JPS62243328A - 粒子ビ−ム露光用位置合せマ−ク - Google Patents
粒子ビ−ム露光用位置合せマ−クInfo
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- JPS62243328A JPS62243328A JP8648786A JP8648786A JPS62243328A JP S62243328 A JPS62243328 A JP S62243328A JP 8648786 A JP8648786 A JP 8648786A JP 8648786 A JP8648786 A JP 8648786A JP S62243328 A JPS62243328 A JP S62243328A
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Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は粒子ビーム露光の位置合せ用マークに関するも
のである。
のである。
従来の技術
電子ビーム霧光、イオンビーム露光等の粒子ビーム露光
は、光露光では不可能な微細なパターンを高い精度で形
成できる方法である。高精度の重ね合せを実現するため
に、基板上に設けられた凹凸を持つパターンを重ね合せ
用基準図形として用いる。以下に、電子ビーム露光につ
いて、位置合せ用マークの従来例を説明する。イオンビ
ーム露光の場合も同様に考えることができる。
は、光露光では不可能な微細なパターンを高い精度で形
成できる方法である。高精度の重ね合せを実現するため
に、基板上に設けられた凹凸を持つパターンを重ね合せ
用基準図形として用いる。以下に、電子ビーム露光につ
いて、位置合せ用マークの従来例を説明する。イオンビ
ーム露光の場合も同様に考えることができる。
電子ビーム露光においては、既存パターンへの位置合せ
は第２図ｄに示すように、半導体基板１に存在する位置
合せ用図形２を電子ビーム３で走査し、その反射電子を
検出して電子回路的処理を行うことにより、第２図すに
示すように基板上の段差部を示す波形をうろことにより
行なわれている。この位置合せ用図形２の形成方法とし
て、ＳｔやＳｉｏ２膜などＳｔ基板１とほぼ等しい原子
番号の材料を用いて深い段差を形成する方法、およびＡ
ｕやＷなどの基板１に較べて、原子番号の大きい材料を
用いて形成する方法がある。これらのマークを用いてマ
ーク検出を行う場合、マーク上に厚いレジストが塗布さ
れていると、信号強度が劣化する問題がある。すなわち
、Ｓｔ段差マークでは、マーク部分とそれ以外の部分の
反射電子発生率が変らないため、また、金属マークでは
、１μｍ以上の厚いマークを形成することは困難であり
、段差が低いため、Ｓ／Ｎ比が劣化する。
は第２図ｄに示すように、半導体基板１に存在する位置
合せ用図形２を電子ビーム３で走査し、その反射電子を
検出して電子回路的処理を行うことにより、第２図すに
示すように基板上の段差部を示す波形をうろことにより
行なわれている。この位置合せ用図形２の形成方法とし
て、ＳｔやＳｉｏ２膜などＳｔ基板１とほぼ等しい原子
番号の材料を用いて深い段差を形成する方法、およびＡ
ｕやＷなどの基板１に較べて、原子番号の大きい材料を
用いて形成する方法がある。これらのマークを用いてマ
ーク検出を行う場合、マーク上に厚いレジストが塗布さ
れていると、信号強度が劣化する問題がある。すなわち
、Ｓｔ段差マークでは、マーク部分とそれ以外の部分の
反射電子発生率が変らないため、また、金属マークでは
、１μｍ以上の厚いマークを形成することは困難であり
、段差が低いため、Ｓ／Ｎ比が劣化する。
発明が解決しようとする問題点
以上のように、従来例では、段差マーク上に厚いレジス
トを塗布した場合、マーク信号強度が劣化し、重ね合せ
精度が低下するという問題点があった。
トを塗布した場合、マーク信号強度が劣化し、重ね合せ
精度が低下するという問題点があった。
問題点を解決するだめの手段
前記問題点を解決するため本発明は材料を構成する原素
の少くとも１箇の原素の原子番号が基板を構成する原素
の何れの原子番号よりも大きく、かつ前記基板の垂直方
向に対して丁字形の断面形状を有する事を特徴とする粒
子ビーム露光用位置合せマークを提供する。
の少くとも１箇の原素の原子番号が基板を構成する原素
の何れの原子番号よりも大きく、かつ前記基板の垂直方
向に対して丁字形の断面形状を有する事を特徴とする粒
子ビーム露光用位置合せマークを提供する。
作 用
本発明を用いることにより、マーク上に厚くレジストを
塗布した場合においても、マーク信号強度の劣化を減少
させ、高い重ね合せ精度を得ることができる。この理由
を第３図ａ〜第３図すを用いて説明する。第３図すに示
すように本発明の丁字形マークを用いた場合、レジスト
がマーク端の空、間にまわり込むために、マークによる
レジストの段差部の傾斜が大きくなる。このため、第３
図ａに示す通常のマークを用いた場合よりも、丁字形マ
ークを用いた方が、マーク端で発生した反射電子の脱出
確率は高くなる。マーク検出には、通常マーク端の信号
波形を用いるので、上記のようにマーク端で、信号強度
の劣化の少ない丁字形マークは厚いレジストを塗布した
場合にも有効である。
塗布した場合においても、マーク信号強度の劣化を減少
させ、高い重ね合せ精度を得ることができる。この理由
を第３図ａ〜第３図すを用いて説明する。第３図すに示
すように本発明の丁字形マークを用いた場合、レジスト
がマーク端の空、間にまわり込むために、マークによる
レジストの段差部の傾斜が大きくなる。このため、第３
図ａに示す通常のマークを用いた場合よりも、丁字形マ
ークを用いた方が、マーク端で発生した反射電子の脱出
確率は高くなる。マーク検出には、通常マーク端の信号
波形を用いるので、上記のようにマーク端で、信号強度
の劣化の少ない丁字形マークは厚いレジストを塗布した
場合にも有効である。
実施例
本発明実施例の半導体基板１と位置合せマーク２との前
記基板１の垂直方向に対する断面図を第１図に示す。以
下に第４図ａ〜第４図ｄにもとづいて、本発明によるマ
ーク形成方法を説明する。
記基板１の垂直方向に対する断面図を第１図に示す。以
下に第４図ａ〜第４図ｄにもとづいて、本発明によるマ
ーク形成方法を説明する。
第４図ａに示すように、Ｓｉ基板上に、感度の異るレジ
ストを２層に塗布した試料を電子ビームにより露光した
。上層の高感度レジストとして０ＥＢＲ−１０３０（東
京応化（株）製）を用い、下層の低感度レジストとして
０ＥＢＲ−１ｏ１ｏ （東京応化（株）製）を用いた。
ストを２層に塗布した試料を電子ビームにより露光した
。上層の高感度レジストとして０ＥＢＲ−１０３０（東
京応化（株）製）を用い、下層の低感度レジストとして
０ＥＢＲ−１ｏ１ｏ （東京応化（株）製）を用いた。
膜厚は上層が０．５μｍ。
下層は０．３μｍとした。露光は加速電圧２ ｔｓ Ｋ
Ｖ。
Ｖ。
５ ・・−７
露光量は８０μｃ／ｃＩ！で行った。次に、０ＥＢＲ−
１ｏ１０専用現像液（東京応化（株）製）に２分間浸漬
することにより、第４図すに示すような現像後の断面図
を得た。次に第４図Ｃに示すようにＥＢ蒸着により、０
．５μｍ厚のＡｕ膜を成形し、第４図Ｃに示すようにト
リクロルエチレンを用いて、リフトオフを行うことによ
り、丁字形断面形状を持つ位置合せマークを得ることが
できる。
１ｏ１０専用現像液（東京応化（株）製）に２分間浸漬
することにより、第４図すに示すような現像後の断面図
を得た。次に第４図Ｃに示すようにＥＢ蒸着により、０
．５μｍ厚のＡｕ膜を成形し、第４図Ｃに示すようにト
リクロルエチレンを用いて、リフトオフを行うことによ
り、丁字形断面形状を持つ位置合せマークを得ることが
できる。
以上に述べた実施例では、マーク材料としてＡｕを用い
たが、他のマーク材料としてＷ、Ｍｏ等が考えられる。
たが、他のマーク材料としてＷ、Ｍｏ等が考えられる。
発明の効果
本発明は、マークの断面形状を丁字形とすることにより
、レジストを塗布した場合でも、反射電子の高い信号強
度をえることができ高い重ね合せ精度をえることができ
る。
、レジストを塗布した場合でも、反射電子の高い信号強
度をえることができ高い重ね合せ精度をえることができ
る。
第１図は本発明の一実施例の粒子ビーム露光用位置合せ
マークの断面図、第２図は従来の位置合せマークの形状
と反射電子検出波形を示す概念図、６ １、−。 第３図は従来例と本発明における作用を説明するだめの
概念図、第４図は本発明の粒子ビーム露光用位置合せマ
ークの形成方法を説明するための断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・位置合せ用
図形、３・・・・・・電子ビーム、４・・・・・・レジ
スト、５・・・・・・反射電子、６・・・・・Ａｕ蒸着
膜、７・・・・・・高感度レジスト、８−・・・低感度
レジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第４図 □−−−計 □□□−」ト １１丁 □１つ１− −３ を吾と一ム １ 半専体基後 ｌ 半瞭本基艮 ２位■合せ月面形 ！半卑休基板
マークの断面図、第２図は従来の位置合せマークの形状
と反射電子検出波形を示す概念図、６ １、−。 第３図は従来例と本発明における作用を説明するだめの
概念図、第４図は本発明の粒子ビーム露光用位置合せマ
ークの形成方法を説明するための断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・位置合せ用
図形、３・・・・・・電子ビーム、４・・・・・・レジ
スト、５・・・・・・反射電子、６・・・・・Ａｕ蒸着
膜、７・・・・・・高感度レジスト、８−・・・低感度
レジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第４図 □−−−計 □□□−」ト １１丁 □１つ１− −３ を吾と一ム １ 半専体基後 ｌ 半瞭本基艮 ２位■合せ月面形 ！半卑休基板
Claims (1)
- 材料を構成する原素の少くとも１箇の原素の原子番号が
基板を構成する原素の何れの原子番号よりも大きく、前
記基板の垂直方向に対してＴ字形の断面形状を有する事
を特徴とする粒子ビーム露光用位置合せマーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8648786A JPS62243328A (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | 粒子ビ−ム露光用位置合せマ−ク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8648786A JPS62243328A (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | 粒子ビ−ム露光用位置合せマ−ク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62243328A true JPS62243328A (ja) | 1987-10-23 |
Family
ID=13888339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8648786A Pending JPS62243328A (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | 粒子ビ−ム露光用位置合せマ−ク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62243328A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0877389A1 (en) * | 1996-09-04 | 1998-11-11 | Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Electron beam irradiating method and object to be irradiated with electron beam |
-
1986
- 1986-04-15 JP JP8648786A patent/JPS62243328A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0877389A1 (en) * | 1996-09-04 | 1998-11-11 | Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Electron beam irradiating method and object to be irradiated with electron beam |
| EP0877389A4 (en) * | 1996-09-04 | 2001-06-13 | Toyo Ink Mfg Co | METHOD OF EXPOSURE TO RADIATION OF ELECTRON BEAMS AND OBJECT TO BE SO EXPOSED |
| US6504163B2 (en) | 1996-09-04 | 2003-01-07 | Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Electron beam irradiation process and an object irradiated with an electron beam |
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