JPH02172234A - 微細電極の形成法 - Google Patents
微細電極の形成法Info
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- JPH02172234A JPH02172234A JP32682288A JP32682288A JPH02172234A JP H02172234 A JPH02172234 A JP H02172234A JP 32682288 A JP32682288 A JP 32682288A JP 32682288 A JP32682288 A JP 32682288A JP H02172234 A JPH02172234 A JP H02172234A
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- resist
- electrode
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- forming
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は微細電極の形成法に関し、特に抵抗の低減され
たＴ字型微細電極の形成法に関する。
たＴ字型微細電極の形成法に関する。
従来、微細電極の抵抗を下げる電極の形成方法として特
公昭６１−７７３７０号公報「パターン形成法」に記載
の方法が知られている。前記公報記載の形成法を第２図
（ａ）〜（Ｃ）を用いて説明する。
公昭６１−７７３７０号公報「パターン形成法」に記載
の方法が知られている。前記公報記載の形成法を第２図
（ａ）〜（Ｃ）を用いて説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように、低感度のポジ型レジ
スト２１を半導体基板１０上に塗布し、次いで高感度の
ポジ型レジスト２２を上記低感度ポジ型レジスト２１上
に塗布し、電子線２３により露光する。次に現像して、
マツシュルーム型（Ｔ型）のレジストパターンを得る。
スト２１を半導体基板１０上に塗布し、次いで高感度の
ポジ型レジスト２２を上記低感度ポジ型レジスト２１上
に塗布し、電子線２３により露光する。次に現像して、
マツシュルーム型（Ｔ型）のレジストパターンを得る。
次に、第２図（ｂ）に示すように、金属層２４を蒸着す
る。
る。
次に、第２図（ｃ）に示すように、有機溶剤を用いてレ
ジスト２１．２２およびレジスト２２上の蒸着金属２４
を除去することによってマツシュルーム型（Ｔ型）の電
極２５が形成され、電極抵抗の低減化が図られている。
ジスト２１．２２およびレジスト２２上の蒸着金属２４
を除去することによってマツシュルーム型（Ｔ型）の電
極２５が形成され、電極抵抗の低減化が図られている。
以上述べた電極の形成法は、電極の抵抗が小さくできる
点で従来の単層レジストによって形成された電極に比べ
て改善されているものの、ゲート長は下層レジスト開口
幅で決定される為、レジスト厚が厚くなるに従って短い
ゲート長を得ることが難しくなる。又、半導体基板のリ
セス深さが深くなると、上部電極と下部電極がうまく接
合せず、Ｔ型とならないという問題点があった。
点で従来の単層レジストによって形成された電極に比べ
て改善されているものの、ゲート長は下層レジスト開口
幅で決定される為、レジスト厚が厚くなるに従って短い
ゲート長を得ることが難しくなる。又、半導体基板のリ
セス深さが深くなると、上部電極と下部電極がうまく接
合せず、Ｔ型とならないという問題点があった。
本発明の目的は、抵抗の低減化された微細電極の形成法
を提供することにある。
を提供することにある。
本発明の微細電極の形成法は、半導体基板上に第１のレ
ジストを塗布し露光現像して形成しようとしている電極
の寸法を規定する開口を前記第１のレジストに形成する
工程と、前記第１のレジストをマスクにして前記半導体
基板をエツチングして凹部を形成する工程と、金属の蒸
着とリフトオフ法を用いて前記凹部に下部電極を形成す
る工程と、第２のレジストを塗布し、前記下部電極上面
よりは深く入るが前記半導体基板表面までには達しない
飛程を有するエネルギーの電子線で前記下部電極を中心
に含むように前記第２のレジストを露光する工程と、現
像して前記下部電極の頭部を露出せしめる工程と、金属
の蒸着とりフトオフ法を用いて前記下部電極に接続する
上部電極を形成する工程とを含むことを特徴とする。
ジストを塗布し露光現像して形成しようとしている電極
の寸法を規定する開口を前記第１のレジストに形成する
工程と、前記第１のレジストをマスクにして前記半導体
基板をエツチングして凹部を形成する工程と、金属の蒸
着とリフトオフ法を用いて前記凹部に下部電極を形成す
る工程と、第２のレジストを塗布し、前記下部電極上面
よりは深く入るが前記半導体基板表面までには達しない
飛程を有するエネルギーの電子線で前記下部電極を中心
に含むように前記第２のレジストを露光する工程と、現
像して前記下部電極の頭部を露出せしめる工程と、金属
の蒸着とりフトオフ法を用いて前記下部電極に接続する
上部電極を形成する工程とを含むことを特徴とする。
本発明においては、抵抗を低減化させる上部電極用パタ
ーンの形成をイオンビームによって行なうことにより下
部電極を露呈させており、パターンはレジストを完全に
抜いていない。こうすることにより、上部電極は下部電
極とのみ接し、レジストリフトオフ法で形成可能となる
。又、深いリセスにおいても下部電極部のみ露呈させる
為、マツシュルーム型（Ｔ型）の電極が可能である。
ーンの形成をイオンビームによって行なうことにより下
部電極を露呈させており、パターンはレジストを完全に
抜いていない。こうすることにより、上部電極は下部電
極とのみ接し、レジストリフトオフ法で形成可能となる
。又、深いリセスにおいても下部電極部のみ露呈させる
為、マツシュルーム型（Ｔ型）の電極が可能である。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した断面図である。
めの工程順に示した断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、半導体基板１０の上
に第１のレジスト１１を塗布した後、露光・現像を行な
って電極長を決める開口を有するようにレジストパター
ンを形成し、露出した半導体基板をエツチングする。
に第１のレジスト１１を塗布した後、露光・現像を行な
って電極長を決める開口を有するようにレジストパター
ンを形成し、露出した半導体基板をエツチングする。
次に、第１図（ｂ）に示すように下部電極金属層１２を
蒸着する。
蒸着する。
次に、第１図（ｃ）に示すように、有機溶剤を用いる溶
解洗浄、あるいは酸素プラズマによって第１のレジスト
１１及び第１のレジスト１１上の不要な金属層１２を除
去し、次に第２のレジスト１３を所定の厚さ（例えば１
μｍ）に塗布形成する０次に、下部電極金属層１２を含
むように電子線１４によって前記第２のレジスト１３を
露光し、現像して開ロバターンを形成する。このときの
電子線のエネルギーは飛程が第２のレジスト１３の表面
から下部電極金属層１２までより長く、第２のレジスト
１３の厚さより短くなるように設定しておく。電子の飛
程Ｒ（ｃｍ）は密度Ｐ（ｍｇ／ｃｍ’ ） 、エネルギ
ーをＥ（ｋｅＶ）とすると、レジストに対して、 −Ｒ＝０．０４９Ｘ１０’・３５／Ｐ ・・・（１
）のように与えられ、例えば０．８μｍの飛程を得るに
はＰ＝１．２３ｇ／ｃｍ’を仮定すれば（１）式よりＥ
＝１．６７ｋｅＶと設定すればよい。（１）式をもとに
すれば、現像後には半導体基板まで達することのない開
口が形成でき、かつ下部電極金属層１２の頭出しが可能
である。
解洗浄、あるいは酸素プラズマによって第１のレジスト
１１及び第１のレジスト１１上の不要な金属層１２を除
去し、次に第２のレジスト１３を所定の厚さ（例えば１
μｍ）に塗布形成する０次に、下部電極金属層１２を含
むように電子線１４によって前記第２のレジスト１３を
露光し、現像して開ロバターンを形成する。このときの
電子線のエネルギーは飛程が第２のレジスト１３の表面
から下部電極金属層１２までより長く、第２のレジスト
１３の厚さより短くなるように設定しておく。電子の飛
程Ｒ（ｃｍ）は密度Ｐ（ｍｇ／ｃｍ’ ） 、エネルギ
ーをＥ（ｋｅＶ）とすると、レジストに対して、 −Ｒ＝０．０４９Ｘ１０’・３５／Ｐ ・・・（１
）のように与えられ、例えば０．８μｍの飛程を得るに
はＰ＝１．２３ｇ／ｃｍ’を仮定すれば（１）式よりＥ
＝１．６７ｋｅＶと設定すればよい。（１）式をもとに
すれば、現像後には半導体基板まで達することのない開
口が形成でき、かつ下部電極金属層１２の頭出しが可能
である。
次に、第１図（ｄ）に示すように、上部電極金属層１５
を蒸着する。
を蒸着する。
次に、第１図（ｅ）に示すように、有機溶剤を用いる溶
解洗浄、あるいは酸素プラズマによって第２のレジスト
１３及び第２のレジスト１３上の不要金属層１５を除去
することによってＴ字型低抵抗電極１６を得ることがで
きる。
解洗浄、あるいは酸素プラズマによって第２のレジスト
１３及び第２のレジスト１３上の不要金属層１５を除去
することによってＴ字型低抵抗電極１６を得ることがで
きる。
下部電極金属層１２、上部電極金属層１５ともＴｉ 、
Ｐｔ、Ａｕ、Ａρあるいはこれらの金属の組み合せ等電
極として用いることのできる。
Ｐｔ、Ａｕ、Ａρあるいはこれらの金属の組み合せ等電
極として用いることのできる。
以上説明したように、本発明は、電極長を決定する露光
と張出し量を形成する露光が別々に制御されるので、電
極長が０．２５μｆｆ１以下というように短かくなって
も上部電極の張り出し量が自由に制御でき、十分な低抵
抗の電極形成が可能である。又、下部電極高さがリセス
深さより短くても下部電極の頭出しが可能である為、Ｔ
字型低抵抗電極の形成が可能等の効果を有する。
と張出し量を形成する露光が別々に制御されるので、電
極長が０．２５μｆｆ１以下というように短かくなって
も上部電極の張り出し量が自由に制御でき、十分な低抵
抗の電極形成が可能である。又、下部電極高さがリセス
深さより短くても下部電極の頭出しが可能である為、Ｔ
字型低抵抗電極の形成が可能等の効果を有する。
１２・・・下部電極金属層、１３・・・第２のレジスト
、１４・・・電子線、１５・・・上部電極金属層、１６
・・・Ｔ字型低抵抗電極、２１・・・低感度ポジ型レジ
スト、２２・・・高感度ポジ型レジスト、２３・・・電
子線、２４・・・蒸着金属層、２５・・・電極。
、１４・・・電子線、１５・・・上部電極金属層、１６
・・・Ｔ字型低抵抗電極、２１・・・低感度ポジ型レジ
スト、２２・・・高感度ポジ型レジスト、２３・・・電
子線、２４・・・蒸着金属層、２５・・・電極。
Claims (1)
- 半導体基板上に第１のレジストを塗布し露光現像して形
成しようとしている電極の寸法を規定する開口を前記第
１のレジストに形成する工程と、前記第１のレジストを
マスクにして前記半導体基板をエッチングして凹部を形
成する工程と、金属の蒸着とリフトオフ法を用いて前記
凹部に下部電極を形成する工程と、第２のレジストを塗
布し、前記下部電極上面よりは深く入るが前記半導体基
板表面までには達しない飛程を有するエネルギーの電子
線で前記下部電極を中心に含むように前記第２のレジス
トを露光する工程と、現像して前記下部電極の頭部を露
出せしめる工程と、金属の蒸着とリフトオフ法を用いて
前記下部電極に接続する上部電極を形成する工程とを含
むことを特徴とする微細電極の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32682288A JPH02172234A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 微細電極の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32682288A JPH02172234A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 微細電極の形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02172234A true JPH02172234A (ja) | 1990-07-03 |
Family
ID=18192099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32682288A Pending JPH02172234A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 微細電極の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02172234A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5370973A (en) * | 1991-11-12 | 1994-12-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating a fine structure electrode |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP32682288A patent/JPH02172234A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5370973A (en) * | 1991-11-12 | 1994-12-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating a fine structure electrode |
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