JPS6361424A - 光デイスクメモリの消去装置 - Google Patents

光デイスクメモリの消去装置

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JPS6361424A
JPS6361424A JP61205719A JP20571986A JPS6361424A JP S6361424 A JPS6361424 A JP S6361424A JP 61205719 A JP61205719 A JP 61205719A JP 20571986 A JP20571986 A JP 20571986A JP S6361424 A JPS6361424 A JP S6361424A
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JP
Japan
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optical disk
disk memory
memory
permanent magnet
disk
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Pending
Application number
JP61205719A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryuji Watanabe
隆二 渡辺
Hisashi Ando
寿 安藤
Tetsuo Minemura
哲郎 峯村
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光記録媒体のメモリ内容の消去装置に係り、
特に、導電性記録用薄膜メモリの一括消去に好適な光デ
ィスクメモリの消去装置に関する。
(従来の技術〕 サブミクロンオーダに集光したレーザ光を用いて情報を
記録媒体に高密度記録し、レーザ光の分光特性とりわけ
反射率差を利用して再生する光記録装置は、映像や音声
などの大容量の情報を記録・再生できる。また、今後の
情報化社会にあっては、大型コンピュータからの大容量
の情報をファイルするために不可欠な装置に発展しつつ
ある。
この種光記録装置としては、例えば、「日経エレクトロ
ニクスJ  (1984,3,26)で公知の光ディス
クメモリがある。
光ディスクメモリには、再生専用形、追記形。
書き換え可能形の3つの形態がある。再生専用形は、コ
ンパクトディスク(CD)やビデイオディスクとして製
品化され、市場に出ている。また。
追記形も、一部コンピュータ用ファイルメモリとして実
用の段階に入っている。
〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、書き換え可能形に関しては、原理的に種々の方
式が提案されてはいるが、実用化となると、未だ克服さ
れていない技術的課題が多く残されており、現段階では
、光磁気材料や相変化材料を用いた書き換え可能形光デ
ィスクメモリの研究が主流となっている。いずれもレー
ザ光を利用して記録、消去する方式を採用している。
ところが、光磁気ディスクの場合、消去時には磁界を反
転させる操作が必要で、消去しながら記録するいわゆる
逐次消去記録には向いていない。
一方、相変化を利用する光ディスクの場合、上記磁界反
転操作は必要ないが、消去速度が遅い欠点がある。この
ため、長楕円ビームを照射する方法やレーザスポットを
何回も当てる操作も行われる。
以上のことから、書き換え可能形と言われるものであっ
ても、現状では消去性能に関しては、未だ改良すべき点
が多く、特にコンピュータ用ファイルメモリとしては、
もつと消去速度を上げるかあるいは一括消去法を適用す
るなどの工夫をしないと、実用化は難しい。−括消去法
では、大容量のメモリをまとめて消去できるので、見掛
は上は消去速度を上げたような効果がでる。
−括消去法に関しては、例えば磁束発生器からの電磁波
により導電性記録薄膜に誘導電流を発生させ、この誘導
電流の損失で加熱しメモリ内容を一括消去しようとする
ものがある(特願昭60−223588号)、この消去
法は、特に導電性の高い記録材料には好適である。上記
交番磁界により発生する誘導電流(渦電流)は、材料の
導電性が高いほど大きいからである。上記文献では、こ
の原理に着目し、電気的に変化させた交番磁界すなわち
高い周波数の磁界変化を記録材料に与え、記録膜を渦電
流加熱する方法および装置について述べている。
確かに、この消去装置は、記録薄膜、とりわけ特開昭6
0−186825号に取り上げられたような相変化形の
導電性記録薄膜を一括消去するには、非常に良好であっ
た。
ところが、第6図に示す従来装置は、回転テーブル13
に載せられた光ディスクメモリ1の光記録薄膜2に対し
、磁界コイル11を移動させるアクチュエータ10や交
番磁界発生用の電源12を必要とする。したがって、実
験室レベルではどうにかなるものの、家庭用CDやビデ
イオディスクあるいはコンピュータ用記録装置の消去装
置とするには、小型化の点でどうしても無理があった。
また、十分な渦電流加熱をするための消費電力も決して
少なくない。
本発明の目的は、磁界変化による渦電流加熱法を利用し
、コンパクトで消費電力も極めて少ない光ディスクメモ
リの消去装置を提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、上記目的を達成すめために、永久磁石を埋め
込んだディスクと光ディスクメモリとを相対回転させ、
消去に必要な交番磁界を発生させる光ディスクメモリの
消去装置を提案するものである。
回転させるのは永久磁石側でも、光ディスクメモリ側で
は、両方でも良い、特に光ディスクメモリ側を回転させ
る場合は、記録・再生用のディスク回転機構をそのまま
利用し、永久磁石ディスクを近付けるだけで済むので、
より簡便である6また、磁石を上下2組にして、その間
を光ディスクメモリが回転するようにすると、磁石の材
料の選択の幅が広がる。
〔作用〕
本発明の光ディスクメモリの消去装置は、永久磁石を装
着した永久磁石ディスクと光ディスクメモリとの相対回
転伴う回転移動磁界により渦電流加熱し記録を一括消去
しようとする装置である。
すなわち、電気的に交番磁界を発生させる高周波磁界と
同じように、導電性記録簿膜を貫く永久磁石の磁束が変
化すると、その物質の導電率に比例した渦電流が発生す
る。
一般に、誘導起電力Eは、次のように表される。
t ここで、Bは磁界の強さ、■は磁界の移動速度(回転速
度)である、ただし、移動とは相対的な変化であれば良
く、永久磁石ディスクと導電性記録ディスクの少なくと
も一方が回転すれば良い。
こうして発生した誘導起電力は記録薄膜内に渦電流を生
じ、この渦電流によるジュール熱が光ディスクを消去す
る。
以上のような永久磁石埋め込み型の磁界回転方式による
と、従来のような磁界発生用の高周波電源や消去用コイ
ルやその駆動用アクチュエータが不要となり、非常にコ
ンパクト化できる。また。
永久磁石ディスクか光ディスクメモリのすくなくとも一
つを回転させるが、それらは殆ど負荷がかからず、消費
電力が極めて少なく、効率の良い消去装置とすることが
可能である。
さらに、大きなメリットとしては、通常、光ディスクは
、アクリルやポリカーボネートなどのプラスチック基板
であることが多いが、上記渦電流加熱効果が表面の導電
性記録膜にのみ生じ、プラスチック基板はあまり熱影響
を受けないで済み、基板の変形も生じない点がある。
なお、特公昭47−26897号で開示されいるS、R
オプシンスキー氏の記録材料に代表されるような結晶−
非晶出相変化利用記録媒体においては、導電的性質が少
ないので、その場合は、記録媒体に近接して、導体膜を
付加すると良い。
したがって、本発明による光ディスクメモリの消去装置
は、相変態タイプのみならず、熱的に消去可能な薄膜記
録媒体の殆どの場合に適用できる。
〔実施例〕
次に、第1図〜第5図を参照して、本発明の詳細な説明
する。
第1図は本発明による光ディスクメモリの消去装置のう
ち永久磁石側を回転させる一実施例を示す図である0図
において、1は消去されるべき光ディスクメモリ、2は
光記録薄膜、3は永久磁石、4は永久磁石3を取り付け
た永久磁石ディスク、5は回転カバー、6は光デイスク
テーブルである。
ここで、ディスク1は、厚さ1.2m++、直径200
■のポリカーボネート円板であり、記録媒体は特開昭6
0−18625号で取り上げられているような相変態型
記録合金薄膜として、Ag−40wt%Znを約50n
m厚さだけスパッタリング蒸着したものである1本実施
例の永久磁石3はサマリウム・コバルト系の高エネルギ
ー積希土類磁石であり、寸法が110X100X10n
の直方体の形状で、第4図のように、厚さ15nmの軟
鋼の円板に12個接着しである0本実施例は、先にも述
べたように、磁石ディスク4を高速回転させ、光ディス
クメモリ1をテーブル6上に固定しておく例である。磁
気ディスク4の回転を約300〜1600ppmとし、
光記録薄膜上の磁界強さを1000〜50000eにす
ると、記録薄膜は渦電流加熱により、300〜500℃
の温度になり、レーザスポットで記録したメモリを一括
消去できることが分かった。なお、消去条件としては、
必ずしも上記範囲でなくとも良い9例えば、磁界強さを
50000e以上に上げれば、300回転以下でも消去
可能であり、逆に1回転数を1600rPm以上にすれ
ば、もつと弱い磁界でもさしつかえない。
また、記録薄膜の導電性が良好なものは、より低回転と
弱い磁界で消去可能であり、種々の条件設定ができる。
第2図は、永久磁石ディスク4を固定し、回転テーブル
6上に光ディスクメモリを載せて高速回転させる例であ
る1重い磁気ディスクを回転させるよりも、この方が構
造的に有利である0本実施例は、特に光デイスク信号再
生装置のディスク回転構造に永久磁石ディスクを対向さ
せる機構を付加するだけで、−括消去機能を持たせるこ
とができる。すなわち、通常の記録・再生時には、永久
磁石ディスク4の磁界の影響が光ディスクメモリ1に出
ないような距離にセットしておき、消去操作が必要なと
きに、所定の磁界効果がでるギャップとなるまで永久磁
石ディスク4を接近させる機構を持たせれば良い、した
がって、本実施例は、単独装置でも、従来の記録・再生
装置への付加装置としても実現できる。
第3図は、より消去能力を上げるために、永久磁石ディ
スク4を対向させ、その間隙に光ディスクメモリ1を挿
入する構造である。この場合も、磁気ディスクを固定し
、光ディスクメモリ1を回転させる方が構造的に有利で
ある0図示のごとく、磁石のNとSが互いに反対になる
ように対向させると、上下の永久磁石ディスク間隙に磁
路を形成でき、磁界強さがより高められる。
このような構造にすれば、第1図実施例に関連して述べ
た高エネルギー積磁石を用いずに、安価なフェライト系
の磁石やアルニコ系の磁石を採用できる。
次に、第2図実施例による光ディスクメモリの消去方式
を、第5図のフローチャートで説明する。
まず、光ディスクメモリ1を回転させる。それとともに
、光ディスクメモリの反射率を監視する(通常は再生用
レーザ反射光を用いる。)。回転に伴い、例えば相変化
型記録薄膜においては、レーザの反射率が変化し始める
。この反射率が規定値に達するまで回転を続けさせる。
やがて所定の反射率が得られれば、消去が完了したこと
になるので、光ディスクメモリの回転を停止させ、消去
完了となる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、光ディスクメモリの渦電流加熱式消去
装置をより小型化、低消費電力化でき、メモリを効率良
く一括消去可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による光ディスクメモリの消去装置のう
ち永久磁石側を回転させる実施例を示す図、第2図は同
じく光ディスクメモリ側を回転させる実施例を示す図、
第3図は同じく対抗する永久磁石間で光ディスクメモリ
を回転させる実施例を示す図、第4図は永久磁石を永久
磁石ディスクに取り付ける状況を示す図、第5図は本発
明により光ディスクメモリの消去方式のフローチャート
、第6図は従来の光ディスクメモリの消去装置の一例を
示す図である。 1・・・光ディスクメモリ、2・・・光記録薄膜、3・
・・永久磁石、4・・・永久磁石ディスク、5・・・回
転カバー、6・・・光デイスクテーブル、10・・・ア
クチュエータ、11・・・磁界コイル、12・・・交番
磁界発生電源、13・・・回転テーブル。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、交番磁界により導電性記録薄膜を渦電流加熱し光デ
    ィスクメモリの記録内容を消去する装置において、永久
    磁石を装着したディスクと、前記光ディスクメモリおよ
    び前記永久磁石ディスクを相対回転させる機構とからな
    ることを特徴とする光ディスクメモリの消去装置。 2、特許請求の範囲第1項において、前記回転機構が、
    永久磁石ディスクを回転させる機構であることを特徴と
    する光ディスクメモリの消去装置。 3、特許請求の範囲第1項において、前記回転機構が、
    光ディスクメモリの記録・再生用回転機構であることを
    特徴とする光ディスクメモリの消去装置。 4、特許請求の範囲第1項〜第3項のいずれか1項にお
    いて、前記永久磁石が、永久磁石ディスクに放射状に配
    置されていることを特徴とする光ディスクメモリの消去
    装置。 5、特許請求の範囲第1項〜第4項のいずれか1項にお
    いて、前記永久磁石ディスクが上下2組あり、光ディス
    クメモリがその間に設置されることを特徴とする光ディ
    スクメモリの消去装置。 6、特許請求の範囲第1項〜第5項のいずれか1項にお
    いて、前記永久磁石が、希土類の高エネルギー積磁石で
    あることを特徴とする光ディスクメモリの消去装置。 7、特許請求の範囲第5項において、前記永久磁石が、
    フェライト系またはアルニコ系の磁石であり、対向する
    上下の組の極性が異なるように配置されていることを特
    徴とする光ディスクメモリの消去装置。
JP61205719A 1986-09-01 1986-09-01 光デイスクメモリの消去装置 Pending JPS6361424A (ja)

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JP61205719A JPS6361424A (ja) 1986-09-01 1986-09-01 光デイスクメモリの消去装置

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JPS6361424A true JPS6361424A (ja) 1988-03-17

Family

ID=16511553

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JP61205719A Pending JPS6361424A (ja) 1986-09-01 1986-09-01 光デイスクメモリの消去装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0445837U (ja) * 1990-08-22 1992-04-17
US6570833B2 (en) 1997-09-24 2003-05-27 Lg Electronics Inc. Method for crystallizing optical data storage media using joule heat and apparatus therefor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0445837U (ja) * 1990-08-22 1992-04-17
US6570833B2 (en) 1997-09-24 2003-05-27 Lg Electronics Inc. Method for crystallizing optical data storage media using joule heat and apparatus therefor

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