JPS63226926A - パタ−ン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［概要］ 電子ビーム露光によるパターンの形成方法であって、被
露光レジスト膜の上に、アルミニウム膜を抵抗加熱式真
空蒸着法によって被覆接地し、その上から露光する。そ
うすると、基板の帯電によって起こるパターンの位置ず
れが防止されて、高精度な微細パターンが形成できる。

［産業上の利用分野］ 本発明は電子ビーム露光によるパターン形成方法に関す
る。

周知のように、ＩＣなどの半導体装置は高集積化され、
且つ、個々の素子が微細化されており、従って、精度良
いリソグラフィ技術を用いてサブミクロン級のパターン
を形成する必要が生じ、従来の光露光法に代わって電子
ビーム露光法が重用されるようになってきた。

しかし、電子ビーム露光は光露光と異なり、基板が帯電
されるために、露光位置のずれが起こって、その帯電防
止策を要するが、その対策は出来るだけ簡単な方法が望
まれる。

［従来の技術と発明が解決しようとする問題点コｒｃな
どの半導体装置を作製する半導体基板は、比較的導電性
の良いシリコン基板のほか、絶縁性の高い化合物半導体
基板、例えば、半絶縁性ガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板
などがある。このようなＧａＡｓＪＪ板にパターンを形
成する場合、その基板にレジスト膜を被着して電子ビー
ム露光をおこなうと、基板が帯電してチャージアンプし
、それによってレジスト膜のパターンが位置ずれを起こ
す問題があり、そのため、従来より帯電防止対策が採ら
れている。

第２図（ａｌ〜（Ｃ）はその従来法を説明するための図
で、第２図（ａ）は半絶縁性のＧａＡｓ基板１に導電性
のｎ型ＧａＡｓ層２を設け、その上にレジスト膜３を被
覆し、その上面から電子ビームを照射して露光する方法
を示している。且つ、ｎ型ＧａＡｓＮ２を接地して露光
すると、基板を帯電させる電子がｎ型ＧａＡｓ層２から
逸散して、そのチャージアップが防止され、高精度なレ
ジスト膜パターンが形成できると云うものである。

しかし、形成工程上より必然的にｎ型ＧａＡｓ層２をＧ
ａＡｓ１板ｌ上に設ける工程以外では、故意にｎ型Ｇａ
Ａｓ層２を作製する工程とそれを除去する工程が増加し
て、形成方法が複雑になる欠点があり、且つ、このよう
に基板全面に導電層を形成する方法はすべてのフォトプ
ロセスの適用工程に使用できるわけではない。

第２図（ト））は従来の３層レジスト法と称する露光法
を示す図で、半絶縁性ＧａＡｓ基板１に第ルジスト膜４
を被覆し、その上に金属膜５を介して第２レジスト膜６
を被覆し、上記の金属膜５を接地して第２レジスト＃６
を電子ビームで露光する方法である。この場合、露光後
は、現像した第２レジスト膜６のパターンをマスクにし
て金属膜５をドライエツチングしてパターンニングし、
更に、それをマスクにして第ルジスト膜４をパターンニ
ングし、しかる後、第ルジスト膜４をマスクにして所要
のＧａＡｓ基板１にパターンを形成する。この時、第ル
ジストｙｊ４４は非感光性の膜で良く、ノボラック樹脂
膜などが用いられる。しかし、この方法はエツチングが
不均一になり易く、精度良いパターンニングが難しくて
、且つ、工程が複雑である。

更に１．第２図（Ｃ）はＧａＡｓ基板１上に金属膜７を
被着して、その上にレジスト膜８を被覆し、金属膜を接
地して、その上から電子ビームを照射して露光する方法
である。しかし、この方法も第２図（ａ）と構造的に同
じであり、同様に工程が複雑になって、且つ、適用工程
に制約がある。

本発明は、このような欠点を除去し、基板の帯電を防止
して、簡易な工程でパターンニングして、且つ、高精度
に形成する形成方法を提案するものである。

［問題点を解決するための手段］ その目的は、基板の主面にレジスト膜を塗布し、該レジ
スト膜上に抵抗加熱式真空蒸着法によってアルミニウム
膜を被覆して、該アルミニウム膜を接地し、該アルミニ
ウム膜の上から電子ビームを照射して露光するパターン
形成方法によって達成される。

［作用コ 即ち、′本発明は、レジスト膜の上にアルミニウム膜を
抵抗加熱式真空蒸着法によって被覆し、その接地したア
ルミニウム膜の上面がら露光する。

そうすると、このアルミニウム膜を電子が透過して、レ
ジスト膜を電子ビーム露光し、且つ、基板が帯電されず
、レジスト膜パターンの位置ずれが防がれ、高精度にパ
ターンが形成される。

［実施例Ｊ 以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。

第１図ｆａ）〜！ｄ）は本発明にかかる形成方法の工程
順断面図を示しており、順を追って説明する。

第１図（ａ）参照；半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上に膜厚
１μｍ程度のポジ型レジスト膜１２（例えば、ＣＭＲｌ
ｏｏ（商品名））を塗布し、１７０〜２００℃でプリベ
ークした後、膜厚１０〜１１００ｎのアルミニウム膜１
３を抵抗加熱式の真空蒸着法で被着する。この際、電子
銃を用いた蒸着法、あるいは、スパッタ法を用いてアル
ミニウム膜を被着する方法は電子銃からの電子の放出や
Ｘ線の発生、放電のためにレジスト膜１２が露光される
から、不可である。

第１図ｆｂ）参照；次いで、アルミニウム膜１３を接地
し、その上から、レジスト膜１２に適した所要ドーズ量
の電子ビームを照射して、レジスト膜１２を露光する。

その際、加速電圧は約２０ｋｅＶにする。

そうすると、ＧａＡｓ基板１１が帯電されず、レジスト
膜１２が精度良く露光される。

第１図（Ｃ）参照：次いで、弗化アンモン（ＮＨ４Ｆ）
を主体にしたエツチング液でアルミニウム膜１２だけを
エツチング除去する。

第１図ｆｄｌ参照；しかる後、レジスト膜１２を所要の
現像液を用いて現像する。そうすれば、レジスト膜１２
に精度良くパターンが形成される。

本発明を適用した実施結果によれば、パターンの位置合
わせ精度が３σ＝０．１μｍ以下と高精度に形成された
。

［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明によれば電子ビ
ーム露光法を用いたプロセスにおいて、簡易な帯電防止
策によって高精度なパターンが形成される大きな効果が
あるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜＋ｄｌは本発明にががる形成方法の工程
順断面図、 第２図（ａ）、　（ｂ）、　（Ｃ）は従来方法を説明す
るための図である。 図において、 １．１１はＧａＡｓ基板、 ２はｎ型ＧａＡｓ層、 ３．４，６．８．１２はレジスト膜、 ５．７は金属膜、 １３はアルミニウム膜 を示している。 、杢ｉ〆ａ小：Ｄ・〃・ｊ乃炊万５乏の１祥−１更勤ゝ
面の第１図 庭渭乏８社明Ｔシ田−の 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板の主面にレジスト膜を塗布し、該レジスト膜上に抵
   抗加熱式真空蒸着法によつてアルミニウム膜を被覆して
   、該アルミニウム膜を接地し、該アルミニウム膜の上か
   ら電子ビームを照射して前記レジスト膜を露光する工程
   が含まれてなることを特徴とするパターン形成方法。