JPS62252945A - 被加工材の仮止め着脱方法 - Google Patents
被加工材の仮止め着脱方法Info
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- JPS62252945A JPS62252945A JP9613486A JP9613486A JPS62252945A JP S62252945 A JPS62252945 A JP S62252945A JP 9613486 A JP9613486 A JP 9613486A JP 9613486 A JP9613486 A JP 9613486A JP S62252945 A JPS62252945 A JP S62252945A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
- B23Q3/02—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine for mounting on a work-table, tool-slide, or analogous part
- B23Q3/06—Work-clamping means
- B23Q3/08—Work-clamping means other than mechanically-actuated
- B23Q3/086—Work-clamping means other than mechanically-actuated using a solidifying liquid, e.g. with freezing, setting or hardening means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えば半導体製造工程におけるウェハ研摩時に
おける工作台へのウェハの固定及び離脱などの被加工材
の仮止め着脱方法に関する。
おける工作台へのウェハの固定及び離脱などの被加工材
の仮止め着脱方法に関する。
従来のこの種の着脱方法の１例として、半導体製造工程
におけるウェハ研磨時におけるウニ（エポキシ系）を用
いて下地プレートに固着させる方法がとられている。
におけるウェハ研磨時におけるウニ（エポキシ系）を用
いて下地プレートに固着させる方法がとられている。
によるウェハのレベル化のための調製に注意を払い長時
間の作業時間を要し、また、接着剤等費すものである。
間の作業時間を要し、また、接着剤等費すものである。
また接着剤剥離には長時間の手間を要し、有機溶剤を用
いるため作業環境の痕跡を除去して浄浄にするためにも
長時間の手間を要し極めて繁雑なるものである。
いるため作業環境の痕跡を除去して浄浄にするためにも
長時間の手間を要し極めて繁雑なるものである。
本発明者等は、このワノクヌ接着剤等によるウニへの固
定上の問題点を解決するために鋭意研究を重ねた結果、
ワックス接着剤に代わって低融点物質を用いること例よ
って（１）ウェハの貼付は手間の減少（２）接着したも
のの剥離過程の省力化（３）洗浄時間の短縮化を実現で
きることを見い出し２本発明をなすに至った。
定上の問題点を解決するために鋭意研究を重ねた結果、
ワックス接着剤に代わって低融点物質を用いること例よ
って（１）ウェハの貼付は手間の減少（２）接着したも
のの剥離過程の省力化（３）洗浄時間の短縮化を実現で
きることを見い出し２本発明をなすに至った。
すなわち本発明は、加工を施す被加工材を工作台上に仮
止め着脱するに当り、上記被加工材と工作台との間に溶
融状の低融点物質を介在させ、該物質を冷却して固化せ
しめることによシ。
止め着脱するに当り、上記被加工材と工作台との間に溶
融状の低融点物質を介在させ、該物質を冷却して固化せ
しめることによシ。
上記被加工材を工作台上に固定し、所要の加工終了後上
記物質を加熱して再溶融することにより、上記被加工材
を工作台より離脱せしめることを特徴とする被加工材の
仮止め着脱方法を提供するものである。
記物質を加熱して再溶融することにより、上記被加工材
を工作台より離脱せしめることを特徴とする被加工材の
仮止め着脱方法を提供するものである。
半導体ウェハのポリッシング作業においては低融点無機
化合物を融解状態でプレート上にマウントしてウェハを
密着させたのち冷却する。
化合物を融解状態でプレート上にマウントしてウェハを
密着させたのち冷却する。
この接着力は厚みの減少により増加し、接着力約１０に
−に達し、ポリッシング作業上ウェハの固定のための保
持力には十分である。
−に達し、ポリッシング作業上ウェハの固定のための保
持力には十分である。
低融点物質としては有機系のエチレングリコ−ル −モ
ノ フ ェ ニ ルエ − テ ル （１４°ｃ）、
グ リ セリン（１６°Ｃ） 、 １．４ジオキ
サン（１１，８°Ｃ）、ケイ皮酸エチ／Ｌ／（１２°Ｃ
）、ケイ皮アル：Ｉ−／ｖ（８８°Ｃ）、ｌ−ドデカノ
ー）ｖ （６，８８°Ｃ）、１−フェニルエタノール（
２１，４７°Ｃ）、ブタンジオ−／ｌ／ （２０１℃）
、デカナー）ｖ （６，８８°Ｃ）、（Ｒ，Ｒ）ａ石酸
ジエチ／Ｉ／（１８℃）、１２−クラウン−４（１６℃
）、オレイン酸（１８，８°Ｃ，１６，２℃）、エチレ
ンジアミン（８，５℃）、エチレンジアミン１水和物（
１１’Ｃ）、炭酸エチレン（３９°Ｃ）などが使用可能
であり、又、無機系のＦｅＢｒ３ ・６Ｈ２０（ｍ、ｐ
、 ２７’Ｃ） 、 Ｍｎ （ＮＯ３）２ ・３Ｈ２０
（ｍ、ｐ、 ３５°Ｃ） 、 ＳＳｎＢｒ４（、ｐ、８
０°Ｃ）なども使用可能である。
ノ フ ェ ニ ルエ − テ ル （１４°ｃ）、
グ リ セリン（１６°Ｃ） 、 １．４ジオキ
サン（１１，８°Ｃ）、ケイ皮酸エチ／Ｌ／（１２°Ｃ
）、ケイ皮アル：Ｉ−／ｖ（８８°Ｃ）、ｌ−ドデカノ
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であり、又、無機系のＦｅＢｒ３ ・６Ｈ２０（ｍ、ｐ
、 ２７’Ｃ） 、 Ｍｎ （ＮＯ３）２ ・３Ｈ２０
（ｍ、ｐ、 ３５°Ｃ） 、 ＳＳｎＢｒ４（、ｐ、８
０°Ｃ）なども使用可能である。
被加工材としては単にウェハに限定するものでばなく２
機械的に工作台に固定困難な物質。
機械的に工作台に固定困難な物質。
形状のものにも広く適用できる。
本発明による半導体ウェハを研摩する目的で有機系低融
点物質の融解・凝固による接着技術によりウェハをプレ
ートに仮止めする方法を第１図に示す。まずプレート３
の表面上に融解したグリセリン２を付着させる。半導体
ウェハｌを固定するグリセリン２はプレート３およびウ
ェハ１の両者を濡らしウェハ３とプレート１との間に均
一な薄膜が形成される。プレート３内に冷却媒体４を供
給してグレート３を５°Ｃ程度に冷却してグリセリン２
を凝固させる。この温度を凝固点よりも摂氏数〜数十度
低温に保つ。
点物質の融解・凝固による接着技術によりウェハをプレ
ートに仮止めする方法を第１図に示す。まずプレート３
の表面上に融解したグリセリン２を付着させる。半導体
ウェハｌを固定するグリセリン２はプレート３およびウ
ェハ１の両者を濡らしウェハ３とプレート１との間に均
一な薄膜が形成される。プレート３内に冷却媒体４を供
給してグレート３を５°Ｃ程度に冷却してグリセリン２
を凝固させる。この温度を凝固点よりも摂氏数〜数十度
低温に保つ。
凝固したグリセリン２はウェハ１をプレート３に固着さ
せる。冷却を続行させながらウェハ１の研摩を行なう。
せる。冷却を続行させながらウェハ１の研摩を行なう。
研摩終了後、プレート３内に熱風等の加熱媒体５を供給
してプレート３を２５°Ｃ程度に加熱してグリセリン２
を融解させて水洗しプレート３からウェハ１を剥離させ
る。
してプレート３を２５°Ｃ程度に加熱してグリセリン２
を融解させて水洗しプレート３からウェハ１を剥離させ
る。
なお１本例では低融点物質としてグリセリンを用いた場
合について説明したが、この他、有機系、無機系の各種
のものが利用でき、利用する低融点物質の融点に成して
、冷却温度、加熱温度を選べばよく例えば、 Ｍｎ（Ｎ
ｏ３）２・ｇＨ２０の場合、 １５°Ｃ程度に冷却し、
３６°Ｃ程度に加熱すればグリセリンの場合と同じよう
な作用効果が得られる。
合について説明したが、この他、有機系、無機系の各種
のものが利用でき、利用する低融点物質の融点に成して
、冷却温度、加熱温度を選べばよく例えば、 Ｍｎ（Ｎ
ｏ３）２・ｇＨ２０の場合、 １５°Ｃ程度に冷却し、
３６°Ｃ程度に加熱すればグリセリンの場合と同じよう
な作用効果が得られる。
低融点物質てよるウェハのプレートへの固着は次の効果
が認められた。（１）低融点物質の付着による貼付が容
易である。（２）レベリングが容易である。（３）作業
時間が短縮される。（４）熱風加熱等による剥離が容易
である。（５）水洗による洗浄が容易である。（６）人
手がかからない。
が認められた。（１）低融点物質の付着による貼付が容
易である。（２）レベリングが容易である。（３）作業
時間が短縮される。（４）熱風加熱等による剥離が容易
である。（５）水洗による洗浄が容易である。（６）人
手がかからない。
第１図は本発明の一実施例としてのグリセリンによるウ
ェハのプレートへの固定方法に関する模式図である。 １・・・半導体ウェハ、２・・・グリセリン、３・・・
プレート、４・・・冷却媒体、５・・・加熱媒体晃１図
ェハのプレートへの固定方法に関する模式図である。 １・・・半導体ウェハ、２・・・グリセリン、３・・・
プレート、４・・・冷却媒体、５・・・加熱媒体晃１図
Claims (1)
- 加工を施す被加工材を工作台上に仮止め着脱するに当
り、上記被加工材と工作台との間に溶融状の低融点物質
を介在させ、該物質を冷却して固化せしめることにより
上記被加工材を工作台上に固定し、所要の加工終了後、
上記物質を加熱して再洗することにより上記被加工材を
工作台より離脱せしめることを特徴とする被加工材の仮
止め着脱方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9613486A JPS62252945A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 被加工材の仮止め着脱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9613486A JPS62252945A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 被加工材の仮止め着脱方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62252945A true JPS62252945A (ja) | 1987-11-04 |
Family
ID=14156919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9613486A Pending JPS62252945A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 被加工材の仮止め着脱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62252945A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0369226U (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-09 | ||
| JPH0529286A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Enya Syst:Kk | ウエーハ貼付方法 |
| WO1997006920A1 (fr) * | 1995-08-17 | 1997-02-27 | Yoshitaka Tarumizu | Procede d'usinage avec immobilisation de piece a usiner par congelation |
| JP2007049008A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの両面研削方法 |
| CN102581740A (zh) * | 2012-03-02 | 2012-07-18 | 浙江大学宁波理工学院 | 薄壁狭长陶瓷管表面抛光方法及其装置 |
| JP2016064453A (ja) * | 2014-09-24 | 2016-04-28 | 株式会社ディスコ | 加工装置及びウエーハの加工方法 |
-
1986
- 1986-04-25 JP JP9613486A patent/JPS62252945A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0369226U (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-09 | ||
| JPH0529286A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Enya Syst:Kk | ウエーハ貼付方法 |
| WO1997006920A1 (fr) * | 1995-08-17 | 1997-02-27 | Yoshitaka Tarumizu | Procede d'usinage avec immobilisation de piece a usiner par congelation |
| JP2007049008A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの両面研削方法 |
| CN102581740A (zh) * | 2012-03-02 | 2012-07-18 | 浙江大学宁波理工学院 | 薄壁狭长陶瓷管表面抛光方法及其装置 |
| JP2016064453A (ja) * | 2014-09-24 | 2016-04-28 | 株式会社ディスコ | 加工装置及びウエーハの加工方法 |
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