JPS62265129A - シリカガラスの製造方法 - Google Patents
シリカガラスの製造方法Info
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- JPS62265129A JPS62265129A JP11014286A JP11014286A JPS62265129A JP S62265129 A JPS62265129 A JP S62265129A JP 11014286 A JP11014286 A JP 11014286A JP 11014286 A JP11014286 A JP 11014286A JP S62265129 A JPS62265129 A JP S62265129A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C1/00—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
- C03C1/006—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels to produce glass through wet route
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は光学用、半導体工業用、電子工業用。
理化学用等に使用されるクラックや割れ等のないシリカ
ガラスの製造方法に関する。
ガラスの製造方法に関する。
(従来の技術)
シリカガラスは耐熱性、耐食性および光学的性質に優れ
ていることから半導体製造に欠かせない重要な材料であ
り、さらKは光ファイバや工C製造用7オトマスク基板
、TPT基板(薄膜トランジスタ)などに使用され、そ
の用途はますます拡大されている。
ていることから半導体製造に欠かせない重要な材料であ
り、さらKは光ファイバや工C製造用7オトマスク基板
、TPT基板(薄膜トランジスタ)などに使用され、そ
の用途はますます拡大されている。
従来のシリカガラスの製造法には天然石英を電気炉また
は酸水素炎により溶解する方法、あるいは四塩化ケイ素
を酸水素炎又はプラズマ炎中で高温酸化し溶解する方法
があるが、いずれの方法も製造工程に2,000℃ある
いはそれ以上の高温を必要とするため大量のエネルギー
を消費し、また製造時にそのような高温に耐える材料が
必要であシ、マた高純度のものが得にくいなど経済的2
品質的にいくつかの問題点をもっている。
は酸水素炎により溶解する方法、あるいは四塩化ケイ素
を酸水素炎又はプラズマ炎中で高温酸化し溶解する方法
があるが、いずれの方法も製造工程に2,000℃ある
いはそれ以上の高温を必要とするため大量のエネルギー
を消費し、また製造時にそのような高温に耐える材料が
必要であシ、マた高純度のものが得にくいなど経済的2
品質的にいくつかの問題点をもっている。
これに対し、近年ゾル−ゲル法と呼ばれるシリカガラス
を低温で合成する方法が注目されている。
を低温で合成する方法が注目されている。
その概要を簡単に述べる。
一般式Si(OR)i(但しRはアルキル基を示す)で
示されるシリコンアルコキシド及び/又はその重縮合物
(例えば(ROhSi(O8i(OR)2)・O3i(
OR)3.0二〇〜8.Rはアルキル基)に水(アルカ
リ、酸などの触媒を添加してもよい)を加えて加水分解
し、シリカヒドロシル(以下シリカゾル)とする。この
時、シリコンアルコキシトド水が均一な系となる様に適
当な溶媒(例えばアルコール等)を加えてもよい。この
シリカゾルを静置。
示されるシリコンアルコキシド及び/又はその重縮合物
(例えば(ROhSi(O8i(OR)2)・O3i(
OR)3.0二〇〜8.Rはアルキル基)に水(アルカ
リ、酸などの触媒を添加してもよい)を加えて加水分解
し、シリカヒドロシル(以下シリカゾル)とする。この
時、シリコンアルコキシトド水が均一な系となる様に適
当な溶媒(例えばアルコール等)を加えてもよい。この
シリカゾルを静置。
昇温ゲル化剤添加等によりゲル化させる。さらにゲルを
蒸発乾燥することにより乾燥ゲルとする。
蒸発乾燥することにより乾燥ゲルとする。
この乾燥ゲルを適当なず囲気中で焼結することによりシ
リカガラスを得るものである。
リカガラスを得るものである。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしゾル−ゲル法によるシリカガラスの製造てはまた
未解決の問題が残されている。特にゲルを乾燥していく
過程でゲルにクラックや割れが発生し易く、クラックや
割れのないモノリシックな大形の乾燥ゲルを歩留り良く
製造することが困難となることである。
未解決の問題が残されている。特にゲルを乾燥していく
過程でゲルにクラックや割れが発生し易く、クラックや
割れのないモノリシックな大形の乾燥ゲルを歩留り良く
製造することが困難となることである。
ゲル化、乾燥収縮過程でのクラックや割れはゲルの内部
構造と乾燥条件に負うことが大きい。従来、シリコンア
ルコキシドを加水分解してゲル化させる場合にアンモニ
アを触媒として用いることが多く行なわれている。しか
しながら、アンモニアを触媒に用いると加水分解速度に
比較して重縮合速度が著しく速いため、得られた乾燥ゲ
ルは粒子の大きい粗な構造をとり2粒子間の結合力が弱
いため直% 2 cm以上の乾燥ゲルは発表されていな
い。
構造と乾燥条件に負うことが大きい。従来、シリコンア
ルコキシドを加水分解してゲル化させる場合にアンモニ
アを触媒として用いることが多く行なわれている。しか
しながら、アンモニアを触媒に用いると加水分解速度に
比較して重縮合速度が著しく速いため、得られた乾燥ゲ
ルは粒子の大きい粗な構造をとり2粒子間の結合力が弱
いため直% 2 cm以上の乾燥ゲルは発表されていな
い。
本発明の目的はゲル乾燥過程においてクラックや割れを
発生することなくモノリシックな大形の乾燥ゲルを得て
、これを焼結することによりシリカガラスを製造する方
法を提供することである。
発生することなくモノリシックな大形の乾燥ゲルを得て
、これを焼結することによりシリカガラスを製造する方
法を提供することである。
(問題点を解決するだめの手段)
本発明者らは、アンモニアに代えて塩基性の強いアミン
を用いることにより、ゲル構造の強度を向上させ、ゲル
のクランクや割れを防止し得ることを見出し本発明を完
成するに至った。
を用いることにより、ゲル構造の強度を向上させ、ゲル
のクランクや割れを防止し得ることを見出し本発明を完
成するに至った。
本発明は、一般式Si(OR)4(但しRはアルキル基
を示す)で示されるシリコンアルコキシトド水/又はそ
の重縮合物を加水分解してシリカゾルとし2次いでゲル
化し乾燥及び焼結するシリカガラスの調造方法において
前記加水分解の触媒としてアミンを月いるシリカガラス
の製造法に関する。
を示す)で示されるシリコンアルコキシトド水/又はそ
の重縮合物を加水分解してシリカゾルとし2次いでゲル
化し乾燥及び焼結するシリカガラスの調造方法において
前記加水分解の触媒としてアミンを月いるシリカガラス
の製造法に関する。
本発明において、シリコンアルコキシド及ヒ/又はその
重縮合物のアルキル基については特に制限はない。シリ
コンアルコキシド及び/又はその重縮合物に水及びアル
コールを加えて加水分解してシリカゾルを生成させる際
に、該水に触媒としてアミンを加える。アミンは、メチ
ルアミン、エチルアミン等の第一アミン、ジメチルアミ
ン、ジエチルアミン等の第ニアミン、トリメチルアミン
。
重縮合物のアルキル基については特に制限はない。シリ
コンアルコキシド及び/又はその重縮合物に水及びアル
コールを加えて加水分解してシリカゾルを生成させる際
に、該水に触媒としてアミンを加える。アミンは、メチ
ルアミン、エチルアミン等の第一アミン、ジメチルアミ
ン、ジエチルアミン等の第ニアミン、トリメチルアミン
。
トリエチルアミン等の第三アミン、エチレンジアミン、
トリメチレンジアミン等をあげることができ、これらの
アミンの使用は単独でも複数でもよい。アミンのシリコ
ンアルコキシド及び/又はその重縮合物に対する濃度は
、シリコンアルコキシド及び/又はその重縮合物の種類
、加水分解の速度等により適宜選定する。用いるアルコ
ールはシリコンアルコキシド及び/又はその重縮合物の
種類によって選べばよく、特に制限はなく、一種類でも
複数でも差し支えない。
トリメチレンジアミン等をあげることができ、これらの
アミンの使用は単独でも複数でもよい。アミンのシリコ
ンアルコキシド及び/又はその重縮合物に対する濃度は
、シリコンアルコキシド及び/又はその重縮合物の種類
、加水分解の速度等により適宜選定する。用いるアルコ
ールはシリコンアルコキシド及び/又はその重縮合物の
種類によって選べばよく、特に制限はなく、一種類でも
複数でも差し支えない。
シリカガラスは、上記のよってして生成したシリカゾル
をンヤーレ等の容器に移し、室温〜70℃に保ってゲル
化し9次いで室温以上の温度で乾燥して乾燥ゲルとし、
更に公知の方法で焼結して得られる。
をンヤーレ等の容器に移し、室温〜70℃に保ってゲル
化し9次いで室温以上の温度で乾燥して乾燥ゲルとし、
更に公知の方法で焼結して得られる。
(作用)
アンモニアより塩基性の強いアミンを用いると。
ゲル構造の強度が向上し、ゲルのクラックや割れが防止
される。
される。
(実施例)
次に不光明の実施例を説明する。
実施例1
1モルのシリコンテトラメトキシド(S i (OCH
3)4)に対し、4.5モルのメチルアルコールを加え
よく混合した。この溶液にI X 10−’ rr10
1/lのエチレンジアミン水溶液4モルを加え、充分に
混合しシリカゾルとした。これを直径90111TIn
のテフロンでコーティングしたガラス梨シャーレに入れ
、密封し室温でゲル化した。その後蓋に穴を開け、50
℃の恒温僧で7日間乾燥し、その後120°Cの恒温槽
に移して1日乾燥して直径59.0乾燥ゲルをf七そ。
3)4)に対し、4.5モルのメチルアルコールを加え
よく混合した。この溶液にI X 10−’ rr10
1/lのエチレンジアミン水溶液4モルを加え、充分に
混合しシリカゾルとした。これを直径90111TIn
のテフロンでコーティングしたガラス梨シャーレに入れ
、密封し室温でゲル化した。その後蓋に穴を開け、50
℃の恒温僧で7日間乾燥し、その後120°Cの恒温槽
に移して1日乾燥して直径59.0乾燥ゲルをf七そ。
こつして得られた乾燥ゲルのかさ密度は1.2g/cm
”であり、クランクや割れは全くなかった。
”であり、クランクや割れは全くなかった。
この乾燥ゲルを1.250°Cまで加熱焼結したところ
直径asarmx厚さ4−のクラックや割れのない透明
なシリカガラスが得られた。このシリカガラスを分析の
結果、その特性は市販のシリカガラスと一致した。
直径asarmx厚さ4−のクラックや割れのない透明
なシリカガラスが得られた。このシリカガラスを分析の
結果、その特性は市販のシリカガラスと一致した。
実施例2
実施例1におけるエチレンジアミン水溶夜に代えて0.
01 mat/lのジエチルアミン水溶液を4モルとし
た以外は実施例1と同様の操作を行って乾燥ゲルを得た
。この乾燥ゲルにはクランクや割れは全く見られなかっ
た。
01 mat/lのジエチルアミン水溶液を4モルとし
た以外は実施例1と同様の操作を行って乾燥ゲルを得た
。この乾燥ゲルにはクランクや割れは全く見られなかっ
た。
実施例3
実施例1におけるエチレンジアミン水溶液に代えて0.
01 moj/ lのトリエチルアミン水f80を4モ
ルとした以外は実施例1と同様の操作を行って乾燥ゲル
を得だ。該乾燥ゲルにはクラックや割れは全く認められ
なかった。
01 moj/ lのトリエチルアミン水f80を4モ
ルとした以外は実施例1と同様の操作を行って乾燥ゲル
を得だ。該乾燥ゲルにはクラックや割れは全く認められ
なかった。
(発明の効果)
本発明によれば大形のシリカガラスをゾル−ゲル法によ
りクランクや割れを発生することなく容易に製造が可能
となる。その大きさは基本的には制約がなく、形状も板
状、棒状、管状等のいずれでも製造できる。又2本発明
によりシリカガラスは従来のものよりも安価に製造でき
るだめ、従来から使用されてきたIC製造用フォトマス
ク基材等の分野はもちろん液晶表示用基材等にも応用が
拡大できる。
りクランクや割れを発生することなく容易に製造が可能
となる。その大きさは基本的には制約がなく、形状も板
状、棒状、管状等のいずれでも製造できる。又2本発明
によりシリカガラスは従来のものよりも安価に製造でき
るだめ、従来から使用されてきたIC製造用フォトマス
ク基材等の分野はもちろん液晶表示用基材等にも応用が
拡大できる。
Claims (1)
- 1、一般式Si(OR)_4(但しRはアルキル基を示
す)で示されるシリコンアルコキシド及び/又はその重
縮合物を加水分解してシリカゾルとし、次いでゲル化し
乾燥及び焼結するシリカガラスの製造方法において、前
記加水分解の触媒としてアミンを用いることを特徴とす
るシリカガラスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11014286A JPH0755835B2 (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | シリカガラスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11014286A JPH0755835B2 (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | シリカガラスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62265129A true JPS62265129A (ja) | 1987-11-18 |
JPH0755835B2 JPH0755835B2 (ja) | 1995-06-14 |
Family
ID=14528100
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11014286A Expired - Lifetime JPH0755835B2 (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | シリカガラスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0755835B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01257138A (ja) * | 1988-04-07 | 1989-10-13 | Koroido Res:Kk | シリカ系ガラスの製造方法 |
US4937208A (en) * | 1988-02-19 | 1990-06-26 | Tohru Yamamoto | Catalyst for sol-gel method using metal alkoxide and sol-gel method using the same |
US5116637A (en) * | 1990-06-04 | 1992-05-26 | Dow Corning Corporation | Amine catalysts for the low temperature conversion of silica precursors to silica |
US7216509B2 (en) * | 2000-07-10 | 2007-05-15 | Degussa Novara Technology S.P.A. | Sol-gel process for the production of high dimensions dry gels and derived glasses |
WO2005097883A3 (en) * | 2004-03-26 | 2009-04-30 | King Industries Inc | Method of producing a crosslinked coating in the manufacture of integrated circuits |
-
1986
- 1986-05-14 JP JP11014286A patent/JPH0755835B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4937208A (en) * | 1988-02-19 | 1990-06-26 | Tohru Yamamoto | Catalyst for sol-gel method using metal alkoxide and sol-gel method using the same |
JPH01257138A (ja) * | 1988-04-07 | 1989-10-13 | Koroido Res:Kk | シリカ系ガラスの製造方法 |
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WO2005097883A3 (en) * | 2004-03-26 | 2009-04-30 | King Industries Inc | Method of producing a crosslinked coating in the manufacture of integrated circuits |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0755835B2 (ja) | 1995-06-14 |
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