JPS62260104A - レンズの製造方法 - Google Patents

レンズの製造方法

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Publication number
JPS62260104A
JPS62260104A JP61103347A JP10334786A JPS62260104A JP S62260104 A JPS62260104 A JP S62260104A JP 61103347 A JP61103347 A JP 61103347A JP 10334786 A JP10334786 A JP 10334786A JP S62260104 A JPS62260104 A JP S62260104A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lens
substrate
gas
shape
laser light
Prior art date
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Pending
Application number
JP61103347A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuo Nakayama
中山 信男
Kazuo Eda
江田 和生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP61103347A priority Critical patent/JPS62260104A/ja
Publication of JPS62260104A publication Critical patent/JPS62260104A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はガス中に置かれた基板にエネルギーを照射する
ことにより、その部分にガスを構成する元素を含む超小
型、高精度のレンズの製造方法に関する。
従来の技術 従来、レンズの製造は予め所定の寸法に切削したガラス
塊を研摩法によってレンズに仕上げる。
発明が解決しようとする問題点 このため、形状、寸法、再現性(バラツキ)に限界が存
在し、また、筒価につくと言う欠点があった。
問題点を解決するための手段 本発明は上記欠点を改善し、超小型、高精度のレンズを
安価に提供するものである。本発明のレンズは光CVD
装置の反応容器内のレンズを構成する元素を含むガス中
にレンズを形成させる基板を設置しこの基板にガスを分
解するに十分な工ふルギーを照射することにより、レン
ズの構成物質を堆禎させ、エネルギー分布を所定のプロ
グラムで変化させることにより、堆積物の形状を所望の
形状のレンズにすることが出来る。これにより超小型、
高精度のレンズを基板を損傷させることなく任意の場所
に、任意の形状で容易に形成することが可能になった。
また、レンズを構成する元素を含むガスの種類を代える
事により、レンズの種類や性能を任意に代えることも可
能である。
作用 本発明は上記した様に、光CVD装置の反応容器内のレ
ンズを構成する元素を含むガス中にレンズを形成させる
基板を設置し、この基板にガスを分解するに十分なエネ
ルギーを照射することにより、基板を槙傷することなく
、任意の場所に、任意の形状で高性能のレンズを容易に
形成させることが出来る。
実施例 以下、本発明のレンズの製造方法の一実施例を図面を参
照しながら説明する。
〈実施例1〉 第1図に示す様に、シラン系ガスと笑気ガスの混合ガス
(S r II + Nz O) 8を入れた光CVD
(Optical Chemical Vapor D
eposition)装置の反応、容器7にレンズlを
用いて集光したレーザー光2.3を窓ガラス6を通して
、基板4上に照射すると混合ガスが分解して基板4上に
SiO□層が堆積する。この際、堆積物がレンズ5状に
なる様に、レーザー光2.3を所定のプログラムに従っ
て移動させる。レーザー光2.3の移動プログラムを変
えることにより、レンズ5の形状を球面、非球面等任意
に選択することが出来る。このようにして得られたレン
ズ5は極めて緻密で、しかも形状が極めて高精度である
。さらに、レンズ5の屈折率は容器7内のガス8の種類
を選択することによって、変化させることが出来る。図
中、9はガスの入り口、10はガスの排気口を示す。
〈実施例2〉 第2図に示す様に、I n (CH3) 3 +PH3
の混合ガス16を入れた光CVD装置とMBE装置を組
合せた反応、容器15にレンズ1)を用いて集光したレ
ーザー光12.13を窓ガラス14を通して、あらかし
めMBE法で形成させておいたn−1nP基板17(n
−1nP19、InC,aAsP活性厄20、p−1n
P21、p−1nGaAs22、p−電極23.5iO
z24、Au25、n−電極26〕上に照射すると上記
、混合ガスが分解して、n−1nP基板17上にInP
層1日が堆積する。この際、InP層1層外8ンズ状1
8に堆積する様に、レーザー光12.13を所定のプロ
グラムに従って移動させる。レーザー光12.13の移
動プログラムを変えることにより、レンズ18の形状を
球面、非球面等任意に選択することが出来る。このよう
にして得られたレンズ18は極めて緻密で、しかも形状
が極めて高精度である。さらに、レンズ18の屈折率は
容器15内のガスの種類を選択する事によって大幅に変
化させる事ができる。図中、16はガスを示す。
発明の効果 以上の説明から明らかな様に本発明によれば、任意の組
成、任意の形状のレンズを容易に製造する事が出来る。
例えば、フレネルレンズ、平板レンズ、ホログラフィッ
クレンズ等への通用が出来る。また、光のスポットを複
数にすれば、レンズ18も複数になり、レンズアレイが
形成される。さらに図−2で示した様にレーザーの芯と
同一の材料でレンズ18を形成させる事ができる。ガス
の種類を変えることによって、レンズ18の材質をGa
AS、、AlGaAs5 InAlGaAs等任意の組
成に変える事ができるので、超小型、高性能レーザー発
振装置、光通信、高効率発光ダイオード、超小型読み取
り装置の開発等、その適用範囲は広い。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は本発明のレンズの製造方法の一実施例
の模式断面図である。 1・・・・・・レンズ、2.3・・・・・・レーザー光
、4・・・・・・基板、5・・・・・・レンズ、6・・
・・・・窓ガラス、7・・・・・・容器、8・・・・・
・ガス、9・・・・・・ガスの入り口、10・・・・・
・ガスの排気口、1)・・・・・・レンズ、12.13
・・・・・・レーザー光、14・・・・・・窓ガラス、
15・・・・・・容器、16・・・・・・ガス、17・
・・・・・n−InP基板、18・・・・・・レンズ、
19・・・・・・n−1nP層、20・・・・・・I 
n G a A s P層、21・・・・・・p−In
P層、22−p−InGaAs層、23・・・・・・p
−電極、24− ・・・S i 02層、25−− A
 u層、26・・・・・・n−電極。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名/−−−レ
ンズ 、?、 3−一−レーデー光 4一基板 5− レンズ 6−−−た、力゛ラス 7−g運、 8−1fス

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光CVDの反応容器内のガス中に置かれた基板に
    エネルギーを照射することにより、エネルギーを照射し
    た部分に前記、ガスを構成する元素を含むレンズを形成
    することを特徴とするレンズの製造方法。
  2. (2)光CVDと蒸着法を組み合わせたことを特徴とす
    る特許請求の範囲第(1)項記載のレンズの製造方法。
  3. (3)光CVDとスパッタ法を組み合わせたことを特徴
    とする特許請求の範囲第(1)項記載のレンズの製造方
    法。
  4. (4)光CVDと分子線エピタキシー法を組み合わせた
    ことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載のレン
    ズの製造方法。
JP61103347A 1986-05-06 1986-05-06 レンズの製造方法 Pending JPS62260104A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02190802A (ja) * 1989-01-20 1990-07-26 Ricoh Co Ltd マイクロレンズ
WO1997033352A1 (fr) * 1996-03-08 1997-09-12 Nippon Aspherical Lens Co., Ltd. Lentille, element laser a semi-conducteur, dispositif d'usinage de la lentille et de l'element, procede de fabrication de l'element laser a semi-conducteur, element optique et dispositif et procede d'usinage dudit element optique
US7150568B2 (en) 2003-02-06 2006-12-19 Seiko Epson Corporation Light-receiving element, manufacturing method for the same, optical module, and optical transmitting device
US8088325B2 (en) 2007-11-19 2012-01-03 3M Innovative Properties Company Articles and methods of making articles having a concavity or convexity

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