JPS62230832A - 成型表面の紫外線レ−ザ−処理方法 - Google Patents

成型表面の紫外線レ−ザ−処理方法

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JPS62230832A
JPS62230832A JP62032301A JP3230187A JPS62230832A JP S62230832 A JPS62230832 A JP S62230832A JP 62032301 A JP62032301 A JP 62032301A JP 3230187 A JP3230187 A JP 3230187A JP S62230832 A JPS62230832 A JP S62230832A
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mold release
molded
laser
excimer laser
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JP62032301A
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デニス・レオナード・ワース
ヴィルパクシャ・カマラティンナ・レッディ
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BP Corp North America Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 1阪光1 本発明は、塗装または接合のような後加工用に成型プラ
スチック表面の下地処理または清浄化するためのきわめ
て有効で経済的な方法を提供する、表面調製分野に関す
るものである。成型物品の紫外レーザー処理が離型剤の
ような表面被膜を一段の乾式1程で除去する。希望する
場合には、成型プラスチックの薄層も所望の表面性質を
提供するようまた除くことができる。
毘−−1 プラスチック組成物を含めた成型組成物は一般的には型
からの取外しを容易にするために加工中に離型剤の使用
を必要とする。その後の加工段階中においてその種の成
型組成物を接合または塗装することが通常は必要である
。プラスチック表面の接合はgiffl剤をまず除かな
いかぎりよくない。
「内部」離型剤の使用は選ばれる薬剤を成型されるべき
基体と微細分割状固体、特に粉末として均密混合するこ
とを含む、型内の圧力下でのその後の加熱中に、その離
型剤の多くは型の表面へ移行し、型から取出すときに成
型物体はその選択された離型剤の薄層、またはフィルム
で以て被覆される傾向がある。対照的に、「外部離型剤
」ははじめに型表面上に塗布され、従って型から取出す
ときに、成型物体はその選択された離型剤の大部分をそ
の表面上にもつ。
慣用的な加工においては、離型剤は代表的にけパラフィ
ンワックス、ステアリン酸亜鉛のような化合物、あるい
はシリコーンのようなポリマー質物質を含む、そのよう
な代表的な離型剤は慣習的に「湿式」化学洗浄法におい
て除かれる。その処理はエネルギーおよび労働集約的で
あり、かつ環境問題を構成する化学品を使用する。以後
の乾燥段階において、残留離型剤の表面への移行はしば
しば経験される。このことは、洗浄後の成型製品におけ
るよくないあるいは相容性でない表面性質のゆえに、以
後の塗装または接合操作において高い不合格率に通ずる
プラスチック材料は多くの消費製品における金属を益々
増大する早さで代替してきた。顕著な用途は自動車、電
子設備、家具、などにおいてである。原料コスト並びに
加工コストが軽減されてきた。新型自動車は、ドア、パ
ネル、フェンダ−、フードおよびトランクの各部分を含
めて、プラスチック部分を益々多く使用している。従っ
て、表面調製用の改善されかつより経済的な手段を求め
る大きいニーズが存在している。
本発明は、非化学的で非接触的方式でほとんどまたは全
く熱的効果をもたないで、成型組成物の表面清浄化また
は下地処理を行なうための新規の方法に関係しているけ
れども、レーザーは特定的表面処理においてホトレジス
トの蝕刻および関連半導体の製造において採用されてき
た。その種の処理は遠紫外スペクトル領域における高エ
ネルギー・エキシマ−・レーザーを用いる。
ポリメチルメタクリレート・フィルムのフォト・エツチ
ング用にエキサイマー・レーザー分使用することは、ヤ
マムラらにより、h但ユp上ys工LeLt、40巻、
374−5頁(1982年)において、そして、R,ス
リニバサンにより、J 、Vac、Sci、Tecbn
ol。
旦工1巻、923−6頁(1983年)において報告さ
れた。
193ナノメートル(nm)の輻射線を出す^rFレー
ザーを使用すると、融触された物質は低勢力(flue
nce)の大きい断片(fraffment)として放
出され、一方、高エネルギー水準においては約300n
mの深さへの蝕刻が一定して実現できる。同様に、スリ
ニバサンらはポリエチレンテレフタレート・フィルムに
関する研究をJ 、A+s、CI+e輪、Soc、10
4巻、6784−5頁(1982年)において報告して
いる。二つの関連米国特許がこれらの研究の結果として
許諾されている。すなわち、S 、E 、ブルムらの特
許No、4.414,059゜とV、1.マイン−パン
トンらの特許No、4.417,948である。
この−059特許は220n+m以下の波長の輻射線を
用いる選択的な融触的光分解によって有機質レジスト材
料の模様付をすることに関するものである。
選択された電力(po@er)密度はレジストポリマー
鎖の崩壊をおこさせ揮発性断片がレジスト層から直ちに
逸散する。この方法は適用輻射線の波長に臨界的に依存
するものと述べられており、それは220nm以下であ
るべきである。この方法は回路製作用の平版印刷におい
て用いられる。
前記−948特許はポリマー材料の本件の加熱または劣
化を伴なうことのないポリエステルのフォトエツチング
に関するものである。 220na以下の波長をもつ紫
外輻射線を用いることによって深さ約100inの孔が
ポリマーフィルム中につくり出されるが、この方法にお
ける唯一の臨界的変数である。この方法はポリエステル
中のエステル結合のゆえに有効であり、従ってエステル
原子団を組入れたその種のポリマーにおける操作に限定
される。
本九匪へ11 本発明の新規の方法は改良された接合および塗装性能の
ための、成型生成物の表面調製に関するものである。本
発明は特に、紫外レーザー輻射線による処理を用いる一
段「屹式」法で、成型プラスチック物品の表面の清浄化
または下地処理を行なうことに関する乙のである。
この新規の方法は、パラフィン、シリコーン、またはス
テアリン酸亜鉛のような離型剤の残留皮膜、塗膜、ある
いは表面層を、プラスチック材料から成る成型表面から
、あるいは繊維、特にガラス繊維またはグラフディト繊
維で以て補強したその種の材料から除去する際に特に有
効である。
本発明の一つの目的は、離型剤から成る表面皮膜をプラ
スチック物質と一緒に除去して塗料皮膜の接着用に実質
上不純物を含まないすぐれた表面を提供することである
本発明のもう一つの目的は、表面皮膜をプラスチック物
質の追加的層と一緒に除去して塗料接着用または地表面
l\の接き用の改良表面を提供することである。
本発明のさらにもう一つの目的は、m型剤層と基体ポリ
マー物質の十分な部分とを除去してガラス繊維表面をそ
の表面の特に改良された接合のために露出させることで
ある。
紫外輻射線源は好ましくは弗化クリプトン(248r+
a+)または塩化キセノン(308++s+)レーザー
のようなパルス化エキシマ−・レーザーであり、成型組
成物上で塗布された離型剤を破断させる十分なエネルギ
ー密度を提供する勢力とパルス幅(1個または1個より
多いパルス)において成型組成物の表面を走査するもの
である。一般的に、その勢力は離型剤を含めた約50O
n+*までの厚さの皮膜層を除去するよう、約0.01
と約1.0ジュール7cm’の間の範囲にある。さらに
大きい勢力も必要ならば使用してよい。
本発明の一つの具体化は、離型剤を分解し蒸発分解断片
を放出する十分な勢力と時間を紫外線照射において用い
るときに、主題成型表面から離型剤を実質上完全に除去
する一段「乾式」法を提供する。ここで用いる用語「離
型剤」は、ポリマー表面あるいはプラスチック表面への
接合を妨害する不純物およびその他の偶然的物質を含む
ものと理解すべきである。ここで使用するとき、用語「
紫外輻射線」の使用は、11.ベネットのConcis
e Chesicaland Teclvicul  
D 1cLionar にューヨークのケミカル・パブ
リッシング社、1974年)において[136−400
0Aの波長をもつ、スペクトルの可視の青−紫波長より
短かい光波」、すなわち13.6−400nmの光波と
して見出される定義と一致する。
本発明の方法においては、成型物体の形状は不変のまま
である。離型剤の溶剤除去に関係する問題がさけられる
。これらの問題は、屹燥中の雛型剤の表面移行、有害化
学品への露出、および、成型部品が複雑な形状であると
きの捕捉された溶剤、化学品または水の存在、を含んで
いる。
拳法は、極めて短時間内の、成型物体表面からの離型剤
皮膜の蒸発または分解によって働く0表面皮膜または表
面層の中の関連プラスチック物質もまた除去される。そ
の結果として、たとえ、追加的な離型剤が事実上の表面
移行潜在性ともって内部的に存在するとしても、清浄な
成型表面への接合を大いに改善する。
本発明の一つの特別な具体化においては、表面が離型剤
薄膜で蔽われた成型組成物を制御された処理帯中に入れ
、離型剤を除去または分解する十分な強度(ジュール/
cz2/秒)をもつ紫外輻射線で以て照射する。分解断
片をその制御帯から取除き、その後、成型組成物を回収
する。その表面はその時点で清浄で、滑らかであり、離
型剤を実質的に含まない。
型から取出すとき、加工物は一般的には、約50旧nか
ら約500 n mの範囲内にある厚さをもつパラフィ
ン油またはワックス、シリコーン、あるいはステアリン
酸亜鉛のような離型剤の皮膜で以て蔽われている。最も
しばしば、皮膜の厚さは約100から約300n鋼の範
囲にある。
照射は通常は紫外線レーザー・ビームで以て、好ましく
はエキサイマー型のパルス化レーザー・ビームで以て実
施される。適当であるエキサイマー・レーザーの中には
弗化アルゴン(193nm)、弗化クリプトン(248
n請)、塩化キセノン(308nI@)、および弗化キ
セノン(351nm)がある、さらに短い波長のレーザ
ーはきわめて有効であるはずであるが、低波長弗1ヒア
ルゴン・レーザーに関係する高価な光学系のために、好
ましいエキサイマー・レーザーは弗化クリプトン・レー
ザーと塩化キセノン・レーザーである。紫外領域で輻射
線なもつ他のレーザーの中では、ネオジウム−Y A 
G (266nm)レーザーの第四倍音(barmon
ic)が有効であり、従って好ましいレーザーである。
一般的に、パルス幅は1.0マイクロ秒以下であるべき
で、好ましくは約15から約55ナノ秒(ns)の範囲
であってよい。一つの具体化においては、約45nsの
パルス幅が好ましい、勢力は約0.01から約0.1ジ
ュール7cm2あるいはさらにそれより大きくてよく、
好ましくは約0.04から約0.70J /c12であ
る。
約15から約55nsの範囲にあるパルス幅がこの方法
において大きい利用性をもつが、さらに短かいパルス幅
がきわめて有効であることができる。そのような短かい
パルスの場きには、ボンピング率がニオ・ルギーロス率
(熱的拡散または電子的励起状態の緩和による)をこえ
、従ってエネルギーは照射帯においてより有効に蓄積さ
れる。
消費製品の多くの種類における使用増加のために、代表
的な成型組成物はプラスチック材料から成る。代表的な
プラスチックはポリウレタンを含み、それはガラス粒子
を含んでいてもよく、また、ポリエステルであってしば
しばガラス繊維またはグラファイト繊維のような繊維質
成分で以て補強される。好ましい成型組成物はガラス繊
維で強化されたポリエステル、ポリエチレンテレフタレ
ート(PET)から成る。この後者の組成物はまた炭酸
カルシウムのような無機質充填剤を含んでいてよい。
一般的に、制御された処理帯は開放領域であるか、ある
いは、部分真空下または酸素ガス分圧を含むガス混り物
子で維持される閉鎖容積、のいずれかであってよい。こ
の真空は離型剤および関連ポリマー物質の分解断片(蒸
気として)の迅速除去を助ける。酸素の存在は、紫外輻
射線によって形成が誘起されたラジカルの再結合を回避
することにより、迅速断片化を助けるのに役立つ。
本発明が関係する成型物品は山から谷へ測ってほぼ20
00nmに及ぶ表面1■度を示すかもしれない。
この程度の■度は本発明の目的にとって大きいものでは
ないが、従来法において開示される用法に許される範囲
をはるかにはずれている。半導体または他の回路の加工
にとって、表面は極度に平らで滑らかでなければならず
、かつ蝕刻された孔は明瞭な境界と鋭く垂直の壁とによ
って規定されねばならない。そのような表面は本発明の
好ましい操作に関係するものではない。本発明の方法は
広い面積にわたる表面層の選択的除去に関するものであ
り、微小面績を精密加工するよりむしろ表面化学を修飾
して高度に規定されたミクロの姿をつくり出す。
本発明の方法は従来法の極端な表面平滑度を・g・要と
しないので、A r Fエキサイマー・レーザーよりエ
ネルギーの小さいレーザーがそれらの高度な有効性と同
時に低コストであるために好ましい。
紫外輻射線l\成型物体の全表面を露出する際には走査
動作が用いられねばならない。利用できる装置形態に応
じて、対象物表面はその加工物またはレーザー・ビーム
のどちらかのプログラム化された動きによって走査され
てよい。
輻射エネルギーの小部分は代表的には成型物品によって
吸収されるけれども、本体温度におよぼす効果はほとん
ど観察されず、従って本発明の方法は通常は実買上室温
において実施される。しかし、入射点における温度は瞬
間的により高く、離型剤またはポリマー物質の表面皮膜
の分離または蒸発を行なわせるかもしれない。
離型剤の分解または蒸発に必要とされるよりも過剰の紫
外輻射エネルギーへ成型表面を露出することによって、
プラスチック基板のいくらかの選択的除去がおこり得る
。ガラス繊維のような繊維とPETのような有機ポリマ
ーとの複合体を成型物品中で用いるときには、本発明の
方法は有機ポリマーの部分をはがし去って清浄なガラス
面を露出させることができる。そのような表面は例えば
アクリルラッカーを含めた各種塗料および接合剤に関し
、すぐれた接ぎ強度を示す。
グラスナック基板の改善された接合を行なわせる目的に
対し、表面清浄化はプラスチック物質のすべてを除くよ
う深く蝕刻することによってガラス繊維を露出させる必
要はない。しかし、雛型剤の実質上すべてを除いてしま
うよう十分に深く蝕刻することが必要と思われる。離型
剤の内部濃度が表面へ移行する十分な時間の後の剪断試
験は劣悪な結果を示し、このことは、接合操作は表面の
レーザー清浄化後できるだけすみやかにおこなわねばな
らないことを暗示している。このように、実質的に時を
同じくして行なう方式で処理を実施することが好ましい
以下の実施例は本発明の新規方法を、制限を加える意味
でなく解工するものである、 幻IJJ I エキサイマー・レーザー ビームとラムダフィジーク・
レーザー装置(モデル102および201E)で発生さ
せた。レーザー・パルス幅は15−25nsであった。
LclX3czの矩形断面をもつビーノ、3まずl c
x、’< l c肩平方の孔をもつ銅マスクを通過させ
た。
ビームは次に減衰器とシュブラシル・ビーム・スリッタ
ーを通過した。反射ビームをジュール・メーター上に向
け、これはマイクロコンピュータ−へ連結され、レーザ
ー・パルスエネルギーを測定し、レーザーの発射を調節
した。透過ビームを加工物の上I\向けた。シュブラシ
ル・ビーム・スプリッター透過スペクトルをU■−ビジ
プル・スペクトロメーターで以て1l80−400nス
ペクトル範囲において記録した。
プラスチック試料片はボンティアツク・フィエロのドア
パネル(ガラス小板で強化したポリウレタン)からつく
った。山から山への粗度は2001論より大であった。
各試料片(直径2.5cm)をビーム通路に置き、選択
されたエキシマ−レーザーから1−100パルスで以て
照射した。はとんどの場合には、表面清浄化用に1パル
スのみが必要であった。
選択されたレーザーは193nm(ArF)、248n
s(K rF〉、308n+a(X eC/)、および
351n鍮(XeF )において1を動した。その後、
試料表面全体を塗料シンナーと混きした赤アクリル・ラ
ッカー(デュポンのルーサイ1−)で塗装した。
塗料は露光(下地処理)領域および非露光領域の両方へ
付着した。24時間屹燥後、非露光領域中の塗料はマス
キング・テープと一緒に持上った。露出領域における塗
料はマスキング・テープと一緒に除くことはできなかっ
た。
塗料がプラスチック表面へそれ以上で接着する限界値の
レーザー勢力は各レーザー系について測定した。結果を
表■に示す。
夫施1」一 実施例Iのレーザー下地処理の手順をArF<193n
m)とK r F (248nm)のレーザーで以て採
用した。それらの勢力はプラスチック清浄化するための
限界値勢力よりもずっと大きかった。試料表面において
勢力を増すのにレンズは必要としながった。ビーム中の
エネルギーは石英板とショット・カットオフ・フィルタ
ーW G −230との適切な組合せで以て減衰された
。低いレーザー勢力が試料表面において必要とされると
きには、試料を反射ビーム中に置いた。高い勢力を必要
とするときには、同じように、試料を透過ビーム中に置
いた。
照射後、試料表面を塗装し、実施例■のとおり処理した
。効果を表■に示す。
及1昨1 実施例■のレーザー下地処理の手順をXeC1(308
nm)とXeF (351n+*)のレーザーで以て採
用した。レーザー・ビーム出力が限界値勢力より低かっ
たので。減衰器はレンズで以て置換えた。試料表面にお
ける勢力を試料とレンズの間の距離を変える(試料を動
かして)ことによって変動させた。試料表面と塗装し、
実施例1のとおりに処理した。
塗料は高勢力水準での露光領域へ接着したが、試t1表
面上で熱に影響された帯域のいくらかの徴候が存在した
。効果を表Iに示す。
及1燵L Nd  YAGレーザ−(クワンタ・レイ・DCR−3
0A型)の出力振動数をK D P・非線状結晶を使っ
て四階として、2661mでレーザー輻射線を発生さぜ
た。試F1照射に続いて、実施例Iの手順に従った。
塗料は表Iに含まれる、限界値より高いすべての勢力に
おいて照射領域へ接着した。
尺1鮭竺 実施例Iのレーザー下地処理手順を、XeC1(308
nm)レーザーで以て、離型剤としてパラフィンワック
スまたはステアリン酸亜鉛のいずれかで以て肢覆したガ
ラス充填ポリウレタンを照射する際に採用した。どちら
の試料も0,4フJ /cz2の勢力と45nsのパル
ス幅とにおいて露光するとき、離型剤の除去は本質上完
全であった。
実」1阻j− 実施例1の手順に従いX eC1(308++m)レー
ザーで以て、ステアリン酸亜鉛で)皮覆したポリエステ
ル−ガラス複合体を照射した。試料を0.64J 7c
m2の勢力と4シIsのパルス幅とにおいて露光すると
き、離型剤の除去は本質上完全であった。
0.8J 7cm2の勢力においては、複合体からのポ
リエステルの選択的除去がItll察され、ガラス繊維
入面がl:5!!Jを受けずかつ露出されて残った。よ
り大きい露出がさらに高い勢力において観察された。
寒1111 ボンティアツク・フィエロのフード・パネル(ポリエス
テル−ガラス繊維−炭酸カルシウム)がら取った試料片
を使って実施例■の手順に従った。
パルスあたりの蝕刻速度を選択された勢力において測定
し、観測された結果は表■に示されている。
及111 実施例■の場合と同じフード・パネル試料を選択された
勢力のレーザー輻射線で以て処理し、その後、接着試験
にかけて表面浄化の有効度を測定した。
レーザー浄化試料片をジオール−ジイソシアネート結合
用接着剤(ブライオグロップーアシュランド・オイル・
カンパニー)を室温で使って一緒に接合させ、ポリウレ
タン結合を達成させた。この混合接着剤をレーザー処理
試料の1″×1″表面領域にわたってひろげた。直径0
.02インチのガラスビードを接着剤の厚さを調節する
ために接着剤中に置いた。二つの同じように処理した試
料を次に一緒に均一にプレスし、約15分間放置した。
その峡、過剰の接着剤を除き、試f1を250°Fの浴
中で1時間あぶった。
剪断強度は室温と180°Fにおいてインストロン試験
機を使い、0.5インチ/分の速度で引張った。
180°Fでの試験結果を表■に示す。室温においては
、すべての試料が試料片本体中のプラスチック凝集破壊
により、高圧において破壊した。180°Fにおいては
、三つの種類の破壊が観察され、試料片と接着剤の間の
界面破壊、接着剤物質内部の接着剤凝集破壊、が含まれ
、試料片と接着剤の間の結合が完全なままで残った。A
 r Fレーザーでの試験は試料と接着剤との間の界面
においてこわれることを示した。同じ結果は、レーザー
処理後に1週間接合をおくらせなときにも得られた。
宍−−L ^rF   193  0.013    ffi秀K
rF   248  0.045    きわめて良N
d−YA(: 266’ 0.05−0.20良しがい
くらか。
しがいくらか。
a ポリウレタン・プラスチック・パネル。
ガラス繊維を含む。
b 第四倍音 衣−一り 八rF      193    0.44     
10      0.08100     0.08 KrF    243    G、40   10  
   0.14100     0.13 XeCl    308   0.44   10  
   0.65100     0.17 0.80    10     2.40too   
   O,14 0,10101,10 XeF      351    0.77    1
0       0.65too      o、os 2.04     1     7.505     
 7.60 表  ■ ^rF  193 0.15 1 338  bKrF
  248 0.18 2 347  c6 390 
 d O,411432d O,435455c KrFe248 0.43 5 473  bXeCl
  308 1.50 1 473  c5 510 
 b、c a180°Fにおける剪断試験。
I)  試料片と接着剤の間の界面破壊。
C試料片本体中のプラスチック凝集破壊。
d  接着剤物質内の接着剤′a集破壊。
e  レーザー浄化後7日で接合した試料片。
本澄泗1するための最1の 一 本発明において使用するための成型プラスチック表面は
、(1)−/12的には充填剤としてガラス小板を含む
成型ポリウレタン物品、あるいは(2)一般的にはガラ
ス繊維と炭酸カルシウムのような無8!τ丁充填剤とを
含む成型ポリエステル物品、によって例示される。
あとの塗装のためにポリウレタン・プラスチック表面を
yJ賀する最良の方式においては、248nmにおける
エキシマ−・レーザー・ビームを弗化クリプトンを用い
て発生させる。生成レーザー・ビームを次に減衰器中に
通し、シュブラシル・ビーム・スプリッターを使って二
つのビームへ分割する。第一のビームをジュール・メー
ター上へ向ける。第二のビームはある走査様式で成型プ
ラスチック表面I\向ける。レーザー発射およびパルス
エネルギーの測定はマイクロコンピュータ−で以て行な
わせる。成型プラスチック表面を約20nsのパルス幅
と約0.045J /ell”の勢力とをもつ5レーザ
ーパルスへ露光する。この処理表面はこのレーザービー
ム下処理掻fヤの後、約3時間以内に塗装する。
あとの結合のため1こ248n論でKrFエキシマ−。
レーザー・ビームを使用してポリエステル・プラスチッ
ク表面を調製する際には、よりきびしい表面処理が必要
とされる。表面を約20nsのパルス幅と約0.18J
 7cm”の勢力とをもっ2レーザーパルスへ露光する
。この処理は離型剤で以て特別に汚染されたプラスチッ
ク層を除くのに十分であるが、ポリエステル成分のすべ
てを除去してガラス繊維を露出させるものではない。処
理された表面の接合はポリウレタン接着剤を使って急い
で行なう。
工】Jb4尻五一 本発明の方法は離型剤で以て汚染された上部表面層を蒸
発させることにより、成型プラスチック部品の一定した
下地処理と清浄化に適し、従って塗装用の改良された下
地処理表面を提供する。さらにきびしい清浄化処理は、
接ぎ用の改善された1mを提供することが必要とされる
とおりに、プラスチック物質の追加的な層を除去する。
本発明の方法はプラスチック部品の形状を変えることの
ない非接触的乾式方法である。下地処理および清浄化は
大気汚染なしで実施される。水沫は一段式で実施され、
従って処理コストは低い。
(外5名)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)成型プラスチック含有物品の表面をその後の接合、
    塗装、あるいは表面改質処理のために調製する方法であ
    って、 (a)離型剤の薄層で以て表面を被覆した成型物品を温
    度と圧力の制御された条件下で維持した調製帯へ導入し
    ; (b)調製帯内の成型物品の表面を、離型剤のほぼ完全
    な破砕を行なわせるのに十分な作用とパルス幅とをもつ
    焦点を合わせたパルス状紫外線で以て走査し; (c)離型剤の断片を調製帯から取除き; (d)このようにして調製された離型剤を含まない成型
    プラスチック含有物品を、選択された表面改質処理帯へ
    直接に送る; 各段階から成る、方法。 2)調製帯をほぼ室温および減圧において維持する、特
    許請求の範囲第1項に記載の方法。 3)紫外線のパルス幅が約15から約55ナノ秒の範囲
    内にある、特許請求の範囲第1項に記載の方法。 4)紫外線の作用が少くとも約0.01ジュール/cm
    ^2である、特許請求の範囲第1項に記載の方法。 5)紫外線の作用が約0.04から約0.70ジュール
    /cm^2の範囲内にある、特許請求の範囲第1項に記
    載の方法。 6)紫外輻射線がエキサイマー・レーザー・ビームから
    成る、特許請求の範囲第1項に記載の方法。 7)エキサイマー・レーザー・ビームが弗化アルゴン、
    弗化クリプトン、塩化キセノン、および弗化キセノンの
    レーザー・ビームから成る種類から選ばれる、特許請求
    の範囲第6項に記載の方法。 8)成型物品がポリウレタンから成り、離型剤がステア
    リン酸亜鉛またはパラフィンワックスから成る、特許請
    求の範囲第1項に記載の方法。 9)成型物品がポリエステル−ガラス繊維複合体から成
    り、離型剤がステアリン酸亜鉛から成る、特許請求の範
    囲第1項に記載の方法。 10)ポリエステル−ガラス繊維複合体がさらに充填剤
    物質として炭酸カルシウムを含む、特許請求の範囲第9
    項に記載の方法。 11)有機ポリマー成分と繊維成分とから少くとも成る
    成型複合体物品の表面層において改善された接合性質を
    提供する方法であって、 (a)離型剤の薄膜で以て被覆した表面層をもつ成型複
    合体物品を処理帯中へ導入し; (b)エキサイマー・レーザー・ビームから成る紫外輻
    射線を発生させ、そのレーザ・ビームが少くとも約0.
    15ジュール/cm^2の作用をもち;(c)紫外輻射
    線を処理帯中の成型複合体物品の表面全体の上に走査模
    様で向け、その上の離型剤被膜の実質上完全な分解をそ
    の表面層中に含まれるポリマー成分の少くとも一部の分
    解と一緒に行なわせ; (d)分解生成物を処理帯から取除き; (e)成型複合体物品を選択された接着加工用に処理帯
    から取出す; 各工程から成る、方法。 12)離型剤がステアリン酸亜鉛である、特許請求の範
    囲第11項に記載の方法。 13)有機ポリマー成分がポリエステル物質である、特
    許請求の範囲第11項に記載の方法。 14)繊維成分がガラスまたはグラファイトである、特
    許請求の範囲第11項に記載の方法。 15)有機ポリマー成分がポリエチレンテレフタレート
    であり、繊維成分がガラス繊維である、特許請求の範囲
    第11項に記載の方法。 16)エキサイマー・レーザーが248ナノメートルの
    波長をもつ弗化クリプトン・レーザーである、特許請求
    の範囲第11項に記載の方法。 17)エキサイマー・レーザーが308ナノメートルの
    波長をもつ塩化キセノン・レーザーである、特許請求の
    範囲第11項に記載の方法。 18)エキサイマー・レーザーが351ナノメートルの
    波長をもつ弗化キセノン・レーザーである、特許請求の
    範囲第11項に記載の方法。 19)エキサイマー・レーザー・ビームが約15から約
    55ナノ秒の範囲内のパルス幅をもつ、特許請求の範囲
    第11項に記載の方法。
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