JPS6224452A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPS6224452A JPS6224452A JP60163214A JP16321485A JPS6224452A JP S6224452 A JPS6224452 A JP S6224452A JP 60163214 A JP60163214 A JP 60163214A JP 16321485 A JP16321485 A JP 16321485A JP S6224452 A JPS6224452 A JP S6224452A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical recording
- light
- recording medium
- recording material
- recording layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、光の照射により反射率の異なる相状態間の変
態をひき起こすことができる光記録材料からなる光記録
層を有する光記録媒体に関する。
態をひき起こすことができる光記録材料からなる光記録
層を有する光記録媒体に関する。
情報化社会への移行に伴い、膨大な情Ｉｌ！ｍを記録す
る手段として光記録方式が実用化されつつある。特に光
ディスクは、従来多く用いられている磁気記録媒体に比
べ、およそ１０〜ｌＯＯ倍の記録密度があり、またヘッ
ドとディスクが非接触であるので長寿命である等の特長
があって高密度、大容量の記録方式として期待されてい
る。 この光記録は、用途により再生専用型、追記型。 書換え可能型の三つに分類される。再生専用型は文字通
り情報の読出しのみが可能なものであり、追記型は情報
の記録と読出しが可能であるが、記録した情報の消去は
不可能なものである。これに対して書換え可能型は情報
の記録、読出し、消去が可能であり、コンピュータ用の
データファイルとしての用途が期待されている。 この書換え可能型については、「光磁気記録Ｊと「相変
態記録」の二つの記録方式の開発が進められているが、
両方式とも記録材料や書込み機構の面でさらに改良の余
地が残されている“。 ″ このうち相変態記録は、一般にレーザ光を記録面に
集光、加熱し、そのパルス出力、継続時間を調整する事
により、記録材料の絹状Ｂ（結晶−非品質、相転移等）
を制御し、それぞれの状態の反射率の違いで情報の記録
を行うものである。 この相変態記録方式の書換え可能型光記録のための材料
としては従来からいくつかの方式が提案されており、そ
のうちの一つに売品化現象を利用したものがある。すな
わち、ＡｓｚＳｓ＋ＡｓｘＳｅｚなどのアモルファス薄
膜は、光照射により照射部分の光ｉ３過の分光特性が長
波長側に変位する。また、これを熱的に焼きなますと再
び分光特性は短波長側へ変位してもとに戻る。第２図は
この現象を概念的に示したもので、曲線２１は光照射に
よる相変態後、曲′ｆＪＡ２２は照射前あるいは焼きな
まし後の吸収率曲線をそれぞれ示す。雑誌「ソリッド・
ステート・コミュニケーションＪ （Ｓｏｌｉｄ ５
ｔａｔｅ Ｃｏｓｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）第５１巻、第
８号（１９８４年）６４７〜６５０ページに記載されて
いるマリノブスキー （Ｖ 、 Ｋ 、Ｍａｌｉｌｏ
ｖｓｋｙ） らの文献によれば、この現象は上記材料の
バンドギヤツプが光照射による加熱により本来の温度依
存性に応じて挟まり、光照射の停止とともに急冷される
際にその状態が凍結されるため生ずるとされている。こ
の可逆的現象は売品化現象と呼ばれ、これを用いて書換
え可能な光記録材料を得る事ができる。 すなわち、上記材料を真空蒸着等の方法で薄膜とし、こ
れにレーザ光等を照射すると局部的に透過率および反射
率が変化し、非照射部分と差異が生ずる。この差異によ
り情報を記録、再生する事ができる。 この現象は前述のように＾ＳｚＳ：＋＋Ａ３ｚＳｅ１等
で観察されているが、これらの材料は光波長が６００ｎ
ａ以上での感度が低く、光記録用の光源として一般に光
波長が８３０ｎｍ程度である半導体レーザを使用できな
いという難点を存していた。もちろん、より短波長のレ
ーザとしては、）Ｉｓ −Ｃｄレーザや、＾ｒレーザ等
があり、これらを用いれば上記の問題は容易に回避でき
るものの、装置の小型化、低価格化のためには、レーザ
として半導体レーザを用いる事が望ましく材料の改良が
望まれていた。しかしそのような材料の改良は容易では
ない。
る手段として光記録方式が実用化されつつある。特に光
ディスクは、従来多く用いられている磁気記録媒体に比
べ、およそ１０〜ｌＯＯ倍の記録密度があり、またヘッ
ドとディスクが非接触であるので長寿命である等の特長
があって高密度、大容量の記録方式として期待されてい
る。 この光記録は、用途により再生専用型、追記型。 書換え可能型の三つに分類される。再生専用型は文字通
り情報の読出しのみが可能なものであり、追記型は情報
の記録と読出しが可能であるが、記録した情報の消去は
不可能なものである。これに対して書換え可能型は情報
の記録、読出し、消去が可能であり、コンピュータ用の
データファイルとしての用途が期待されている。 この書換え可能型については、「光磁気記録Ｊと「相変
態記録」の二つの記録方式の開発が進められているが、
両方式とも記録材料や書込み機構の面でさらに改良の余
地が残されている“。 ″ このうち相変態記録は、一般にレーザ光を記録面に
集光、加熱し、そのパルス出力、継続時間を調整する事
により、記録材料の絹状Ｂ（結晶−非品質、相転移等）
を制御し、それぞれの状態の反射率の違いで情報の記録
を行うものである。 この相変態記録方式の書換え可能型光記録のための材料
としては従来からいくつかの方式が提案されており、そ
のうちの一つに売品化現象を利用したものがある。すな
わち、ＡｓｚＳｓ＋ＡｓｘＳｅｚなどのアモルファス薄
膜は、光照射により照射部分の光ｉ３過の分光特性が長
波長側に変位する。また、これを熱的に焼きなますと再
び分光特性は短波長側へ変位してもとに戻る。第２図は
この現象を概念的に示したもので、曲線２１は光照射に
よる相変態後、曲′ｆＪＡ２２は照射前あるいは焼きな
まし後の吸収率曲線をそれぞれ示す。雑誌「ソリッド・
ステート・コミュニケーションＪ （Ｓｏｌｉｄ ５
ｔａｔｅ Ｃｏｓｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）第５１巻、第
８号（１９８４年）６４７〜６５０ページに記載されて
いるマリノブスキー （Ｖ 、 Ｋ 、Ｍａｌｉｌｏ
ｖｓｋｙ） らの文献によれば、この現象は上記材料の
バンドギヤツプが光照射による加熱により本来の温度依
存性に応じて挟まり、光照射の停止とともに急冷される
際にその状態が凍結されるため生ずるとされている。こ
の可逆的現象は売品化現象と呼ばれ、これを用いて書換
え可能な光記録材料を得る事ができる。 すなわち、上記材料を真空蒸着等の方法で薄膜とし、こ
れにレーザ光等を照射すると局部的に透過率および反射
率が変化し、非照射部分と差異が生ずる。この差異によ
り情報を記録、再生する事ができる。 この現象は前述のように＾ＳｚＳ：＋＋Ａ３ｚＳｅ１等
で観察されているが、これらの材料は光波長が６００ｎ
ａ以上での感度が低く、光記録用の光源として一般に光
波長が８３０ｎｍ程度である半導体レーザを使用できな
いという難点を存していた。もちろん、より短波長のレ
ーザとしては、）Ｉｓ −Ｃｄレーザや、＾ｒレーザ等
があり、これらを用いれば上記の問題は容易に回避でき
るものの、装置の小型化、低価格化のためには、レーザ
として半導体レーザを用いる事が望ましく材料の改良が
望まれていた。しかしそのような材料の改良は容易では
ない。
本発明は、光の照射による相変態により反射率の変化す
る光記録材料からなる光記録層を利用した書き換え可能
な光記録媒体を、光記録材料の変更なしに半導体レーザ
などからの近赤外領域の光によって記録可能にすること
を目的とする。
る光記録材料からなる光記録層を利用した書き換え可能
な光記録媒体を、光記録材料の変更なしに半導体レーザ
などからの近赤外領域の光によって記録可能にすること
を目的とする。
本発明は、光の入射により引き起こされる相変態によっ
て反射率の変化を生ずる光記録材料を用いた光記録媒体
の光記録層が、前記光記録材料中に近赤外光を吸収する
吸光材料を分散させて成ることにより、半導体レーザ光
などの近赤外領域の光に対する感度を向上させて上記の
目的を達成する。
て反射率の変化を生ずる光記録材料を用いた光記録媒体
の光記録層が、前記光記録材料中に近赤外光を吸収する
吸光材料を分散させて成ることにより、半導体レーザ光
などの近赤外領域の光に対する感度を向上させて上記の
目的を達成する。
第１図は本発明による光記録媒体の構造を概念的に示し
たものである０例えば石英ガラスから成る基板１の上に
、Ａｓ、Ｓ、から成る光記録材料２の中にｘ ＡＳｘＳ
ｓ−ｙ Ａｓｘ５ｅｓの組成を有する吸光材料３が分散
した光記録層４を形成する。このような光記録層は、一
つの真空蒸着装置中にＡｓｚＳｓの蒸発源とＡｓｚＴｅ
ｓの聰発源とを置き、各蒸着材料の量を調整した上、そ
れぞれを加熱、蒸発させる事により容易に形成すること
ができる。 第３図は各［＆［ｌ成の材料の光の吸収係数と光エネル
ギーとの関係を示す０曲線１１はＡｓ５ｅｓ、 １２は
Ｓｅ。 １３はＡｓ１Ｓｅ３＋ １４ は１１ＡｓｔＳｅ、−Ａ
ｓ、Ｔｅｓ＋ １５は５ ＡｓｔＳｅｓ−Ａｓｘ５ｅｓ
＋ １６は４ Ａｓｘ５ｅｓ−２ＡｓｘＴｅｓ＋ １７
は’ｌ ＡｓｚＳｅｓ−４Ａｓｔ↑ｆＪ＋ １８ は
Ａｓｘ５ｅｓ−８ＡｓｔＴｅｘ＋ １９はＡｓｘ５ｅ
ｓ＋ ２０はＴｅに対する関係曲線である。第３図にお
いて、例えば吸収係数が１０’ｗ−’であるということ
は、１０−’ｃｍ、即ち１μ有効膜厚の吸光材料によっ
て光強度が１／ｅまで減少する事を示し、例えば曲線１
Ｂに示す４＾５ｔｓｅ３−２Ａｓｘ、Ｔｅｓの組成で１
−の存効膜厚の吸光材料を含む記録膜は光エネルギー１
．４ ｅＶ。 ずなわち８５０ｎｍの波長の光に対して十分な吸収を示
す事がわかる。 ＡｓｚＴｅｓの含有量が多（なればさ
らに吸収係数は大きくなり、曲線２９に示されるＡ５ｘ
Ｔｅ３の場合には、同じ８５０ｎｍの波長の光に対して
１０’Ｃ１１−’となり、０．１−のを効膜厚の吸光材
料により十分な吸収が得られる。これらにより、Ａｓｚ
Ｓｅｌの！４１１１以上のＡｓ１Ｔｅｓ含有が長波長の
光に対する吸収の向上に有効である事が認められる。ま
たＴｅもを効である。 吸光材料に吸収された光エネルギーは熱エネルギーとな
り、光記録材料を含む薄膜全体を加熱する６吸光材料と
光記録材料の比率は、その材料組成により最適値が異な
るが、光記録材料としてＡｓ、Ｓｅ、、吸光材料として
Ａｓ２Ｔｅ３を用いた場合、Ａｇｔｐｅ３の２以上のＡ
ｓｚＴｅ３を含存する光記ｉ３Ｎが半導体レーザ光をよ
く吸収し優れた特性を示した。 吸光材料としてＡｓ−５ｅ−Ｔｅ合金を用いる場合、そ
の組成はＡｇｔｐｅ ＋＋ Ｔｅｘ□の化学量論的組成
に限定されることなく、それよりずれた組成であっても
よい。 【発明の効果］ 本発明は、書き換え可能な光記録媒体の光記録層に近赤
外光に対する吸収材料を分散させることにより、光記録
材料の改良をまたないでレーザ光のような近赤外光の領
域に高い感度を有する光記録媒体を得ることができ、光
記録材料としてＡ３ｚＳｅｓを用いた光記録媒体に限定
されることなく他の書き換え可能な光記録媒体に対して
も有効に適用できる。
たものである０例えば石英ガラスから成る基板１の上に
、Ａｓ、Ｓ、から成る光記録材料２の中にｘ ＡＳｘＳ
ｓ−ｙ Ａｓｘ５ｅｓの組成を有する吸光材料３が分散
した光記録層４を形成する。このような光記録層は、一
つの真空蒸着装置中にＡｓｚＳｓの蒸発源とＡｓｚＴｅ
ｓの聰発源とを置き、各蒸着材料の量を調整した上、そ
れぞれを加熱、蒸発させる事により容易に形成すること
ができる。 第３図は各［＆［ｌ成の材料の光の吸収係数と光エネル
ギーとの関係を示す０曲線１１はＡｓ５ｅｓ、 １２は
Ｓｅ。 １３はＡｓ１Ｓｅ３＋ １４ は１１ＡｓｔＳｅ、−Ａ
ｓ、Ｔｅｓ＋ １５は５ ＡｓｔＳｅｓ−Ａｓｘ５ｅｓ
＋ １６は４ Ａｓｘ５ｅｓ−２ＡｓｘＴｅｓ＋ １７
は’ｌ ＡｓｚＳｅｓ−４Ａｓｔ↑ｆＪ＋ １８ は
Ａｓｘ５ｅｓ−８ＡｓｔＴｅｘ＋ １９はＡｓｘ５ｅ
ｓ＋ ２０はＴｅに対する関係曲線である。第３図にお
いて、例えば吸収係数が１０’ｗ−’であるということ
は、１０−’ｃｍ、即ち１μ有効膜厚の吸光材料によっ
て光強度が１／ｅまで減少する事を示し、例えば曲線１
Ｂに示す４＾５ｔｓｅ３−２Ａｓｘ、Ｔｅｓの組成で１
−の存効膜厚の吸光材料を含む記録膜は光エネルギー１
．４ ｅＶ。 ずなわち８５０ｎｍの波長の光に対して十分な吸収を示
す事がわかる。 ＡｓｚＴｅｓの含有量が多（なればさ
らに吸収係数は大きくなり、曲線２９に示されるＡ５ｘ
Ｔｅ３の場合には、同じ８５０ｎｍの波長の光に対して
１０’Ｃ１１−’となり、０．１−のを効膜厚の吸光材
料により十分な吸収が得られる。これらにより、Ａｓｚ
Ｓｅｌの！４１１１以上のＡｓ１Ｔｅｓ含有が長波長の
光に対する吸収の向上に有効である事が認められる。ま
たＴｅもを効である。 吸光材料に吸収された光エネルギーは熱エネルギーとな
り、光記録材料を含む薄膜全体を加熱する６吸光材料と
光記録材料の比率は、その材料組成により最適値が異な
るが、光記録材料としてＡｓ、Ｓｅ、、吸光材料として
Ａｓ２Ｔｅ３を用いた場合、Ａｇｔｐｅ３の２以上のＡ
ｓｚＴｅ３を含存する光記ｉ３Ｎが半導体レーザ光をよ
く吸収し優れた特性を示した。 吸光材料としてＡｓ−５ｅ−Ｔｅ合金を用いる場合、そ
の組成はＡｇｔｐｅ ＋＋ Ｔｅｘ□の化学量論的組成
に限定されることなく、それよりずれた組成であっても
よい。 【発明の効果］ 本発明は、書き換え可能な光記録媒体の光記録層に近赤
外光に対する吸収材料を分散させることにより、光記録
材料の改良をまたないでレーザ光のような近赤外光の領
域に高い感度を有する光記録媒体を得ることができ、光
記録材料としてＡ３ｚＳｅｓを用いた光記録媒体に限定
されることなく他の書き換え可能な光記録媒体に対して
も有効に適用できる。
第１図は本発明の一実施例の部分断面図、第２図は光重
化現象を示す吸収率分光特性線図、第３図は種々の材料
の光の吸収係数と光エネルギーとの関係線図である。 １：基板、 ２ ： Ａｓ１Ｔｅｓ含有 ： ＡｓｚＳ
ｅ ｘ Ｔｅ５−ｘ 。 ４；光記録層。 第１囚 第２図
化現象を示す吸収率分光特性線図、第３図は種々の材料
の光の吸収係数と光エネルギーとの関係線図である。 １：基板、 ２ ： Ａｓ１Ｔｅｓ含有 ： ＡｓｚＳ
ｅ ｘ Ｔｅ５−ｘ 。 ４；光記録層。 第１囚 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）光の入射により引き起こされる相変態によって反射
率の変化を生ずる光記録材料を用いるものにおいて、光
記録層が前記光記録材料中に近赤外光を吸収する吸光材
料を分散させて成ることを特徴とする光記録媒体。 ２）特許請求の範囲第１項記載の媒体において、光記録
材料がセレン・砒素合金であることを特徴とする光記録
媒体。 ３）特許請求の範囲第２項記載の媒体において、吸光材
料がセレン・テルル・砒素合金、テルル・砒素合金ある
いはテルルのいずれかに属するテルル材料であることを
特徴とする光記録媒体。 ４）特許請求の範囲第３項記載の媒体において、吸光材
料がＡｓ＿２Ｓｅ＿ｘＴｅ＿３＿−＿ｘであらわされる
セレン・テルル・砒素合金であり、ｘが２（３／４）以
下であることを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60163214A JPS6224452A (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60163214A JPS6224452A (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6224452A true JPS6224452A (ja) | 1987-02-02 |
Family
ID=15769466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60163214A Pending JPS6224452A (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6224452A (ja) |
-
1985
- 1985-07-24 JP JP60163214A patent/JPS6224452A/ja active Pending
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