JPS62261138A - 接合半導体ウエ−ハ用検出装置 - Google Patents

接合半導体ウエ−ハ用検出装置

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JPS62261138A
JPS62261138A JP10380786A JP10380786A JPS62261138A JP S62261138 A JPS62261138 A JP S62261138A JP 10380786 A JP10380786 A JP 10380786A JP 10380786 A JP10380786 A JP 10380786A JP S62261138 A JPS62261138 A JP S62261138A
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JP
Japan
Prior art keywords
wafer
wafers
belts
turntable
bonded semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP10380786A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoshi Yoshikawa
吉川 清
Mitsuki Tsukada
塚田 光記
Tadahide Hoshi
星 忠秀
Tomio Minohoshi
蓑星 富夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) この発明は複数の半導体ウェーハを貼合わせて一体にし
た接合半導体ウェーハ用検査装置に関する。
(従来の技術) 半導体装置の!il!造において、単結晶半導体基板に
気相成畏法で特定の導電型を有する半導体層を形成し、
ここに機能素子を形成する工程がある。
この半導体層の形成に不純物の導電型の種類や濃度を異
ならしめる手法として予め上記各性状に適合するように
形成された半導体ウェーハを各−主面で対接させ、加圧
を施して接合させる技術が開発されている。上記によっ
て形成された接合半導体ウェーハには接合面にボイドを
生ずることがあり、半導体素子の特性に悪影響を及ぼす
、このボイドを検出するのに従来は第3図に示されるウ
ェーハ用検査装置によって行なわれていた。すなわち、
作業者はウェーハキャリヤ(図示省略)から1枚ずつ接
合半導体ウェーハ(ウェーハと略称する)100を取出
し、ウェーハ保持部101に垂直に保持させ、このウェ
ーハに対し一方の主面側に設けられた赤外線源102か
らウェーハに対し赤外線103aを投射し、ウェーハを
透過した赤外線103bが赤外線検出部104で検出さ
れる。この検出された赤外線の画像をモニタ(図示省略
)で視認しボイドに対する良否の判別を行なっていた0
判別を終ればその結果に基づいてウェーハを検査済良品
ウェーハ用キャリヤ、または検査済不良ウェーハ用キャ
リヤに収納していた。
(発明が解決しようとする問題点) 上記ウェーハのボイドに対する従来の検査装置によれば
、ウェーハのキャリヤからの取出し、検査装置への装入
、モニタでの視認、検査装置からウェーハの取外し、キ
ャリヤへの収納のすべてが作業者によって行なわれてい
たので能率が悪く。
特にボイドに対する判定が不安定、かつ個人差があるた
め品質が安定しないという問題点があった。
この発明は上記問題点を解決するためになされたもので
ある。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) この発明にかかる接合半導体ウェーハ用検査装置は、接
合半導体ウェーハ(100)を収容したキャリヤ(21
)から一枚ずつ取出すためのウェーハ取出エレベータ機
構(旦)と、このウェーハ取出エレベータ機構に接続し
接合半導体ウェーハを回転させてそのオリエンテーショ
ンフラットの方向を所定にするプリアライメント機構(
12)と、このプリアライメント機構に接続しプリアラ
イメントの施された接合半導体ウェーハをターンテーブ
ル(23)のウェーハ載置部(23a)上方に搬送する
とともに搬送の始端と終端にウェーハ移設手段を備えた
第1トランスファ機構(13)と、前記ターンテーブル
のウェーハ載置部をウェーハ受入ポジション(10a)
からウェーハ検査ポジション(10b)を経てウェーハ
排出ポジション(10c)に移すターンテーブル回転駆
動機構(貝)と、前記ウェーハ検査ポジションに設けら
れ赤外線によって検出された接合半導体ウェーハのボイ
ドを判定しその結果を記憶するコントロール部(且)と
、前記ターンテーブルのウェーハ排出ポジションからウ
ェーハをスイッチングトランスファ機構に搬送する第2
トランスファ機構(16)と、前記第2トランスファ機
構に接続し前記コントロール部(且)の検出結果に基づ
く信号によってウェーハを良品ウェーハ収納エレベータ
機4!(47)と不良品ウェーハ収納エレベータ機構(
57)とに振別は送出するスイッチングトランスフッ機
構(17)を具備することを特徴とするものである。
(作 用) この発明はウェーハにおけるボイドの検査に被検査ウェ
ーハを収めたキャリヤからウェーハを1枚ずつ取出して
これをプリアラインし、ウェーハ検査を施しその結果を
記憶し、この記憶された結果に基づいてウェーハを良品
と不良品の搬送路に分別し夫々のキャリヤに収納する搬
送と上記検査を一体化した検査装置である。
(実施例) 以下、この発明を一実施例につき第1図および第2図を
参照して説明する。
この発明の一実施例の接合半導体ウェーハ用検査装置を
斜視図で示す第1図において、旦は未婉査のウェーハt
oo、tooを収容したキャリヤ21からウェーハを一
枚ずつ押し取出すウェーハ取出エレベータ機構で、水平
、かつ所定間隔にウェーハを収容したキャリヤ21に対
し、これからウェーハが一枚押出されると上記所定間隔
に相当する距離昇降のいずれかを行ない、収容している
ウェーハの全部が取出されると1次のキャリヤが充当さ
れる機構を備えて連続取出が達成される。
次に、前記ウェーハ取出エレベータ機構旦に接続して設
けられたプリアライメント機構Uは取出されたウェーハ
をほぼ中央部を載置する回転台22に載置保持させ、ウ
ェーハのオリエンテーションフラットを検出してこれが
所定位置に至ったとき回転台22が回転を停止してプリ
アラインされる。
次に、前記プリアライメント機構に接続した第1トラン
スファ機構Uに載せてターンテーブル23上に移す、こ
の移設の手段は第2図に要部が示されるようになってい
る。すなわち、一対のベルト33.33が、ウェーハを
その周端に近いやや内側の部分を支持載置するように、
ベルト帯の中心間間隔をウェーハの直径よりやや小にし
てウェーハを移送し、ベルトの一端でウェーハを受け、
他端で降ろす時には、ウェーハをその直径(D)よりも
小さい直径(d)の円板状の載置面を有するウェーハチ
ャック43の上下動とベルト間隔の開閉とを組み合わせ
て達成される。第2図にはベルト33.33の終端にお
いてベルト上のウェーハ100を以下に述べる下方のタ
ーンテーブル23上面の凹状のウェーハ載置部23aに
移す場合を示す、この場合、ベルト終端にウェーハが到
着した際にはウェーハチャックはターンテーブルの下方
にある0次に、ウェーハチャックが上昇しウェーハ載置
部底の開孔を通過しベルト上のウェーハを載せて上昇し
図中破線で示す位置で停止する。ついで下降に入るが。
ベルトはこれに載置されているウェーハが離れたときか
ら間隔が拡大し、下降して来るウェーハが通過する時点
ではベルトの対向端面間間隔がウェーハの直径よりも開
拡している。したがって、ウェーハは下降を続け、ター
ンテーブルのウェーハ載置部内に収納される。ウェーハ
チャックのみさらに下降し当初の位置に停止してウェー
ハの移設を完了する。
次に、旦はターンテーブル回転駆動機構(第2図)で、
前記ターンテーブル23を回転させるための例えばモー
タとその減速、駆動制御等(図示省略)を含む駆動部2
4と、ターンテーブルを支持し前記駆動部24に接続す
る回転支持軸34を備える。
そして前記ウェーハ載置部23aは、第1トランスファ
機構の終端でウェーハが移設されるウェーハ受人ポジシ
ョン10aからウェーハ検査ポジション10bに、そし
てウェーハの検査が終了すればウェーハ排出ポジション
10cに移される。
次に、眼はコントロール部で、前記ウェーハ検査ポジシ
ョンの赤外線源102から放射された赤外線103aが
ウェーハ100を透過した赤外線103bを受けてウェ
ーハのボイドを検出する赤外線検出部104と、この赤
外線検出部に接続して検出されたウェーハのボイドを画
像処理により一定された検査レベルで判定し、その結果
を記憶する記憶部25を備える。
次に、川は第2トランスファ機構で、前記ターンテーブ
ルのウェーハ排出ポジション10cのウェーハを一対の
ベルト26.26に載せる。このウェーハをベルトに載
せる機構は前述した第1トランスファ機構におけるウェ
ーハ移設機構と同じ方式で、ただその結果が前記と逆の
ウェーハ載置部からベルトに移すものである。そして、
ウェーハチャック43の上下動に関連して幅が開拡、縮
小する対のベルト26.26上に載せられたウェーハは
次のスイッチングトランスファ機構に搬送される。
次にスイッチングトランスファ機構Hは対のベルト27
.27と、このベルト上の一部にこの搬送方向と直角(
横)に移行する横行ベルト37.37を備え、前記コン
トロール部用の記憶結果に基づいて1例えばボイド不良
のウェーハに対しては横行ベルト37.37がベルト2
7.27の面位よりも上昇してウェーハを載せ搬送し、
ベルト27.27の搬送先と異なる搬送先の不良品ウェ
ーハ収納エレベータ機構57のウェーハキャリヤに収納
される。良品ウェーハは、横行ベルト37.37の面位
が低く保たれるのでベルト27 、27に載置されたま
まで良品ウェーハ収納エレベータ機構47のウェーハキ
ャリヤに収納される。
〔発明の効果〕
この発明によれば、ウェーハの検査に人手を要すること
なく未検査のウェーハを装入するだけで良品用ウェーハ
キャリヤと不良品用ウェーハキャリヤとに振別けられる
ので、処理時間が短縮でき、かつ生産性が向上する。
次に、ボイドの検査を画像処理により、かつ。
一定に記憶された検査レベルによって施すので、検査精
度が顕著に高いなどの利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明にかかる接合半導体ウェーハ用検査装
置の要部を示す斜視図、第2図は第1図の一部のAAM
に沿う断面図、第3図従来の接合半一導体ウェーハ検査
装置の一部断面で示す側面図である。 旦      ウェーハ取出エレベータ機構U    
  プリアライメント機構 用      第1トランスファ機構 其      ターンテーブル回転駆動機橋長    
  コントロール部 則      第2トランスファ機構 見      スイッチングトランスファ機構21  
      キャリヤ 23       ターンテーブル 23a       ターンテーブルのウェーハ載置部
47       良品ウェーハ収納エレベータ機構5
7       不良品ウェーハ収納エレベータ機端1
00       ウェーハ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 未検査の接合半導体ウェーハを収容したキャリヤから一
    枚ずつ取出すためのウェーハ取出エレベータ機構と、こ
    のウェーハ取出エレベータ機構に接続し接合半導体ウェ
    ーハを回転させてそのオリエンテーションフラットの方
    向を所定にするプリアライメント機構と、このプリアラ
    イメント機構に接続しプリアライメントの施された接合
    半導体ウェーハをターンテーブルのウェーハ載置部上方
    に搬送するとともに搬送の始端と終端にウェーハ移設手
    段を備えた第1トランスファ機構と、前記ターンテーブ
    ルのウェーハ載置部をウェーハ受入ポジションからウェ
    ーハ検査ポジションを経てウェーハ排出ポジションに移
    すターンテーブル回転駆動機構と、前記ウェーハ検査ポ
    ジションに設けられ赤外線によって検出された接合半導
    体ウェーハのボイドを判定しかつその結果を記憶するコ
    ントロール部と、前記ターンテーブルのウェーハ排出ポ
    ジションからウェーハをスイッチングトランスファ機構
    に搬送する第2トランスファ機構と、前記第2トランス
    ファ機構に接続し前記コントロール部の検出結果に基づ
    く信号によってウェーハを良品ウェーハ収納エレベータ
    機構と不良品ウェーハ収納エレベータ機構とに振別け送
    出するスイッチングトランスファ機構を具備することを
    特徴とする接合半導体ウェーハ用検査装置。
JP10380786A 1986-05-08 1986-05-08 接合半導体ウエ−ハ用検出装置 Pending JPS62261138A (ja)

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JP10380786A JPS62261138A (ja) 1986-05-08 1986-05-08 接合半導体ウエ−ハ用検出装置

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JP10380786A JPS62261138A (ja) 1986-05-08 1986-05-08 接合半導体ウエ−ハ用検出装置

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JPS62261138A true JPS62261138A (ja) 1987-11-13

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ID=14363671

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JP10380786A Pending JPS62261138A (ja) 1986-05-08 1986-05-08 接合半導体ウエ−ハ用検出装置

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JP (1) JPS62261138A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0644588A1 (en) * 1993-08-23 1995-03-22 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd Wafer with epitaxial layer having a low defect density

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0644588A1 (en) * 1993-08-23 1995-03-22 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd Wafer with epitaxial layer having a low defect density
US5744380A (en) * 1993-08-23 1998-04-28 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Method of fabricating an epitaxial wafer

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