JPS62241368A - Ｍｏｓ型ダイナミツクｒａｍ - Google Patents

Ｍｏｓ型ダイナミツクｒａｍ

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Publication number
JPS62241368A
JPS62241368A JP61083629A JP8362986A JPS62241368A JP S62241368 A JPS62241368 A JP S62241368A JP 61083629 A JP61083629 A JP 61083629A JP 8362986 A JP8362986 A JP 8362986A JP S62241368 A JPS62241368 A JP S62241368A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dynamic ram
type dynamic
trench
mos type
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61083629A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP61083629A priority Critical patent/JPS62241368A/ja
Publication of JPS62241368A publication Critical patent/JPS62241368A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/39—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells the capacitor and the transistor being in a same trench
    • H10B12/395—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells the capacitor and the transistor being in a same trench the transistor being vertical

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  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 不発明はＭＯ３型ダイナミックＲＡＭのセル構造に関す
る。
〔発明の概要〕
本発明はＭＯＳ型ダイナミックＲＡＭに関し、ｓｔａ！
ｉ板にはトレンチが形成され、該トレンチ内にキャパシ
ター領域とトランスファー領域とが形成されて成る事を
ｔ＃徴とする。
〔従来の技術〕
従来、ＭＯＳ型ダイナミックＲＡＭは第２図に示す如き
ラテラルＤＲＡＭ構造を用いるのが通例であった。すな
わち、８１基板１１の表面には、フィールド酸化膜１８
、酸化膜１２と多結晶ｓｉよシなる蓄積電極１５とによ
りキャパシター領域を形成し、酸化１Ａ１４と多結晶ｆ
９１よシなるゲート電４ｉｉ１５及びチタンシリサイド
よシなる金ｔ４電極１６よシトランスファー領域な形成
し、拡散層１７にＪニジ電荷のやりとシを行なう、メモ
リ信号人・出力領域を形成するのが通例であった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、上記従来技術によると、ＭＯＳ型ダイナミック
ＲＡＭのキャパシター領域及びトランスファー領域がラ
テラルに形成される為、集積度を上げる事が困難である
という問題点かあつ１こ。
本発明は、かかる従来技術の問題点をなくし、極めて高
集積のＭＯ３型ダイナミックＲＡＭを可能にするセル構
造を提供する事な目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために、本発明は、Ｗ１Ｏ８型ダ
イナミックＲＡＭに関し、８１基板にトレンチを形成し
、該トレンチ内にキャパシター領域とトランスファー領
域とを形成する手段をとる。
〔作用〕
ＭＯＳ型ダイナミックＲＡＭに於て、Ｓｉ基板に形成さ
れたトレンチ内にキャパシター領域とトランスファー領
域とが形成される事により、基本セルが三次元的に配置
される作用が生じ、従来のラテラルＤＲＡＭＫＰける二
次元配置よシ、より高集積に出来る作用が生じる。
〔実施例〕
以下、実施列により本発明を詳述する。
第１図は本発明の実施例を示すＭＯＳ型トレンチＤＲＡ
Ｍのセルの断面構造である。すなわち、Ｓｉ基板１には
トレンチ（（＃）が形成され、該溝内に酸化膜２と多結
晶Ｓｔよりなる蓄積′成極３よυなるキャパシター領域
と、その上に、酸化膜４と多結晶８１よシなるゲート電
極５及びチタンシリサイドよりなる金Ｗ４１１［ｍ６が
形成され、Ｓｉ基板１８表面に拡散層７を形成し、電荷
のやりとりを行なうメモリ１号人・出力領域を形成して
成る。
〔発明の効果〕
本発明のＲＤ＜、Ｍｏｓ型ダ型ダイラミックＲＡＭ本セ
ルであるキャパシター領域とトランスファー領域を１つ
のトレンチ内に三次元的に配する事に工り極めて高集積
のＭＯＳ型ダイナミックＲＡＭを提供できる幼果がある
。
【図面の簡単な説明】
・Ｌ１図は本発明の一実施例を示すＭＯＳ型ダイナミッ
クＲＡＭの基本セルのトレンチｏＲＡＭｄ造の断面図を
示し、第２図は従来技術によるラテラルＤ　ＲＡ　Ｍ　
＋ｌｔ造の断面図を示す。 １．１１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
ｓｉ基板２．４，１２．１４・・・・・・酸化膜５、１
５・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ゲート
を極６．１６・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・金稿′成極７．１７・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・拡散層１８・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・フィールド酸化膜。 以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. Ｓｉ基板にはトレンチ（溝堀り構造）が形成されており
    、該トレンチ内にキャパシター（電荷蓄積）領域とトラ
    ンスファー（電荷転送）領域とが形成されて成る事を特
    徴とするＭＯＳ型ダイナミックＲＡＭ。
JP61083629A 1986-04-11 1986-04-11 Ｍｏｓ型ダイナミツクｒａｍ Pending JPS62241368A (ja)

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JP61083629A JPS62241368A (ja) 1986-04-11 1986-04-11 Ｍｏｓ型ダイナミツクｒａｍ

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JPS62241368A true JPS62241368A (ja) 1987-10-22

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS583269A (ja) * 1981-06-30 1983-01-10 Fujitsu Ltd 縦型ｍｏｓダイナミツクメモリ−セル
JPS61174670A (ja) * 1984-10-31 1986-08-06 テキサス　インスツルメンツ　インコ−ポレイテツド Ｄｒａｍセルおよびその製作方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS583269A (ja) * 1981-06-30 1983-01-10 Fujitsu Ltd 縦型ｍｏｓダイナミツクメモリ−セル
JPS61174670A (ja) * 1984-10-31 1986-08-06 テキサス　インスツルメンツ　インコ−ポレイテツド Ｄｒａｍセルおよびその製作方法

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