JPS6223141Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6223141Y2 JPS6223141Y2 JP1979081704U JP8170479U JPS6223141Y2 JP S6223141 Y2 JPS6223141 Y2 JP S6223141Y2 JP 1979081704 U JP1979081704 U JP 1979081704U JP 8170479 U JP8170479 U JP 8170479U JP S6223141 Y2 JPS6223141 Y2 JP S6223141Y2
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- muting
- field strength
- electric field
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Noise Elimination (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はミユーテイング回路に関し特にFM受
信機のミユーテイング回路に関するものである。
信機のミユーテイング回路に関するものである。
FM受信機においてはそのFM放送波の性格
上、電界強度があるレベル以下になると急激に
Ｓ／Ｎが劣化する。またFM放送波はAM放送波
に比較して直進性が強いために、ビルや地形の影
響等により電界強度が大幅に変化する。そのため
に特に車載用FM受信機では、いわゆるスキツプ
ノイズが発生したりマルチパスの影響を受けて
Ｓ／Ｎの劣化が著しい。
上、電界強度があるレベル以下になると急激に
Ｓ／Ｎが劣化する。またFM放送波はAM放送波
に比較して直進性が強いために、ビルや地形の影
響等により電界強度が大幅に変化する。そのため
に特に車載用FM受信機では、いわゆるスキツプ
ノイズが発生したりマルチパスの影響を受けて
Ｓ／Ｎの劣化が著しい。
かゝるＳ／Ｎ劣化の防止のために、電界強度が
低下した場合には、自動的に受信再生信号を遮断
するか若しくは減衰させるいわゆるミユーテイン
グ回路が付加されている。第１図はこのようなミ
ユーテイング回路を有するFM受信機の概略ブロ
ツク図を示すもので、アンテナ１からの高周波受
信信号はフロントエンド２において所望の受信局
信号として選択されかつIF（中間周波）信号に
変換される。このIF信号はIFアンプ３において
増幅後FM検波器４により検波されミユーテイン
グのための可変減衰器６へ印加される。
低下した場合には、自動的に受信再生信号を遮断
するか若しくは減衰させるいわゆるミユーテイン
グ回路が付加されている。第１図はこのようなミ
ユーテイング回路を有するFM受信機の概略ブロ
ツク図を示すもので、アンテナ１からの高周波受
信信号はフロントエンド２において所望の受信局
信号として選択されかつIF（中間周波）信号に
変換される。このIF信号はIFアンプ３において
増幅後FM検波器４により検波されミユーテイン
グのための可変減衰器６へ印加される。
電界強度を検出すべく、FMレベル検出器７が
設けられており、IFレベルに応じた電流出力を
発生する。このIF検出電流出力をミユーテイン
グ制御のための電圧信号に変換すべく信号変換器
８が設けられ、この電流出力を適当なレベルの電
圧V0に変換設定するものである。この電圧V0は
ミユートドライブ回路９へ印加されて、先の可変
減衰器６の減衰量制御信号となる。一方、離調状
態を検出すべく検出器４の信号を導出してそのレ
ベルに応じた電圧信号を発生する離調状態検出回
路１０が付加され、選局時や離調時において可変
減衰器の減衰量を大に制御していわゆるミユーテ
イングをかけるためにその離調検出信号をミユー
トドライブ回路９へ入力している。
設けられており、IFレベルに応じた電流出力を
発生する。このIF検出電流出力をミユーテイン
グ制御のための電圧信号に変換すべく信号変換器
８が設けられ、この電流出力を適当なレベルの電
圧V0に変換設定するものである。この電圧V0は
ミユートドライブ回路９へ印加されて、先の可変
減衰器６の減衰量制御信号となる。一方、離調状
態を検出すべく検出器４の信号を導出してそのレ
ベルに応じた電圧信号を発生する離調状態検出回
路１０が付加され、選局時や離調時において可変
減衰器の減衰量を大に制御していわゆるミユーテ
イングをかけるためにその離調検出信号をミユー
トドライブ回路９へ入力している。
上記IFレベル検出器７は、図示の如くその出
力部はPNPトランジスタQ2のコレクタ出力とな
つており、このエミツタは抵抗R2により正電源
＋Ｂが供給されるもので、その結果電界強度に応
じてトランジスタQ2から電流出力が発生され
る。ミユートドライブ回路９は高入力インピーダ
ンスのいわゆる電圧制御型の入力段構成であるか
ら、この電流出力は変換器８において適当な電圧
レベルに変換される。そのために電圧設定用抵抗
R1が設けられこの抵抗R1へ電流出力を供給して
その両端の電圧を出力電圧V0として用いてい
る。並列に接続されたコンデンサＣは出力電流に
重畳されたIF信号キヤリヤ成分のバイパス用と
して用いられると共に信号平滑用の積分コンデン
サでもある。
力部はPNPトランジスタQ2のコレクタ出力とな
つており、このエミツタは抵抗R2により正電源
＋Ｂが供給されるもので、その結果電界強度に応
じてトランジスタQ2から電流出力が発生され
る。ミユートドライブ回路９は高入力インピーダ
ンスのいわゆる電圧制御型の入力段構成であるか
ら、この電流出力は変換器８において適当な電圧
レベルに変換される。そのために電圧設定用抵抗
R1が設けられこの抵抗R1へ電流出力を供給して
その両端の電圧を出力電圧V0として用いてい
る。並列に接続されたコンデンサＣは出力電流に
重畳されたIF信号キヤリヤ成分のバイパス用と
して用いられると共に信号平滑用の積分コンデン
サでもある。
第２図は電界強度（dB／μＶ）と出力電圧V0
（Ｖ）との関係を示すもので、レベル設定用抵抗
R1の値により弱入力時の出力電圧V0の傾きが変
化し、この抵抗の値により電圧ゲインが設定でき
ることが判る。尚、抵抗R1を無限大とすると、
ドライブ回路９の入力インピーダンスは極めて高
くかつIFレベル検出器７の出力段もトランジス
タのコレクタ出力であるから、コンデンサＣの電
荷は放電することがなく、よつて出力電圧V0は
変化しないことが判る。
（Ｖ）との関係を示すもので、レベル設定用抵抗
R1の値により弱入力時の出力電圧V0の傾きが変
化し、この抵抗の値により電圧ゲインが設定でき
ることが判る。尚、抵抗R1を無限大とすると、
ドライブ回路９の入力インピーダンスは極めて高
くかつIFレベル検出器７の出力段もトランジス
タのコレクタ出力であるから、コンデンサＣの電
荷は放電することがなく、よつて出力電圧V0は
変化しないことが判る。
第３図はこの出力電圧V0に対しての可変減衰
器６の減衰量の関係を示すもので、約3.3V近傍
からそれ以下の出力電圧V0にて急激に減衰量が
大になることを示している。第４図は電界強度に
対して減衰量の変化の状態を示す図であり、図の
電界強度を示す横軸の目盛は第２図のそれと同一
に選定してある。このように抵抗R1の値により
減衰動作が開始される動作点となる電界強度レベ
ルをある程度任意に設定できることが判る。しか
しながら、この図から明白なように当該動作点以
下の電界レベルにおいては、その減衰量が急激に
増大してミユーテイング動作はいわゆるスイツチ
ング的になされることになる。従つて、特に車載
用の受信機においてマルチパス等により急に電界
が落ち込む際のスキツプノイズ等を抑圧するため
に、この変化に即応してミユーテイング動作をさ
せることが可能ではあるが、その反面スイツチン
グ的に信号がとぎれることになり聴感上違和感を
招来する原因となつている。
器６の減衰量の関係を示すもので、約3.3V近傍
からそれ以下の出力電圧V0にて急激に減衰量が
大になることを示している。第４図は電界強度に
対して減衰量の変化の状態を示す図であり、図の
電界強度を示す横軸の目盛は第２図のそれと同一
に選定してある。このように抵抗R1の値により
減衰動作が開始される動作点となる電界強度レベ
ルをある程度任意に設定できることが判る。しか
しながら、この図から明白なように当該動作点以
下の電界レベルにおいては、その減衰量が急激に
増大してミユーテイング動作はいわゆるスイツチ
ング的になされることになる。従つて、特に車載
用の受信機においてマルチパス等により急に電界
が落ち込む際のスキツプノイズ等を抑圧するため
に、この変化に即応してミユーテイング動作をさ
せることが可能ではあるが、その反面スイツチン
グ的に信号がとぎれることになり聴感上違和感を
招来する原因となつている。
尚、抵抗R1の値を極力小として第２図に示す
出力電圧V0の曲線の傾斜を一点鎖線にて示すよ
うにより緩やかにし、第４図における減衰量の曲
線を同じく一点鎖線で示したように緩やかにする
ことは可能であるが、電界強度が十分大なるにも
かかわらず減衰が開始されることになり好ましく
ない。
出力電圧V0の曲線の傾斜を一点鎖線にて示すよ
うにより緩やかにし、第４図における減衰量の曲
線を同じく一点鎖線で示したように緩やかにする
ことは可能であるが、電界強度が十分大なるにも
かかわらず減衰が開始されることになり好ましく
ない。
本考案の目的は上述の如き非連続的なミユーテ
イングすなわちスイツチング的なミユーテイング
の代りに電界強度がある程度小となつたときにそ
の小なる強度に応じて連続的に減衰量を変化せし
めていわゆるソフトミユーテイングをなすミユー
テイング回路を提供することである。
イングすなわちスイツチング的なミユーテイング
の代りに電界強度がある程度小となつたときにそ
の小なる強度に応じて連続的に減衰量を変化せし
めていわゆるソフトミユーテイングをなすミユー
テイング回路を提供することである。
以下、本考案について図面を用いて説明する。
第５図は本考案の一実施例を示す図であり、第
１図と同等部分は同一符号により示している。図
においてIFレベル検出器７の電流出力を電圧レ
ベル信号に変換してミユートドライブ用の制御信
号とする信号変換器８は、平滑用及びバイパス用
コンデンサＣと、これに並列接続された抵抗R1
と、更にこの抵抗R1の一端電位をアース電位か
ら所定電圧だけ上昇せしめる基準電圧発生源Ｅと
を含んでなる。従つて、基準電圧Ｅと抵抗R1の
両端電圧との和が出力電圧V0となるものであ
る。
１図と同等部分は同一符号により示している。図
においてIFレベル検出器７の電流出力を電圧レ
ベル信号に変換してミユートドライブ用の制御信
号とする信号変換器８は、平滑用及びバイパス用
コンデンサＣと、これに並列接続された抵抗R1
と、更にこの抵抗R1の一端電位をアース電位か
ら所定電圧だけ上昇せしめる基準電圧発生源Ｅと
を含んでなる。従つて、基準電圧Ｅと抵抗R1の
両端電圧との和が出力電圧V0となるものであ
る。
こゝで、電界強度が零の場合にはレベル検出器
７の電流出力は略零であるから、出力電圧V0は
基準電圧Ｅと等しくなる。よつてこのときの出力
電圧Ｅがアンテナ入力零の際の最大減衰量を決定
することになるから、本例では例えばＥ≒2Vに
選定して最大減衰量を約−40dBとする（第３図
参照）。この状態において、抵抗R1を小に選ん
で、第２図の一点鎖線で示したような緩やかな傾
斜をうることにより、第６図に示す如く、電界強
度と出力電圧V0との関係が得られることが伴
る。その結果、電界強度と減衰量との関係は第７
図のように、電界強度がある程度低下した時点か
ら徐々に減衰量が増大して予め選定した最大減衰
量−40dBまで変化し、よつてソフトミユーテイ
ングが可能となる。
７の電流出力は略零であるから、出力電圧V0は
基準電圧Ｅと等しくなる。よつてこのときの出力
電圧Ｅがアンテナ入力零の際の最大減衰量を決定
することになるから、本例では例えばＥ≒2Vに
選定して最大減衰量を約−40dBとする（第３図
参照）。この状態において、抵抗R1を小に選ん
で、第２図の一点鎖線で示したような緩やかな傾
斜をうることにより、第６図に示す如く、電界強
度と出力電圧V0との関係が得られることが伴
る。その結果、電界強度と減衰量との関係は第７
図のように、電界強度がある程度低下した時点か
ら徐々に減衰量が増大して予め選定した最大減衰
量−40dBまで変化し、よつてソフトミユーテイ
ングが可能となる。
すなわち本考案においては、第２図の一点鎖線
で示した抵抗小の場合の直線を、第６図に示す如
く略2Vだけ上方向へ平行移動させることにより
従来の欠点である電界強度が十分大なる部分から
減衰が始まることを排除しつつソフトミユーテイ
ングを可能としたものである。よつて基準電圧Ｅ
の選定及び抵抗R1の選定により、ミユーテイン
グ特性を任意に変化させることができる。
で示した抵抗小の場合の直線を、第６図に示す如
く略2Vだけ上方向へ平行移動させることにより
従来の欠点である電界強度が十分大なる部分から
減衰が始まることを排除しつつソフトミユーテイ
ングを可能としたものである。よつて基準電圧Ｅ
の選定及び抵抗R1の選定により、ミユーテイン
グ特性を任意に変化させることができる。
第８図Ａ〜Ｃは基準電圧源Ｅの種々の例を示す
回路図である。図Ａは抵抗R1と接地間にPNPト
ランジスタQ1を接続してそのベースに、正電圧
＋Vccを分割する分圧抵抗R3，R4を設けており、
トランジスタQ1のＶBE（ベース・エミツタ間電
圧）の温度補償のためにダイオードD1を設けて
いる。こゝでアンテナ入力レベルが零の場合、レ
ベル検出器７の出力電流も零であるが、実際には
電流出力トランジスタQ2（第１図参照）の漏洩
電流が存在するためにこの電流がトランジスタ
Q1のエミツタ・コレクタ間に流入し、エミツタ
電位が上昇してＶBE＋ＶR（ＶRはベース電圧）と
なると、ベース電流が流れる。その結果エミツ
タ・コレクタ間インピーダンスが低下し始めるこ
とになり、エミツタ電位も下つて漏れ電流源のイ
ンピーダンスが大となり、結局出力端電圧V0は
ＶBE＋ＶRで安定することになる。尚、抵抗R1の
電圧降下は無視される。従つて、ＶRの値を抵抗
R3，R4により適当に選定して、最大減衰量を設
定しうる。
回路図である。図Ａは抵抗R1と接地間にPNPト
ランジスタQ1を接続してそのベースに、正電圧
＋Vccを分割する分圧抵抗R3，R4を設けており、
トランジスタQ1のＶBE（ベース・エミツタ間電
圧）の温度補償のためにダイオードD1を設けて
いる。こゝでアンテナ入力レベルが零の場合、レ
ベル検出器７の出力電流も零であるが、実際には
電流出力トランジスタQ2（第１図参照）の漏洩
電流が存在するためにこの電流がトランジスタ
Q1のエミツタ・コレクタ間に流入し、エミツタ
電位が上昇してＶBE＋ＶR（ＶRはベース電圧）と
なると、ベース電流が流れる。その結果エミツ
タ・コレクタ間インピーダンスが低下し始めるこ
とになり、エミツタ電位も下つて漏れ電流源のイ
ンピーダンスが大となり、結局出力端電圧V0は
ＶBE＋ＶRで安定することになる。尚、抵抗R1の
電圧降下は無視される。従つて、ＶRの値を抵抗
R3，R4により適当に選定して、最大減衰量を設
定しうる。
図ＢはツエナーダイオードD3及び抵抗R7によ
り基準電圧を発生するものであり、図Ｃは直列接
続ダイオード群D3の順方向電圧を基準電圧とし
て用いたものである。尚、基準電圧発生源はこれ
等例に限定されるものではない。
り基準電圧を発生するものであり、図Ｃは直列接
続ダイオード群D3の順方向電圧を基準電圧とし
て用いたものである。尚、基準電圧発生源はこれ
等例に限定されるものではない。
以上述べた如く、本考案によれば極めて簡単な
構成にてソフトミユーテイングが可能となり、聴
感上の違和感が消失し、車載用のFM受信機に最
適となる。
構成にてソフトミユーテイングが可能となり、聴
感上の違和感が消失し、車載用のFM受信機に最
適となる。
第１図は従来の受信機の概略ブロツク図、第２
図は第１図の受信機における電界強度とミユーテ
イング制御信号電圧レベルとの関係を示す図、第
３図は前記電圧レベルと信号減衰量との関係を示
す図、第４図は電界強度と信号減衰量との関係を
示す図、第５図は本考案の一実施例を適用した受
信機のブロツク図、第６図は第５図の受信機にお
ける電界強度とミユーテイング制御信号用電圧レ
ベルとの関係を示す図、第７図は同じく電界強度
と信号減衰量との関係を示す図、第８図Ａ〜Ｃは
基準電圧発生源の具体例を示す回路図である。 主要部分の符号の説明、６……可変減衰器、７
……レベル検出器、８……信号変換器、９……ミ
ユートドライブ回路、R1……抵抗、Ｅ……基準
電圧発生源。
図は第１図の受信機における電界強度とミユーテ
イング制御信号電圧レベルとの関係を示す図、第
３図は前記電圧レベルと信号減衰量との関係を示
す図、第４図は電界強度と信号減衰量との関係を
示す図、第５図は本考案の一実施例を適用した受
信機のブロツク図、第６図は第５図の受信機にお
ける電界強度とミユーテイング制御信号用電圧レ
ベルとの関係を示す図、第７図は同じく電界強度
と信号減衰量との関係を示す図、第８図Ａ〜Ｃは
基準電圧発生源の具体例を示す回路図である。 主要部分の符号の説明、６……可変減衰器、７
……レベル検出器、８……信号変換器、９……ミ
ユートドライブ回路、R1……抵抗、Ｅ……基準
電圧発生源。
Claims (1)
- FMチユーナの受信電界強度に応じた電流出力
を発生する電界強度検出手段と、前記電流出力の
電流値に対応したミユーテイング電圧を発生する
ミユーテイング電圧発生手段とを有し、このミユ
ーテイング電圧レベルに応じて受信再生信号の減
衰量を制御するようにしたミユーテイング回路で
あつて、前記ミユーテイング電圧発生手段は前記
電流出力が供給される抵抗素子と、前記抵抗素子
と直列接続された基準電圧発生手段とを含み、前
記抵抗の両端電圧と前記基準電圧との和を前記ミ
ユーテイング電圧とするようにしたことを特徴と
するミユーテイング回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979081704U JPS6223141Y2 (ja) | 1979-06-15 | 1979-06-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979081704U JPS6223141Y2 (ja) | 1979-06-15 | 1979-06-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56109U JPS56109U (ja) | 1981-01-06 |
| JPS6223141Y2 true JPS6223141Y2 (ja) | 1987-06-12 |
Family
ID=29314966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979081704U Expired JPS6223141Y2 (ja) | 1979-06-15 | 1979-06-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6223141Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5922417A (ja) * | 1982-07-28 | 1984-02-04 | Fujitsu Ten Ltd | ミユ−テイング制御回路 |
-
1979
- 1979-06-15 JP JP1979081704U patent/JPS6223141Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56109U (ja) | 1981-01-06 |
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