JPS6225512A - 光結合半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、光による入力信号がない時、出力側が導通
状態になり光による入力信号がある時、出力側が不導通
状態となる光結合半導体装置に関する。

〔背景技術〕

囲んだ部分にその構成を示すように発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）（１１から光が照射されるとこの光による入力信
号を受けるフォトダイオード（２）に電流が流れ、こψ
電流が出力トランジスタ（３）にベース電流として流れ
、出力トランジスタ（４）が導通状態となり、またこの
光による入力信号がなくなってから、光が照射されなく
なると、出力トランジスタ（４）が不導通となる。いわ
ゆるノーマリオフ型のみであった。尚図中（５）は負荷
抵抗（６）、（７）は電源を示す。

〔発明の目的〕

この発明はＬＥＤの出す光による入力信号がない時、出
力側が導通状態となり、光による入力信号がある時不導
通状態となるノーマリオン型の光結合半導体装置を提供
することを目的とする。

〔発明の開示〕

この発明の要旨とするところは、例えば、第２図の一点
鎖線ａで囲んだ部分に示すような数値直列接続されたフ
ォダイオード（ＰＤ）［１］と前記Ｐ−マリオン形電界
効果形トランジスタ（ＦＥＴ）［２］のゲート・ソース
間に挿入し、さらに前記ＦＥＴ［２］を出力トランジス
タ［４］のコレクタ・ヘース間に挿入してなることを特
徴とするノーマリオン形光結合半導体装置である。

尚、図面において、■は昇圧用の抵抗、■、■は電源を
示す。

まず、ＬＥＤ■から先の入力信号がない時、フォトダイ
オードが数個直列接続されたフォトダイオードアレー■
には、光起電力が発生せずノーマリオン形電界効果形ト
ランジスタ■（接合形ＦＥＴ又はディプレフジョン形Ｍ
Ｏ３ＦＥＴ）は導通状態にある。

但し、導通時の抵抗値は木きい。

そのため、ＦＥＴ［２］を通った電流を出力トランジス
タ［４］のベース電流とすれば、出力トランジスタ■は
、入力信号がない状態で導通状態となり、かつ、ＦＥＴ
［２］を通った電流より電流増幅率（λＦＥ）だけ大き
くなった電流を流せる能力を有している。

次にＬＥＤ■の出す光の入力信号があり、フォトダイオ
ードアレー■に光起電力が発生し、ＦＥＴ■のゲート・
ソース間に電位差が生じた時、ＦＥＴ■は不導通状態と
なる。

そのため、出力トランジスタ■へのベース電流はゼロと
なり、出力トランジスタ■は不４通状態となる。

ここで、抵抗■は、入力信号がなくなった時、ＦＥＴ■
のゲート・ソース間の電荷をすみやかに放電させ導通状
態復帰への応答スピードを速める効果がある。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明により、光の入力信号がない時導
通し、ある時、不導通となる光結合半導体装置が提供さ
れた。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す回路図、第２図は従
来例を示す回路図である。■−フォトダイオード、■−
ノーマリオン形電界効果トランジスタ、■−・−出力ト
ランジスタ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）数値直列接続されたフォダイオード（ＰＤ）［１
   ］と前記ＰＤ［１］と並列接続された抵抗［３］から成
   る回路を、ノーマリオン形電界効果形トランジスタ（Ｆ
   ＥＴ）［２］のゲート・ソース間に挿入し、さらに前記
   ＦＥＴ［２］を出力トランジスタ［４］のコレクタ・ベ
   ース間に挿入してなることを特徴とするノーマリオン形
   光結合半導体装置。