JPS62259289A - イオン打込み方式磁気バブル素子 - Google Patents
イオン打込み方式磁気バブル素子Info
- Publication number
- JPS62259289A JPS62259289A JP61102026A JP10202686A JPS62259289A JP S62259289 A JPS62259289 A JP S62259289A JP 61102026 A JP61102026 A JP 61102026A JP 10202686 A JP10202686 A JP 10202686A JP S62259289 A JPS62259289 A JP S62259289A
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- Japan
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- magnetic
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- ion implantation
- bubble
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- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims abstract description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 9
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 241001591005 Siga Species 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は面内回転磁界によって磁気バブルを転送する磁
気バブル素子に係り、特に高密度化に好適なイオン打込
み方式磁気バブル素子に関する。
気バブル素子に係り、特に高密度化に好適なイオン打込
み方式磁気バブル素子に関する。
従来のイオン打込み方式磁気バブル素子では。
アイ・イー・イー・イー、トランザクションズオン マ
グネティクス、エム ニー ジー２０（１９８４年）第
１０７５頁から第１０７７頁（ＩＥＥＥ、 Ｔｒａｎｓ
。
グネティクス、エム ニー ジー２０（１９８４年）第
１０７５頁から第１０７７頁（ＩＥＥＥ、 Ｔｒａｎｓ
。
Ｍｏｇｎｅｔｉｃｓ、 ＭＡ Ｇ −２０（１９８４）
ｐｐ、１０７５−１０７７）に示されているように、
バブルを保持するガーネット膜の上層部にＨｚ◆等のイ
オンを打込んで歪を与えこの層の磁化を磁歪の効果によ
って膜面内に向けてバブル転送路を形成していた。
ｐｐ、１０７５−１０７７）に示されているように、
バブルを保持するガーネット膜の上層部にＨｚ◆等のイ
オンを打込んで歪を与えこの層の磁化を磁歪の効果によ
って膜面内に向けてバブル転送路を形成していた。
上記従来技術では、磁気バブル素子の高密度化に伴って
バブルを保持するガーネット膜の厚さが薄くなった場合
、面内磁化層を形成するためのイオン打込みによってバ
ブル層（面内磁化層の下にあり、磁化が膜面に垂直な方
向を向いている層）の特性が影響を受け、バブルが不安
定になるという問題がある。すなわち、イオン打込みに
よって得られる膜厚方向（深さ方向）の歪の分布は、一
般に第２図に示すように、歪が徐々に零に近づく遷移領
域がある。この遷移領域の厚さは、イオンの打込み深さ
を浅くしてもほとんど変化せず、Ｈ２＋を打ち込んだ場
合には約０．２μｍ程度である、従って、ガーネット膜
の厚さが薄くなってくるとバブル層上部のかなりの部分
がこの遷移領域の歪の影響で、磁化が膜面内を向き易く
なる。このため、外部磁界のわすかな変動により、不要
なバブルが発生する等の誤動作が起き易くなる。
バブルを保持するガーネット膜の厚さが薄くなった場合
、面内磁化層を形成するためのイオン打込みによってバ
ブル層（面内磁化層の下にあり、磁化が膜面に垂直な方
向を向いている層）の特性が影響を受け、バブルが不安
定になるという問題がある。すなわち、イオン打込みに
よって得られる膜厚方向（深さ方向）の歪の分布は、一
般に第２図に示すように、歪が徐々に零に近づく遷移領
域がある。この遷移領域の厚さは、イオンの打込み深さ
を浅くしてもほとんど変化せず、Ｈ２＋を打ち込んだ場
合には約０．２μｍ程度である、従って、ガーネット膜
の厚さが薄くなってくるとバブル層上部のかなりの部分
がこの遷移領域の歪の影響で、磁化が膜面内を向き易く
なる。このため、外部磁界のわすかな変動により、不要
なバブルが発生する等の誤動作が起き易くなる。
本発明の目的は、ガーネット膜の厚さが薄くなった場合
にも（はぼ０．４μｍ以下）面内磁化層を形成するため
のイオン打込みによってバブル層の特性が影響を受けな
いようなイオン打込み方式磁気バブル素子を提供するこ
とにある。
にも（はぼ０．４μｍ以下）面内磁化層を形成するため
のイオン打込みによってバブル層の特性が影響を受けな
いようなイオン打込み方式磁気バブル素子を提供するこ
とにある。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
上記の目的は、第１図に示すように、バブルを保持し得
る磁性ガ」ネットｆｉｌｌの厚さを部分的に薄クシ、か
つこの領域に非磁性ガーネット基板２にイオンが到達す
る程度の深いイオン打込みを行ない面内磁化領域３を形
成することにより達成される。
る磁性ガ」ネットｆｉｌｌの厚さを部分的に薄クシ、か
つこの領域に非磁性ガーネット基板２にイオンが到達す
る程度の深いイオン打込みを行ない面内磁化領域３を形
成することにより達成される。
上記面内磁化領域３に面内磁界を印加することにより、
従来素子の面内磁化層の場合と同様にチャージドウオー
ル４が発生し、このチャージドウオールの磁極によって
磁気バブル５を駆動することができる。この素子構成で
は磁気バブルが存在する領域にイオンが打込まれていな
いので、バブルが不安定になることがない。
従来素子の面内磁化層の場合と同様にチャージドウオー
ル４が発生し、このチャージドウオールの磁極によって
磁気バブル５を駆動することができる。この素子構成で
は磁気バブルが存在する領域にイオンが打込まれていな
いので、バブルが不安定になることがない。
本発明において、面内磁化領域の厚さがあまり厚いとバ
ブルを駆動する力が弱くなる。実用的には、バブルを保
持する領域の１７２以下の厚さであることが望ましい。
ブルを駆動する力が弱くなる。実用的には、バブルを保
持する領域の１７２以下の厚さであることが望ましい。
以下に１本発明の詳細な説明する。
（１１１）面のＮ ｄ ａＧ ａ ５ｏｎｓ基板上に液
相エピタキシャル法により形成した厚さ０．３１ μｍ
の（Ｂ ｉ ＳｍＬ ｕ） ａ （Ｆ ｅ Ｓ ｃ）
ａｏｓｚ ［の一部をイオンミリングにより０．２０
μｍ薄くし０．１１μｍとした。その後、この領域
に５０ＫｅＶで５ Ｘ １０ ”３−”のドーズ量だけ
Ｈｚ＋を打ち込みその上にＳｉｇａを１０００人積層し
た後３００℃３０分間のアニールを行ないバブル転送路
を形成した。転送路の形状（イオンミリングの後イオン
を打ち込んだ領域の形状）を第３図に示す、この転送路
のビット周期７は１．５ μｍである。バブルを保磁す
る（Ｂ ｉ ＳｍＬ ｕ）ｓ（Ｆ ｅ Ｓ ｃ）ｓｏｎ
ｓ膜の主な特性は、飽和離遠密度２０３０Ｇ、異方性磁
界３４０００ａ、 ａ厚０．３１ μｍ、バブル直径
０．３２ μｍであった。
相エピタキシャル法により形成した厚さ０．３１ μｍ
の（Ｂ ｉ ＳｍＬ ｕ） ａ （Ｆ ｅ Ｓ ｃ）
ａｏｓｚ ［の一部をイオンミリングにより０．２０
μｍ薄くし０．１１μｍとした。その後、この領域
に５０ＫｅＶで５ Ｘ １０ ”３−”のドーズ量だけ
Ｈｚ＋を打ち込みその上にＳｉｇａを１０００人積層し
た後３００℃３０分間のアニールを行ないバブル転送路
を形成した。転送路の形状（イオンミリングの後イオン
を打ち込んだ領域の形状）を第３図に示す、この転送路
のビット周期７は１．５ μｍである。バブルを保磁す
る（Ｂ ｉ ＳｍＬ ｕ）ｓ（Ｆ ｅ Ｓ ｃ）ｓｏｎ
ｓ膜の主な特性は、飽和離遠密度２０３０Ｇ、異方性磁
界３４０００ａ、 ａ厚０．３１ μｍ、バブル直径
０．３２ μｍであった。
上記の転送路のバブルが転送可能なバイアス磁界範囲を
調べたところ、６’ＯＯａの面内磁界を印加しこ九をＩ
Ｈｚの周期で回転した場合に、約８％のバイアス磁界
マージンが得られた。
調べたところ、６’ＯＯａの面内磁界を印加しこ九をＩ
Ｈｚの周期で回転した場合に、約８％のバイアス磁界
マージンが得られた。
本発明によ九ば、磁性ガーネット膜のバブルを保持する
領域の上層部にイオンを打ち込まないので、イオン打込
みによる異方性磁界減少等のバブル保持領域の特性変化
をなくすことができる。
領域の上層部にイオンを打ち込まないので、イオン打込
みによる異方性磁界減少等のバブル保持領域の特性変化
をなくすことができる。
第１図は本発明の一実施例のふかん図、第２図はイオン
打込みによって形成される歪の深さ方向の分布を示す図
、第３図は面内磁化領域の平面形状を示す図である。 １・・・磁性ガーネット膜、２・・・非磁性ガーネット
基板、３・・・面内磁化領域、４・・・チャージドウオ
ール。 ５・・・磁気バブル、６・・・磁化の向きを示す矢印、
７第１図 、３ Ｗｚ図 ■ ３ 図
打込みによって形成される歪の深さ方向の分布を示す図
、第３図は面内磁化領域の平面形状を示す図である。 １・・・磁性ガーネット膜、２・・・非磁性ガーネット
基板、３・・・面内磁化領域、４・・・チャージドウオ
ール。 ５・・・磁気バブル、６・・・磁化の向きを示す矢印、
７第１図 、３ Ｗｚ図 ■ ３ 図
Claims (1)
- １、磁気バブルを保持し得る磁性ガーネット膜の一部に
イオンを打込むことによつて磁気バブルの転送路を形成
するイオン打込み方式磁気バブル素子において、前記磁
性ガーネット膜の膜厚が部分的に薄くしてあり、かつ、
この部分にイオンが基板まで到達する深いイオン打込み
を行ないこの部の磁化を膜面内に向かせたことを特徴と
するイオン打込み方式磁気バブル素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61102026A JPS62259289A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | イオン打込み方式磁気バブル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61102026A JPS62259289A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | イオン打込み方式磁気バブル素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62259289A true JPS62259289A (ja) | 1987-11-11 |
Family
ID=14316242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61102026A Pending JPS62259289A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | イオン打込み方式磁気バブル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62259289A (ja) |
-
1986
- 1986-05-06 JP JP61102026A patent/JPS62259289A/ja active Pending
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