JPS61101027A - 電子線描画装置用基準マ−ク - Google Patents
電子線描画装置用基準マ−クInfo
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- JPS61101027A JPS61101027A JP22205584A JP22205584A JPS61101027A JP S61101027 A JPS61101027 A JP S61101027A JP 22205584 A JP22205584 A JP 22205584A JP 22205584 A JP22205584 A JP 22205584A JP S61101027 A JPS61101027 A JP S61101027A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、電子線描画装置の偏向歪を較正する時に用い
る基準用ターゲットマークの構造に関する。
る基準用ターゲットマークの構造に関する。
第１図は、描画あるいはマークの位置検出等に供される
電子線とターゲットマーク、試料などの相対的位置関係
を示した説明図である。
電子線とターゲットマーク、試料などの相対的位置関係
を示した説明図である。
第１図に於て、ｉ画手順を簡単に説明すると、初めに所
定の縮小率で収束された電子線１は基準の高さを有する
ターゲットマーク台２上で焦点調整される。ついで、タ
ーゲットマーク台２上の特定のマークを用いて一つの偏
向領域に対応する一向歪較正をステージ４のＸ−Ｙ移動
により予め行った後、ウェハ等の試料３上へ数個の偏向
領域の組合せから成るＬＳＩパターンを多数描画してい
く。
定の縮小率で収束された電子線１は基準の高さを有する
ターゲットマーク台２上で焦点調整される。ついで、タ
ーゲットマーク台２上の特定のマークを用いて一つの偏
向領域に対応する一向歪較正をステージ４のＸ−Ｙ移動
により予め行った後、ウェハ等の試料３上へ数個の偏向
領域の組合せから成るＬＳＩパターンを多数描画してい
く。
上記の特定なターゲットマークとは、たとえば、第２図
（ａ）に示した凹凸状で口型の平面形状をなすマークＭ
である。図のＸ→ｘ’ 、ｙ→ｙ′方向（第１図のＸ−
Ｙ方向に平行）の順に電子線１を偏向走査し、そのエッ
チ部における反射電子信号からマークＭの中心位置を検
出する。そして、偏向歪較正は、このマークＭ３第２図
（ｂ）の−偏向領域（数ｍｍ口）内の各格子点ととト開
始点Ｓから終点Ｆまでステージ４で順次持ち回り、それ
ぞれ電子線１で位置検出しながら格子形状の歪を求める
。
（ａ）に示した凹凸状で口型の平面形状をなすマークＭ
である。図のＸ→ｘ’ 、ｙ→ｙ′方向（第１図のＸ−
Ｙ方向に平行）の順に電子線１を偏向走査し、そのエッ
チ部における反射電子信号からマークＭの中心位置を検
出する。そして、偏向歪較正は、このマークＭ３第２図
（ｂ）の−偏向領域（数ｍｍ口）内の各格子点ととト開
始点Ｓから終点Ｆまでステージ４で順次持ち回り、それ
ぞれ電子線１で位置検出しながら格子形状の歪を求める
。
電子線描画装置用のターゲットマーク構造に関しては、
電子線照射を受けるマーク自体、またはその近傍領域に
於て不要な電荷の蓄積が発生しないことが望ましい。
電子線照射を受けるマーク自体、またはその近傍領域に
於て不要な電荷の蓄積が発生しないことが望ましい。
そこで、第２図（ａ）の如きマークに於て従来から問題
になっていたことは、Ａｕ蒸着膜７とＣｒ蒸着膜６（Ｓ
ｉ基板５との密着力補強材）の金属積層膜より成るマー
クＭ以外の部分がＳｉ基板５の表面露出部であり、物理
的、化学的に不安 定となっていたことである。
になっていたことは、Ａｕ蒸着膜７とＣｒ蒸着膜６（Ｓ
ｉ基板５との密着力補強材）の金属積層膜より成るマー
クＭ以外の部分がＳｉ基板５の表面露出部であり、物理
的、化学的に不安 定となっていたことである。
即ち、マークＭの形成直後や、真空〜大気間の頻繁なウ
ェハ着脱操作あるいは装置の保守作業に伴う大気中の水
蒸気やガス分子等の混入により、予期もしない酸化物や
吸着物の如き電気的絶縁物質がＳｉ表面に生成し易いか
らである。この様なマークＭを用いて位置検出を行うと
、上記絶縁物上に蓄積した電子線１と同極性の電荷によ
って局所偏向を受ける結果、第２図（ｂ）における偏向
歪形状は著しい変形を、受け、正しい偏向歪較正ができ
なくなる。同時に、高精度なＬＳＩパターンも実現不可
能となる。
ェハ着脱操作あるいは装置の保守作業に伴う大気中の水
蒸気やガス分子等の混入により、予期もしない酸化物や
吸着物の如き電気的絶縁物質がＳｉ表面に生成し易いか
らである。この様なマークＭを用いて位置検出を行うと
、上記絶縁物上に蓄積した電子線１と同極性の電荷によ
って局所偏向を受ける結果、第２図（ｂ）における偏向
歪形状は著しい変形を、受け、正しい偏向歪較正ができ
なくなる。同時に、高精度なＬＳＩパターンも実現不可
能となる。
また従来、検出マーク近傍での電荷蓄積防止策として、
たとえば特開昭５９−４８９２４では高抵抗基板上（描
画領域も混在）の数個所にホトエッチ加工した金属蒸着
薄膜及びメッキ膜より成るマークを別途にその□都度形
成して用いる例もあるが、加工プロセスが煩雑になる。
たとえば特開昭５９−４８９２４では高抵抗基板上（描
画領域も混在）の数個所にホトエッチ加工した金属蒸着
薄膜及びメッキ膜より成るマークを別途にその□都度形
成して用いる例もあるが、加工プロセスが煩雑になる。
本発明はＳｉ表面の露出を無くし、信頼性の高い偏向歪
較正が行えるターゲットマークを提供することにある。
較正が行えるターゲットマークを提供することにある。
本発明に於ては、ターゲットマークがウェハ等の試料と
５は独立した位置に固定されている特色を活用しく第１
図参照）、簡便なプロセスで、良導電性の金属蒸着膜（
たとえば、ＡｕやＡＱなど）を該Ａｕ製ターゲットマー
クを含むＳｉ基板の表面全体に一様に蒸着し、マーク近
傍における異常な電荷の蓄積を防ぐことを特徴とするも
のである。
５は独立した位置に固定されている特色を活用しく第１
図参照）、簡便なプロセスで、良導電性の金属蒸着膜（
たとえば、ＡｕやＡＱなど）を該Ａｕ製ターゲットマー
クを含むＳｉ基板の表面全体に一様に蒸着し、マーク近
傍における異常な電荷の蓄積を防ぐことを特徴とするも
のである。
以下に、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第３図は本発明によるターゲットマークの構成を示した
断面斜視図である。作製方法は極めて容易である。即ち
、第２図（ａ）の従来のマークＭと同じ段階にまで作製
した後（通常の半導体製造プロセスを適用）、第３図の
最上層Ａｕ製蒸着膜７とＣｒ膜６の積層部よりは薄く、
良導電性の金属（ＡｕまたはＡＱなどの非磁性金属）８
をＳｉ基板表面全体に、一様に蒸着する。更に、第３図
の新規なターゲットマークＭ′の近傍を安定なアース電
位に保つため、第４図の様に良導電性の金属カバー（り
ん青銅やＡＱ、Ｔｉなど）９で覆いつつ押えて固定する
。これは、複数の探針などで同様に支持しても良い。
断面斜視図である。作製方法は極めて容易である。即ち
、第２図（ａ）の従来のマークＭと同じ段階にまで作製
した後（通常の半導体製造プロセスを適用）、第３図の
最上層Ａｕ製蒸着膜７とＣｒ膜６の積層部よりは薄く、
良導電性の金属（ＡｕまたはＡＱなどの非磁性金属）８
をＳｉ基板表面全体に、一様に蒸着する。更に、第３図
の新規なターゲットマークＭ′の近傍を安定なアース電
位に保つため、第４図の様に良導電性の金属カバー（り
ん青銅やＡＱ、Ｔｉなど）９で覆いつつ押えて固定する
。これは、複数の探針などで同様に支持しても良い。
Ｓｉ表面を全く露出させない様に導電性金属蒸着膜で被
覆する本発明の構造、では、該Ｓ ’ｉ裏表面物理、化
学的安定性を良好に保持することができる。
覆する本発明の構造、では、該Ｓ ’ｉ裏表面物理、化
学的安定性を良好に保持することができる。
本発明では、反射電子または２次電子放出率の大きいＡ
ｕと小さいＳｉから成るターゲットマーク面に対し、反
射電子放出率がＡｕと同等またはそれ以下の金属蒸着膜
を画一的に積み重ねた単純ｉ造なので、電子線照射によ
って得られる反射電子信号のＳ／Ｎ比劣化の問題は全く
ない。また、マーク面全体が金属導電膜に被覆されてい
るので、長期間使用しても不要な電荷の蓄積が起こりに
くい。
ｕと小さいＳｉから成るターゲットマーク面に対し、反
射電子放出率がＡｕと同等またはそれ以下の金属蒸着膜
を画一的に積み重ねた単純ｉ造なので、電子線照射によ
って得られる反射電子信号のＳ／Ｎ比劣化の問題は全く
ない。また、マーク面全体が金属導電膜に被覆されてい
るので、長期間使用しても不要な電荷の蓄積が起こりに
くい。
従って、精度が高く、安定な偏向歪較正を行うことがで
き、これにより、サブミクロンのふ精細なＬＳＩパター
ン描画には好適なターゲットマークと成り得る。
き、これにより、サブミクロンのふ精細なＬＳＩパター
ン描画には好適なターゲットマークと成り得る。
第１図は電子線描画装置のビームとマークとの箱対的位
置関係を示す説明図、第２図（ａ）は゛従来のターゲッ
トマーク構造図、同図（ｂ）は偏向歪の較正方法を説明
する図、第３図および第４図は本発明の一実施例を示す
図である。 １・・・電子線、２・・・ターゲットマーク台、４・・
・Ｘ−Ｙステージ、５・・・Ｓｉ基板、７・・・Ａｕ製
蒸着膜、８・・・金属蒸着膜、９・・・金属カバー、Ｍ
、Ｍ’・・・偏第 １ 図
置関係を示す説明図、第２図（ａ）は゛従来のターゲッ
トマーク構造図、同図（ｂ）は偏向歪の較正方法を説明
する図、第３図および第４図は本発明の一実施例を示す
図である。 １・・・電子線、２・・・ターゲットマーク台、４・・
・Ｘ−Ｙステージ、５・・・Ｓｉ基板、７・・・Ａｕ製
蒸着膜、８・・・金属蒸着膜、９・・・金属カバー、Ｍ
、Ｍ’・・・偏第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、反射電子または２次電子放出率の小さい材料で形成
された第１の領域体と、反射電子または２次電子放出率
の大きい第２の領域体から構成され、該両領域体の表面
全体に良導電性の金属蒸着膜を被着して形成したことを
特徴とする電子線描画装置用基準マーク。 ２、上記金属蒸着膜表面部からオーミック接触を取るた
めに、該蒸着膜表面に金属探針または金属板等の押え治
具を接触させて構成したことを特徴とする第１項記載の
電子線描画装置用基準マーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22205584A JPS61101027A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 電子線描画装置用基準マ−ク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22205584A JPS61101027A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 電子線描画装置用基準マ−ク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61101027A true JPS61101027A (ja) | 1986-05-19 |
Family
ID=16776389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22205584A Pending JPS61101027A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 電子線描画装置用基準マ−ク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61101027A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH088176A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-01-12 | Nec Corp | 電子線露光装置の装置較正用基準マーク及び装置較正方法。 |
| JP2000252204A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Nikon Corp | 基準マーク構造体、その製造方法及びそれを用いた荷電粒子線露光装置 |
-
1984
- 1984-10-24 JP JP22205584A patent/JPS61101027A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH088176A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-01-12 | Nec Corp | 電子線露光装置の装置較正用基準マーク及び装置較正方法。 |
| JP2000252204A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Nikon Corp | 基準マーク構造体、その製造方法及びそれを用いた荷電粒子線露光装置 |
| JP4505662B2 (ja) * | 1999-03-03 | 2010-07-21 | 株式会社ニコン | 基準マーク構造体、その製造方法及びそれを用いた荷電粒子線露光装置 |
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