JPS62230039A - 電子回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はビデオテープレコーダや産業用電子機器に至る
広範な電子機器に用いられるバイブリフトＩＣ用の電子
回路基板の製造方法に関するものである。

従来の技術 近年、電子機器の軽薄短小化や高機能化に対する要求は
ますます増大しており、それにともなってこれら電子回
路の高密度化が必要不可欠の要件となってきている。

このような中にあって、昨今電子回路系の高密反化や高
信頼化をはかる手段としてハイブリッドＩＣを用いた回
路構成法が多くの電子機器分野で採用されるようになっ
てきた。

従来、このハイブリッドＩＣを構成する電子回路基板と
しては、第２図に示すようなものが用いられていた。こ
の゛電子回路基板はアルミナなどのセラミック絶縁基板
１の主面上に嫁−パラジウムなどの貴金属層から成るメ
タルグレーズ系の導体ペーストと、酸化ルテニウ系の抵
抗不ペーストをそれぞれスクリーン印刷法を用いて所望
とする回路図形状に塗布し、８ｏＯ〜９００　℃の高温
中で焼成することによって回路導体層２と抵抗体ノー３
を形成したものである。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、このような方法によって電子回路基板で
は、ｎの製造プロセスにおいて空気中での高温熱処理が
必須条件とされ、使用する導体材料はおのづから金や銀
などの高価な貴金属に限られること、もっとも広く用い
られている銀糸の導体層は、その特有の問題点として溝
中負荷による銀導体のマイグレーションやはんだづけ工
程中で銀がはんだの中に溶出するいわゆる銀くわれ現象
によって回路導体層２が断線不良を起こしやすいなどの
問題点があること、さらにはスクリーン印刷法によって
回路導体層２が形成されるので、配線同格の微細化がは
かりにくく、高密度回路の構成が困難な問題点を有して
いた。このような欠点を解決するものとして、無電解め
っき法を利用して、セラミック基板上に直接回路導体層
を形成する試みがなされているが、この方法では製造工
程が煩雑であることや、無電解めっきによシ析出する金
属とセラミック基板との密着性が得られにくいこと、さ
らには湿式プロセスのため、製造工程中で廃液に細心の
注意を払う必要があり廃液処理のための公害防止設備に
多大の費用を投入する必要があった。

問題点を解決するだめの手段 上記問題点を解決するために本発明の電子回路基板は、
セラミック絶縁基板の少くとも一方の主面上にメタルグ
レーズ系の抵抗体層と、この抵抗体層の相対する両端部
に接続端子層を形成した後で、その同一面上に真空蒸着
法やスパッタリング法などの薄膜技術を利用して金属層
を析出させ、所望とする回路導体層を形成するものであ
る。

作用 本発明は上記したようにメタルグレーズ系の抵抗体層を
形成したセラミック基板上に真空蒸着法やスパッタリン
グ法などの薄膜技術を利用して金属層を析出させ必要と
する回路導体層を形成することにより、セラミック基板
と密着性のすぐれた回路導体層が得られるとともに、高
信頼性を有する高密度電子回路基板が実現できるもので
ある。

実施例 以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。

第１図五〜Ｄは本発明の一実施例を説明するだめの電子
回路基板各裂造工程での要部断面図である。

第１図において、４はセラミック絶縁基板、６は接続端
子層、６はメタルグレーズ系の抵抗体層、７はガラス保
護膜層、８は薄膜金属層、９は耐エツチングレジスト層
である。

以上のような構成から成る電子回路基板の製造方法につ
いて以下にその詳細を説明することにする。先づ、第１
図ムに示すようにアルミナなどから成るセラミック絶縁
基板４の主面上に銀糸のメタルグレーズ系導体ペースト
を用いてスクリーン印刷法により所望とする図形状に塗
布し、８００〜９００℃の高温中で焼成することによっ
て接続端子用導体層６を形成し、次いでこの接続端子用
導体層５間にまたがるように酸化ルテニウム系などのメ
タルグレーズ系の抵抗体ペーストをスクリーン印刷法に
よって所定の面積に塗布し、同じくＳＯＯ〜９００℃の
高温中で焼成することによって抵抗体層６を形成してか
ら、この抵抗体層６をレーザートリミング法により所定
の抵抗値になるように調整シ、このメタルグレーズ系の
抵抗体層６の表面にガラスペーストを塗布し、４０ｏＰ
−５００℃の温度で焼成することによりガラス保護膜層
７を形成した。

それから第１図Ｂに示すように、抵抗体層６を形成した
セラミック絶縁基板４の表面に真空蒸着法やスパッタリ
ング法などによって金属薄膜層８を析出させた。

この場合析出させる金属薄膜層８としてはセラミック絶
縁基板４との密着性にすぐれ、かつ固有抵抗値が小さく
、はんだづけ性や耐蝕性にすぐれたものが要求されるが
、本実施例においては、銅。

ニッケル、あるいは銅−ニッケルの合金膜をスパッタリ
ング法を用いて析出させた。

そして、第１図Ｃに示すように、金属薄膜層８の表面に
フォト技術やスクリーン印刷法によって耐エツチング性
を有するレジスト層９を所望とする回路図形状に塗布し
、露出しだ金属薄膜層８を塩化第２鉄などのエツチング
液て浸漬して溶解除去し、第１図りに示すような回路導
体層を形成する。この場合、このエツチング工程におい
て、抵抗体層６の表面を保護したガラス層７は、エッチ
ング腋に侵されるものであってはならず、耐酸性にすぐ
れたガラスを用いる必要がある。

尚、本実施例では所望とする回路導体層の形成法として
、金属薄膜層８を抵抗体層６を形成したセラミック絶縁
基板４の表面全体に析出させてから、不要部分の金属薄
膜層８を除去する方法によって形成しだが、このパター
ン形成法として、金属薄膜層８を析出させる前にセラミ
ック絶縁基板４の表面に予め容易に除去可能なレジスト
を用いて逆配線図形状に塗布し、金属薄膜層を全面に付
着させてからレジストを除去する方法によってもよく、
このような方法を用いることによりエツチング工程を省
略することが可能となり、より低コストの電子回路基板
が得られる。

さらに、本発明においては、回路導体層の形成に際し、
金属薄膜層の表面に必要により無電解めっき法や電気め
っき法によって金属層を析出させ、導体層の厚さを増し
て電気特性やばんだづけ性の改善をはかってもよい。

゛　発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明てよる電子回路
基板は、セラミック基板上に先づ厚膜技術を用いてメタ
ルグレーズ系の抵抗体層を形成してから、偉膜技術を用
いて回路導体層を形成する方法によって作られたもので
ある。

従って、このような方法で作られた電子回路基板は、回
路導体層に使用される金属材料は貴金属に限定されるも
のではなく、銅、ニッケルなどの低コストの卑金属材料
を用いることが可能であり、マクグレージョンなどの回
路導体層の特性劣化がなく、さらにエツチング法によっ
て回路形成ができるので回路パターンの微細化がはから
れ高密度回路が容易に実現できる効果が得られる。

さらに無電解めっき法との比較においては、製造工程が
簡略化され、しかも析出した金属とセラミックとの密着
性がすぐれ、公害防止設備の規模が小さくてすむなどの
効果が得られるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図ム〜Ｄは本発明の詳細な説明するだめの電子回路
基板の製造工程における要部断面図、第２図は従来例に
よる電子回路基板の要部断面図である。 ４・・・・・・セラミック絶縁基板、５・・・・・・接
続端子層、６・・・・・・メタルグレーズ抵抗体層、７
・・・・・保護コートガラス層、８・・・・・・金属薄
膜層、９・・・・・・耐エツチング性レジスト層。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名く　
　　　　　　　Ｑ　　　　　　　　（捕 Ｑ　　　　　　帳

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　セラミック絶縁基板の少くとも一方の主面上にメタル
   グレーズ系の抵抗体層と、前記抵抗体層の相対する両端
   部に接続端子層を形成した後で、前記抵抗体層と同一面
   上に薄膜技術を利用して所望とする回路導体層を形成す
   ることを特徴とした電子回路基板の製造方法。