JPS62239340A - 光メモリ媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学的に情報を記録・再生する光メモリ媒体
に係り、特にメモリ内容の消去のために工夫された光メ
モリ媒体に関するものである。

〔従来の技術〕

サブミクロンオーダに集光したレーザ光を用いて情報を
記録媒体に高密度に記録し、かつ、再生する装置は、映
像や音声などの大容量の情報を記録でき、今後の情報化
社会には不可欠な装置になると予想される。このような
光記録再生装置に、例えば、「日経エレクトロニクスＪ
　　（１９８４，３゜２６で公知）の光デイスク装置が
ある。光デイスク装置には、（１）再生専用、形、（２
）追記形、（３）書換え可能形の三つの形態があり、再
生専用形及び追記形はほぼ実用の・段階に達している。

一方、ｌＦ換え可能形には、未だ確立された方法はなく
、相変化材料等を用いた書換え可能形光ディスクの研究
開発が活発に進められている。現在、研究されている相
変化材料利用の光ディスクは。

レーザ光を利用して消去する方法を採用している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記した材料を用いたメモリ媒体は、一般に、記録速度
より消去速度の方が遅いため、消去用として別途準備し
た長楕円ビームを照射する方法が採られているが、情報
を逐次消去する方式のため、高速の消去が困難であった
。

又、消去温度が基板の耐熱温度よりも高いかあるいはこ
れに近いため、長時間加熱すれば消去できるにもかかわ
らず、現実的には消去できないという問題があった。

本発明は、基板の加熱を避け、メモリ媒体の内部から加
熱し、メモリの内容を高速に書換えることができる光メ
モリ媒体を提供するにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明では、レーザ光を受光し加熱されるときにレーザ
光の強度に応じた情報を記録する記録材料と、磁束を印
加されたときに渦電流を生じ易い良導体とを層状にした
光メモリ媒体とする。

これにより、渦電流損失により良導体を発熱させ、記録
材料上の記録情報を消去する。

〔作用〕

すなわち、記録材料はレーザ光によって加熱され、記録
感度が高いため微小スポットでも充分に加熱でき高速の
記録が可能である。一方、消去時は、レーザ光のみでは
広範囲の加熱が不可能であるが、磁束変化に伴う渦電流
により広範囲の加熱が可能となり消去の高速化を図るこ
とができる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図により説明する０図中
、１０は、光メモリ用の記録媒体であり。

少なくとも基板、記録材料、良導体、保護膜で構成され
ている。ここで使用される記録材料は、レーザ等の電磁
波に高感度な材料であり、Ｓ、Ｒ。

オプシンスキー氏の特公昭４７−２６８９７号で開示さ
れた記録材料で代表される結晶−非晶質相変化利用記録
材料あるいは、特開昭６０−１６６４８７号や特開昭６
０−１５１８０号、特開昭６０−１８０８８７号等に開
示された色素及びポリマーを使用する有機メモリ材料で
ある。これらの材料の特徴は、（１）記録に対しては高
速であるが、消去は遅い、（２）消去温度が基板の耐熱
温度（プラスチック基板の場合１２０〜１５０℃）より
高いか、低くてもそれに近い、にある、このため、これ
らの記録材料を用いて消去しようとすると基板を加熱せ
ずに記録材料のみを加熱し、しかも長時間加熱し続ける
技術が必要となる０本発明では、記録材料のみを加熱す
るために渦電流損による加熱をしようというものである
が、上記の非晶質材料あるいは、有機材料の場合、磁束
変化があっても渦電流が発生しない０本発明ではこの記
録材料に近接して良導体を設け、良導体で発生した渦電
流損によって生じた熱により記録材料を間接的に加熱す
るところに特徴がある。

又、第１図は本発明を実施するための最小限必要な膜構
成を示したものであり、光ディスクとして使用する場合
は、これらの膜の他に溝形成用の膜や光吸収膜等が付加
される場合が多い０本発明で重要な要素は膜の少なくと
も一層に良導体が含まれていることである。

次に、記録材料について説明する。第２図は、結晶−非
晶質相変化利用材料の記録・消去のメカニズムを示した
ものである。即ち、第２図のように、媒体を変態温度０
１以上に上げ急冷した場合には、非晶質になり、変態温
度Ｏ２とθｌの間に保持した場合には、結晶室に変り、
室温で２つの結晶相をもつ、室温で二つの異なる結晶相
を持つため、レーザ光等の電磁波の分光反射率や電気比
抵抗、屈折率、偏光率、透過率等の物理的、又は、電気
的特性も異なるので、この特性の変化を利用して情報を
記録することができる。この材料は、非晶質になるとほ
とんど電気を通さない・絶縁状態となるため、この非晶
質物質に磁束の変化を与えても渦電流は生じない、この
ように渦電流の発生がないか、あるいは、少ない記録媒
体を使用する場合の対策として本発明では第１図に示す
ように、記録媒体に近接して良導体膜を設けている。

次に本発明の加熱の原理を示す、第３図で、２０は磁束
発生源を示している。以下説明の都合上、磁束発生源に
より基板から保護膜の方向に磁界が発生しているものと
する。第４１１　（ａ）は、この時の装置を磁束発生源
２０側から見たものである。この状態でディスク１０が
時計方向に回転すると、導体を通り抜ける磁束が変化す
るので、渦電流工が生じる。この渦電流は、やがて、Ｊ
ｏｕｌｅ熱となり記録媒体の温度が上る。

又、第４図（ｂ）は、磁界の強さを時間的に変化させた
場合の渦電流工の発生状況を示したものであり、実際の
ディスクの場合は、これらの渦電流により熱が発生する
ことになる。

次に、具体的な磁束発生方法について説明する。

第Ｓ図における磁束発生器２０は、コイル２２゜スイッ
チ２４．ｔｌｔ源２６．可変抵抗器２８で構成されてい
る。スイッチ２４を投入すると、コイル２２に電流が流
れて磁束Ｈが生じる。この磁束発生器２０とディスク１
０の位置が相対的に変動していれば、ディスク１０の導
体上に渦電流が生じる。又、可変抵抗器２８は、磁束Ｈ
の強さを制御するためのもので、記録媒体の感度に応じ
て調整ができるようになっている。

第６１！ｌは、本発明を実施するのに好適な光デイスク
装置の構成を示す、ｙ４で、光ディスク１０は。

モータ３０により回転されている。光デイスク装置には
、現在１回転数一定方式のものと周速一定方式のものが
開発されているが、ここでは、そのどちらでも良い、こ
のような構成で通常の光デイスク装置では、信号処理嚢
１５０により制御された光ヘッド４０により情報、ある
いは、データの記録・再生・消去が行われるが、本シス
テムの特徴は、更に、磁束発生器２０が付加されている
点である。すなわち、第５図で説明したように、磁束発
生器２ｏにより磁束が発生し、光デイスク１０内に渦電
流が起こり、ディスクが加熱される。

このようにして、ディスク内の記ｌ７ＪＩＩｔｃ体が消
去温度０２に達すると、ディスク内に記録してあった情
報、あるいは、データは消去される。又、この磁束発生
装置２０は、記録感度向上にも役立てることができる。

すなわち、渦電流により記録媒体を加熱する際に、消去
温度０２未満でできるだけ高温に加熱すれば、光ヘッド
４０で加熱する負担が減り、記録温度０１に到達する所
要時間も短縮できる０図では磁束発生器２０がヘッド４
０と反対側に位置する例を示したが、同じ側へ設置する
こともできるのは勿論である。又、第７図（ａ）に示す
ように、ディスクの回転方向に対し、渦電流発生部と光
レーザスポットの位置関係を図のように配置することに
よって消去しながら記録するオーバライド方式の記録シ
ステムを実現することができる。すなわち、第７図（ｂ
）に示すように、渦電流により温度が上昇するが、０１
以上の時間が消去所要時間より僅かに少ない値になるよ
うに渦電流発生量を制御しておく。これにより、温度は
レーザが照射されないと、α線のように下り、照射され
るとβ線のように温度を保持でき、消去が可能となる。

又、レーザの強度を、更に、γ線のように上昇させ、記
録温度θ１に到達して記録することができる。このよう
に、レーザの強度変調のみで記録・消去ができるのが本
システムの特徴である。

〔発明の効果〕

本発明によれば、基板の内側より加熱できるので、基板
を過度に加熱することなく、広範囲に加熱できるので消
去の高速化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１＠は１本発明の一実施例の光メモリ媒体の構成図、
第２図は記録、消去方法を示すタイムチャート、第３図
は、本発明の装ａｍ念図、第４図は渦電流発生原理図、
第５図は磁束発生の原理図、第６図は本発明を実施する
場合の機器構成図、第７図は、第６図の実施例の補足説
明図である。 １０・・・光メモリ、２０・・・磁束発生器、３０・・
・メモ（０，） （ｂ） 活２０ 言己金未 躬３０ 篤牟図 （αン （ｂ） 躬５図 ７３．　　　高６図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、集束光と磁束とが印加される光メモリ媒体であつて
   、集束光により加熱されこれに応じて情報記録する記録
   材料と磁束変化により渦電流を発生する良導体とが層状
   に構成された光メモリ媒体。