JPS62248223A - ウエハ−の帯電防止方法 - Google Patents
ウエハ−の帯電防止方法Info
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- JPS62248223A JPS62248223A JP9012486A JP9012486A JPS62248223A JP S62248223 A JPS62248223 A JP S62248223A JP 9012486 A JP9012486 A JP 9012486A JP 9012486 A JP9012486 A JP 9012486A JP S62248223 A JPS62248223 A JP S62248223A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体製造ラインのイオン打ち込み装置に
おけるウェハーの帯電防止方法に関するもの°Ｃある。
おけるウェハーの帯電防止方法に関するもの°Ｃある。
（１に果枝ｉ１、ｉ ）
１に来から、イオン打ち込み装置において９表面にレジ
スト膜や酸化脱等の極薄の絶縁膜を塗布または生成した
ウェハーに正イオンを打ち込む際、１！ノエハー上に打
ち込まれた正イオンがウコーハー表面の絶縁膜」二に多
数堆積するため７１ｆ泣差が生じ絶縁破壊まて至る場合
がある。この絶縁破壊は！、ＳＩ回路パターンに憤慨を
与え、ＬＳＩ５ａ造の歩留り低下をＪｉ ＜。
スト膜や酸化脱等の極薄の絶縁膜を塗布または生成した
ウェハーに正イオンを打ち込む際、１！ノエハー上に打
ち込まれた正イオンがウコーハー表面の絶縁膜」二に多
数堆積するため７１ｆ泣差が生じ絶縁破壊まて至る場合
がある。この絶縁破壊は！、ＳＩ回路パターンに憤慨を
与え、ＬＳＩ５ａ造の歩留り低下をＪｉ ＜。
この２４策として多結晶シリコンなどの導電性パターン
をウェハー中心からウェハー周辺まで延在させ、ウェハ
ーホールド機構を介しウェハー内辺部を接地ざＵ゛る方
法が７０られている（特開昭ｒ）９−１０１７Ｆ５２号
公報参ｐ、ｒ！、）。しかしながら、このこのような１
ｇ合でも通常のクランプ機ｔ、ｔを（り用する限り、ウ
ェハー表面における帯電型は減少することがないことが
判明した。ウェハーの酸化成上に多結晶シリコンを置き
イオン注入した場合の注入分布を第１図（ａ）に示すが
、注入均一性の高いウェハー（第１図（（ｂ）） 参照
）に比較して明らかに注入に均一性が阻害されている。
をウェハー中心からウェハー周辺まで延在させ、ウェハ
ーホールド機構を介しウェハー内辺部を接地ざＵ゛る方
法が７０られている（特開昭ｒ）９−１０１７Ｆ５２号
公報参ｐ、ｒ！、）。しかしながら、このこのような１
ｇ合でも通常のクランプ機ｔ、ｔを（り用する限り、ウ
ェハー表面における帯電型は減少することがないことが
判明した。ウェハーの酸化成上に多結晶シリコンを置き
イオン注入した場合の注入分布を第１図（ａ）に示すが
、注入均一性の高いウェハー（第１図（（ｂ）） 参照
）に比較して明らかに注入に均一性が阻害されている。
これは。
ポリシリコン等の導電性１膜では金属と接触した時接触
抵抗が非常に大なるためクランプで押えた程度゛Ｃは十
分接地できず、高帯電に起因πｒろビ−ム照射径の変動
が生じろためである。
抵抗が非常に大なるためクランプで押えた程度゛Ｃは十
分接地できず、高帯電に起因πｒろビ−ム照射径の変動
が生じろためである。
（発明が解決しようとする問題点）
上記のようなウェハー表面における絶縁破壊を防止し、
ウェハーの歩留りを改良する。
ウェハーの歩留りを改良する。
（問題点を解決するための手段）
この発明のウェハー帯電防止方法は、イオンをウェハー
表面二二打ち込むに際して、イオンを打ち込むべき窓部
を除きウェハーの表面上を導電線で覆い、該導電線を接
ＩＩ！！することを特徴とするものである。
表面二二打ち込むに際して、イオンを打ち込むべき窓部
を除きウェハーの表面上を導電線で覆い、該導電線を接
ＩＩ！！することを特徴とするものである。
（実施例）
第２図に本発明の１実施例を示す、ｌはディスク」−に
取り付けられたウェハー置き台で１台本体２と、この台
本体の一例にて軸４により閏［Ｔ自在に取り付けられた
クランプレバ−３と２台本体２上に固定された突起５と
から１ル成されている。クランクレバー３には２個所押
え部１１が突設されている。ウェハーｒｒｉＪ台１にク
ランプ保持されているのがウェハー８である。ウェハー
８にはイオンを打ら込むべき窓部（回路パターン）６が
形成されＣおり、その窓部６を避けるよう；こ微細な７
ルミニウム線７がウェハー０２２面を端から端まで覆っ
ている。イオン発生装置（図示せず）より引き出された
正、イオンビームｌＯはウェハー８上に照射され、窓部
６にイオンを打ち込むが、その際。
取り付けられたウェハー置き台で１台本体２と、この台
本体の一例にて軸４により閏［Ｔ自在に取り付けられた
クランプレバ−３と２台本体２上に固定された突起５と
から１ル成されている。クランクレバー３には２個所押
え部１１が突設されている。ウェハーｒｒｉＪ台１にク
ランプ保持されているのがウェハー８である。ウェハー
８にはイオンを打ら込むべき窓部（回路パターン）６が
形成されＣおり、その窓部６を避けるよう；こ微細な７
ルミニウム線７がウェハー０２２面を端から端まで覆っ
ている。イオン発生装置（図示せず）より引き出された
正、イオンビームｌＯはウェハー８上に照射され、窓部
６にイオンを打ち込むが、その際。
アルミニウム線７も照射されることになり、２次電子が
ｂｋ出し、照射部９の正電荷を一部中和する。
ｂｋ出し、照射部９の正電荷を一部中和する。
さらには残りの正電荷はアルミニウム線７．クランプレ
バ−３の押え部１１を通って接地通電される。クランプ
レバ−３は通常アルミニラ１、製でｊ５す、押え部１１
とアルミニ・クム線７との問て接触抵抗の小なる金属−
金属接触がもたらされ、接地効率が極めて高い。
バ−３の押え部１１を通って接地通電される。クランプ
レバ−３は通常アルミニラ１、製でｊ５す、押え部１１
とアルミニ・クム線７との問て接触抵抗の小なる金属−
金属接触がもたらされ、接地効率が極めて高い。
アルミニウム線を接地した場合の帯電におよぼす効果を
確認するため第３図および第４図に示すテスト装置を使
って実験をけった。すなわち、アルミニウＪ％製円１１
１２上をシリコンゴム製の絶縁物１３で覆い、その上に
所定巾のアルミニウム線輪１４を１２本、同心状に載せ
、線輪間に間隙をもたせ互いに絶縁する。円ｕ１２の中
心より外側に順番に（１） −（１２）の番地をつけろ
。番地（１）−（１２）の各線輪ともに所定の大きさの
抵抗を介して円盤１２と電気的に接続する。ここでアル
ゴンの正イオンビーム（１０ミリアンペア。
確認するため第３図および第４図に示すテスト装置を使
って実験をけった。すなわち、アルミニウＪ％製円１１
１２上をシリコンゴム製の絶縁物１３で覆い、その上に
所定巾のアルミニウム線輪１４を１２本、同心状に載せ
、線輪間に間隙をもたせ互いに絶縁する。円ｕ１２の中
心より外側に順番に（１） −（１２）の番地をつけろ
。番地（１）−（１２）の各線輪ともに所定の大きさの
抵抗を介して円盤１２と電気的に接続する。ここでアル
ゴンの正イオンビーム（１０ミリアンペア。
８０キロボルト）を線輪群の中央部分に照射する。
この照射による円６１２部分の帯電電圧は第５図（Ａ）
のごとくなる。ここでｔｌ地６の線輪のみを接地させた
場合、第５図（Ｂ）のごとく他の線輪の帯電電圧の降下
にも著しい効果があることが判明した。
のごとくなる。ここでｔｌ地６の線輪のみを接地させた
場合、第５図（Ｂ）のごとく他の線輪の帯電電圧の降下
にも著しい効果があることが判明した。
尚、上記実施例では導電線としてアルミニウム線を使用
しているが他の例えばタングステン線を使用してもよく
、さらには金属以外のシリサイドを使用することも可能
である。
しているが他の例えばタングステン線を使用してもよく
、さらには金属以外のシリサイドを使用することも可能
である。
（効果）
本発明によりイオン注入時におけるウェハーの帯電を減
少せしめその破損を防止することにより歩留りを向上さ
せることができる。
少せしめその破損を防止することにより歩留りを向上さ
せることができる。
第１図（ａ）は従来方法を使用した場合のウェハー面に
おけろ帯電による注入状態を示す分布図。 第１図（１））は良好な注入状態を示す分布図、第２図
は本発明の実施形態を示す概略図、第３図は本発明の効
果確認のために使用するテスト装置の四分の−を示す平
面概略図、第４図は第３図のＩＶ −Ｉ Ｖ線に沿う断
面を示す概略図、第５図はテスト装置における帯電分布
を示すグラフである。 ｌ・・・ウェハー置き台 ２・・・台本体 ３・・・クランプレバ− ４・・・軸 ５・・・突起 ６・・・回路パターン ７・・畳アルミニウム線 ８１・ウェハー ９・・・ビーｌ、 Ｗｉ削部 １０φ・イオンビーム １１・・押え部 １２・・円盤 １３・・絶縁物 １４・・アルミニウム線輪 第１図（ａ） 第１図（ｂ）
おけろ帯電による注入状態を示す分布図。 第１図（１））は良好な注入状態を示す分布図、第２図
は本発明の実施形態を示す概略図、第３図は本発明の効
果確認のために使用するテスト装置の四分の−を示す平
面概略図、第４図は第３図のＩＶ −Ｉ Ｖ線に沿う断
面を示す概略図、第５図はテスト装置における帯電分布
を示すグラフである。 ｌ・・・ウェハー置き台 ２・・・台本体 ３・・・クランプレバ− ４・・・軸 ５・・・突起 ６・・・回路パターン ７・・畳アルミニウム線 ８１・ウェハー ９・・・ビーｌ、 Ｗｉ削部 １０φ・イオンビーム １１・・押え部 １２・・円盤 １３・・絶縁物 １４・・アルミニウム線輪 第１図（ａ） 第１図（ｂ）
Claims (2)
- （１）イオンをウェハー裏面に打ち込むに際して、イオ
ンを打ち込むべき窓部を除きウェハーの表面上を導電線
で覆い、該導電線を接地することを特徴とするウェハー
の帯電防止方法 - （２）前記接地はウエハークランプのレバーを介して実
現することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のウ
ェハーの帯電防止方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9012486A JPS62248223A (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | ウエハ−の帯電防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9012486A JPS62248223A (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | ウエハ−の帯電防止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62248223A true JPS62248223A (ja) | 1987-10-29 |
Family
ID=13989757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9012486A Pending JPS62248223A (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | ウエハ−の帯電防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62248223A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5290709A (en) * | 1991-04-16 | 1994-03-01 | Nec Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS549575A (en) * | 1977-06-24 | 1979-01-24 | Fujitsu Ltd | Ion injection method |
| JPS5775463A (en) * | 1980-10-28 | 1982-05-12 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5775424A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-12 | Nec Corp | Ion implantation |
| JPS59101752A (ja) * | 1982-12-02 | 1984-06-12 | Seiko Epson Corp | イオン打込み装置 |
-
1986
- 1986-04-21 JP JP9012486A patent/JPS62248223A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS549575A (en) * | 1977-06-24 | 1979-01-24 | Fujitsu Ltd | Ion injection method |
| JPS5775463A (en) * | 1980-10-28 | 1982-05-12 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5775424A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-12 | Nec Corp | Ion implantation |
| JPS59101752A (ja) * | 1982-12-02 | 1984-06-12 | Seiko Epson Corp | イオン打込み装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5290709A (en) * | 1991-04-16 | 1994-03-01 | Nec Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
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