JPS62242663A - １−デオキシノジリマイシンおよびそれのｎ−誘導体を製造する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は式 式中、Ｒは水素、随時置換されていてもよいフルキルま
たは７ラルキルを表わす、の１−デオキシノジリマイシ
ンの新規な製造方法に関する。

式（Ｉ）の化合物は極めて良好なａ−グルコシダーゼ阻
害剤であり、ヨーロッパ特許出願第０．０００．９４７
Ａ１号から公知の如く、糖尿病に対する薬剤として用い
ることができる。

ＤＥ−Ｏ８（ドイツ国特許出願公開明細書）＃２゜８３
４．１２２号は１−デオキシノジリマイシンの製造方法
を開示しており、その際、１−７ミノソルビトール■を
微生物学的に６−アミ／ンルボース■に酸化し、 ■■ 次にこのものを水素添加して１−デオキシノジリマイシ
ンにすることができる。しかしながら、その収率及び容
積収率（ｖｏｌｕｍｅ　　ｙｉｅｌｄｓ）は不満足であ
る。ヨーロッパ特許出願第０．０４９，８５８Ａ２号は
、式Ｖの７ミノンルビトールを微生物学的酸化に対して
安定である酸性的に分離し得る基Ｘで保護し、生ずる式
■の化合物をそれ自体公知の方法において保護されたア
ミノソルボース■に酸化し、次に保護基を酸によって分
裂させることによって７ミノソルボース■が得られるこ
とを開示している。

Ｖ　　　　　　　Ｖｌ　　　　　　■　　　　　■化合
物■の水素添加によりデオキシノジリマイシンＩが得ら
れる。

更ニ、９−０　’７　ｔ＜特許出ｗＲ第０，０１２，２
７８Ａ３号により、アミ／ソルビトールＶを微生物学的
酸化に安定である水添分解的に分離し得る基で保護し、
生ずるアミノソルビトール■を保護されたアミノソルボ
ース■に微生物学的に酸化し、次に一工程において保護
基を水添分解的に分裂させ、そして生ずるアミノソルボ
ース中間体をデオキシノリマイシンに水素添加する際に
デオキシノリマイシン■が得られることは公知である。

しかしながら、この最後の工程において、多量の価値あ
るｔ１金属触媒を必要とする。

デオキシノリマイシンを？！！造する他の全ての公知の
方法は多くの工程及び高価な精製工程を必要とする。こ
の方法はヨーロッパ特許出願第０，０１２．２７８Ａ３
号及び同第０．ＯＯＯ，９４７Ａ１号に引用されている
。

式Ｉの化合物を極めて簡単な方法において且つアミノソ
ルボース■の精製または多量の触媒を必要とせずに高収
率で得ることができることが見出されたにの目的のため
に、Ｄ−グルコースＸをそれ自体公知の方法において７
ミ／ソルビトールＸｔ、但し、Ｒは上記の意味を有する
、に転化し、そしてアミ７基を続いての微生物学的酸化
に安定であるアルカリ的に分離し得る基で保護する。生
ずる化合物ｘ■をそれ自体公知の方法において、保護さ
れたアミノソルボースＸ■に微生物学的に酸化する。次
に保護基をアルカリ的に分裂させ、生ずるアミノソルボ
ースをそれ自体公知の方法において、触媒的または複合
水素化物によって式Ｉのデオキシノジリマイシンに還元
する。

Ｘ　　　　　　　　　　　　ＸＩ　　　　　　　　　Ｘ
Ｔ［ｘｍ　　　　　　　　　　　　　　　　　ｘｔｖ従
って本発明は、Ｄ−グルコースをそれ自体公知の方法に
おいてアミノソルビトール（ＸＩ）式中、Ｒは水素、随
時置換されていてもよいフルキルまたはアラルキルを表
わす、に転化し、式（ＸＩ）におけるアミ７基を、続い
ての微生物学的酸化に安定であるアルカリ的に分離し得
る基で保護し、式（Ｘ■） 口。□ 薔 ＯＨ 式中、Ｘはアルカリ的に分離し得る保護基を表わす、 の保護された化合物を式（Ｘ　ｎ［） の化合物に微生物学的に酸化し、次に保護基をアルカリ
的に分裂させて式（Ｘ　Ｎ　） の化合物を生成させ、そしてかくして得られる７ミ／ソ
ルボースをそれ自体公知の方法において、触媒的または
複合水素化物によって式（Ｉ）式中、Ｒは上記の意味を
有する、 のデオキシノジリマイシンに還元することを特徴とする
上記式（Ｉ）の１−デオキシノジリマイシンの製造方法
に関する。

基Ｒは好ましくは水素または０１〜Ｃ，、−フルキル、
殊にＣｌ−Ｃ４−フルキルを表わす。これらのアルキル
基は３個までのＯＨまたはＣ１〜Ｃ４−フルコキシ基で
置換されていてもよい。

またアルキル基に対する適当な置換基には７エ二ルが含
まれ、該フェニルはまた３個までのハロゲン、殊に塩素
及び７ツ素、ＯＨ，ニトロ、７ミノ、Ｃ１〜Ｃ１−フル
キルアミノ、０１〜Ｃ１−トリアルキルアミノ、ＣＮ　
、　Ｃ＋〜Ｃ１−フルキル、Ｃ７〜Ｃ９−フルフキシ、
Ｃ１〜Ｃ１−フルフキジカルボニル、カルボキシルまた
はフェニルで置換されていでもよい。

更に、またＲは上記の如く置換されていてもよいフェニ
ル或いは７リ一ル部分に炭素原子６〜１０個及びアルキ
ル部分に炭素原子１〜４個を有するアラルキルを表わし
、該アルキル部分及ｖ７リール部分はフルキル及ｖフェ
ニルに対して上に示した置換基で置換されていてもよい
。

その製造方法に関連して実施例に述べた化合物が殊に極
めて好ましい。

殊に極めて好ましくはＲは水素、ＣＩ−Ｃ＋。−アルキ
ルまたはヒドロキシエチルを表わす。

適当な保護基Ｘはアルカリ的に分裂させ得る且つ微生物
学的酸化条件下で安定である全ての基である。挙げ得る
例は次の保護基である：ホルミル、アセチル、モノ−、
ノー及１トリハロデノアセチル、例えばクロロアセチル
、ジクロロアセチル、トリクロロアセチル、）＋７フル
オロアセチル、ベンゾイル、ヒーロキシルー、フルコキ
シー、ハロゲン−及１ニトロー置換されたベンゾイル、
メトキシカルボニル、　ｔｅｒｔ、−プチルオ斗ンカル
ボニル、但し、アルカリ的に分離し得る保護基のばく大
な数の中から他のあらゆる保護基が本発明による方法を
行う際に原則として適当である。殊に好ましくはホルミ
ル、ジクロロアセチル及びトリクロロアセチル保護基で
ある。中間生成物ｘ■の製造はアミド保護基の場合に、
それ自体公知の方法において、適当な溶媒中で７ミンＸ
Ｉ及び対応するカルボン酸エステルまたはカルボン酸無
水物から行われる。

化合物ｘ■は、殊にＲ＝Ｈの場合に、容易に結晶化する
化合物であり、製造工程中に熱時でも度々晶出し、かく
して、簡単な方法において高純度で得ることができる。

製造はカルボン酸アルキルのみならず、またカルボン酸
アリール、並びに対称性及び混成カルボンＰＩ２無水物
を用いて行うことができる。適当な溶媒は全ての不活性
有機溶媒及び水並びにその混合物である。挙げ得る例は
アルコール、例えばメタノール、エタノール、インプロ
パツール及びＬｅｒｔ。

−ブタ／−ル、ケトン、例えばアセトン及びメチルイソ
ブチルケトン ジメチルホルムアミド 並びにツメチルスルホキシドである。

殊に好ましくはカルボン酸メチル及１エチル、そしてま
た溶媒として水、メタノール、エタノール、ジメチルホ
ルムアミド及びＮ−メチルピロリドンが挙げられる。

アルコキシカルボニル保護基の導入はそれ自体公知の方
法においで、水性溶媒混合物中で対応するノアルキルビ
ロカルボネートを反応させで行われる。

式ｘ■の化合物はそれ自体公知の方法において式Ｘ■の
化合物から、保護されたアミノソルビトールＸ■を゛水
溶液中にて適当微生物［例えばグルコノバクタ−・オキ
シダンス（Ｇ　ｌｕｃｏｎｏｂａｃｔｅｒｏｘｉｄａｎ
ｓ）］で酸化することによって極めて簡単に製造するこ
とができろ。か（して得られる化合物は容易に水溶性で
あるか、或いは適当な溶媒で抽出して微生物から分離す
ることができる。

保護基を分裂させるために、かくして得られる式ＸｆＶ
の溶液を任意に希釈するか、または濃縮し、濃塩基また
は希釈塩基で処理する。分裂工程をクロマトグラフ的に
監視することができ、用いる塩基の性質及び量並びにｉ
だ保護基に依存して、２。

３部乃至２．３時間以内に分裂が完了する。分裂を０°
Ｃ〜６０℃の温度で行うことができ、１５〜３０℃範囲
が好良しい。

適当な塩基は十分に水に溶解するならば全ての水酸化物
または炭酸塩である。

好ましくは水酸化アンモニウム、アルカリ金属及びアル
カリ土類金属水酸化物、並びにまた水酸化テトラアルキ
ルアンモニウムが挙げられる。

また塩基として塩基性イオン交換樹脂を用いることもで
きる。殊に好ましくは強塩基性イオン交換樹脂、例えば
、ヮヶイト■（Ｌｅｗａｔｉｔ”）Ｍ　Ｐ　５０　０　
０　Ｈ型が挙げられる．イオン交換樹脂はデル様のみな
らず、また大孔性であることもできる。

その使用はパッチ法、即ち、式ＸＩＶの溶液にイオン交
換樹脂を加えるか、またはカラムにおいても行うことが
できる。

保Ｓ′ＭＳのアルカリ性分裂により、７ミ／ソルボース
ＸＩＶに対する実際に均一な反応がもたらされる。この
結果は当該分野の現状にかんがみて極めて驚くべきこと
であり、その理由は、ボールセン（Ｐａｕｌｓｅｎ）等
によるヘミツシエ・ベリヒテ（ＣＩ＋ｅｍ。

Ｂｅｒ．）１００，８０２（Ｉ９６７）から、アミノソ
ルボースＸ■、殊にＲ＝Ｈであるものは強酸水溶液中で
のみ安定であり、そして中性範囲では例えばポリノン誘
導体Ｘ■に容易に分解することが知られでいるためであ
る。更に、またアミノソルボースＸ■をそれでもなお簡
単な方法及び高収率で化合物Ｉに還元し得ることは驚（
べきことである。

アミノソルボースＸＩＶの還元はそれ自体公知の方法に
おいて行うことができる。この還元は例えばヨーロッパ
特許出願ｔｊＩＪ４９．８５８Ａ２号に記載されたタイ
プの適当な触媒上で触媒的水素添加によって行うことが
できる．しかしながら、好ましくは複合ホウ素水素化物
による還元が挙げられる。殊に好ましくは水素化ホウ素
ナトリウム、シアノ水素化ホウ素ナトリウム、ジアルキ
ルアミノボラン及びＢＨ．　　型における塩基性７ニオ
ン交換樹脂が挙げられる。殊に極めて好ましくは水素化
ホウ素ナトリウムＮａＢＨ．、ジメチル７ミノボランＢ
Ｈ．Ｎ（ＣＨ３）２、ＢＨｐ型におけるイオン交換樹脂
に７？４　）■Ｍ５００，Ｍ６００ＡＰ２４６、ＭＰ５
００、ＭＰ６００が挙げられる．複合ホフ素水素化物の
使用は公知であり、ヨーロッパ特許出願第０５５，４３
１Ａ１号に記載されている。適当には、保護基を分裂さ
せた直後に還元を行う。還元開始前に溶液のｐＨ値を１
乃至１４間の値に設定することができる。好ましくはｐ
Ｈ値４乃至１３間の範囲が挙げられる。

アルカリ−安定化された水素化ホウ素ナトリ９ム溶液を
除去反応体のアルカリ性溶液に加えることが殊に簡単な
方法である．アルカリ性媒質中でのそれ以上の還元は、
酸及び中性範囲での還元の場合、空気による危険な爆発
する〃ス混合物を生成し得る如き、実際に水素化ホウ素
ナトリウムが分解して水素を生成せぬ利点を有している
。

θ アルカリ性除去のこの特別な利点が、ＢＨ。

型における塩基性イオン交換樹脂を充填した管状反応器
中で７ミ／ソルボースＸ■の還元を可能にする。

デオキシ／シリマイシン■を単離及び精製するために、
方法及び物質の特性に応じて、任意に濃縮した製造溶液
から直接結晶させるか、或いはデオキシ／クリマイシン
を酸イオン交換樹脂上に吸着させ、任意に希釈した酸、
塩、アンモニアよたはアミン溶液で溶離するか、ＯＨ型
におけるアニオン交換樹脂上に吸着させるか、または適
当なの イオン交換樹脂（例乏ばレワテイ）　ＴＳＷ４ＯＮａ　
　型）、シリカゲルまたはシラン処理したシリカゲル上
でクロマトグラフィーにかけ、各々の場合に生ｔｉｔ物
−含有溶液を濃縮し、適当な溶媒から再結晶させること
ができる。

適当なイオン交換樹脂は原則として全ての弱酸、並びに
弱及び強塩基タイプである。

好ましくは強酸及び強塩基性イオン交換樹脂である。

本発明による方法の原理は実施例に述べた微生物に限定
されぬが、しかしそれとは反対に、本発明による方法は
また当該分野に精通せる者によって見出されるか、また
は寄託機関から得られる他の酸化する菌株によって行う
こともできる。

実施例Ｉ Ｎ−ホルミル−１−７ミノーデオキシーＤ−グルシトー
ルの製造。

メタ／−ル（８００ｍｊｔ）及Ｖイ酸メチル（Ｉ０２ｍ
ｊり中の１−アミノソルビトール １−デオキシ−Ｄ−グルシトール）（２００ｇ）の懸濁
液を３時間還流させた．これにより短時間で透明な溶液
を生じ、この溶液から直ちに生成物が晶出し始めた。こ
れを放冷し、生成物を濾過によって単離した。

［（Ｉ：　２　１　２　ｇ（埋ｉｌ！ｒｆｉ］９２％）
融点＝１３９〜１４１℃ 実施例２ Ｎ−フクロロアセチル−１−フミノー１−デオキシ−Ｄ
−グルシトールの製造。

１！！遣を実施例１と同様にして、１−７ミノソルビト
ール及びジクロロ酢酸メチルから行った。

収率：理論量の８６％ 融点：１６７〜１６９℃ 実施例３ Ｎ−）リクロロアセチルー１−７ミ／−１−デオキシ−
Ｄ−グルシトールの製造。

製造を実施例１と同様にして、１−７ミノソルビトール
及びツクｏｎ酢酸メチルから行った。

収率：埋ｉＳ量の８３％ 元素分析：Ｃ．Ｈ，、ＣｈＮＯ．（３　２　６．６）に
対する 計算値：Ｃ２９，４％　Ｈ４，３％　Ｎ４．３％ＣＩ３
２．　　６％ 実測値：Ｃ２９．７％　Ｈ４．３％　Ｎ４．４％ＣＩ３
２．　２％ 実施例４ Ｎ−ホルミル−Ｎ−メチル−１−アミノ−１−ゾオキシ
ーＤ−グルシトールの製造。

製造を実施例１と同様にして、Ｎ−メチル−１−７ミノ
ー１−デオキシ−Ｄ−グルシトール及１ギ酸メチルから
行った。

収率：理論量の８５％ 融点：１１９〜１２１°Ｃ 実施例５ Ｎ−ホルミル−Ｎ−ヒドロキシエチル−１−アミノ−１
−デオキシ−Ｄ−グルシトールの製造。

製造を実施例１と同様にして、Ｎ−ヒドロキシ−１−７
ミ／−１−デオキシ−〇ーグルシトール及びギ酸メチル
から行った．反応終了後、反応混合物を真空下で蒸発乾
固させた。

収率：シロップの埋ｗｉ量の９３％ 実施例６ Ｎ−ジクロロアセチル−Ｎ−ヒドロキシエチル−１−ア
ミノ−１−デオキシ−Ｄ−グルシトールの製造。

製造を実施例１と同様にして、Ｎ−ヒドロキシエチル−
１−アミ／−１−デオキシ−〇ーグルシトール及びジク
ロロ酢酸メチルから行った。

収率：シロップの理論量の９６％ 実施例７ Ｎ−ホルミル−６−７ミノー６−デオキシーし一ソルボ
ースの９Ｉ造。

リン酸でｐＨ値４．５にした水道水ｉｌｌ！中のグルフ
ッバクター・オキシダンス種サブオキシダンス（Ｇ　１
ｕｃｏｎｏｂａｃｔｅｒ　　ｏｘｉｄａｎｓ　　ｓｐｐ
、　ｓｕｂｏｘｉｄａｎＳ）（ＤＳＭ５００４９）４．
０ｇの患濁液に、３２℃及び７００　ｒｐｍ＋″Ｃ空気
３１７時を通気しながら、Ｎ−ホルミルアミノソルビト
ール２００ｇ、続いて４時間後に、更にＮ−ホルミル７
ミ／ソルビトール２００ｇを加えた。２２時間後、反応
が終了し、細胞を遠心分離して除去し、そしてすてた、
生成物を真空下で濃縮することによって、油としで単離
した。

実施例８ Ｎ−ジクロロアセチル−６−７ミノー６−デオキシーＬ
−ソルボースの製造。

リン酸でｐＨ値４．５にした水道水１１中のグルコノバ
クタ−・オキシダンス種サブオキシグンス（ＤＳＭ５０
０４９）４　ｏ、、の懸濁１代に３２°Ｃ及［７７０Ｏ
ｒｐｍで空気３Ｎ／時を通気しながら、Ｎ−ノクロロ７
セチルアミ／ソルビトール２０Ｆｌを加えた。反応が１
０時間後に終了し、次に細胞を遠心分離して除去し、メ
タノール各１００ａ４で２回洗浄し、そしてすてた。メ
タ／−ル抽出液を水性上澄液と合液し、真空下で濃縮乾
固させた。

実施例９ Ｎ−トリクロロ７セチルー６−７ミノーデオキシーＬ−
ソルボースの製造 実施例８に述べた如くして、反応時間２４時間及Ｖ対応
するソルビトール５５ｇの基質量の場合に、反応及び単
離を行った。

実施例１Ｏ Ｎ−ホルミル−Ｎ−メチル−６−７ミ／−６−ゾオキシ
ーＬ−ソルボースの製造。

実施例８に述べた如くして、反応時１１ｊＪｉ６時間及
び対応するソルビトール１０ｇの基質量の場合に、反応
及び単離を行った。

実施例１１ Ｎ−ホルミル−Ｎ−ヒドロキシエチル−６−７ミノー６
−デオキシーし一ソルボースの製造。

実施例８に述べた如くして、反応時間４５時間及び対応
するソルビトール１５０ｇの基質量・２５時間にわたっ
て各５０ｇを５回に加えた場合、反応及び単離を行った
。

実施例１２ Ｎ−フクロロアセチル−Ｎ−ヒドロキシエチル−６−７
ミノー６−デオキシーし一ソルボースの製造。

実施例８に述べた如くシ゛乙反応時間２８時間及び対応
するソルビトール８０ｇの基質量の場合に、反応及びａ
ｍを行った。

実施例１３ Ｎ−ホルミル−６−７ミノー６−デオキシーし一ソルボ
ースからデオ斗ジノシリマイシンの製造。

水（４００＋ｖ２＞中のＮ−ホルミル−６−７ミノー６
−デオキシーし一ソルボース（Ｎ−ホルミルアミノソル
ビトール０．４モルから）の溶液に、索（２４ｍ１１．
１巾の＊鯵什ナシリウム（２０ｔｒ）の溶液を加え、続
いて２０℃で２ＦＲｒＪＩ攪拌した１次に４５％水酸化
す）　＋７ツム溶液２．３滴で安定化した水（４（Ｌａ
Ｊ）中の水素化ホウ素ナトリウム（３，８ｇ）の溶液を
加え、続いて２０〜２５℃で１時間攪拌した。アセトン
（Ｉ０＋ａｌ）の添加後、溶液を強■ 酸イオン交換樹ＦＭ（レワテイト５Ｐ１１２Ｈ型ＩＪ）
のカラムに注ぎ、脱無機質した水で洗浄しくカラム容積
の２倍）、デオキシノジリマイシンを６％アンモニア水
で溶離した。生成物−含有溶液を真空下で濃縮乾固させ
、生成物をエチレングリコールモノメチルエーテルから
結晶させた。

１３ｊＪｉ：３３．　３ｇ、出発Ｎ−ホルミルアミノソ
ルビトールに関して５１．０％ 融点：１９３〜１９４℃ 実施例１４ Ｎ−ホルミル−６−７ミノー６−デオ斗シー２−ソルボ
ースから１−デオキシノジリマイシンの製造。

水（４００＋ｅｇ）中のホルミル７ミノソルボース（Ｎ
−ホルミルアミノソルビトール０．４モルから）の溶液
に水酸化バリウム８水和物を加え、次に２０℃で２時間
攪件した。次に水（２００ｍｊり中のジメチルアミノボ
ラン（２０ｇ）の溶液を加え、次いで更に１＆’ｐｆ！
ｆｌ攪拌した。溶液のｐＨ値を硫酸（３０％）で６．８
〜７．２に調節し、沈殿した硫酸バリウムを炉別した。

炉液を濃縮し、シリカゲル上でクロマトグラフィーにか
けた（移動相；７セトニトリル：水：２５％７ンモニア
水４　：　１　：　１ｖ／　ｖ／　ｖ）。

生成物−含有溶液を真空下で濃縮乾固させ、残渣を水／
エタノールから再結晶させた。

収率：出発Ｎ−ホルミル７ミノソルビトールに関して５
０．２％ 融点：１９２〜１９３℃ 実施例１５ Ｎ−ホルミル−６−アミノ−６−ゾオキシーＬ−ソルボ
ースからデオキシノジリマイシンの製造。

水（４００１１１２）中のＮ−ホルミル７ミ／ソルボー
ス（ホルミル７ミノソルビトール０．４モルから）（Ｉ
’）？Ｈ［にし７？イ）ＭＰ５０００Ｈθ型（Ｉ７１）
を加え、次に２０℃で１時間攪拌した。次いでしワテイ
トＭＰ５００ＢＨ，型（２００！０１２）を加え、次に
２０℃で更に１時間攪拌した。イオン交換樹脂を炉別し
、生成物残渣を水で完全に洗浄した。

炉液を真空下で蒸発させ、残渣をエチレングリコールモ
ノメチルエーテルから結晶させた。

収率：出発Ｎ−ホルミル７ミノンルビトールに関して５
３．３％ 融点：１９２〜１９３℃ 実施例１６ Ｎ−シクロロア七チル−６−ゾオキシーし一ソルボース
から１−デオキシノジリマイシンのＭ造。

実施例１３と同様にして、Ｎ−シクロロアセチルアミノ
ソルボースから製造を行った。

収率：出発Ｎ−ノクロロ７セチル７ミノンルビトールに
関して５３．９％ 融点：１９２〜１９３℃ 実施例１７ Ｎ−ジクロロアセチル−６−アミノ−６−デオキシ−し
−ソルボースからデオキシノジリマイシンの製造。

実施例１４と同様にして、Ｎ−シクロロアセチルアミノ
ソルボースから製造を行った。使用した還元剤はジメチ
ルアミノボランの代りにレワテイ）　Ｍ　Ｐ　５００　
Ｂ　Ｈ４ｅ型（２００ｅｅｌ　）　”Ｃ’　アＱ　な。

収率：出発Ｎ−ノクロロ７セチルアミノソルビトールに
関して５３．３％ 融点：１９２〜１９３℃ 実施例１８ Ｎ−）ジクロロアセチル−６−アミノ−６−デオキシ−
し一ツルポー人からデオキシノジリマイシンの製造。

実施例１３と同様にして、Ｎ−）シクロロアセチルアミ
ノソルボースから製造を行った。

収率：Ｎ−）リクロロアセチルアミノソルビトールに関
して理論量の５７％ 融点：１９３〜１９４℃ 実施例２Ｏ Ｎ−ホルミル−Ｎ−メチル−６−７ミノー６−デオキシ
ーし一ソルボースからＮ−メチル−１−デオキシノジリ
マイシンの製造。

実施例１３と同様にして、Ｎ−ホルミル−Ｎ−メチルア
ミノソルボースから製造した。

収率：出発Ｎ−ホルミル−Ｎ−メチルアミノソルボース
に関して理論量の４６％ 融点：１５２−１５３℃ 実施例２１ Ｎ−ホルミル−Ｎ−ヒドロキシエチル−６−７ミノー６
−デオキシーＬ−ソルボースからＮ−ヒドロキシエチル
−１−デオキシノジリマイシンの製造。

実施例１３と同様にして、Ｎ−ホルミル−Ｎ−ヒドロキ
シエチル７ミ／ソルボースから！！遺した。

収率：出発Ｎ−ホルミル−Ｎ−ヒドロキシエチルアミノ
ソルビトールに関して理論量の４２％ 実施例２２ Ｎ−ジクロロアセチル−Ｎ−ヒトａキシエチル−６−７
ミノー６−デオキシーし一ソルボースからＮ−ヒドロキ
シエチル−１−デオキシ／ツリマイシンの製造。

実施例１３と同様にして、Ｎ−ジクロロアセチル−Ｎ−
ヒドロキシエチルアミノソルボースから製造した。

収率：出発Ｎ−ジクロロアセチル−Ｎ−ヒドロキシエチ
ルアミノソルビトールに関して理論量の４７％

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 式中、Ｒは水素、随時置換されていてもよ いアルキルまたはアラルキルを表わす、 の１−デオキシノジリマイシンを製造するにあたり、Ｄ
   −グルコースをそれ自体公知の方法においてアミノソル
   ビトール（Ｘ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｘ I ） に転化し、式（Ｘ I ）におけるアミノ基を、続いての
   微生物学的酸化に安定であるアルカリ的に分離し得る基
   で保護し、式（ＸII） ▲数式、化学式、表等があります▼（ＸII） 式中、Ｘはアルカリ的に分離し得る保護基 を表わす、 の保護された化合物を式（ＸIII） の化合物に微生物学的に酸化し、次に保護基をアルカリ
   的に分裂させて式（ＸIV） ▲数式、化学式、表等があります▼（ＸIV） の化合物を生成させ、そしてかくして得られるアミノソ
   ルボースをそれ自体公知の方法において、触媒的または
   複合水素化物によって式（ I ）、但し、Ｒは上記の意
   味を有する、のデオキシノジリマイシンに還元すること
   を特徴とする上記式（Ｉ）の１−デオキシノジリマイシ
   ンの製造方法。 ２、Ｒが水素、Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿０−アルキルまたはヒ
   ドロキシエチルを表わすアミノソルビトールを用いるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、用いる化合物においてＸがホルミル、ジクロロアセ
   チルまたはトリクロロアセチル保護基を表わすことを特
   徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の方法。 ４、式（ＸII）の保護されたアミノソルビトールを水溶
   液中にでグルコノバクター・オキシダンスで酸化するこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項及び第３
   項のいずれかに記載の方法。 ５、化合物（ＸIV）における保護基を、濃塩基または希
   釈塩基を用いて、０℃〜６０℃の温度で分裂させること
   を特徴とする特許請求の範囲１項、第２項、第３項及び
   第４項のいずれかに記載の方法。