JPS6025930B2 - ミユ−テイング回路 - Google Patents
ミユ−テイング回路Info
- Publication number
- JPS6025930B2 JPS6025930B2 JP4357176A JP4357176A JPS6025930B2 JP S6025930 B2 JPS6025930 B2 JP S6025930B2 JP 4357176 A JP4357176 A JP 4357176A JP 4357176 A JP4357176 A JP 4357176A JP S6025930 B2 JPS6025930 B2 JP S6025930B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- muting
- transistor
- current
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/34—Muting amplifier when no signal is present or when only weak signals are present, or caused by the presence of noise signals, e.g. squelch systems
Landscapes
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Noise Elimination (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はラジオ受信機のミューティング回路に関し、特
にミューテイング回路の受信信号しベルルに対する動作
レベルを可変させるためのミューティングレベル選択回
路を有するミューティング回路に関する。
にミューテイング回路の受信信号しベルルに対する動作
レベルを可変させるためのミューティングレベル選択回
路を有するミューティング回路に関する。
FMラジオ等の受信機においては、選局中に局間の周波
数に離調したり、また、所望の受信信号に同調させても
、受信信号のレベルが極端に低下している場合、受信機
の出力信号は雑音が多いものとなり、聴感上極めて不快
感を与えることになる。
数に離調したり、また、所望の受信信号に同調させても
、受信信号のレベルが極端に低下している場合、受信機
の出力信号は雑音が多いものとなり、聴感上極めて不快
感を与えることになる。
従って、このような好しくない雑音を除去するために、
受信機の出力信号を減衰或いは遮断するためのミューテ
イング回路(スケルチ回路とも呼ばれる)が要求される
。
受信機の出力信号を減衰或いは遮断するためのミューテ
イング回路(スケルチ回路とも呼ばれる)が要求される
。
ミューティング回路が受信機の信号増幅回路の増幅度を
減衰或いはその塊軸陣回路の動作を遮断するときのミュ
ーテイング回路の動作レベル(この動作レベルはミュー
ティング回路が増幅回路の動作を減衰或いは遮断すると
きの受信信号レベルをいう)の設定は、受信機の用途に
従って異なる。
減衰或いはその塊軸陣回路の動作を遮断するときのミュ
ーテイング回路の動作レベル(この動作レベルはミュー
ティング回路が増幅回路の動作を減衰或いは遮断すると
きの受信信号レベルをいう)の設定は、受信機の用途に
従って異なる。
例えば、音質を考慮することなしに、若干の雑音を許容
しながらも所望の局を選局したい場合は、ミューティン
グ回路の動作レベルは、比較的弱電界強度の受信信号の
再生を可能にするような低レベルに設定されることが要
求され、逆に、音質を考慮して雑音を排除したい場合は
、弱電界強度の受信信号に対してはミューティング回路
が受信機の増幅回路の動作を遮断するような高レベルに
設定されることが望まれる。従って、受信機にはそのよ
うな用途に即応し得るように、ミューティング回路の動
作レベルをマニアル操作によって簡単に可変し得るミュ
ーティングレベル選択手段を附加することが要求される
。ミューティングレベル選択回路の附加にあたっては、
選択されたミューティング動作レベルによって、制御感
度が変化しないようにすることが要求される。
しながらも所望の局を選局したい場合は、ミューティン
グ回路の動作レベルは、比較的弱電界強度の受信信号の
再生を可能にするような低レベルに設定されることが要
求され、逆に、音質を考慮して雑音を排除したい場合は
、弱電界強度の受信信号に対してはミューティング回路
が受信機の増幅回路の動作を遮断するような高レベルに
設定されることが望まれる。従って、受信機にはそのよ
うな用途に即応し得るように、ミューティング回路の動
作レベルをマニアル操作によって簡単に可変し得るミュ
ーティングレベル選択手段を附加することが要求される
。ミューティングレベル選択回路の附加にあたっては、
選択されたミューティング動作レベルによって、制御感
度が変化しないようにすることが要求される。
動作レベルの選択による制御感度の低下は、例えばミュ
ーテイング回路のミューテイング用制御信号回路に入力
されるかもしれない雑音等によるミューティング回路の
誤動作を招くことになり、好ましくない結果となる。従
って、本発明の主な目的は、ミューティングレベル選択
手段を有するミューティング回路を提供することにある
。
ーテイング回路のミューテイング用制御信号回路に入力
されるかもしれない雑音等によるミューティング回路の
誤動作を招くことになり、好ましくない結果となる。従
って、本発明の主な目的は、ミューティングレベル選択
手段を有するミューティング回路を提供することにある
。
本発明の他の目的は、ミューティング制御感度を低下さ
せることなく、ミューティングレベルを可変させること
が可能なミューティング回路を提供することにある。
せることなく、ミューティングレベルを可変させること
が可能なミューティング回路を提供することにある。
さらに本発明の他の目的は、ミューティング用制御信号
に重畳されるかもしれない雑音或し、はろう洩信号によ
って誤動作しないミューティング回路を提供することに
ある。
に重畳されるかもしれない雑音或し、はろう洩信号によ
って誤動作しないミューティング回路を提供することに
ある。
さらに本発明の他の目的は、ミューティング回路の動作
レベルの可変範囲を拡張せしめたミューテイング回路を
提供するにある。
レベルの可変範囲を拡張せしめたミューテイング回路を
提供するにある。
本発明のさらに他の目的は、半導集積回路技術によって
容易に製造し得るミューティング回路を提供することに
ある。
容易に製造し得るミューティング回路を提供することに
ある。
かかる目的を達成するための、本発明の基本的構成は、
特許請求の範囲に記載された如き構成要件を具備して成
るものであり、本発明の上述およびその他の目的並びに
本発明の構成は、以下の図面を参照した本発明の実施例
からより明らかに理解されるであろう。
特許請求の範囲に記載された如き構成要件を具備して成
るものであり、本発明の上述およびその他の目的並びに
本発明の構成は、以下の図面を参照した本発明の実施例
からより明らかに理解されるであろう。
第1図は本発明のミューティング回路をFM受信機に適
用した場合の一実施例を示す。
用した場合の一実施例を示す。
第1図にて、20は高周波増幅回路、21は高周波信号
の受信周波数を中間周波数を変換するための周波数変換
回路、22は中間周波増幅回路、23は中間周波信号に
FM変調されているオーディオ信号を検波するためのF
M検波回路、5〜9は定電流回路で、これらの回路によ
って、FM検波回路23から検波されたオーディオ出力
信号を増幅し、増幅されたオーディオ信号を出力端子1
2に得ることができる。
の受信周波数を中間周波数を変換するための周波数変換
回路、22は中間周波増幅回路、23は中間周波信号に
FM変調されているオーディオ信号を検波するためのF
M検波回路、5〜9は定電流回路で、これらの回路によ
って、FM検波回路23から検波されたオーディオ出力
信号を増幅し、増幅されたオーディオ信号を出力端子1
2に得ることができる。
定電流回路5,7,9において、ラテラルPNPトラン
ジスタQ,とQ2,Q7とQ8,Q,3とQ,4のベー
スは互いに接続されている。
ジスタQ,とQ2,Q7とQ8,Q,3とQ,4のベー
スは互いに接続されている。
一方PNPトランジスタQ,,Q7,Q,3のそれぞれ
のコレクタとべ‐スとはラテラルPNPトランジスタQ
3,Q9,Q,5のエミッタ・ベース接合を介して接続
されているため、これらのトランジスタQ,,Q7,Q
,3は実質的にPN接合ダイオードすなわちPN接合手
段として動作する。またラテラルPNPトランジスタQ
,.Q2,Q7,Q,Q,3,Q,4のエミツタにはベ
ース・エミッタ間の順方向電圧VB8のバラッキによる
対トランジスタに流れる電流の偏差を補償するためにェ
ミッタ抵抗R,,R2,R3,R4,R5,R6がそれ
ぞれ挿入されている。また、定電流回路6,8において
、バーチカル構造のNPNトランジスタQとQ,Q,o
,Q,.のベースは互いに接続され、トランジスタQお
よびQ,oは実質的にPN接合ダイオードすなわちPN
接合手段として動作する。
のコレクタとべ‐スとはラテラルPNPトランジスタQ
3,Q9,Q,5のエミッタ・ベース接合を介して接続
されているため、これらのトランジスタQ,,Q7,Q
,3は実質的にPN接合ダイオードすなわちPN接合手
段として動作する。またラテラルPNPトランジスタQ
,.Q2,Q7,Q,Q,3,Q,4のエミツタにはベ
ース・エミッタ間の順方向電圧VB8のバラッキによる
対トランジスタに流れる電流の偏差を補償するためにェ
ミッタ抵抗R,,R2,R3,R4,R5,R6がそれ
ぞれ挿入されている。また、定電流回路6,8において
、バーチカル構造のNPNトランジスタQとQ,Q,o
,Q,.のベースは互いに接続され、トランジスタQお
よびQ,oは実質的にPN接合ダイオードすなわちPN
接合手段として動作する。
これらの定電流回路5〜9の動作において、直流定電流
源2により定電流loが定電流回路5のPN接合ダイオ
ードとして動作するトランジスタQ,に流れ、さらにF
M検波回路23からの信号電流TがトランジスタQ,に
流れる。
源2により定電流loが定電流回路5のPN接合ダイオ
ードとして動作するトランジスタQ,に流れ、さらにF
M検波回路23からの信号電流TがトランジスタQ,に
流れる。
一方定電流回路4により定電薪可。が定電流回路7のP
N接合ダイオードとして動作するトランジスタQ7に流
れ、かつFM検波回路23からの信号電流iと逆相の信
号電流一iがトランジスタQ7に流れる。信号電流iは
、結果的に定電流回路6を通して、定電流回路9のトラ
ンジスタQ,4のコレクタに伝達される。一方、逆相信
号電流−iも同様に、定電流回路8を通して、定電流回
路9のトランジスタQ,4のコレクタに伝達される。こ
こで、信号電流iに応答してトランジスタQ5のコレク
タに流れる信号電流をi′、逆相信号一丁に応答してト
ランジスタQ,.のコレクタに流れる逆相信号電流−i
′とすれば、接点J,より出力端子12に流れる出力電
流T肌の振幅値は、2i′となり、FM検波回路23の
オーディオ出力信号はかかる定電流回路によって増幅さ
れることになる。10はミューティング手段で、上述し
たオーディオ信号を伝達するための定電流回路6および
8に結合されている。
N接合ダイオードとして動作するトランジスタQ7に流
れ、かつFM検波回路23からの信号電流iと逆相の信
号電流一iがトランジスタQ7に流れる。信号電流iは
、結果的に定電流回路6を通して、定電流回路9のトラ
ンジスタQ,4のコレクタに伝達される。一方、逆相信
号電流−iも同様に、定電流回路8を通して、定電流回
路9のトランジスタQ,4のコレクタに伝達される。こ
こで、信号電流iに応答してトランジスタQ5のコレク
タに流れる信号電流をi′、逆相信号一丁に応答してト
ランジスタQ,.のコレクタに流れる逆相信号電流−i
′とすれば、接点J,より出力端子12に流れる出力電
流T肌の振幅値は、2i′となり、FM検波回路23の
オーディオ出力信号はかかる定電流回路によって増幅さ
れることになる。10はミューティング手段で、上述し
たオーディオ信号を伝達するための定電流回路6および
8に結合されている。
制御入力端子13に印加されるミューテイング電圧V一
が所定の電圧以上(スレシユホールドレベル以上)にな
るとトランジスタQ,6〜Q,9はオン状態となり、こ
れによって、定電流回路6および8内の全てのトランジ
スタQ,Q,Q,o,Q,.をオフ状態となし、オーデ
ィオ信号の出力端子12への伝達を阻止する。24は中
間周波増幅回路22から得られた中間周波成分を検波す
ることにより検波出力をミューテイング用制御信号とし
て取出すためのミューブィング用整流回路、25はミュ
ーテイング用整流回路24の出力信号を電流に変換させ
るための電流変換回路で、ミューティング用整流回路2
4の出力信号に応答した直流電流IMを発生させる。
が所定の電圧以上(スレシユホールドレベル以上)にな
るとトランジスタQ,6〜Q,9はオン状態となり、こ
れによって、定電流回路6および8内の全てのトランジ
スタQ,Q,Q,o,Q,.をオフ状態となし、オーデ
ィオ信号の出力端子12への伝達を阻止する。24は中
間周波増幅回路22から得られた中間周波成分を検波す
ることにより検波出力をミューテイング用制御信号とし
て取出すためのミューブィング用整流回路、25はミュ
ーテイング用整流回路24の出力信号を電流に変換させ
るための電流変換回路で、ミューティング用整流回路2
4の出力信号に応答した直流電流IMを発生させる。
14は第3の定電流回路で、ベースが互いに接続された
一対のラテラルPNPトランジスタQ2。
一対のラテラルPNPトランジスタQ2。
およびQ公と、このトランジスタQ2。およびQ2,の
エミッ夕・ベース間順方向電圧VB8のバラッキを補償
するために挿入された一対のェミッタ抵抗R2。および
R2,と、PNPトランジスタQ幻のベース・コレクタ
間を電気的に接続するために設けられたラテラル或いは
サブストレートPNPトランジスタQ22とから成る。
この定電流回路14において、トランジスタQ22は実
質的にトランジスタQ幻のェミツタ・ベース間に挿入さ
れたPN俵合ダイオードすなわちPN接合手段として動
作し、これによって、抵抗R2。と抵抗R2,との抵抗
値を互いに等しくすれば、トランジスタQ2。およびQ
aのべ‐ス・ェミッタ間電圧対ェミッタ電流特性は実質
的に互いに等しいため、トランジスタQaには、トラン
ジスタQ2oに流れるコレクタ電流IMと実質的に等し
いコレクタ電流が流れる。また、トランジスタQ2。
エミッ夕・ベース間順方向電圧VB8のバラッキを補償
するために挿入された一対のェミッタ抵抗R2。および
R2,と、PNPトランジスタQ幻のベース・コレクタ
間を電気的に接続するために設けられたラテラル或いは
サブストレートPNPトランジスタQ22とから成る。
この定電流回路14において、トランジスタQ22は実
質的にトランジスタQ幻のェミツタ・ベース間に挿入さ
れたPN俵合ダイオードすなわちPN接合手段として動
作し、これによって、抵抗R2。と抵抗R2,との抵抗
値を互いに等しくすれば、トランジスタQ2。およびQ
aのべ‐ス・ェミッタ間電圧対ェミッタ電流特性は実質
的に互いに等しいため、トランジスタQaには、トラン
ジスタQ2oに流れるコレクタ電流IMと実質的に等し
いコレクタ電流が流れる。また、トランジスタQ2。
およびQ2,の各ェミツタはそれぞれ抵抗R2のR2,
を介して第2の電位源Vは(14V)に接続されている
。15は第1の定電流回路で、定電流回路14と同機の
回路構成である。
を介して第2の電位源Vは(14V)に接続されている
。15は第1の定電流回路で、定電流回路14と同機の
回路構成である。
一対のラテラルPNPトランジスタQ23およびQ24
と、トランジスタQ24を実質的にPN接合ダイオード
すなわちPN接合手段として動作させるためのラテラル
或いはサブストレートPNPトランジスタQ濁と、トラ
ンジスタQ25,Q24のベース・ェミッタ間順方向電
圧VB8のバラッキを補償するための一対のェミツタ抵
抗R22およびR23とから成る。この第1の定電流回
路15のトランジスタQ23のコレクタ出力電流(定電
流)lsを可変させるために制御入力端子18に次ぎに
述べるミューティングレベル選択手段17が接続される
。また、トランジスタQ23およびQ24の各ェミツ外
まそれぞれ抵抗R22,R23を介して第1の電位源v
的(6.3V)に接続されている。
と、トランジスタQ24を実質的にPN接合ダイオード
すなわちPN接合手段として動作させるためのラテラル
或いはサブストレートPNPトランジスタQ濁と、トラ
ンジスタQ25,Q24のベース・ェミッタ間順方向電
圧VB8のバラッキを補償するための一対のェミツタ抵
抗R22およびR23とから成る。この第1の定電流回
路15のトランジスタQ23のコレクタ出力電流(定電
流)lsを可変させるために制御入力端子18に次ぎに
述べるミューティングレベル選択手段17が接続される
。また、トランジスタQ23およびQ24の各ェミツ外
まそれぞれ抵抗R22,R23を介して第1の電位源v
的(6.3V)に接続されている。
ミューティングレベル選択手段17は切換スイッチSと
、スイッチの固定接点1,2,3と基準電位源との間に
接続された抵抗R27,R28,R29とから成る。
、スイッチの固定接点1,2,3と基準電位源との間に
接続された抵抗R27,R28,R29とから成る。
もし、スイッチSを接点1に転倒して抵抗R27をトラ
ンジスタ24と直列接続すれば、定電流回路15のトラ
ンジスタQ24のコレクタには抵抗虫27によって決定
される蟹流lsが流れる。スイッチSを接点2に切換え
て抵抗R幻の抵抗値より大きい抵抗値を持つ抵抗K囚を
トランジスタQ24に直列接続すれば、トランジスタQ
乳のコレクタ電流lsは、抵抗R27の場合に比べて小
さくなる。同様にしてもトランジスタQ24のコレクタ
電流lsを任意に可変ごせたし、場合は、トランジスタ
Q24に可変抵抗R29が直列接続されるように、スイ
ッチSを接点3に転倒すればよい。定電流回蝋15のト
ランジスタQ24に与えられたコレクタ電流lsは、定
電流回路14と同様な回路動作によって、トランジスタ
Q24と対をなすトランジスタQ23コレクタにトラン
ジスタQ4のコレクタ電流と実質的に等しい電流lsを
流すことになる。16は第2の定電流回路で、一対のバ
ーチカル構造のNPNトランジスタQ粉およびQ27と
、一対のェミツタ抵抗R24およびR25とから成る。
ンジスタ24と直列接続すれば、定電流回路15のトラ
ンジスタQ24のコレクタには抵抗虫27によって決定
される蟹流lsが流れる。スイッチSを接点2に切換え
て抵抗R幻の抵抗値より大きい抵抗値を持つ抵抗K囚を
トランジスタQ24に直列接続すれば、トランジスタQ
乳のコレクタ電流lsは、抵抗R27の場合に比べて小
さくなる。同様にしてもトランジスタQ24のコレクタ
電流lsを任意に可変ごせたし、場合は、トランジスタ
Q24に可変抵抗R29が直列接続されるように、スイ
ッチSを接点3に転倒すればよい。定電流回蝋15のト
ランジスタQ24に与えられたコレクタ電流lsは、定
電流回路14と同様な回路動作によって、トランジスタ
Q24と対をなすトランジスタQ23コレクタにトラン
ジスタQ4のコレクタ電流と実質的に等しい電流lsを
流すことになる。16は第2の定電流回路で、一対のバ
ーチカル構造のNPNトランジスタQ粉およびQ27と
、一対のェミツタ抵抗R24およびR25とから成る。
トランジスタQ26のコレクタ・ベース間は短絡されて
いるので、トランジスタQ28は実質的にPN接合ダイ
オードすなわちPN接合手段として動作する。従って、
もしェミツタ抵抗R24とR25との抵抗値が等しいと
すれば、トランジスタQ27のコレクタには、トランジ
スタQ鱗のコレクタに与えられた電流IMと実質的に等
しい電流が流れる。また、トランジスタQ地 Q27の
各ェミツタはそれぞれ抵抗R24,R25を介して基準
電位に接続されており、トランジスタQ26のコレクタ
(ベース)は第3の定電流回路14のトランジスタQ2
.のコレクタに接続され、トランジスタQ27のコレク
外ま第1の定電流回路15のトランジスタQ23のコレ
クタに接続されている。
いるので、トランジスタQ28は実質的にPN接合ダイ
オードすなわちPN接合手段として動作する。従って、
もしェミツタ抵抗R24とR25との抵抗値が等しいと
すれば、トランジスタQ27のコレクタには、トランジ
スタQ鱗のコレクタに与えられた電流IMと実質的に等
しい電流が流れる。また、トランジスタQ地 Q27の
各ェミツタはそれぞれ抵抗R24,R25を介して基準
電位に接続されており、トランジスタQ26のコレクタ
(ベース)は第3の定電流回路14のトランジスタQ2
.のコレクタに接続され、トランジスタQ27のコレク
外ま第1の定電流回路15のトランジスタQ23のコレ
クタに接続されている。
この第2および第3の定電流回路16および14により
ミューテイング制御信号発生手段が構成される。19は
ミューテイング用制御信号の出力端子でミューティング
手段10の制御入力端子13に薮線される。
ミューテイング制御信号発生手段が構成される。19は
ミューテイング用制御信号の出力端子でミューティング
手段10の制御入力端子13に薮線される。
いま、トランジスタQ23のコレクタに流れる定電流を
ls、トランジスタQ27のコレクタ電流(吸込み電流
)をIMとすれば、トランジスタQ23とQ27のコレ
クタ接点U2から負荷抵抗R26に向って流れようとす
る出力制御電流I肌は、1M。=ls−IMとなり、こ
れによって端子13に印加すべきミューティング用制御
信号電圧VM(≠IN。×R26)を得る。かかる本発
明のミューティング回路の動作について第2図を参照し
て説明する。
ls、トランジスタQ27のコレクタ電流(吸込み電流
)をIMとすれば、トランジスタQ23とQ27のコレ
クタ接点U2から負荷抵抗R26に向って流れようとす
る出力制御電流I肌は、1M。=ls−IMとなり、こ
れによって端子13に印加すべきミューティング用制御
信号電圧VM(≠IN。×R26)を得る。かかる本発
明のミューティング回路の動作について第2図を参照し
て説明する。
第2図は、第1図に示された中間周波数増幅回路22の
受信入力信号レベルV,と、第1図に示された回路14
〜17から成るミューテイング用制御回路の出力端子1
9に得られるミューティング用制御信号電圧(ミューテ
ィング電圧)VMとの特性を示す。そして、この特性図
の曲線27はミューティングレベル選択手段17のスイ
ッチSが抵抗R幻(例えば3.眺Q)に接続されている
場合の特性を示し、曲線28は、ミューティングレベル
選択手段17のスイッチSが抵抗正27より高い抵抗値
を持つ抵抗R28(例えば肌Q)に接続された場合の特
性を示す。いま、ミューティングレベル選択手段のスイ
ッチSがR27に接続されることによって、定電流発生
回路15のトランジスタQ23のコレクタから電流ls
がls.に設定されたものとする。
受信入力信号レベルV,と、第1図に示された回路14
〜17から成るミューテイング用制御回路の出力端子1
9に得られるミューティング用制御信号電圧(ミューテ
ィング電圧)VMとの特性を示す。そして、この特性図
の曲線27はミューティングレベル選択手段17のスイ
ッチSが抵抗R幻(例えば3.眺Q)に接続されている
場合の特性を示し、曲線28は、ミューティングレベル
選択手段17のスイッチSが抵抗正27より高い抵抗値
を持つ抵抗R28(例えば肌Q)に接続された場合の特
性を示す。いま、ミューティングレベル選択手段のスイ
ッチSがR27に接続されることによって、定電流発生
回路15のトランジスタQ23のコレクタから電流ls
がls.に設定されたものとする。
この状態において、受信電波の電界強度が弱く、従って
、中間周波信号入力レベルViが低い場合、中間周波成
分がミューティング用整流回路24を通して定電流回路
16に直流電流IMとして電流変換される電流は小さい
ものとなる。すなわち、定電流回路16のトランジスタ
Q27のコレクタ電流(吸込み電流)1一は非常に小さ
いものとなる。従って、負荷抵抗R26に流入する出力
電流IMo(=ls,一lw)は多くなる。このような
電界強度に対し、電界強度が強くなるに従って、定電流
回路16に検出された制御信号電流INは増大し、これ
によって出力電流IMoは減少する。このようにして、
負荷抵抗R26の両端に得られるミューティング出力電
圧VM(二IMo×R26)は、第2図曲線27に示さ
れるように、受信信号レベルの増加とともに減少するよ
うに変化する。この時、ミュー7ィング動作を行なう可
変インピーダンス回路10の制御入力端子13における
スレツシュホールド電圧(オン電圧)をVth(例えば
1.4V)とすれば、VMが1.4V以上になるような
受信信号(第2図のVi2以下の信号レベル)に対して
はミュー7ィング手段10の可変インピーダンスとして
動作するトランジスタQ,6〜Q,9がオン状態となっ
て、オーディオ信号の伝達回路としての機能を持つ定電
流回路6および7の動作を遮断する。次ぎに、ミューテ
ィングレベル選択回路17の切換スイッチSを、抵抗R
27より高い抵抗値(例えば服0)を持つ抵抗R28に
切換えた場合、定電流発生回路15の定電流lsは、上
述したls,より小さいls2となる。従って、第2図
の曲線28に示すように、電界強度のわずかな増加によ
って、出力電流1肌(=ls2−1一)は減少すること
になり、結果的に、信号入力レベルがV,.以下の受信
信号に対しミューティング手段10が動作する。このよ
うにして、第2図に示すように、ミューティングレベル
選択手段の抵抗がR27に選択される場合は、中間周波
信号入力レベルViがViジメ下の受信信号に対して、
ミューティソグ動作を行ない、また、ミューティングレ
ベル選択手段の抵抗がR28に選択される場合は、信号
入力レベルViがVi,以下の受信信号に対してミュー
ティング動作を行なうこととなる。
、中間周波信号入力レベルViが低い場合、中間周波成
分がミューティング用整流回路24を通して定電流回路
16に直流電流IMとして電流変換される電流は小さい
ものとなる。すなわち、定電流回路16のトランジスタ
Q27のコレクタ電流(吸込み電流)1一は非常に小さ
いものとなる。従って、負荷抵抗R26に流入する出力
電流IMo(=ls,一lw)は多くなる。このような
電界強度に対し、電界強度が強くなるに従って、定電流
回路16に検出された制御信号電流INは増大し、これ
によって出力電流IMoは減少する。このようにして、
負荷抵抗R26の両端に得られるミューティング出力電
圧VM(二IMo×R26)は、第2図曲線27に示さ
れるように、受信信号レベルの増加とともに減少するよ
うに変化する。この時、ミュー7ィング動作を行なう可
変インピーダンス回路10の制御入力端子13における
スレツシュホールド電圧(オン電圧)をVth(例えば
1.4V)とすれば、VMが1.4V以上になるような
受信信号(第2図のVi2以下の信号レベル)に対して
はミュー7ィング手段10の可変インピーダンスとして
動作するトランジスタQ,6〜Q,9がオン状態となっ
て、オーディオ信号の伝達回路としての機能を持つ定電
流回路6および7の動作を遮断する。次ぎに、ミューテ
ィングレベル選択回路17の切換スイッチSを、抵抗R
27より高い抵抗値(例えば服0)を持つ抵抗R28に
切換えた場合、定電流発生回路15の定電流lsは、上
述したls,より小さいls2となる。従って、第2図
の曲線28に示すように、電界強度のわずかな増加によ
って、出力電流1肌(=ls2−1一)は減少すること
になり、結果的に、信号入力レベルがV,.以下の受信
信号に対しミューティング手段10が動作する。このよ
うにして、第2図に示すように、ミューティングレベル
選択手段の抵抗がR27に選択される場合は、中間周波
信号入力レベルViがViジメ下の受信信号に対して、
ミューティソグ動作を行ない、また、ミューティングレ
ベル選択手段の抵抗がR28に選択される場合は、信号
入力レベルViがVi,以下の受信信号に対してミュー
ティング動作を行なうこととなる。
すなわち、本発明によれば「受信信号レベルに対するミ
ューティング回路の動作レベルを任意に選択することが
できる。以上の説明から明らかにされるように、本発明
によれば、ミューティング電圧VNは、電流変換された
中間周波成分IMと、定電流発生回路15の電流lsと
の差電流lwo(=ls−IM)によって得られるため
、ミューティング選択手段17の抵抗の抵抗値によって
、中間周波成分の検出感度(制御信号の検出感度)を阻
害することはない。この結果、第2図に示されるように
、ミューティングレベル選択手段17の各抵抗に対する
ミューティング出力電圧特性は互いに平行移動したよう
な特性となり、各抵抗に対する制御感度を一定のものと
することができる。従って、ミューティングレベル選択
手段17による受信信号に対する動作レベルの可変範囲
を大きくすることが可能となる。また、レベル選択手段
17のスイッチ切換による制御感度の低下がないので、
定電流回路14〜16から成るミューテイング用制御回
路に含まれるかもしれない雑音或し、はろう洩信号によ
る誤動作をも防止することができる。本発明のように、
制御感度がミューティング動作レベルに対して一定で低
下しないことは、また、ミューティング回路の温度変化
に対する動作レベルの変化を少ないものとすることがで
きる。
ューティング回路の動作レベルを任意に選択することが
できる。以上の説明から明らかにされるように、本発明
によれば、ミューティング電圧VNは、電流変換された
中間周波成分IMと、定電流発生回路15の電流lsと
の差電流lwo(=ls−IM)によって得られるため
、ミューティング選択手段17の抵抗の抵抗値によって
、中間周波成分の検出感度(制御信号の検出感度)を阻
害することはない。この結果、第2図に示されるように
、ミューティングレベル選択手段17の各抵抗に対する
ミューティング出力電圧特性は互いに平行移動したよう
な特性となり、各抵抗に対する制御感度を一定のものと
することができる。従って、ミューティングレベル選択
手段17による受信信号に対する動作レベルの可変範囲
を大きくすることが可能となる。また、レベル選択手段
17のスイッチ切換による制御感度の低下がないので、
定電流回路14〜16から成るミューテイング用制御回
路に含まれるかもしれない雑音或し、はろう洩信号によ
る誤動作をも防止することができる。本発明のように、
制御感度がミューティング動作レベルに対して一定で低
下しないことは、また、ミューティング回路の温度変化
に対する動作レベルの変化を少ないものとすることがで
きる。
例えば、第1図の回路で、ミューテイング用可変インピ
ーダンス回路10のトランジスタQ,6およびQ,9の
ベース・ェミッタ間順方向電圧VB8が温度によって変
化し、結果的に制御入力端子13におけるスレツシュホ
ールド電圧Vthが変化しても、本発明によれば制御感
度が低下しないために動作レベル(ミューティング回路
がオーディオ回路の動作を遮断するときの受信信号レベ
ル)の変化は少ないものとなる。また、本発明の回路に
おいて、受信信号に対するミューティング動作レベルを
任意に可変させたし、場合は、ミューテイングレベル選
択手段17のスイッチSを可変抵抗K凶に接続すればよ
い。
ーダンス回路10のトランジスタQ,6およびQ,9の
ベース・ェミッタ間順方向電圧VB8が温度によって変
化し、結果的に制御入力端子13におけるスレツシュホ
ールド電圧Vthが変化しても、本発明によれば制御感
度が低下しないために動作レベル(ミューティング回路
がオーディオ回路の動作を遮断するときの受信信号レベ
ル)の変化は少ないものとなる。また、本発明の回路に
おいて、受信信号に対するミューティング動作レベルを
任意に可変させたし、場合は、ミューテイングレベル選
択手段17のスイッチSを可変抵抗K凶に接続すればよ
い。
さらに、本発明に使用される定電流発生回路15は、第
3図に示すように、第1図のトランジスタQ24および
Q25の代りに、PN接合ダイオードD3を使用しても
よい。このときダイオードD3はトランジスタQ23と
同様な構造をもつPNPトランジス夕を使用し、そのコ
レクタ・ベースを短絡することによって、ベース・ェミ
ッタ間のPN接合を利用することができる。以上述べた
本発明のミューティング回路の各回路は、一対のPNP
トランジスタ或いは一対のNPNトランジスタ並びに一
対の比較的低抵抗値を持つ抵抗によって構成できるので
、半導体集積回路技術によって一枚のシリコン半導体基
板上に容易に集積化することができる。
3図に示すように、第1図のトランジスタQ24および
Q25の代りに、PN接合ダイオードD3を使用しても
よい。このときダイオードD3はトランジスタQ23と
同様な構造をもつPNPトランジス夕を使用し、そのコ
レクタ・ベースを短絡することによって、ベース・ェミ
ッタ間のPN接合を利用することができる。以上述べた
本発明のミューティング回路の各回路は、一対のPNP
トランジスタ或いは一対のNPNトランジスタ並びに一
対の比較的低抵抗値を持つ抵抗によって構成できるので
、半導体集積回路技術によって一枚のシリコン半導体基
板上に容易に集積化することができる。
尚、上述の実質例においては一対のPNPトランジスタ
をラテラル構造にした場合について説明したが、バーチ
カル構造のPNPトランジスタとしてもよい。以上、本
発明を実施例について説明したが、本発明は上述の実施
例に限定されることなく、ミューティング手段又はミュ
ーティング制御回路の具体的回路の変更、若しくはその
応用範囲の変更等本発明の精神を逸脱しない範囲内にお
いて、各種の変形が可能である。
をラテラル構造にした場合について説明したが、バーチ
カル構造のPNPトランジスタとしてもよい。以上、本
発明を実施例について説明したが、本発明は上述の実施
例に限定されることなく、ミューティング手段又はミュ
ーティング制御回路の具体的回路の変更、若しくはその
応用範囲の変更等本発明の精神を逸脱しない範囲内にお
いて、各種の変形が可能である。
さらにまた、本発明はかかる例にかぎらず一般の信号伝
達回路の伝達レベルを制御する場合すべてに適用できる
。
達回路の伝達レベルを制御する場合すべてに適用できる
。
第1図は本発明のミューティング回路をFM受信機に適
用した場合の一実施例を示す回路図、第2図は本発明の
ミューティング回路の特性図、および第3図は本発明の
ミューティング回路に使用される定電流発生回路の変形
例を示す回路図。 25・・・電流変換回路手段、15・・・第1の定電流
回路、17ミューティングレベル選択手段、14,16
・・・ミューティング制御信号発生手段、10・・・ミ
ューテイング手段。 布乙囚 図 峠 肘ぅ菌
用した場合の一実施例を示す回路図、第2図は本発明の
ミューティング回路の特性図、および第3図は本発明の
ミューティング回路に使用される定電流発生回路の変形
例を示す回路図。 25・・・電流変換回路手段、15・・・第1の定電流
回路、17ミューティングレベル選択手段、14,16
・・・ミューティング制御信号発生手段、10・・・ミ
ューテイング手段。 布乙囚 図 峠 肘ぅ菌
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 受信信号を増幅するための増幅回路の利得を制御す
るためのミユーテイング回路であつて、次の構成より成
る。 (1) 前記受信信号の信号レベルに応答して信号電流
を発生させるための電流変換回路手段、(2) 制御入
力端子を有し、該制御入力端子に印加される制御信号に
従つて異なつた電流値を持つ定電流を発生させるための
第1の定電流発生回路、(3) 前記第1の定電流発生
回路の制御入力端子に接続され、前記第1の定電流発生
回路の制御信号を発生させて前記第1の定電流発生回路
の前記定電流を可変させるためのミユーテイングレベル
選択手段、(4) 前記第1の定電流発生回路の定電流
と、前記電流変換回路手段の前記信号電流との差電流を
取り出しし、この差信号をミユーテイング制御信号とす
るミユーテイング制御信号発生手段、および(5) 前
記ミユーテイング制御信号発生手段から取り出した前記
差電流により動作が制御され前記増幅回路の利得を制御
するミユーテイング手段。 2 特許請求の範囲第1項記載のミユーテイング回路に
おいて、前記第1の定電流発生回路は、第1の電位源に
結合されたエミツタを持つ第1のトランジスタと、前記
第1の電位源と前記第1のトランジスタのベースとの間
に接続された実質的にダイオードとして動作する第1の
PN接合手段と、前記第1のPN接合手段の電流を可変
させるために前記第1のPN接合手段の一端に設けられ
た前記制御入力端子とから成り、また、前記ミユーテイ
ング制御信号発生手段は、エミツタが基準電位に接続さ
れ、コレクタが前記第1のトランジスタのコレクタに接
続された第2のトランジスタと、基準電位と前記第2の
トランジスタのベースとの間に接続された実質的にダイ
オードとして動作する第2のPN接合手段とから成る第
2の定電流回路、およびエミツタが第2の電位源と結合
し、コレクタが前記第2のPN接合手段の一端に接続し
た第3のトランジスタと、前記第2の電位源と前記第3
のトランジスタのベースとの間に接続された実質的にダ
イオードとして動作する第3のPN接合手段とから成る
第3の定電流回路とにより構成され、前記第3のPN接
合手段の一端に前記電流変換回路手段の前記信号電流を
供給し、前記第1および第2のトランジスタのコレクタ
接続点より前記差電流を取り出し、さらに、前記ミユー
テイングレベル選択手段は、前記制御入力端子と前記基
準電位との間に接続された可変抵抗手段とから成ること
を特徴とするミユーテイング回路。 3 特許請求の範囲第2項記載のミユーテイング回路に
おい、前記可変抵抗手段は、互いに抵抗値が異なる2つ
の抵抗と、前記2つの抵抗のどちらか一方を選択するた
めのスイツチ手段とから成ることを特徴とするミユーテ
イング回路。 4 特許請求の範囲第2項記載のミユーテイング回路に
おいて、前記可変抵抗手段は、1つの可変抵抗器から成
ることを特徴とするミユーテイング回路。 5 特許請求の範囲第1項記載のミユーテイング回路に
おいて、前記ミユーテイング手段は、前記増幅回路の信
号を側路するように前記増幅回路に結合された可変イン
ピーダンス手段を具備し、前記差電流によつて該可変イ
ンピーダンス手段の導通度を制御することを特徴とする
ミユーテイング回路。 6 特許請求の範囲第5項記載のミユーテイング回路に
おいて、前記可変インピーダンス手段は、一方のトラン
ジスタのエミツタが、他方のトランジスタのベースに接
続された少なくともカスケード接続された二つのトラン
ジスタを含み、前記差電流は、前記一方のトランジスタ
のベースに印加されることを特徴とするミユーテイング
回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4357176A JPS6025930B2 (ja) | 1976-04-19 | 1976-04-19 | ミユ−テイング回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4357176A JPS6025930B2 (ja) | 1976-04-19 | 1976-04-19 | ミユ−テイング回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS52127114A JPS52127114A (en) | 1977-10-25 |
JPS6025930B2 true JPS6025930B2 (ja) | 1985-06-21 |
Family
ID=12667424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4357176A Expired JPS6025930B2 (ja) | 1976-04-19 | 1976-04-19 | ミユ−テイング回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6025930B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61213736A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-22 | Omron Tateisi Electronics Co | 電子体温計 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5711539A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-21 | Toa Tokushu Denki Kk | Squelch circuit |
JPS5939548U (ja) * | 1982-09-06 | 1984-03-13 | 松下電器産業株式会社 | シンセサイザ受信機 |
JPS5969543U (ja) * | 1982-11-01 | 1984-05-11 | 富士通テン株式会社 | ミユ−ト量調整回路 |
-
1976
- 1976-04-19 JP JP4357176A patent/JPS6025930B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61213736A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-22 | Omron Tateisi Electronics Co | 電子体温計 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS52127114A (en) | 1977-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0414525B2 (ja) | ||
JPH0728180B2 (ja) | 増幅器 | |
US3999138A (en) | Detector for AM-FM signals | |
US4274060A (en) | Signal change-over amplifier | |
US4366450A (en) | Automatic gain control circuit | |
US4219778A (en) | Signal processing circuit for an FM signal receiver | |
JPS6025930B2 (ja) | ミユ−テイング回路 | |
US2959640A (en) | Push-pull amplifier circuits | |
CA1081791A (en) | Am receiver | |
US4255815A (en) | Electronic switching for AM-FM radio | |
GB2038576A (en) | Amplifier system with agc | |
US2950356A (en) | Radio-phonograph circuits | |
JPS6318362B2 (ja) | ||
JPS6247017B2 (ja) | ||
US3733558A (en) | Stable low current amplifier | |
US3936750A (en) | AM-FM receiver having improved bias supply circuit | |
JPH0116050B2 (ja) | ||
US3012136A (en) | Detecting and automatic gain controlling circuit arrangement using transistors | |
JPS5934212Y2 (ja) | 信号処理回路用保護回路 | |
JPS6046133A (ja) | ラジオ受信機 | |
JPS6125111Y2 (ja) | ||
JPH0452994B2 (ja) | ||
JP2881770B2 (ja) | Agc回路 | |
JPS628976B2 (ja) | ||
JPS6347085Y2 (ja) |