130080℃×1
0分処理後    10   250   800〃2
0分処理後     10    40    40部
30分処理後     10    40    40
100℃×10分処理後    10   250  
 700〃20分処理後    10    40  
  30部30分処理復    10    40  
  40発明の効果 本発明のダイシングテープは、上述のような構成と使用
法に基づき、グイシング時には強い接着力を示してシリ
コンウェハーを確実に保持するが、その後の加熱処理に
より接着力を激減してチップのピックアップを容易にし
、あわせて糊残りの問題を解消するから、これを用いる
ときは、LSI製造のグイシング工程およびマウンティ
ング工程の大幅な生産性向上が達成される。本発明のダ
イシングテープはまた、ダイシング後に接着力を著滅さ
せることができるので、従来のダイシングテープを用い
る場合のようにウェハーの仕上げ状態に応じて接着力の
異なるものを使い分ける必要がなく、あらゆるウェハー
に充分な接着力(ダイシングのための接着力)を示すも
の1種類を用意しておけばよいという特長がある。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)プラスチックフィルムからなる基材層と粘着剤層
    との間に、滑剤を含有するエチレン系共重合体からなる
    中間層を介在させてなるダイシングテープ。
  2. (2)基材層フィルムがポリブタジエンを主成分とする
    ものである特許請求の範囲第1項記載のダイシングテー
    プ。
  3. (3)粘着剤がエチレン−酢酸ビニル共重合体を主成分
    とするものである特許請求の範囲第1項記載のダイシン
    グテープ。
  4. (4)プラスチックフィルムからなる基材層と粘着剤層
    との間に、滑剤を含有するエチレン系共重合体からなる
    第一の中間層およびポリエチレンからなる第二の中間層
    を、後者を粘着剤層側にして介在させてなるダイシング
    テープ。
  5. (5)基材層フィルムがポリブタジエンを主成分とする
    ものである特許請求の範囲第4項記載のダイシングテー
    プ。
  6. (6)粘着剤がエチレン−酢酸ビニル共重合体を主成分
    とするものである特許請求の範囲第4項記載のダイシン
    グテープ。
JP61109634A 1986-05-15 1986-05-15 ダイシングテ−プ Granted JPS62267384A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61109634A JPS62267384A (ja) 1986-05-15 1986-05-15 ダイシングテ−プ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61109634A JPS62267384A (ja) 1986-05-15 1986-05-15 ダイシングテ−プ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62267384A true JPS62267384A (ja) 1987-11-20
JPH0374710B2 JPH0374710B2 (ja) 1991-11-27

Family

ID=14515250

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61109634A Granted JPS62267384A (ja) 1986-05-15 1986-05-15 ダイシングテ−プ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62267384A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01252684A (ja) * 1988-04-01 1989-10-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 放射線硬化性粘着テープ
JPH02215528A (ja) * 1989-02-17 1990-08-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 多層フィルム
JPH05230426A (ja) * 1992-02-24 1993-09-07 Lintec Corp ウェハ貼着用粘着シートおよびチップのピックアップ方法
DE10117880A1 (de) * 2001-04-10 2002-10-24 Muehlbauer Ag Verfahren zum Vereinzeln von elektronischen Bauteilen aus einem Verbund
JP2003053639A (ja) * 2001-08-17 2003-02-26 Disco Abrasive Syst Ltd 保持具及びこれに対する被加工物接合及び離脱方法
JP2004072040A (ja) * 2002-08-09 2004-03-04 Lintec Corp 属性表示付ダイシングテープおよびその製造方法
JP2019192873A (ja) * 2018-04-27 2019-10-31 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01252684A (ja) * 1988-04-01 1989-10-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 放射線硬化性粘着テープ
JPH02215528A (ja) * 1989-02-17 1990-08-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 多層フィルム
JPH05230426A (ja) * 1992-02-24 1993-09-07 Lintec Corp ウェハ貼着用粘着シートおよびチップのピックアップ方法
DE10117880A1 (de) * 2001-04-10 2002-10-24 Muehlbauer Ag Verfahren zum Vereinzeln von elektronischen Bauteilen aus einem Verbund
DE10117880B4 (de) * 2001-04-10 2009-01-29 Mühlbauer Ag Verfahren zum Vereinzeln von elektronischen Bauteilen aus einem Verbund
JP2003053639A (ja) * 2001-08-17 2003-02-26 Disco Abrasive Syst Ltd 保持具及びこれに対する被加工物接合及び離脱方法
JP2004072040A (ja) * 2002-08-09 2004-03-04 Lintec Corp 属性表示付ダイシングテープおよびその製造方法
JP2019192873A (ja) * 2018-04-27 2019-10-31 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0374710B2 (ja) 1991-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003528969A (ja) ポリマー剥離材料を含有する剥離物品および接着剤物品
TWI299545B (en) Dicing die adhesive film for semiconductor
US20120070661A1 (en) Pressure-sensitive adhesive tape
JP4437505B2 (ja) 包装材用積層テープ
CN104231962A (zh) 粘合片
JPS62267384A (ja) ダイシングテ−プ
JPH0450352B2 (ja)
CN106463371B (zh) 切割片用基材膜及切割片
JP2013163775A (ja) 粘着テープ
TW201343863A (zh) 黏著片
JP2000191991A (ja) チップ型電子部品キャリア用トップカバーテープ
JP2002506115A5 (ja)
JPS61260629A (ja) ウエハ加工用フイルム
TW201439272A (zh) 黏著片材
JP2000345120A (ja) 表面保護フィルム
JPH0131798B2 (ja)
JP4198163B2 (ja) 包装材用積層テープ
JP2005272724A (ja) 半導体用粘着テープ
JP2952312B2 (ja) 合成樹脂板用表面保護フィルム
JP2012201846A (ja) 半導体ウエハ加工用粘着テープ
JPH10237412A (ja) ホットメルト接着剤
JP3779123B2 (ja) 半導体ウエハ用シート
JPH0598224A (ja) 表面保護フイルム
JPS6026103Y2 (ja) 保護フイルム
KR0174328B1 (ko) 캐리어테이프용 열 접착테이프