JPS62261131A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62261131A JPS62261131A JP10426486A JP10426486A JPS62261131A JP S62261131 A JPS62261131 A JP S62261131A JP 10426486 A JP10426486 A JP 10426486A JP 10426486 A JP10426486 A JP 10426486A JP S62261131 A JPS62261131 A JP S62261131A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000011104 metalized film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract description 4
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 abstract description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
回路の形成された半導体チップがステージ上に取付けら
れてなる半導体装置において、半導体チップの裏面上に
金属ガラスペーストによるメタライズ膜を形成し、はん
だを介してステージ上に取り付けることにより、 半導体チップに加わるストレスを緩和するようにしなが
ら製造コストを低減したものである。
れてなる半導体装置において、半導体チップの裏面上に
金属ガラスペーストによるメタライズ膜を形成し、はん
だを介してステージ上に取り付けることにより、 半導体チップに加わるストレスを緩和するようにしなが
ら製造コストを低減したものである。
本発明は、回路の形成された半導体チップがステージ上
に取付けられてなる半導体装置の製造方法に係り、特に
、半導体チップの取付は方法に関す。
に取付けられてなる半導体装置の製造方法に係り、特に
、半導体チップの取付は方法に関す。
半導体集積回路（ＩＣ）などの半導体装置は、通常、回
路の形成された半導体チップが、リードフレームやパフ
ケージなどのステージに取付けられワイヤなどにより接
続されてなっている。
路の形成された半導体チップが、リードフレームやパフ
ケージなどのステージに取付けられワイヤなどにより接
続されてなっている。
そして製造コストの低減のため、上記チップの取付けに
おいても経済化が望まれている。
おいても経済化が望まれている。
上記半導体装置において、リードフレームの材料に例え
ば銅（Ｃｕ）系金属などが用いられた場合、熱膨張率の
差から半導体チップが割れたりすることがある。この対
策として、半導体チップをステージに取付ける際の接合
材に軟質の材料例えばはんだを用いて半導体チップに加
わるストレスを緩和するようにしている。
ば銅（Ｃｕ）系金属などが用いられた場合、熱膨張率の
差から半導体チップが割れたりすることがある。この対
策として、半導体チップをステージに取付ける際の接合
材に軟質の材料例えばはんだを用いて半導体チップに加
わるストレスを緩和するようにしている。
また、パッケージにより半導体チップが密封される場合
には、上記接合材に有機質の材料を用いると密封後に発
生するガスが悪影響を及ぼすので、無機質の材料を用い
ている。そしてこの材料の一つにはんだがある。
には、上記接合材に有機質の材料を用いると密封後に発
生するガスが悪影響を及ぼすので、無機質の材料を用い
ている。そしてこの材料の一つにはんだがある。
このようにはんだを接合材にして半導体チップをステー
ジに取付ける際の従来の取付は方法は第２図の側面図に
示す如くである。
ジに取付ける際の従来の取付は方法は第２図の側面図に
示す如くである。
即ち、上面側に回路が形成された半導体チップｌの裏面
に予めチタン（Ｔｉ） 、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ
）を順に被着してなる金属膜２を形成しておく。表面に
Ａｇまたは金（Ａｕ）などの膜が被着されてなるステー
ジ３を加熱し、その上に上記チップ１を薄板片状はんだ
の接合材４を介して押圧し、その後上記加熱を除去する
。
に予めチタン（Ｔｉ） 、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ
）を順に被着してなる金属膜２を形成しておく。表面に
Ａｇまたは金（Ａｕ）などの膜が被着されてなるステー
ジ３を加熱し、その上に上記チップ１を薄板片状はんだ
の接合材４を介して押圧し、その後上記加熱を除去する
。
金属１１５！ ２は、一般にシリコン（Ｓｉ）からなる
チップ１がはんだに対する濡れ性の悪いために設けたも
のである。
チップ１がはんだに対する濡れ性の悪いために設けたも
のである。
この取付は方法において金属膜２の形成は、通常スパッ
タ法または蒸着法などによるため高価な装置を用い且つ
長い工程を必要とするので、コストが高くなる問題があ
る。
タ法または蒸着法などによるため高価な装置を用い且つ
長い工程を必要とするので、コストが高くなる問題があ
る。
上記問題点は、金属膜２を金属ガラスペーストに、よる
メタライズ膜に切り替えることによって解決される。
メタライズ膜に切り替えることによって解決される。
上記メタライズ膜は、金属ガラスペーストを塗布しこれ
を焼成することにより形成出来るので、単層で形成工程
が短く且つ高価な装置を必要としない。このことにより
メタライズ膜形成のコストは、従来の金属膜２の場合よ
り大幅に低減する。
を焼成することにより形成出来るので、単層で形成工程
が短く且つ高価な装置を必要としない。このことにより
メタライズ膜形成のコストは、従来の金属膜２の場合よ
り大幅に低減する。
なおメタライズ膜のはんだに対する濡れ性は、金Ｂ膜２
のそれより劣るとは言え、実用上に全く問題がない。
のそれより劣るとは言え、実用上に全く問題がない。
以下、本発明による取付は方法の実施例について第１図
の側面図を用い説明する。全図を通じ同一符号は同一対
象物を示す。
の側面図を用い説明する。全図を通じ同一符号は同一対
象物を示す。
即ち、上面側に回路が形成された半導体チップ１の裏面
上に予めメタライズ膜２ａを形成しておく。
上に予めメタライズ膜２ａを形成しておく。
メタライズ膜２ａの厚さは、通常のスクリーン印刷可能
な厚さで良く例えば５０〜１００μ繭程度である。
な厚さで良く例えば５０〜１００μ繭程度である。
またメタライズＭ＊２ａの形成は、材料にＡｇ粉末と低
融点ガラス粉末を主成分にしたＡｇガラスペーストを用
い、これをチップ１に例えばシルクスクリーン印刷など
により塗布し、約４００℃１５分の焼成を行う。
融点ガラス粉末を主成分にしたＡｇガラスペーストを用
い、これをチップ１に例えばシルクスクリーン印刷など
により塗布し、約４００℃１５分の焼成を行う。
使用する材料の金属は、Ａｇ以外のもの例えばタングス
テン（Ｗ）などであっても良い。
テン（Ｗ）などであっても良い。
この後は従来方法と同様で、ステージ３を加熱し、その
上に上記チップ１を薄板片状はんだの接合材４を介して
押圧し、その後上記加熱を除去する。
上に上記チップ１を薄板片状はんだの接合材４を介して
押圧し、その後上記加熱を除去する。
接合材４は、鉛（Ｐｂ）と錫（Ｓｎ）を主成分にして融
点が約２５０℃のはんだを材料にし、厚さが約２０μ■
で大きさはチップ１よりやや小さい。またステージ３の
加熱温度は約３００℃である。なおこの材料の融点とス
テージ３の加熱温度は当該半導体装置の条件に合わせて
適宜選定することが出来る。
点が約２５０℃のはんだを材料にし、厚さが約２０μ■
で大きさはチップ１よりやや小さい。またステージ３の
加熱温度は約３００℃である。なおこの材料の融点とス
テージ３の加熱温度は当該半導体装置の条件に合わせて
適宜選定することが出来る。
上記取付は方法は、接合材３に対するチップ１の濡れ性
を確保するためチップｌの裏面に設けたメタライズ膜２
ａの形成が、従来の相当する金属膜２の形成に比較して
先に述べた理由によりコスト 。
を確保するためチップｌの裏面に設けたメタライズ膜２
ａの形成が、従来の相当する金属膜２の形成に比較して
先に述べた理由によりコスト 。
が大幅に低減し、当該半導体装置の製造コスト低減に寄
与する。
与する。
なお上記実施例では接合材４に薄板片状のものを使用し
たが、クリーム状のはんだを使用しても良いことは容易
に理解出来る。
たが、クリーム状のはんだを使用しても良いことは容易
に理解出来る。
以上説明したように本発明の構成によれば、回路の形成
された半導体チップがステージ上に取付けられてなる半
導体装置において、半導体チップに加わるストレスを緩
和するようにしながら製造コストの低減を可能にさせる
効果がある。
された半導体チップがステージ上に取付けられてなる半
導体装置において、半導体チップに加わるストレスを緩
和するようにしながら製造コストの低減を可能にさせる
効果がある。
第１図は本発明方法実施例を説明する側面図、第２図は
従来方法を説明する側面図、 である。 図において、 １は半導体チップ、 ２は金属膜、 ２ａはメタライズ膜、 ３はステージ、 ４は接合材、 である。 介フＤ熱 界１９ 針元熱 イ妃ヲ）ミニエロー法 フヒ餅′４−る１１ｊり召〒）
２誉２ 口
従来方法を説明する側面図、 である。 図において、 １は半導体チップ、 ２は金属膜、 ２ａはメタライズ膜、 ３はステージ、 ４は接合材、 である。 介フＤ熱 界１９ 針元熱 イ妃ヲ）ミニエロー法 フヒ餅′４−る１１ｊり召〒）
２誉２ 口
Claims (1)
- 半導体チップの回路形成側と反対側の面上に金属ガラス
ペーストによるメタライズ膜を形成する工程と、しかる
後ステージ上にはんだを介して該チップを取付ける工程
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10426486A JPS62261131A (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10426486A JPS62261131A (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62261131A true JPS62261131A (ja) | 1987-11-13 |
Family
ID=14376067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10426486A Pending JPS62261131A (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62261131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108262646A (zh) * | 2017-12-30 | 2018-07-10 | 文山科泰丰电子有限公司 | 一种手机ag玻璃盖板的生产方法 |
-
1986
- 1986-05-07 JP JP10426486A patent/JPS62261131A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108262646A (zh) * | 2017-12-30 | 2018-07-10 | 文山科泰丰电子有限公司 | 一种手机ag玻璃盖板的生产方法 |
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